JPS623022A - 磁気光学ガ−ネツト - Google Patents
磁気光学ガ−ネツトInfo
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- JPS623022A JPS623022A JP60140973A JP14097385A JPS623022A JP S623022 A JPS623022 A JP S623022A JP 60140973 A JP60140973 A JP 60140973A JP 14097385 A JP14097385 A JP 14097385A JP S623022 A JPS623022 A JP S623022A
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- JP
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- garnet
- faraday rotation
- lattice constant
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- wavelength
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光アイソレータや光スィッチ等のファラデー
回転子に用いられる磁気光学ガーネット材料に関する。
回転子に用いられる磁気光学ガーネット材料に関する。
特に２４ｃ 位置にＤｙおよびＢｔを含有する磁気光学
ガーネットに関する。
ガーネットに関する。
光フアイバ通信における反射雑音の除去のために、電子
通信学会技術研究報告ＯＱＥ ７８−１３３に開示され
る様に、光アイソレータの使用が提案されている。光ア
イソレータのコストを低減するために、１９８５年２月
にアメリカ サン・ディプで開催されたコンファレンス
オン オプティカルファイバ コミ二ニケーション（
Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎ Ｏｐｔｉｃｍｉ Ｆｉｂｅ
ｒ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ ） ！演番号ＷＫｌ
において開示される様に、液相エピタキシャル法で育成
した（ＧｄＢｉ ）＠ （ＦｅＡＩＧａ ）ａｏｔｔガ
ーネット厚膜を７アラデ一回転子として用いることが提
案されている。
通信学会技術研究報告ＯＱＥ ７８−１３３に開示され
る様に、光アイソレータの使用が提案されている。光ア
イソレータのコストを低減するために、１９８５年２月
にアメリカ サン・ディプで開催されたコンファレンス
オン オプティカルファイバ コミ二ニケーション（
Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎ Ｏｐｔｉｃｍｉ Ｆｉｂｅ
ｒ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ ） ！演番号ＷＫｌ
において開示される様に、液相エピタキシャル法で育成
した（ＧｄＢｉ ）＠ （ＦｅＡＩＧａ ）ａｏｔｔガ
ーネット厚膜を７アラデ一回転子として用いることが提
案されている。
しかしながら、ガーネットのファラデー回転係数は周囲
環境温度に対して著しい依存性を示すことから、アイソ
レータに必要な４５度のファラデー回転が室温で保証さ
れていたとしても、周囲環境温度の変化により回転角は
変化し、アイソレーションの値は低減する。上記の（ｃ
ｃｉＢｉ ）＊ （Ｆ＠ＡｌＧａ ）ｓ Ｏｔｓ の
場合、波長１．５μｍ帯での値を例にとるとファラデー
回転角の温度依存は第２図の様である。ファラデー回転
角が温度の変化に伴い変化すると、アイソレーションの
値は第３図の様に変化する。
環境温度に対して著しい依存性を示すことから、アイソ
レータに必要な４５度のファラデー回転が室温で保証さ
れていたとしても、周囲環境温度の変化により回転角は
変化し、アイソレーションの値は低減する。上記の（ｃ
ｃｉＢｉ ）＊ （Ｆ＠ＡｌＧａ ）ｓ Ｏｔｓ の
場合、波長１．５μｍ帯での値を例にとるとファラデー
回転角の温度依存は第２図の様である。ファラデー回転
角が温度の変化に伴い変化すると、アイソレーションの
値は第３図の様に変化する。
本発明の目的は、波長１．３μｍおよび１．５μｍ帯に
おいて、ファラデー回転係数の温度依存に影響されるこ
となく、安定なアイソレーションの値を確保できる磁気
