JPS6230524B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6230524B2 JPS6230524B2 JP55188806A JP18880680A JPS6230524B2 JP S6230524 B2 JPS6230524 B2 JP S6230524B2 JP 55188806 A JP55188806 A JP 55188806A JP 18880680 A JP18880680 A JP 18880680A JP S6230524 B2 JPS6230524 B2 JP S6230524B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillation
- inverting amplifier
- oscillation frequency
- circuit
- switching element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 104
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/364—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising field effect transistors
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は２種類以上の発振周波数の発振信号
が出力する集積回路構成が可能な発振回路に関す
るものである。
が出力する集積回路構成が可能な発振回路に関す
るものである。
第１図は従来の発振回路を示す回路図であり、
第１図に示す発振回路を２種類設け、２種類の発
振周波数を得る場合である。同図において、１は
帰還抵抗２、コンデンサ３および４、圧電振動子
５および発振用反転増幅器６から構成し、発振周
波数Ａの発信信号を出力する第１発振回路、７は
帰還抵抗８、コンデンサ９および１０、圧電振動
子１１および発振用反転増幅器１２から構成し、
発振周波数Ｂの発振信号を出力する第２発振回
路、１３は発振周波数Ａの発振信号を波形整形す
る反転増幅器、１４は発振周波数Ｂの発振信号を
波形整形する反転増幅器、１５は発振周波数切換
用の切換制御信号が入力する切換制御端子、１６
はこの切換制御信号を反転する切換用インバー
タ、１７，１８および１９はナンド回路、２０は
切換制御信号によつて制御される発振周波数の発
振信号が出力する出力端子である。
第１図に示す発振回路を２種類設け、２種類の発
振周波数を得る場合である。同図において、１は
帰還抵抗２、コンデンサ３および４、圧電振動子
５および発振用反転増幅器６から構成し、発振周
波数Ａの発信信号を出力する第１発振回路、７は
帰還抵抗８、コンデンサ９および１０、圧電振動
子１１および発振用反転増幅器１２から構成し、
発振周波数Ｂの発振信号を出力する第２発振回
路、１３は発振周波数Ａの発振信号を波形整形す
る反転増幅器、１４は発振周波数Ｂの発振信号を
波形整形する反転増幅器、１５は発振周波数切換
用の切換制御信号が入力する切換制御端子、１６
はこの切換制御信号を反転する切換用インバー
タ、１７，１８および１９はナンド回路、２０は
切換制御信号によつて制御される発振周波数の発
振信号が出力する出力端子である。
次に、上記構成に係る発振回路の動作について
説明する。
説明する。
まず、第１発振回路１および第２発振回路７が
それぞれ発振動作をすると、それぞれ発振用波数
Ａの発振信号および発振周波数Ｂの発振信号が出
力する。したがつて、反転増幅器１３は発振周波
数Ａの発振信号の入力により、波形整形し、反転
した発振信号を出力する。また、反転増幅器１４
は発振周波数Ｂの発振信号の入力により、波形整
形し、反転した発振信号を出力する。いま、切換
制御端子１５に入力する切換制御信号が“Ｈ”レ
ベルのとき、ナンド回路１７の一方の入力端子に
は切換用インバータ１６によつて反転した“Ｌ”
レベルが入力するため、このナンド回路１７の出
力は“Ｈ”レベルになる。このため、発振周波数
Ａの発振信号はゲートされる。一方ナンド回路１
８は開き、発振周波数Ｂの発振信号はこのナンド
回路１８およびナンド回路１９を通つて出力端子
２０から出力する。次に、切換制御端子１５に入
力する切換制御信号が“Ｌ”レベルのとき、ナン
ド回路１７の一方の入力端子には切換用インバー
タ１６によつて反転した“Ｈ”レベルが入力する
ため、このナンド回路１７が開く。このため、発
振周波数Ａの発振信号はこのナンド回路１８およ
びナンド回路１９を通つて出力端子２０から出力
する。一方、ナンド回路１８の出力は“Ｈ”レベ
ルになり、発振周波数Ｂの発振信号はゲートされ
る。このようにして、発振周波数Ａおよび発振周
波数Ｂの２種類の発振信号を選択的に切換えて出
力することができる。
それぞれ発振動作をすると、それぞれ発振用波数
