JPH038725A - 磁気光学ガーネット - Google Patents
磁気光学ガーネットInfo
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- JPH038725A JPH038725A JP14109389A JP14109389A JPH038725A JP H038725 A JPH038725 A JP H038725A JP 14109389 A JP14109389 A JP 14109389A JP 14109389 A JP14109389 A JP 14109389A JP H038725 A JPH038725 A JP H038725A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、磁界センサに用いられる磁気光学ガーネット
に関するものである。
に関するものである。
［従来の技術］
磁性ガー・ネットには、第６図に示すように、その飽和
磁化よりも小さな外部磁界中では、ファラデー回転能が
外部磁界に比例するという性質がある。この性質を利用
して、磁性ガーネットの磁界センサへの応用が提案され
ている。
磁化よりも小さな外部磁界中では、ファラデー回転能が
外部磁界に比例するという性質がある。この性質を利用
して、磁性ガーネットの磁界センサへの応用が提案され
ている。
このセンサの分解能を高めるために、磁性ガーネットに
Ｂｉをドープし、単位磁界当たりのファラデー回転能（
飽和磁界中でのファラデー回転θ、と飽和磁界Ｍ、との
比θ、乙Ｍ５．以下これを感度定数Ｃと記す）を大きく
した（Ｙ、Ｌａ、Ｂｔ） ３ Ｆ ｅ５ ｏ１２が提案
されている（ Ｊ、Ｍａｇｎ、Ｓｏｃ、Ｊｐｎ、 、
Ｖｏｌ 、 １１ 、 Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ 、 Ｎ
Ｏ，Ｓｌ （１９８７）４０１−４０４）。
Ｂｉをドープし、単位磁界当たりのファラデー回転能（
飽和磁界中でのファラデー回転θ、と飽和磁界Ｍ、との
比θ、乙Ｍ５．以下これを感度定数Ｃと記す）を大きく
した（Ｙ、Ｌａ、Ｂｔ） ３ Ｆ ｅ５ ｏ１２が提案
されている（ Ｊ、Ｍａｇｎ、Ｓｏｃ、Ｊｐｎ、 、
Ｖｏｌ 、 １１ 、 Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ 、 Ｎ
Ｏ，Ｓｌ （１９８７）４０１−４０４）。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、磁性ガーネットを使用する磁界センサの実用
化には、実用温度範囲（例えば、２５０〜３５０Ｋ）で
感度定数Ｃが可能な限り変化しないことが望まれるが、
上記（Ｙ、Ｌａ、Ｂｉ）。
化には、実用温度範囲（例えば、２５０〜３５０Ｋ）で
感度定数Ｃが可能な限り変化しないことが望まれるが、
上記（Ｙ、Ｌａ、Ｂｉ）。
Ｆｅ５０＋２では、波長０．８μｍの３００Ｋにおける
感度定数Ｃ（３００Ｋ）を基準にすると２５０Ｋにおけ
る感度定数Ｃ１２，。Ｋ）、３５０Ｋにおける感度定数
Ｃ３１，。に）は、第５図に示すように、夫々−２（％
）、＋２（％）変動する。
感度定数Ｃ（３００Ｋ）を基準にすると２５０Ｋにおけ
る感度定数Ｃ１２，。Ｋ）、３５０Ｋにおける感度定数
Ｃ３１，。に）は、第５図に示すように、夫々−２（％
）、＋２（％）変動する。
そこで１本発明の技術的課題は、上記欠点に鑑み、Ｂｔ
をドープした感度定数Ｃの大きな磁性ガーネットにおい
て、２５０〜３５０にの温度範囲で、その感度定数Ｃの
変動が極めて小さい磁界センサ用材料を提供することに
ある。
をドープした感度定数Ｃの大きな磁性ガーネットにおい
て、２５０〜３５０にの温度範囲で、その感度定数Ｃの
変動が極めて小さい磁界センサ用材料を提供することに
ある。
［課題を解決するための手段］
本発明によれば、（Ａ、Ｂ、Ｂ１３−ｘ−ｙ ）Ｆｅ５
０１２（ただしＡは、Ｌａ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ。
０１２（ただしＡは、Ｌａ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ。
