JPS63159225A - 磁気光学ガ−ネツト - Google Patents
磁気光学ガ−ネツトInfo
- Publication number
- JPS63159225A JPS63159225A JP30531686A JP30531686A JPS63159225A JP S63159225 A JPS63159225 A JP S63159225A JP 30531686 A JP30531686 A JP 30531686A JP 30531686 A JP30531686 A JP 30531686A JP S63159225 A JPS63159225 A JP S63159225A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- garnet
- faraday rotation
- magnetooptical
- yfe5o
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002223 garnet Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000006854 communication Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N gallium;gadolinium(3+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Gd+3] ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003296 saliva Anatomy 0.000 description 1
Landscapes
- Compounds Of Iron (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光アイソレータや光スィッチ等のファラデー
回転子に用いられる磁気光学ガーネット材料に関するも
のである。
回転子に用いられる磁気光学ガーネット材料に関するも
のである。
光フアイバ通信における反射雑音の除去のために、電子
通信学会技術研究報告ＯＱ、Ｅ ７８−１３３に開示さ
れる様に、光アイソレータの使用が提案されている。光
アイソレータのコストを低減するために１９８５年２月
にアメリカ サン・デデ ィエゴで開催されたコンファレンス オンオ／ティカル
ファイバ コミユニケーンコン（Ｃｏｍ−ｆｅｒｅｎｃ
ｅ ｏｎ ０ｐｔｉｃａｌ Ｆｉ’ｂｅｒ Ｃｏｍｍｕ
ｎｉｃａ −ｔｉｏｎ ）講演番号ＷＫ１において開示
される様に。
通信学会技術研究報告ＯＱ、Ｅ ７８−１３３に開示さ
れる様に、光アイソレータの使用が提案されている。光
アイソレータのコストを低減するために１９８５年２月
にアメリカ サン・デデ ィエゴで開催されたコンファレンス オンオ／ティカル
ファイバ コミユニケーンコン（Ｃｏｍ−ｆｅｒｅｎｃ
ｅ ｏｎ ０ｐｔｉｃａｌ Ｆｉ’ｂｅｒ Ｃｏｍｍｕ
ｎｉｃａ −ｔｉｏｎ ）講演番号ＷＫ１において開示
される様に。
液相エピタキシャル法で育成した（ Ｇ４Ｂ１ ） ５
（ＦｅＡＩＧａ） −Ｘ−ＹＦｅ５Ｏｊ２ガーネツト厚
膜をファラデー回転子として用いることが提案されてい
る。
（ＦｅＡＩＧａ） −Ｘ−ＹＦｅ５Ｏｊ２ガーネツト厚
膜をファラデー回転子として用いることが提案されてい
る。
しかしながら、ガーネットのファラデー回転係数は周囲
環境＠度に対して著しい依存性を示すことから、アイソ
レータに必要な４５度のファラデー回転が室温で保証さ
れていたとしても。
環境＠度に対して著しい依存性を示すことから、アイソ
レータに必要な４５度のファラデー回転が室温で保証さ
れていたとしても。
周囲環境温度の変化により回転角は増減する。
上記の（Ｇ ｄＢ ｉ ） ５ （Ｆ ｅ Ａ Ｉ Ｇ
ａ ） ｓ○１２の場合、波長１．３μｍ帯での値を
例にとると、ファラデー回転角の温度依存は第２図の様
である。ファラデー回転角が＠度の変化に伴い変化する
と、アイソレーションの直は第３図の様に変化する。一
方。
ａ ） ｓ○１２の場合、波長１．３μｍ帯での値を
例にとると、ファラデー回転角の温度依存は第２図の様
である。ファラデー回転角が＠度の変化に伴い変化する
と、アイソレーションの直は第３図の様に変化する。一
方。
周囲環境温度の変化に伴い、レーザ発振波長も変化する
ので、ファラデー回転角もまた変動する。波長１．５μ
ｍの場合についても同様である。
ので、ファラデー回転角もまた変動する。波長１．５μ
ｍの場合についても同様である。
本発明の目的は、波長１．３μｍおよび１．５μｍ帯に
おいて、ファラデー回転係数とレーザ発振波長双方の温
度依存に影響されることなく、安定なアイソレーション
の値を確保できる畝気光学ガーネットを提供しようとす
るものである。
おいて、ファラデー回転係数とレーザ発振波長双方の温
度依存に影響されることなく、安定なアイソレーション
の値を確保できる畝気光学ガーネットを提供しようとす
るものである。
本発明者らは、ガーネットのファラデー回転角の符号お
よびその温度係数がガーネット結晶の２４℃位置を占め
るイオンの化学種に依存することに着目して実験を行い
、２４℃位置ＫＢｉイオ７．Ｔ’ＯイオンおよびＬａイ
オンを含有するガーネットが、波長１６３μｍおよび１
．５μｍ帯において周囲環境温度の変化とレーザ線長の
温度変化にもかかわらず光アイソレータとして安定に動