光学ガーネットを提供しようとするものである。
おいて、ファラデー回転係数の温度依存に影響されるこ
となく、安定なアイソレーションの値を確保できる磁気
光学ガーネットを提供しようとするものである。
本発明者らは、ガーネットのファラデー回転角の符号お
よびその温度係数がガーネット結晶の２４℃位置を占め
るイオンの化学種に依存することに着目して実験を行い
、２４℃位置にＢｉイオンとＤｙイオンを含有するガー
ネットが波長１．３μｍおよび１．５μｍ帯において、
周囲環境温度の変化とレーザ波長の温度変化に対して、
光アイソレータとして安定に動作することを実験的に見
いだし、本発明をなすに至った。すなわち、Ｄ）’＊
−ｚ Ｂｉｚ Ｆｅ 。
よびその温度係数がガーネット結晶の２４℃位置を占め
るイオンの化学種に依存することに着目して実験を行い
、２４℃位置にＢｉイオンとＤｙイオンを含有するガー
ネットが波長１．３μｍおよび１．５μｍ帯において、
周囲環境温度の変化とレーザ波長の温度変化に対して、
光アイソレータとして安定に動作することを実験的に見
いだし、本発明をなすに至った。すなわち、Ｄ）’＊
−ｚ Ｂｉｚ Ｆｅ 。
Ｏｌ、（ただし、ｘ＝０２〜１．０）なる化学式で示さ
れる組成を有することを特徴とする磁気光学ガーネット
である。
れる組成を有することを特徴とする磁気光学ガーネット
である。
以下に１本発明を実施例を用いて説明する。
第 １ 表
Ｄｙ、 −、、Ｂ １ｘＦｅ、Ｏ１２の波長１．５μｍ
におけるファラデー回転係数の温度依存 Ｂｉ含有量 ファラデー回転係数 ファラデー回転 ５
０℃における（Ｘ） Ｏ℃ ２５℃ ５０℃ 係数
の変化率 アイソレーション（ｄｅｇ／ｃｍ ）
（％） （ｄＢ）実施例１０．４
−４１２−４０３−３９５ −２．１ ３
６実施例２０．６ −７００−６８０−６６０
−２．９ ３３実施例３０．８ −９８８−９
５７−９２５ −３．３ ３２実施例４１．０
−１２７７−１２３３−１１９０ −３．５
３１実施例５０．２ −１２３−１２７−１３０
＋２．６ ３４実施例６０．３ −２
６８−２６５−２６４ −０．９ ４３第
２ 表 ＤＹｓ−ｘＢｊｘＦｅｓ Ｏ＋ｔの波長１３μｍにおけ
るファラデー回転係数の温度依存 Ｂｉ含有量 ファラデー回転係数 ファラデー回転５０
℃における（Ｘ）０℃ ２５℃ ５０℃係数の変化率ア
イソレーション（ｄｅｙ、／Ｐｎ ） （％）
（ｄＢ）実施例５０．２ −３９０
−３８０−３７０ ＋２．６ ３４実施例７
０．２７５ −４１７−４１５−４１３ ＋０．６
４６実施例８０．５ −９２４−９１０−８
９６ −１．．５ ３８実施例９０．６２ −
１１５７−１１３０−１１０５−２．２３５実施例４１
．０ −１９１５−１８５０−１７８５ −３．５
３１（実施例１） 白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマス−酸化は
う素糸融剤より７７０℃において、格子定数が１２．４
３８Ａの非磁性サマリウム・ガリウム・ガーネット基板
（１１１）上に、格子定数が１２．４３６ ＡでＤｙ２
．６ Ｂｉｏ、＊ Ｆｅ５０１！なる化学式を有する磁
性ガーネット単結晶膜を１．１ ｍの厚さに液相エピタ
キシャル法で形成した。このガーネット膜のファラデー
回転係数を、波長１．５μｍにおいて周囲環境温度の函
数として測定したところ、第１図および第１表に示す様
な結果が得られた。１．１１１ｎｌの厚さで４５度のフ
ァラデー回転を示した。０′Ｃおよび５０℃におけるフ
ァラデー回転係数は、２５℃における値に対して２．１
９６の変動を示すのみであった。この値は、（ＧｄＢｌ
）＊ （ＦｅＡＩＧａ ）ｓ Ｏ＋＊における４％と
比べると極めて小さく、０℃から５０℃の範囲において
３５ｄＢのアイソレーションを確保することができた。
におけるファラデー回転係数の温度依存 Ｂｉ含有量 ファラデー回転係数 ファラデー回転 ５
０℃における（Ｘ） Ｏ℃ ２５℃ ５０℃ 係数
の変化率 アイソレーション（ｄｅｇ／ｃｍ ）
（％） （ｄＢ）実施例１０．４
−４１２−４０３−３９５ −２．１ ３
６実施例２０．６ −７００−６８０−６６０
−２．９ ３３実施例３０．８ −９８８−９
５７−９２５ −３．３ ３２実施例４１．０
−１２７７−１２３３−１１９０ −３．５
３１実施例５０．２ −１２３−１２７−１３０
＋２．６ ３４実施例６０．３ −２
６８−２６５−２６４ −０．９ ４３第
２ 表 ＤＹｓ−ｘＢｊｘＦｅｓ Ｏ＋ｔの波長１３μｍにおけ