Ｌｕ、Ｙの元素のうち少なくとも１ｍ、ＢはＴｂ。
Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍの元素のうち少なくとも１種、
０．１ ≦Ｘ≦２．５ ５Ｏ．１ ≦Ｙ≦２．５かツ
０．５≦ｘ＋ｙ≦２．６）の化学式で表わされることを
特徴とする磁界センサ用磁気光学ガーネットが得られる
。
０．１ ≦Ｘ≦２．５ ５Ｏ．１ ≦Ｙ≦２．５かツ
０．５≦ｘ＋ｙ≦２．６）の化学式で表わされることを
特徴とする磁界センサ用磁気光学ガーネットが得られる
。
［実施例］
以下１本発明の実施例を図面を参照して、説明する。
（実施例１）
酸化ランタン、酸化テルビウム、酸化ビスマス。
酸化鉄、酸化鉛、酸化ボロンを混合、加熱溶解した融液
より、非磁性ガーネット単結晶基板上に、（Ｌ ａ １
．２ ＴｂＯ，Ｂ Ｂ ｔ １，０ ） Ｆ ｅ５ ｏ
１２なる組成を有する磁性ガーネット単結晶膜をＬＰＥ
（リキッド・フェイズ・エピタキシャル）法により育
成した。この磁性ガーネット膜の波長０．８μｍにおけ
る感度定数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で測定した
ところ第１図のような結果を得た。３００Ｋにおける感
度定数Ｃ（３゜ＯＫ）を基準にすると２５０〜３５０に
の温度範囲全域で、感度定数Ｃの値は±０．１（％）以
内の変化を示したにすぎなかった。この変化率は（Ｙ、
Ｌａ、Ｂ ｉ）３ Ｆ ｅ５Ｏ２、および比較例１．１
’、における変化率よりも小さく、温度特性の良好な磁
界センサ用材料として優れている。
より、非磁性ガーネット単結晶基板上に、（Ｌ ａ １
．２ ＴｂＯ，Ｂ Ｂ ｔ １，０ ） Ｆ ｅ５ ｏ
１２なる組成を有する磁性ガーネット単結晶膜をＬＰＥ
（リキッド・フェイズ・エピタキシャル）法により育
成した。この磁性ガーネット膜の波長０．８μｍにおけ
る感度定数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で測定した
ところ第１図のような結果を得た。３００Ｋにおける感
度定数Ｃ（３゜ＯＫ）を基準にすると２５０〜３５０に
の温度範囲全域で、感度定数Ｃの値は±０．１（％）以
内の変化を示したにすぎなかった。この変化率は（Ｙ、
Ｌａ、Ｂ ｉ）３ Ｆ ｅ５Ｏ２、および比較例１．１
’、における変化率よりも小さく、温度特性の良好な磁
界センサ用材料として優れている。
またこの（Ｌａ１．２Ｔｂｏ、ｓ Ｂ ｊ＋、ｏ ）
Ｆ ｅｓＯ１□は波長０．８μｍのみならず、他の波長
における感度定数の温度変化も極めて小さかった。
Ｆ ｅｓＯ１□は波長０．８μｍのみならず、他の波長
における感度定数の温度変化も極めて小さかった。
（比較例１）
酸化ランタン、酸化ビスマス、酸化鉄、酸化鉛。
酸化ボロンを混合、加熱溶解した融液より、非磁性ガー
ネット単結晶基板上に（Ｌ ａ ２．。Ｂｆ＋、ｏ）Ｆ
ｅ、Ｏ，□なる組成を有する磁性ガーネット単結晶膜を
ＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エピタキシャル）法に
より育成した。この磁性ガーネット膜の波長０．８μｍ
における感度定数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で測
定したところ、第２図のような結果を得た。３００Ｋに
おける感度定数ＣＦ１００Ｋ）を基準にすると２５０〜
３５０にの温度範囲全域で感度定数Ｃの値は±２（％）
の変化を示した。
ネット単結晶基板上に（Ｌ ａ ２．。Ｂｆ＋、ｏ）Ｆ
ｅ、Ｏ，□なる組成を有する磁性ガーネット単結晶膜を
ＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エピタキシャル）法に
より育成した。この磁性ガーネット膜の波長０．８μｍ
における感度定数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で測
定したところ、第２図のような結果を得た。３００Ｋに
おける感度定数ＣＦ１００Ｋ）を基準にすると２５０〜
３５０にの温度範囲全域で感度定数Ｃの値は±２（％）
の変化を示した。
（比較例１′）