作することを実験的に見出し９本発明をなすに至った。
よびその温度係数がガーネット結晶の２４℃位置を占め
るイオンの化学種に依存することに着目して実験を行い
、２４℃位置ＫＢｉイオ７．Ｔ’ＯイオンおよびＬａイ
オンを含有するガーネットが、波長１６３μｍおよび１
．５μｍ帯において周囲環境温度の変化とレーザ線長の
温度変化にもかかわらず光アイソレータとして安定に動
作することを実験的に見出し９本発明をなすに至った。
すなわち、 ＴｂｘＬａｙＢｉ３−１２Ｆ＋３−Ｘ−Ｙ
Ｆｅ５Ｏ．２なる化学式で示される組成を有することを
特徴とする磁気光学ガーネットである。
Ｆｅ５Ｏ．２なる化学式で示される組成を有することを
特徴とする磁気光学ガーネットである。
以下に１本発明を実施例を用いて説明する。
実施例１
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマス−酸化は
う素糸融剤より、７９０℃において。
う素糸融剤より、７９０℃において。
格子定数が１２．４９０裏の非磁性カルシウム・マグネ
シウム・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガリウム・ガ
ーネット基板（１１１）上に、格子定数ミスマツチのな
いＴｂ２．２５Ｌａ（Ｌ１５Ｂｉ（Ｌ６０Ｆｅ−Ｘ−Ｙ
Ｆｅ５Ｏ１２なる化学式を有する磁性ガーネット単結晶
膜を４−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏμｍの厚さに液相エピタキシャ
ル法で形成した。このガーネッ）ＩＩＩのファラデー回
転係数を６波長１．３μｍにおいて周囲環境＠度の函数
として測定したところ、第１図および第４図実施例１の
欄に示す様な結果が得られた。４−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏμｍ
の厚さで４５度のファラデー回転を示した。０℃および
−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃におけるファラデー回転係数は。
シウム・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガリウム・ガ
ーネット基板（１１１）上に、格子定数ミスマツチのな
いＴｂ２．２５Ｌａ（Ｌ１５Ｂｉ（Ｌ６０Ｆｅ−Ｘ−Ｙ
Ｆｅ５Ｏ１２なる化学式を有する磁性ガーネット単結晶
膜を４−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏμｍの厚さに液相エピタキシャ
ル法で形成した。このガーネッ）ＩＩＩのファラデー回
転係数を６波長１．３μｍにおいて周囲環境＠度の函数
として測定したところ、第１図および第４図実施例１の
欄に示す様な結果が得られた。４−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏμｍ
の厚さで４５度のファラデー回転を示した。０℃および
−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃におけるファラデー回転係数は。
２５℃における値に対してα５チの変動を示すのみであ
った。この値は、 （ＧｄＢｉ）３（ＦｅＡ１Ｇａ）−
Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ１２における４％と較べると極めて小さ
く、０℃から−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃の範囲において４８ｄ
Ｂのアイソレージコンを確保することができた。また、
波長１．５μｍにおけるファラデー回転係数の周囲環境
＠度依存は第５図実施例１の欄に示す様であった。６７
０μｍの厚さで４５度のファラデー回転を示した。０℃
および−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃におけるファラデー回転係数
は２５℃の値に対して０．６％の変動を示すのみであっ
た。尚、光フアイバ通信における光源レーザの発振波長
の変化によるファラデー回転角のゆらぎに対しても０本
材料を用いる場合には従来技術に見られたようなアイソ
レージコンの劣化は見い出されず１反射雑音の除去に効
果があった。
った。この値は、 （ＧｄＢｉ）３（ＦｅＡ１Ｇａ）−
Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ１２における４％と較べると極めて小さ
く、０℃から−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃の範囲において４８ｄ
Ｂのアイソレージコンを確保することができた。また、
波長１．５μｍにおけるファラデー回転係数の周囲環境
＠度依存は第５図実施例１の欄に示す様であった。６７
０μｍの厚さで４５度のファラデー回転を示した。０℃
および−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃におけるファラデー回転係数
は２５℃の値に対して０．６％の変動を示すのみであっ
た。尚、光フアイバ通信における光源レーザの発振波長
の変化によるファラデー回転角のゆらぎに対しても０本
材料を用いる場合には従来技術に見られたようなアイソ
レージコンの劣化は見い出されず１反射雑音の除去に効
果があった。
実施例２
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマス−酸化は