るファラデー回転係数の温度依存 Ｂｉ含有量 ファラデー回転係数 ファラデー回転５０
℃における（Ｘ）０℃ ２５℃ ５０℃係数の変化率ア
イソレーション（ｄｅｙ、／Ｐｎ ） （％）
（ｄＢ）実施例５０．２ −３９０
−３８０−３７０ ＋２．６ ３４実施例７
０．２７５ −４１７−４１５−４１３ ＋０．６
４６実施例８０．５ −９２４−９１０−８
９６ −１．．５ ３８実施例９０．６２ −
１１５７−１１３０−１１０５−２．２３５実施例４１
．０ −１９１５−１８５０−１７８５ −３．５
３１（実施例１） 白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマス−酸化は
う素糸融剤より７７０℃において、格子定数が１２．４
３８Ａの非磁性サマリウム・ガリウム・ガーネット基板
（１１１）上に、格子定数が１２．４３６ ＡでＤｙ２
．６ Ｂｉｏ、＊ Ｆｅ５０１！なる化学式を有する磁
性ガーネット単結晶膜を１．１ ｍの厚さに液相エピタ
キシャル法で形成した。このガーネット膜のファラデー
回転係数を、波長１．５μｍにおいて周囲環境温度の函
数として測定したところ、第１図および第１表に示す様
な結果が得られた。１．１１１ｎｌの厚さで４５度のフ
ァラデー回転を示した。０′Ｃおよび５０℃におけるフ
ァラデー回転係数は、２５℃における値に対して２．１
９６の変動を示すのみであった。この値は、（ＧｄＢｌ
）＊ （ＦｅＡＩＧａ ）ｓ Ｏ＋＊における４％と
比べると極めて小さく、０℃から５０℃の範囲において
３５ｄＢのアイソレーションを確保することができた。
尚、光フアイバ通信における光源レーザの発振波長の周
囲環境温度の変化によるゆらぎに対しても、本材料を用
いる場合にはアイソレーションの劣化は見い出されず、
反射雑音の除去に効果があった。
囲環境温度の変化によるゆらぎに対しても、本材料を用
いる場合にはアイソレーションの劣化は見い出されず、
反射雑音の除去に効果があった。
（実施例２）
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマス−酸化は
う素糸融剤より７６４℃において、格子定数がｉ２．４
３ｓＡの非磁性サマリウム・ガリウム・ガーネット基板
（１１１）上に、格子定数が１２．４４２久でＤ）ｒｚ
、４Ｂ ｔｏ、ａ Ｆｅｓ ＯＩｉなる化学式を有する
ｍ性ガーネット単結晶膜を６６２μｍの厚さに液相エピ
タキシャル法で形成した。このガーネット膜のファラデ
ー回転係数を、波長Ｌ５ｐｍにおいて周囲環境温度の函
数として測定したところ、第１表に示す様な結果が得ら
れた。６６２μｍの厚さで４５度の７アラデ一回転を示
した。０１および５０℃におけるファラデー回転係数は
２５℃における値に対して２．９４の変動を示すのみで
あった。この値は、（ＧｄＢｉ ）、（ＦｅＡＩＧａ
）ｓｏｔｓにおける４％と比べると極めて小さく、０℃
から５０℃の範囲において３３ｄＢのアイソレーション
を確保することができた。
う素糸融剤より７６４℃において、格子定数がｉ２．４
３ｓＡの非磁性サマリウム・ガリウム・ガーネット基板
（１１１）上に、格子定数が１２．４４２久でＤ）ｒｚ
、４Ｂ ｔｏ、ａ Ｆｅｓ ＯＩｉなる化学式を有する
ｍ性ガーネット単結晶膜を６６２μｍの厚さに液相エピ
タキシャル法で形成した。このガーネット膜のファラデ
ー回転係数を、波長Ｌ５ｐｍにおいて周囲環境温度の函
数として測定したところ、第１表に示す様な結果が得ら
れた。６６２μｍの厚さで４５度の７アラデ一回転を示
した。０１および５０℃におけるファラデー回転係数は
２５℃における値に対して２．９４の変動を示すのみで
あった。この値は、（ＧｄＢｉ ）、（ＦｅＡＩＧａ
）ｓｏｔｓにおける４％と比べると極めて小さく、０℃
から５０℃の範囲において３３ｄＢのアイソレーション
を確保することができた。
（実施例３）
白金るつほに保持された酸化鉛−鍍化ビスマスー職化は
う素糸融剤より７５２℃において、格子定数が１２．４
３８Ｘの非磁性サマリウム・ガリウム・ガーネット基板
（１１１）上に、格子定数が１２．４４４λでＤｙ２、
ｚ Ｂ ｆｏｇ Ｆｅｓ ＯＩｉなる化学式を有するｍ
性ガーネット単結晶膜を４７０μｍの厚さに液相エピタ
キシャル法で形成した。このガーネット膜の７アラデ一
回転係数を、波長１５μｍにおいて周囲墳埼温度の函数
として測定したところ、第１表に示す様な結果が得られ
た。４７０μｍの厚さで４５度のファラデー回転を示し
た。０℃および５０℃におけるファラデー回転係数は２
５℃における値に対して３．３％の変動を示すのみであ