酸化テルビウム、酸化ビスマス、酸化鉄、酸化鉛、酸化
ボロンを混合、加熱溶解した融液より。
ボロンを混合、加熱溶解した融液より。
非磁性ガーネット単結晶基板上に（Ｔｂ、、ｏＢｉ、）
Ｆｅ、Ｏ□２なる組成を有する磁性ガーネット単結晶膜
をＬＰＥ （リキッド争フェイズやエピタキシャル）法
により育成した。この磁性ガーネット膜の波長０．８μ
ｍにおける感度定数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で
ｎ＋定したところ、第３図のような結果を得た。３００
Ｋにおける感度定数ＣＬｌｏｏＫ）を基準にすると２５
０〜３５０にの温度範囲全域で感度定数Ｃの値は±５（
％）の変化を示した。
Ｆｅ、Ｏ□２なる組成を有する磁性ガーネット単結晶膜
をＬＰＥ （リキッド争フェイズやエピタキシャル）法
により育成した。この磁性ガーネット膜の波長０．８μ
ｍにおける感度定数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で
ｎ＋定したところ、第３図のような結果を得た。３００
Ｋにおける感度定数ＣＬｌｏｏＫ）を基準にすると２５
０〜３５０にの温度範囲全域で感度定数Ｃの値は±５（
％）の変化を示した。
（実施例２）
酸化プラセオジウム、酸化ディスプロシウム。
酸化ビスマス、酸化鉄、酸化鉛、酸化ボロンを混合、加
熱溶解した融液より、非磁性ガーネット単結晶基板上に
、（Ｐｒ、 ＤＶｏ６Ｂｉ＋、ｏ）Ｆｅ５Ｏ＋２なる
組成を有する磁性ガーネット単結晶膜をＬＰＥ （リキ
ッド・フェイズ・エピタキシャル）法により育成した。
熱溶解した融液より、非磁性ガーネット単結晶基板上に
、（Ｐｒ、 ＤＶｏ６Ｂｉ＋、ｏ）Ｆｅ５Ｏ＋２なる
組成を有する磁性ガーネット単結晶膜をＬＰＥ （リキ
ッド・フェイズ・エピタキシャル）法により育成した。
この磁性ガーネット膜の波長０．８μｍにおける感度定
数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で測定したところ、
第１図のような結果を得た。３００Ｋにおける感度定数
Ｃ（３００厩）を基準にすると２５０〜３５０にの温度
範囲全域で、感度定数Ｃの値は±０．１（％）以内の変
化を示したにすぎなかった。この変化率は（Ｙ、Ｌａ。
数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で測定したところ、
第１図のような結果を得た。３００Ｋにおける感度定数
Ｃ（３００厩）を基準にすると２５０〜３５０にの温度
範囲全域で、感度定数Ｃの値は±０．１（％）以内の変
化を示したにすぎなかった。この変化率は（Ｙ、Ｌａ。
Ｂ ｊ） ３ Ｆ ｅｓ ０１２．および比較例２．２
’ 、における変化率よりも小さく、温度特性の良好な
磁界センサ用材料として優れている。
’ 、における変化率よりも小さく、温度特性の良好な
磁界センサ用材料として優れている。
またこの（Ｐｒ＋４ＤＹｏ、ｂ Ｂｉ＋、ｏ）ＦｅｓＯ
１□は波長０．８μｍのみならず、他の波長における感
度定数の温度変化も極めて小さかった。
１□は波長０．８μｍのみならず、他の波長における感
度定数の温度変化も極めて小さかった。
（比較例２）
酸化プラセオジウム、酸化ビスマス、酸化鉄。
酸化鉛、酸化ボロンを混合、加熱溶解した融液より、非
磁性ガーネット単結晶基板上に、（Ｐｒ２ｏ Ｂ ｉ＋
、ｏ ） Ｆｅ５０Ｈ□なる組成を有する磁性ガーネッ
ト単結晶膜をＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エピタキ
シャル）法により育成した。この磁性ガーネット膜の波
長０．８μｍにおける感度定数Ｃを２５０〜３５０にの
温度範囲で測定したところ。
磁性ガーネット単結晶基板上に、（Ｐｒ２ｏ Ｂ ｉ＋
、ｏ ） Ｆｅ５０Ｈ□なる組成を有する磁性ガーネッ
ト単結晶膜をＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エピタキ
シャル）法により育成した。この磁性ガーネット膜の波
長０．８μｍにおける感度定数Ｃを２５０〜３５０にの
温度範囲で測定したところ。
第２図のような結果を得た。３００Ｋにおける感度定数