う素糸融剤よシ８２０℃において。
う素糸融剤よシ８２０℃において。
格子定数が１２．４９０＾の非磁性カルシウム・マグネ
シウム・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガリウム・ガ
ーネット基板（１１１）上に、 Ｔｂ２゜２Ｌａ□ 、
５Ｂｉａ 、 ３０””５ｏ１２なる化学式を有する
磁性ガーネット単結晶膜を９００μｍの厚さに液相エピ
タキシャル法で形成した。このガーネット膜のファラデ
ー回転係数を、波長１．６μｍにおいて周囲環境温度の
函数として測定したところ。
シウム・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガリウム・ガ
ーネット基板（１１１）上に、 Ｔｂ２゜２Ｌａ□ 、
５Ｂｉａ 、 ３０””５ｏ１２なる化学式を有する
磁性ガーネット単結晶膜を９００μｍの厚さに液相エピ
タキシャル法で形成した。このガーネット膜のファラデ
ー回転係数を、波長１．６μｍにおいて周囲環境温度の
函数として測定したところ。
第４図実施例２の欄に示す様な結果が得られた。
９００μｍの厚さで４５度のファラデー回転を示した。
０℃および−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃におけるファラデー回転
係数は、２５℃における値に対してａ１％の変動を示す
のみであった。この値は、（ＧｄＢ１）５（ＦｅＡ１Ｇ
ａ） −Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ１２における４％と較べると極
めて小さく、０℃から−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃の範囲におい
て６２ｄＢ？″アイソレーシヨンを確保することができ
た。また、波長１．５μｍにおけるファラデー回転係数
の周囲環境温度依存は第５図実施例２の欄に示す様であ
った。１６００μｍの厚さで４５度のファラデー回転を
示した。０℃および−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃におけるファラ
デー回転係数は２５℃の唾に対して０．２チの変動を示
すのみであった。
係数は、２５℃における値に対してａ１％の変動を示す
のみであった。この値は、（ＧｄＢ１）５（ＦｅＡ１Ｇ
ａ） −Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ１２における４％と較べると極
めて小さく、０℃から−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃の範囲におい
て６２ｄＢ？″アイソレーシヨンを確保することができ
た。また、波長１．５μｍにおけるファラデー回転係数
の周囲環境温度依存は第５図実施例２の欄に示す様であ
った。１６００μｍの厚さで４５度のファラデー回転を
示した。０℃および−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃におけるファラ
デー回転係数は２５℃の唾に対して０．２チの変動を示
すのみであった。
実施例３
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマスー酸化は
う素糸融剤よシフ７０℃において。
う素糸融剤よシフ７０℃において。
格子定数が１２．４９０Ａの非磁性カルシウム・マクネ
シウム・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガリウム・ガ
ーネット基板（１１１）上に、Ｔｂ、。
シウム・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガリウム・ガ
ーネット基板（１１１）上に、Ｔｂ、。
ｇＬａＯ０１Ｂ１４．ＯＦ”−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ１２なる
化学式を有する磁性ガーネット単結晶膜を６００μｍの
厚さに液相エピタキシャル法で形成した。このガーネッ
ト膜のファラデー回転係数を、波長１．３μｍにおいて
周囲環境温度の函数として測定したところ、第４図実施
例３の欄に示す様な結果が得られた。
化学式を有する磁性ガーネット単結晶膜を６００μｍの
厚さに液相エピタキシャル法で形成した。このガーネッ
ト膜のファラデー回転係数を、波長１．３μｍにおいて
周囲環境温度の函数として測定したところ、第４図実施
例３の欄に示す様な結果が得られた。
３００μｍの厚さで４５度のファラデー回転を示した。
０℃および−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃におけるファラデー回転
係数は、２５℃における値に対して２．０％の変動を示
すのみであった。この値は、 （ＧｄＢｉ）。
係数は、２５℃における値に対して２．０％の変動を示
すのみであった。この値は、 （ＧｄＢｉ）。
（ＦｅＡＩＧａ）５ｏ１２における４チと較べると極め
て小さく、０℃から−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃の範囲において
３（５ｄＢのアイソレーションを確保することができた
。
て小さく、０℃から−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃の範囲において