った。この値は、（ＧｄＢｉ ）、（ＦｅＡＩＧａ ）
ｓｏｔｓ における４％と比べると極めて小さく、０
℃から５０℃の範囲において３２ｄＢのアイソレーショ
ンを確保することができた。
う素糸融剤より７５２℃において、格子定数が１２．４
３８Ｘの非磁性サマリウム・ガリウム・ガーネット基板
（１１１）上に、格子定数が１２．４４４λでＤｙ２、
ｚ Ｂ ｆｏｇ Ｆｅｓ ＯＩｉなる化学式を有するｍ
性ガーネット単結晶膜を４７０μｍの厚さに液相エピタ
キシャル法で形成した。このガーネット膜の７アラデ一
回転係数を、波長１５μｍにおいて周囲墳埼温度の函数
として測定したところ、第１表に示す様な結果が得られ
た。４７０μｍの厚さで４５度のファラデー回転を示し
た。０℃および５０℃におけるファラデー回転係数は２
５℃における値に対して３．３％の変動を示すのみであ
った。この値は、（ＧｄＢｉ ）、（ＦｅＡＩＧａ ）
ｓｏｔｓ における４％と比べると極めて小さく、０
℃から５０℃の範囲において３２ｄＢのアイソレーショ
ンを確保することができた。
（実施例４）
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマス−酸化は
う素糸融剤より８１２℃において、格子定数が１２．４
３８Ａの非磁性サマリウム・ガリウム・ガーネット基板
（１１１）上に、格子定数が１２．４４９ＡでＤｙ２．
。Ｂｉｔ、。Ｆｅ５０＋ｚなる化学式を有する磁性ガー
ネット単結晶膜を３６５ｐｍの厚さに液相エピタキシャ
ル法で形成したつこのガーネット膜のファラデー回転係
数を、波長１５μｍにおいて周囲環境温度の函数として
測定したところ、第１表に示す様な結果が得られた。３
６５μｍの厚さで４５度のファラデー回転を示した。０
℃および５０℃におけるファラデー回転係数は２５℃に
おける値に対して３．５ ％の変動を示すのみであった
。この値は、（ＧｄＢ ｉ ）ｓ （ＦｅＡｌＧａ ）
ｓ Ｏｌｓにおける４％と比べると小さく、０″Ｃか
ら５０℃の範囲において３１ ｄＢのアイソレーション
を確保することができた。また、波長Ｌ３ｐｍにおける
ファラデー回転係数の周囲環境温度依存は、第２表に示
す様であった。
う素糸融剤より８１２℃において、格子定数が１２．４
３８Ａの非磁性サマリウム・ガリウム・ガーネット基板
（１１１）上に、格子定数が１２．４４９ＡでＤｙ２．
。Ｂｉｔ、。Ｆｅ５０＋ｚなる化学式を有する磁性ガー
ネット単結晶膜を３６５ｐｍの厚さに液相エピタキシャ
ル法で形成したつこのガーネット膜のファラデー回転係
数を、波長１５μｍにおいて周囲環境温度の函数として
測定したところ、第１表に示す様な結果が得られた。３
６５μｍの厚さで４５度のファラデー回転を示した。０
℃および５０℃におけるファラデー回転係数は２５℃に
おける値に対して３．５ ％の変動を示すのみであった
。この値は、（ＧｄＢ ｉ ）ｓ （ＦｅＡｌＧａ ）
ｓ Ｏｌｓにおける４％と比べると小さく、０″Ｃか
ら５０℃の範囲において３１ ｄＢのアイソレーション
を確保することができた。また、波長Ｌ３ｐｍにおける
ファラデー回転係数の周囲環境温度依存は、第２表に示
す様であった。
２４３μｍの厚さで４５度のファラデー回転を示した。
０℃および５０℃におけるファラデー回転係数は２５℃
における値に対して３５％の変動を示すのみであった。
における値に対して３５％の変動を示すのみであった。
（実施例５）
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマス−酸化は
う素糸融剤より７１２℃において、格子定数が１２．４
３８Ａの非磁性サマリウム・ガリウム・ガーネット基板
（１１１）上に、格子定数が１２．４２ＯＡでＤｇｓ
Ｂ ｆｏｘ Ｆｓｓ ０１！なる化学式を有する磁性ガ
ーネット単結晶膜を３５２朋の厚さに液相エピタキシャ
ル法で形成した。このガーネット膜のファラデー回転係
数を、波長１５μｍにおいて周囲環境温度の函数として
測定したところ、第１表に示す様な結果が得られた。３
５２ｆｆの厚さで４５度のファラデー回転を示した。０
℃および５０″Ｃにおけるファラデー回転係数は２５℃
における値に対して２、６ ｇ６の変動を示すのみであ
った。この値は、（ＧｄＢｉ ）１（ＦｅＡＩＧａ ）
ｓｏｔｓにおける４％と比べると小さく、０℃から５０
′ｃの範囲において３３ｄＢのアイソレーションを確保
することができた。また、波長１．３ｐｍにおけるファ
ラデー回転係数の周囲環境温度依存は、第２表に示す様
であった。１．１８４４１１の厚さで４５度のファラデ