Ａの発振信号および発振周波数Ｂの発振信号が出
力する。したがつて、反転増幅器１３は発振周波
数Ａの発振信号の入力により、波形整形し、反転
した発振信号を出力する。また、反転増幅器１４
は発振周波数Ｂの発振信号の入力により、波形整
形し、反転した発振信号を出力する。いま、切換
制御端子１５に入力する切換制御信号が“Ｈ”レ
ベルのとき、ナンド回路１７の一方の入力端子に
は切換用インバータ１６によつて反転した“Ｌ”
レベルが入力するため、このナンド回路１７の出
力は“Ｈ”レベルになる。このため、発振周波数
Ａの発振信号はゲートされる。一方ナンド回路１
８は開き、発振周波数Ｂの発振信号はこのナンド
回路１８およびナンド回路１９を通つて出力端子
２０から出力する。次に、切換制御端子１５に入
力する切換制御信号が“Ｌ”レベルのとき、ナン
ド回路１７の一方の入力端子には切換用インバー
タ１６によつて反転した“Ｈ”レベルが入力する
ため、このナンド回路１７が開く。このため、発
振周波数Ａの発振信号はこのナンド回路１８およ
びナンド回路１９を通つて出力端子２０から出力
する。一方、ナンド回路１８の出力は“Ｈ”レベ
ルになり、発振周波数Ｂの発振信号はゲートされ
る。このようにして、発振周波数Ａおよび発振周
波数Ｂの２種類の発振信号を選択的に切換えて出
力することができる。
しかしながら、従来の発振回路ではその発振回
路を集積回路に内蔵する場合、発振用反転増幅器
に用いるトランジスタサイズが大きく、しかも発
振部分による消費電流が多大となるため、２種以
上の発振周波数が得られる発振回路を構成する
と、集積回路内に占める発振部分が増大すると共
に消費電流もその異なる発振部分の数の増大と共
に増えるなどの欠点があつた。
路を集積回路に内蔵する場合、発振用反転増幅器
に用いるトランジスタサイズが大きく、しかも発
振部分による消費電流が多大となるため、２種以
上の発振周波数が得られる発振回路を構成する
と、集積回路内に占める発振部分が増大すると共
に消費電流もその異なる発振部分の数の増大と共
に増えるなどの欠点があつた。
したがつて、この発明の目的は１つの発振回路
で２種類以上の発振周波数を制御して選択的に出
力することができ、それによつて集積回路に内蔵
することができるようにした発振回路を提供する
ものである。
で２種類以上の発振周波数を制御して選択的に出
力することができ、それによつて集積回路に内蔵
することができるようにした発振回路を提供する
ものである。
この発明は、反転増幅器と、この反転増幅器の
入出力端子間に接続した帰還抵抗と、圧電振動子
とコンデンサからなり、前記反転増幅器に接続さ
れてそれぞれ発振回路を構成する第１および第２
の発振周波数決定素子と、電界効果型ｐチヤンネ
ルトランジスタと電界効果型ｎチヤンネルトラン
ジスタを並列接続し、前記反転増幅器の出力端子
と第１の発振周波数決定素子との間に接続した第
１の発振周波数切換用スイツチング素子と、同じ
く電界効果型ｐチヤンネルトランジスタと電界効
果型ｎチヤンネルトランジスタを並列接続し、前
記反転増幅器の出力端子と第２の発振周波数決定
素子との間に接続した第２の発振周波数切換用ス
イツチング素子と、前記第１の発振周波数切換用
スイツチング素子と第２の発振周波数切換用スイ
ツチング素子の導通状態が互いに逆になるように
各スイツチング素子のゲートに制御信号を供給す
る回路とを備え、前記ゲートに供給される制御信
号の電圧レベルを前記反転増幅器の電源電圧より
も高くしたもので、２種類以上の発振周波数の発
振信号を出力すると共に集積回路の内蔵を可能に
するものであり、以下実施例を用いて詳細に説明
する。
入出力端子間に接続した帰還抵抗と、圧電振動子
とコンデンサからなり、前記反転増幅器に接続さ
れてそれぞれ発振回路を構成する第１および第２
の発振周波数決定素子と、電界効果型ｐチヤンネ
ルトランジスタと電界効果型ｎチヤンネルトラン
ジスタを並列接続し、前記反転増幅器の出力端子
と第１の発振周波数決定素子との間に接続した第
１の発振周波数切換用スイツチング素子と、同じ
く電界効果型ｐチヤンネルトランジスタと電界効
果型ｎチヤンネルトランジスタを並列接続し、前
記反転増幅器の出力端子と第２の発振周波数決定
素子との間に接続した第２の発振周波数切換用ス
イツチング素子と、前記第１の発振周波数切換用
スイツチング素子と第２の発振周波数切換用スイ
ツチング素子の導通状態が互いに逆になるように
各スイツチング素子のゲートに制御信号を供給す
る回路とを備え、前記ゲートに供給される制御信
号の電圧レベルを前記反転増幅器の電源電圧より
も高くしたもので、２種類以上の発振周波数の発
振信号を出力すると共に集積回路の内蔵を可能に
するものであり、以下実施例を用いて詳細に説明
する。
第３図はこの発明に係る発振回路の一実施例を
示す回路図である。同図において、２１は反転増
幅器、２２および２３は発振周波数切換用スイツ
チング素子として用いたトランスミツシヨンゲー