３（５ｄＢのアイソレーションを確保することができた
。
また、ｆＬＬ１２５μｍにおけるファラデー回転係数の
周囲環境温度依存は第５図実施例３の欄に示す様であっ
た。４４０μｍの厚さで４５度の）１ラデ一回転を示し
た。０℃および−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃におけるファラデー
回転係数は２５℃の値に対して２．２％の変動を示すの
みであった。
周囲環境温度依存は第５図実施例３の欄に示す様であっ
た。４４０μｍの厚さで４５度の）１ラデ一回転を示し
た。０℃および−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃におけるファラデー
回転係数は２５℃の値に対して２．２％の変動を示すの
みであった。
実施例４
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマス−酸化は
う素糸融剤より７６０℃において。
う素糸融剤より７６０℃において。
格子定数が１２．−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ９Ａの非磁性ネオジ
クム・ガリウム・ガーネット基板（ｊｌｌ）上に、
Ｔｋｌ、。
クム・ガリウム・ガーネット基板（ｊｌｌ）上に、
Ｔｋｌ、。
０Ｌａ０．４Ｂｉｔ 、５Ｆ＋９−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ１２
なる化学式を有する磁性ガーネット単結晶膜を２−Ｘ−
ＹＦｅ５Ｏμｍの厚さに液相エピタキシャル法で形成し
た。このガーネット膜のファラデー回転係数を、波長１
．３μｍにおいて周囲環境温度の函数として測定したと
ころ、第４図の実施例４の欄に示す様な結果が得られた
。
なる化学式を有する磁性ガーネット単結晶膜を２−Ｘ−
ＹＦｅ５Ｏμｍの厚さに液相エピタキシャル法で形成し
た。このガーネット膜のファラデー回転係数を、波長１
．３μｍにおいて周囲環境温度の函数として測定したと
ころ、第４図の実施例４の欄に示す様な結果が得られた
。
２−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏμｍの厚さで４５度のファラデー回
転を示した。０℃および−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃におけるフ
ァラデー回転係数は、２５℃における値に対して２．９
％の変動を示すのみであった。この値は、 （ＧｄＢｉ
）。
転を示した。０℃および−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃におけるフ
ァラデー回転係数は、２５℃における値に対して２．９
％の変動を示すのみであった。この値は、 （ＧｄＢｉ
）。
（ＦｅＡｌｏａ）５ｏ、２における４％と較べると極め
て小さく、０℃から−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃の範囲において
３５ ｄＢのアイソレーションを確保することができた
。
て小さく、０℃から−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃の範囲において
３５ ｄＢのアイソレーションを確保することができた
。
また、波長１．５μｍＩＣおけるファラデー回転係数の
周囲環境温度依存は第５図実施例４の欄に示す様であっ
た。５７５μでの厚さで４５度のファラデー回転を示゛
シタ。０℃および−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃におけるファラデ
ー回転係数は２５℃の饋に対して５．０％の変動を示す
のみであった。
周囲環境温度依存は第５図実施例４の欄に示す様であっ
た。５７５μでの厚さで４５度のファラデー回転を示゛
シタ。０℃および−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃におけるファラデ
ー回転係数は２５℃の饋に対して５．０％の変動を示す
のみであった。
実施例５
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマス−酸化は
う素糸融剤よ！！７７００℃において、格子定数が１２
．５７０Ａの非磁性ガドリニウム・ガリウム・スカンジ
ウム・ガーネット基板（１１１）上に、 Ｔｔ）ｏ、７
Ｌａｏ、ｌＢｉ２ 、２Ｆ＋３−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ１２な
る化学式を有する磁性ガーネット単結晶膜を１−Ｘ−Ｙ
Ｆｅ５Ｏμｍの厚さに液相エピタキシャル法で形成した
。このガーネット膜のファラデー回転係数を、波長１．
３μｍにおいて周囲環境温度の函数として測定したとこ
ろ、第４図実施例５の欄に示す様な結果が得られた。１
−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏμｍの厚さで４５度のファラデー回転
を示した。０℃および−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃におけるファ
ラデー回転係数は、２５℃における値に対して工２％の
変動を示すのみであった。この値は、 （ＧｄＢｉ）
、（ＦｅＡＩＧａ）−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ１２における４チ