ー回転を示した。０℃および５０℃におけるファラデー
回転係数は２５℃における値に対して２６％の変動を示
すのみであった。
う素糸融剤より７１２℃において、格子定数が１２．４
３８Ａの非磁性サマリウム・ガリウム・ガーネット基板
（１１１）上に、格子定数が１２．４２ＯＡでＤｇｓ
Ｂ ｆｏｘ Ｆｓｓ ０１！なる化学式を有する磁性ガ
ーネット単結晶膜を３５２朋の厚さに液相エピタキシャ
ル法で形成した。このガーネット膜のファラデー回転係
数を、波長１５μｍにおいて周囲環境温度の函数として
測定したところ、第１表に示す様な結果が得られた。３
５２ｆｆの厚さで４５度のファラデー回転を示した。０
℃および５０″Ｃにおけるファラデー回転係数は２５℃
における値に対して２、６ ｇ６の変動を示すのみであ
った。この値は、（ＧｄＢｉ ）１（ＦｅＡＩＧａ ）
ｓｏｔｓにおける４％と比べると小さく、０℃から５０
′ｃの範囲において３３ｄＢのアイソレーションを確保
することができた。また、波長１．３ｐｍにおけるファ
ラデー回転係数の周囲環境温度依存は、第２表に示す様
であった。１．１８４４１１の厚さで４５度のファラデ
ー回転を示した。０℃および５０℃におけるファラデー
回転係数は２５℃における値に対して２６％の変動を示
すのみであった。
（実施例６）
白金るつほに保持された酸化鉛−酸化ビスマス−酸化は
う素糸融剤よシフ２７℃において、格子定数が１２．４
３８Ａの非磁性サマリウム・ガリウム・ガーネット基板
［ｔＸ）上に、格子定数が１２．４２８ＡでＤｙ２．ｙ
Ｂ ｉｏ、ｓ Ｆｅｓ Ｏ＋ｘなる化学式を有する磁
性ガーネット単結晶膜を１６９１の厚さに液相エピタキ
シャル法で形成した。このガーネット膜のファラデー回
転係数を、波長１．５μｍにおいて周囲環境温度の函数
として測定したところ、第１表に示す様な結果が得られ
た。１．６９ａｍＤ厚さで４５度のファラデー回転を示
した。０℃および５０ｔＥにおけるファラデー回転係数
は２５℃における値に対して０．９％の変動を示すのみ
であった。この値は、（ＧｄＢｉ ）１（ＦｅＡＩＧａ
）３０＋ｖにおける４９６と比べると著しく小さく、
ＯＣから５０′ｃの範囲において４３ｄＢのアイソレー
ションを確保することができた。
う素糸融剤よシフ２７℃において、格子定数が１２．４
３８Ａの非磁性サマリウム・ガリウム・ガーネット基板
［ｔＸ）上に、格子定数が１２．４２８ＡでＤｙ２．ｙ
Ｂ ｉｏ、ｓ Ｆｅｓ Ｏ＋ｘなる化学式を有する磁
性ガーネット単結晶膜を１６９１の厚さに液相エピタキ
シャル法で形成した。このガーネット膜のファラデー回
転係数を、波長１．５μｍにおいて周囲環境温度の函数
として測定したところ、第１表に示す様な結果が得られ
た。１．６９ａｍＤ厚さで４５度のファラデー回転を示
した。０℃および５０ｔＥにおけるファラデー回転係数
は２５℃における値に対して０．９％の変動を示すのみ
であった。この値は、（ＧｄＢｉ ）１（ＦｅＡＩＧａ
）３０＋ｖにおける４９６と比べると著しく小さく、
ＯＣから５０′ｃの範囲において４３ｄＢのアイソレー
ションを確保することができた。
（実施例７）
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマス系融剤よ
り７３６℃において、格子定数が１２．４３８＾の非磁
性サマリウム・ガリウム・ガーネット基板（ｘｘｘ）上
に、格子定数が１．２．４２４ＸでＤｙ２７２ｓＢｉａ
、＊ｓ Ｆｅｓ Ｏ＋ｚなる化学式を有する磁性ガーネ
ット単結晶膜を１．０８４ＪＦＩの厚さに液相エピタキ
シャル法で形成した。このガーネットＨのファラデー回
転係数を、波長１３μｍにおいて周囲環境温度の函数と
して測定したところ、第２表に示す様な結果が得られた
。Ｊ １．０８４ｆｆの厚さで４５度のファラデー回転
を示した。０℃および５０℃におけるファラデー回転係
数は２５℃における値に対して０６％の変動を示すのみ
であった。この値は、（Ｇｄ１３ ｉ ）ｍ（ＦｓＡｉ
Ｇａ ）ａｏｔ食における４９６と比べると著しく小さ
く、０℃から５０℃の範囲において４５ｄＢのアイソレ
ーションを確保することができた。
り７３６℃において、格子定数が１２．４３８＾の非磁
性サマリウム・ガリウム・ガーネット基板（ｘｘｘ）上
に、格子定数が１．２．４２４ＸでＤｙ２７２ｓＢｉａ
、＊ｓ Ｆｅｓ Ｏ＋ｚなる化学式を有する磁性ガーネ
ット単結晶膜を１．０８４ＪＦＩの厚さに液相エピタキ
シャル法で形成した。このガーネットＨのファラデー回
転係数を、波長１３μｍにおいて周囲環境温度の函数と