トであり、それぞれ電界効果型ｐチヤンネルトラ
ンジスタと電界効果型ｎチヤンネルトランジスタ
の一方の電極同志および他方の電極同志が接続
し、そのゲート電極は反対の電位になるように構
成する。
示す回路図である。同図において、２１は反転増
幅器、２２および２３は発振周波数切換用スイツ
チング素子として用いたトランスミツシヨンゲー
トであり、それぞれ電界効果型ｐチヤンネルトラ
ンジスタと電界効果型ｎチヤンネルトランジスタ
の一方の電極同志および他方の電極同志が接続
し、そのゲート電極は反対の電位になるように構
成する。
次に、上記構成に係る発振回路の動作について
説明する。
説明する。
まず、切換制御端子１５に入力する切換制御信
号が“Ｈ”レベルのとき、トランスミツシヨンゲ
ート２２がオン状態になり、トランスミツシヨン
ゲート２３はオフ状態になる。このため、発振回
路は帰還抵抗２、コンデンサ３および１０、発振
用反転増幅器６および圧電振動子１１から構成さ
れる。したがつて、発振周波数Ｂの発振信号が反
転増幅器２１を通つて出力端子２０から出力す
る。次に、切換制御端子１５に入力する切換制御
信号が“Ｌ”レベルのとき、トランスミツシヨン
ゲート２２がオフ状態になり、トランスミツシヨ
ンゲート２３がオン状態になる。このため、発振
回路は帰還抵抗２、コンデンサ３および４、圧電
振動子５および発振用反転増幅器６から構成され
る。したがつて、発振周波数Ａの発振信号が反転
増幅器２１を通つて出力端子２０から出力する。
号が“Ｈ”レベルのとき、トランスミツシヨンゲ
ート２２がオン状態になり、トランスミツシヨン
ゲート２３はオフ状態になる。このため、発振回
路は帰還抵抗２、コンデンサ３および１０、発振
用反転増幅器６および圧電振動子１１から構成さ
れる。したがつて、発振周波数Ｂの発振信号が反
転増幅器２１を通つて出力端子２０から出力す
る。次に、切換制御端子１５に入力する切換制御
信号が“Ｌ”レベルのとき、トランスミツシヨン
ゲート２２がオフ状態になり、トランスミツシヨ
ンゲート２３がオン状態になる。このため、発振
回路は帰還抵抗２、コンデンサ３および４、圧電
振動子５および発振用反転増幅器６から構成され
る。したがつて、発振周波数Ａの発振信号が反転
増幅器２１を通つて出力端子２０から出力する。
なお、ここでトランスミツシヨンゲートを低電
圧動作すると、ゲート電極の電位が低いため、オ
ン時でも他の２電極間が高抵抗となり、発振を停
止することがあり、発振回路自体の発振開始電圧
が低下する恐れがある。この場合にはトランスミ
ツシヨンゲートのゲート電圧の制御信号レベルを
反転増幅器の電源電圧よりも高い状態で動作させ
ることにより、発振開始電圧を低くすることがで
きる。
圧動作すると、ゲート電極の電位が低いため、オ
ン時でも他の２電極間が高抵抗となり、発振を停
止することがあり、発振回路自体の発振開始電圧
が低下する恐れがある。この場合にはトランスミ
ツシヨンゲートのゲート電圧の制御信号レベルを
反転増幅器の電源電圧よりも高い状態で動作させ
ることにより、発振開始電圧を低くすることがで
きる。
以上詳細に説明したように、この発明に係る発
振回路によれば、電界効果型トランジスタを用い
たトランスミツシヨンゲートからなる発振周波数
切換用スイツチング素子を切換えて動作すること
により、発振周波数を変更できるので、回路素子
の数が減少し、しかも消費電流が少なくなるの
で、集積回路に内蔵することができるなどの効果
がある。また、発振周波数切換用スイツチング素
子のゲート電極の制御信号の電圧レベルを反転増
幅器の電源電圧より高くすることにより発振開始
電圧を低くすることができ、これにより発振動作
が安定になるという効果がある。
振回路によれば、電界効果型トランジスタを用い
たトランスミツシヨンゲートからなる発振周波数
切換用スイツチング素子を切換えて動作すること
により、発振周波数を変更できるので、回路素子
の数が減少し、しかも消費電流が少なくなるの
で、集積回路に内蔵することができるなどの効果
がある。また、発振周波数切換用スイツチング素
子のゲート電極の制御信号の電圧レベルを反転増
幅器の電源電圧より高くすることにより発振開始
電圧を低くすることができ、これにより発振動作
が安定になるという効果がある。
第１図は従来の発振回路を示す回路図、第２図
は第１図の発振部分を示す回路図、第３図はこの
発明に係る発振回路の一実施例を示す回路図、で
ある。 １……第１発振回路、２……帰還抵抗、３およ
び４……コンデンサ、５……圧電振動子、６……
発振用反転増幅器、７……第２発振回路、８……
帰還抵抗、９および１０……コンデンサ、１１…
…圧電振動子、１２……発振用反転増幅器、１３
および１４……反転増幅器、１５……切換制御端
子、１６……切換用インバータ、１７，１８およ
び１９……ナンド回路、２０……出力端子、２１
……反転増幅器、２２および２３……トランスミ
ツシヨンゲート。なお図中、同一符号は同一また