と較べると小さく、０℃から−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ’Ｃの範
囲において３２ｄＢのアイソレーションを確保すること
ができた。また、波長１．５μｍにおけるファラデー回
転係数の周囲環境温度依存は第５図実施例５の欄に示す
様であった。２２５μｍの厚さで４５度のファラデー回
転を示した。０℃および−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃におけるフ
ァラデー回転係数は２５℃の値に対して３．６％の変動
を示すのみであった。
う素糸融剤よ！！７７００℃において、格子定数が１２
．５７０Ａの非磁性ガドリニウム・ガリウム・スカンジ
ウム・ガーネット基板（１１１）上に、 Ｔｔ）ｏ、７
Ｌａｏ、ｌＢｉ２ 、２Ｆ＋３−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ１２な
る化学式を有する磁性ガーネット単結晶膜を１−Ｘ−Ｙ
Ｆｅ５Ｏμｍの厚さに液相エピタキシャル法で形成した
。このガーネット膜のファラデー回転係数を、波長１．
３μｍにおいて周囲環境温度の函数として測定したとこ
ろ、第４図実施例５の欄に示す様な結果が得られた。１
−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏμｍの厚さで４５度のファラデー回転
を示した。０℃および−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃におけるファ
ラデー回転係数は、２５℃における値に対して工２％の
変動を示すのみであった。この値は、 （ＧｄＢｉ）
、（ＦｅＡＩＧａ）−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ１２における４チ
と較べると小さく、０℃から−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ’Ｃの範
囲において３２ｄＢのアイソレーションを確保すること
ができた。また、波長１．５μｍにおけるファラデー回
転係数の周囲環境温度依存は第５図実施例５の欄に示す
様であった。２２５μｍの厚さで４５度のファラデー回
転を示した。０℃および−Ｘ−ＹＦｅ５Ｏ℃におけるフ
ァラデー回転係数は２５℃の値に対して３．６％の変動
を示すのみであった。
以上説明したように１本発明によれば１周囲環境温度の
変化に対して影響を受けにくく且つ安定なアイソレーシ
ョンが得られる光アイソレータが実現可能となる。
変化に対して影響を受けにくく且つ安定なアイソレーシ
ョンが得られる光アイソレータが実現可能となる。
第１図はＴｂｘＬａｙＢｉ ５ Ｘ Ｙ”θ５ｏ１２
（Ｘ＝２．２５ 。 Ｙ＝０．１５） ガーネット膜の波長１．３μｍにお
けるファラデー回転係数の温度依存を示す図、第２図は
（ＧｄＢｉ ） ５ （Ｆ８ＡＩＧａ） −Ｘ−ＹＦｅ
５Ｏ１２ガーネツト膜の波長１．３μｍにおけるファラ
デー回転係数の温度依存を示す図、第３図はファラデー
回転角の４５度からのずれによるアイソレージ目ン値の
変化を示す図、第４図は波長１．３μｍにおけるファラ
デー回転係数の温度依存性を５つの実施例について示す
図、第５図は同じ＜１．５μｍにおける温度依存性を示
す図である。 第１図 温度（’Ｃ） 第２図 温！（℃） 第３図 ファラデー回転角の４５°力ゝらのずれ（ｄｅｇ）第４
図 第５図
（Ｘ＝２．２５ 。 Ｙ＝０．１５） ガーネット膜の波長１．３μｍにお
けるファラデー回転係数の温度依存を示す図、第２図は
（ＧｄＢｉ ） ５ （Ｆ８ＡＩＧａ） −Ｘ−ＹＦｅ
５Ｏ１２ガーネツト膜の波長１．３μｍにおけるファラ
デー回転係数の温度依存を示す図、第３図はファラデー
回転角の４５度からのずれによるアイソレージ目ン値の
変化を示す図、第４図は波長１．３μｍにおけるファラ
デー回転係数の温度依存性を５つの実施例について示す
図、第５図は同じ＜１．５μｍにおける温度依存性を示
す図である。 第１図 温度（’Ｃ） 第２図 温！（℃） 第３図 ファラデー回転角の４５°力ゝらのずれ（ｄｅｇ）第４
図 第５図
Claims (1)
- １、Ｔｂ＿ＸＬａ＿ＹＢｉ＿３＿−＿Ｘ＿−＿ＹＦｅ＿
５Ｏ＿１＿２なる化学式で示される組成を有することを
特徴とする磁気光学ガーネット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30531686A JPS63159225A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 磁気光学ガ−ネツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30531686A JPS63159225A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 磁気光学ガ−ネツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63159225A true JPS63159225A (ja) | 1988-07-02 |
| JPH0359012B2 JPH0359012B2 (ja) | 1991-09-09 |
Family