して測定したところ、第２表に示す様な結果が得られた
。Ｊ １．０８４ｆｆの厚さで４５度のファラデー回転
を示した。０℃および５０℃におけるファラデー回転係
数は２５℃における値に対して０６％の変動を示すのみ
であった。この値は、（Ｇｄ１３ ｉ ）ｍ（ＦｓＡｉ
Ｇａ ）ａｏｔ食における４９６と比べると著しく小さ
く、０℃から５０℃の範囲において４５ｄＢのアイソレ
ーションを確保することができた。
（実施例８）
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマス系融剤よ
り８１３１Ｅにおいて、格子定数が１２．４３８Ｘの非
磁性サマリウム・ガリウム・ガーネット基板（１１１）
上に、格子定数が１２４３９ＸでＤｙＬ６ ＢｉｏｓＦ
ｅｓ Ｏｕ なる化学式を有する磁性ガーネット単結
晶膜を４９５μｍの厚さに液相エピタキシャル法で形成
した。このガーネット膜のファラデー回転係数を、波長
Ｌ３ｐｍにおいて周囲環境温度の函数として測定したと
ころ、第２表に示す様な結果が得られた。４９５μｍの
厚さで４５度のファラデー回転を示した。０℃および５
（ｌにおけるファラデー回転係数は２５℃における値に
対して１．５４の変動を示すのみであった。この値は、
（ｃａ′Ｂｉ ） ｓ（ＦｓＡＩＧａ ）ｓｏｔｓにお
ける４％と比べると著しく小さく、０℃から５０℃の範
囲において３８ｄＢのアイソレーションを確保すること
ができた。
り８１３１Ｅにおいて、格子定数が１２．４３８Ｘの非
磁性サマリウム・ガリウム・ガーネット基板（１１１）
上に、格子定数が１２４３９ＸでＤｙＬ６ ＢｉｏｓＦ
ｅｓ Ｏｕ なる化学式を有する磁性ガーネット単結
晶膜を４９５μｍの厚さに液相エピタキシャル法で形成
した。このガーネット膜のファラデー回転係数を、波長
Ｌ３ｐｍにおいて周囲環境温度の函数として測定したと
ころ、第２表に示す様な結果が得られた。４９５μｍの
厚さで４５度のファラデー回転を示した。０℃および５
（ｌにおけるファラデー回転係数は２５℃における値に
対して１．５４の変動を示すのみであった。この値は、
（ｃａ′Ｂｉ ） ｓ（ＦｓＡＩＧａ ）ｓｏｔｓにお
ける４％と比べると著しく小さく、０℃から５０℃の範
囲において３８ｄＢのアイソレーションを確保すること
ができた。
（実施例９）
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマス系融剤よ
シフ６５℃において、格子定数が１２．４３ ｓＸの非
磁性サマリウム・ガリウム・ガーネット基板（１１１）
上に、格子定数が１２．４４３ＡでＩ）ｙｚ、ｓｓＢｉ
ｏｓｚＦｅｓｏｌｇなる化学式を有する磁性ガーネット
単結晶膜を３９８μｍの厚さに液相エピタキシャル法で
形成した。このガーネッＨ％のファラデー回転係数を、
波長１．３ｐｍにおいて周囲環境温度の函数として測定
したところ、第２表に示す様な結果が得られた。３９８
μｍの厚さで４５度のファラデー回転を示した。０℃お
よび５０℃における７アラデル回転係数は２５℃におけ
る値に対して２．２％の変動を示すのみであった。この
値は、（ＧｄＢｉ）＊（ＦｅＡｌＧａ ）ｓ Ｏｌｓに
おける４形と比べると著しく小さく、ＯＣから５０℃の
範囲において３５ｄＢのアイソレーションを確保するこ
とができた。
シフ６５℃において、格子定数が１２．４３ ｓＸの非
磁性サマリウム・ガリウム・ガーネット基板（１１１）
上に、格子定数が１２．４４３ＡでＩ）ｙｚ、ｓｓＢｉ
ｏｓｚＦｅｓｏｌｇなる化学式を有する磁性ガーネット
単結晶膜を３９８μｍの厚さに液相エピタキシャル法で
形成した。このガーネッＨ％のファラデー回転係数を、
波長１．３ｐｍにおいて周囲環境温度の函数として測定
したところ、第２表に示す様な結果が得られた。３９８
μｍの厚さで４５度のファラデー回転を示した。０℃お
よび５０℃における７アラデル回転係数は２５℃におけ
る値に対して２．２％の変動を示すのみであった。この
値は、（ＧｄＢｉ）＊（ＦｅＡｌＧａ ）ｓ Ｏｌｓに
おける４形と比べると著しく小さく、ＯＣから５０℃の
範囲において３５ｄＢのアイソレーションを確保するこ
とができた。
以上説明した如く、本発明をもちいることにより、周囲
環境温度の変化に対して影響を受けにくく、安定なアイ
ソレーションが得られる光アイソレータが実現可能とな
る。
環境温度の変化に対して影響を受けにくく、安定なアイ
ソレーションが得られる光アイソレータが実現可能とな
る。
第１図はＤｙ２．ｓ Ｂ ｉ Ｉｌｌ、４ Ｆｅｓ ０