は相当部分を示す。
は第１図の発振部分を示す回路図、第３図はこの
発明に係る発振回路の一実施例を示す回路図、で
ある。 １……第１発振回路、２……帰還抵抗、３およ
び４……コンデンサ、５……圧電振動子、６……
発振用反転増幅器、７……第２発振回路、８……
帰還抵抗、９および１０……コンデンサ、１１…
…圧電振動子、１２……発振用反転増幅器、１３
および１４……反転増幅器、１５……切換制御端
子、１６……切換用インバータ、１７，１８およ
び１９……ナンド回路、２０……出力端子、２１
……反転増幅器、２２および２３……トランスミ
ツシヨンゲート。なお図中、同一符号は同一また
は相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 反転増幅器と、この反転増幅器の入出力端子
間に接続した帰還抵抗と、圧電振動子とコンデン
サからなり、前記反転増幅器に接続されてそれぞ
れ発振回路を構成する第１および第２の発振周波
数決定素子と、電界効果型ｐチヤンネルトランジ
スタと電界効果型ｎチヤンネルトランジスタを並
列接続し、前記反転増幅器の出力端子と第１の発
振周波数決定素子との間に接続した第１の発振周
波数切換用スイツチング素子と、同じく電界効果
型ｐチヤンネルトランジスタと電界効果型ｎチヤ
ンネルトランジスタを並列接続し、前記反転増幅
器の出力端子と第２の発振周波数決定素子との間
に接続した第２の発振周波数切換用スイツチング
素子と、前記第１の発振周波数切換用スイツチン
グ素子と第２の発振周波数切換用スイツチング素
子の導通状態が互いに逆になるように各スイツチ
ング素子のゲートに制御信号を供給する回路とを
備え、前記ゲートに供給される制御信号の電圧レ
ベルを前記反転増幅器の電源電圧よりも高くした
発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18880680A JPS57109406A (en) | 1980-12-25 | 1980-12-25 | Oscillating circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18880680A JPS57109406A (en) | 1980-12-25 | 1980-12-25 | Oscillating circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57109406A JPS57109406A (en) | 1982-07-07 |
| JPS6230524B2 true JPS6230524B2 (ja) | 1987-07-02 |
Family
ID=16230123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18880680A Granted JPS57109406A (en) | 1980-12-25 | 1980-12-25 | Oscillating circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57109406A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5999805A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-08 | Toshiba Corp | 発振器用集積回路 |
| JPH07105661B2 (ja) * | 1989-01-11 | 1995-11-13 | 株式会社日立製作所 | 水晶発振回路 |
| JPH0528126U (ja) * | 1991-09-17 | 1993-04-09 | 華邦電子股▲分▼有限公司 | 高周波クロツクジエネレータ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5124162A (ja) * | 1974-08-22 | 1976-02-26 | Nippon Electric Co | Ondohoshogataatsudenhatsushinki |
-
1980
- 1980-12-25 JP JP18880680A patent/JPS57109406A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5124162A (ja) * | 1974-08-22 | 1976-02-26 | Nippon Electric Co | Ondohoshogataatsudenhatsushinki |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57109406A (en) | 1982-07-07 |
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