ID=17943636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30531686A Granted JPS63159225A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 磁気光学ガ−ネツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63159225A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63291028A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ファラデ−素子 |
| JPH038725A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Tokin Corp | 磁気光学ガーネット |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62105931A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-16 | Nec Corp | 磁気光学ガ−ネツト |
| JPS6369799A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガ−ネツト結晶の製造方法 |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP30531686A patent/JPS63159225A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62105931A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-16 | Nec Corp | 磁気光学ガ−ネツト |
| JPS6369799A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガ−ネツト結晶の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63291028A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ファラデ−素子 |
| JPH038725A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Tokin Corp | 磁気光学ガーネット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0359012B2 (ja) | 1991-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4981341A (en) | Apparatus comprising a magneto-optic isolator utilizing a garnet layer | |
| JP3520889B2 (ja) | 角型ヒステリシスを示すファラデー回転子 | |
| JPS61245134A (ja) | 平面光導波路及びその製造方法 | |
| JPS63159225A (ja) | 磁気光学ガ−ネツト | |
| US6483645B1 (en) | Garnet crystal for Faraday rotator and optical isolator having the same | |
| JPH08290997A (ja) | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶 | |
| JP2816370B2 (ja) | 磁気光学材料 | |
| JPS623022A (ja) | 磁気光学ガ−ネツト | |
| JPH0369847B2 (ja) | ||
| JPH08290998A (ja) | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶 | |
| JPH1031112A (ja) | 角型ヒステリシスを示すファラデー回転子 | |
| JPS62283821A (ja) | 磁気光学ガ−ネツト | |
| JPH111394A (ja) | 低飽和ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜 | |
| JPS6335421A (ja) | 磁気光学ガ−ネツト | |
| JPS62138397A (ja) | 磁気光学素子用磁性ガ−ネツト材料 | |
| JPS6120926A (ja) | 磁気光学素子材料 | |
| JPS627634A (ja) | 磁気光学ガ−ネツト | |
| JP2867736B2 (ja) | 磁気光学材料、その製造法およびそれを用いた光素子 | |
| JPH11100300A (ja) | ビスマス置換型ガーネット材料及びその製造方法 | |
| JPS6365420A (ja) | 磁気光学素子 | |
| JPS6278194A (ja) | 磁気光学ガ−ネツト単結晶膜とその育成方法 | |
| JP2008074703A (ja) | ビスマス置換型ガーネット厚膜材料 | |
| JPS62200323A (ja) | 磁気光学デバイス用薄膜結晶素子 | |
| JP2742537B2 (ja) | 磁気光学薄膜およびその製造方法 | |
| JPH03242620A (ja) | 磁気光学材料 |