１！ガーネツト膜の波長１．５μｍにおけるファラデー
回転係数の温度依存を示す図、第２図は、（ＧｄＢ ｌ
）１ （ＦｅＡｌＧａ ） 、 ０．、 ガーネッ
ト膜の波長１．５μｍにおけるファラデー回転係数の温
度依存を示す図、第３図はファラデー回転角の４５度か
らのずれによるアイソレーション値の変化を示す図。
１！ガーネツト膜の波長１．５μｍにおけるファラデー
回転係数の温度依存を示す図、第２図は、（ＧｄＢ ｌ
）１ （ＦｅＡｌＧａ ） 、 ０．、 ガーネッ
ト膜の波長１．５μｍにおけるファラデー回転係数の温
度依存を示す図、第３図はファラデー回転角の４５度か
らのずれによるアイソレーション値の変化を示す図。
Claims (1)
- Ｄｙ＿３＿−＿ｘＢｉ＿ｘＦｅ＿５Ｏ＿１＿２（ただし
、ｘ＝０．２〜１．０）なる化学式で示される組成を有
することを特徴とする磁気光学ガーネット。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140973A JPS623022A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 磁気光学ガ−ネツト |
| US06/879,002 US4755026A (en) | 1985-06-27 | 1986-06-26 | Magnetooptic garnet |
| CA000512486A CA1270425A (en) | 1985-06-27 | 1986-06-26 | Magnetooptic garnet |
| DE8686108779T DE3683204D1 (de) | 1985-06-27 | 1986-06-27 | Magneto-optisches granat. |
| EP86108779A EP0209755B1 (en) | 1985-06-27 | 1986-06-27 | Magnetooptic garnet |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140973A JPS623022A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 磁気光学ガ−ネツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS623022A true JPS623022A (ja) | 1987-01-09 |
Family
ID=15281143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60140973A Pending JPS623022A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 磁気光学ガ−ネツト |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4755026A (ja) |
| EP (1) | EP0209755B1 (ja) |
| JP (1) | JPS623022A (ja) |
| CA (1) | CA1270425A (ja) |
| DE (1) | DE3683204D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62138397A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-22 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 磁気光学素子用磁性ガ−ネツト材料 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0363914A3 (en) * | 1988-10-13 | 1991-07-31 | Nec Corporation | Optical device with optical polarizer/analyzer formed of yttrium vanadate |
| US5111330A (en) * | 1989-08-14 | 1992-05-05 | Optics For Research | Optical isolators employing wavelength tuning |
| JP2000357622A (ja) * | 1999-06-16 | 2000-12-26 | Murata Mfg Co Ltd | 磁性ガーネット単結晶膜の製造方法、および磁性ガーネット単結晶膜 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6060999A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Hitachi Ltd | 鉄ガ−ネツト系結晶薄膜の製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3607390A (en) * | 1969-09-29 | 1971-09-21 | Ibm | Single crystal ferrimagnetic films |
| JPS5615125B2 (ja) * | 1972-04-14 | 1981-04-08 | ||
| DE2349348C2 (de) * | 1972-10-07 | 1983-02-10 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven | Verfahren zum Züchten einer einkristallinen, wismutdotierten Yttrium- oder Seltenerdmetall-Eisen-Granatschicht |
| US4522473A (en) * | 1981-03-27 | 1985-06-11 | Nippon Electric Co., Ltd. | Faraday rotator for an optical device |
| JPS58139082A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-18 | Hitachi Ltd | 磁界測定装置 |
| US4544438A (en) * | 1984-05-31 | 1985-10-01 | At&T Bell Laboratories | Liquid phase epitaxial growth of bismuth-containing garnet films |
-
1985
- 1985-06-27 JP JP60140973A patent/JPS623022A/ja active Pending
-
1986
- 1986-06-26 CA CA000512486A patent/CA1270425A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-06-26 US US06/879,002 patent/US4755026A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-06-27 EP EP86108779A patent/EP0209755B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-06-27 DE DE8686108779T patent/DE3683204D1/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6060999A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Hitachi Ltd | 鉄ガ−ネツト系結晶薄膜の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62138397A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-22 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 磁気光学素子用磁性ガ−ネツト材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0209755A3 (en) | 1988-05-04 |
| EP0209755B1 (en) | 1992-01-02 |
| EP0209755A2 (en) | 1987-01-28 |
| US4755026A (en) | 1988-07-05 |
| DE3683204D1 (de) | 1992-02-13 |
| CA1270425A (en) | 1990-06-19 |
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