ＣＦ２Ｏ３に＋を基準にすると２５０〜３５０にの温度
範囲全域で感度定数Ｃの値は±２（％）の変化を示した
。
ＣＦ２Ｏ３に＋を基準にすると２５０〜３５０にの温度
範囲全域で感度定数Ｃの値は±２（％）の変化を示した
。
（比較例２′）
酸化ディスプロシウム、酸化ビスマス、酸化鉄。
酸化鉛、酸化ボロンを混合、加熱溶解した融液より、非
磁性ガーネット単結晶基板上に、（Ｄ ｙ ２Ｂ ｉ
、、。）ＦｅｑＯ＋□なる組成を有する磁性ガーネット
単結晶膜をＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エピタキシ
ャル）法により育成した。この磁性ガーネット膜の波長
０．８μｍにおける感度定数Ｃを２５０〜３５０にの温
度範囲で測定したと゛ころ。
磁性ガーネット単結晶基板上に、（Ｄ ｙ ２Ｂ ｉ
、、。）ＦｅｑＯ＋□なる組成を有する磁性ガーネット
単結晶膜をＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エピタキシ
ャル）法により育成した。この磁性ガーネット膜の波長
０．８μｍにおける感度定数Ｃを２５０〜３５０にの温
度範囲で測定したと゛ころ。
第３図のような結果を得た。３００Ｋにおける感度定数
ＣＬ３００Ｋ）を基準にすると２５０〜３５０にの温度
範囲全域で感度定数Ｃの値は±５（％）の変化を示した
。
ＣＬ３００Ｋ）を基準にすると２５０〜３５０にの温度
範囲全域で感度定数Ｃの値は±５（％）の変化を示した
。
（実施例３）
酸化サマリウム、酸化ホルミウム、酸化ビスマス、酸化
鉄、酸化鉛、酸化ボロンを混合、加熱溶解した融液より
、非磁性ガーネット単結晶基板上に、 （Ｓｍｌ、ｏ
Ｈｏ＋、ｏ Ｂ ｉ ＋、ｏ ） Ｆ ｅｓ ０１
２なる組成を有する磁性ガーネット単結晶膜をＬＰＥ（
リキッド−フェイズ・エピタキシャル）法により育成し
た。この磁性ガーネット膜の波長０．８μｍにおける感
度定数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で測定したとこ
ろ、第１図のような結果を得た。３００Ｋにおける感度
定数Ｃ（３００Ｋ）を基準にすると２５０〜３５０にの
温度範囲全域で２感度定数Ｃの値は±０．１（％）以内
の変化を示したにすぎなかった。この変化率は（Ｙ、Ｌ
ａ、Ｂｉ）、Ｆｅｓ Ｏ，□、および比較例３．３’
、における変化率よりも小さく、温度特性の良好な磁界
センサ用材料として優れている。
鉄、酸化鉛、酸化ボロンを混合、加熱溶解した融液より
、非磁性ガーネット単結晶基板上に、 （Ｓｍｌ、ｏ
Ｈｏ＋、ｏ Ｂ ｉ ＋、ｏ ） Ｆ ｅｓ ０１
２なる組成を有する磁性ガーネット単結晶膜をＬＰＥ（
リキッド−フェイズ・エピタキシャル）法により育成し
た。この磁性ガーネット膜の波長０．８μｍにおける感
度定数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で測定したとこ
ろ、第１図のような結果を得た。３００Ｋにおける感度
定数Ｃ（３００Ｋ）を基準にすると２５０〜３５０にの
温度範囲全域で２感度定数Ｃの値は±０．１（％）以内
の変化を示したにすぎなかった。この変化率は（Ｙ、Ｌ
ａ、Ｂｉ）、Ｆｅｓ Ｏ，□、および比較例３．３’
、における変化率よりも小さく、温度特性の良好な磁界
センサ用材料として優れている。
またこの（Ｓｍ＋、ｏ Ｈｏ、ｏＢ ｉ １，６ ）
Ｆ ｅｓＯ０２は波長０，８μｍのみならず、他の波長
における感度定数の温度変化も極めて小さかった。
Ｆ ｅｓＯ０２は波長０，８μｍのみならず、他の波長
における感度定数の温度変化も極めて小さかった。
（比較例３）
酸化サマリウム、酸化ビスマス、酸化鉄、酸化鉛、酸化
ボロンを混合、加熱溶解した融液より。
ボロンを混合、加熱溶解した融液より。
非磁性ガーネット単結晶基板上に、（Ｓｍ２．、Ｂｉ
＋、ｏ ） Ｆ ｅｑ ０１２なる組成を有する磁性ガ
ーネット単結晶膜をＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エ
ピタキシャル）法により育成した。この磁性ガーネット
膜の波長０．８μｍにおける感度定数Ｃを２５０〜３５
０にの温度範囲で測定したところ、第２図のような結果
を得た。３００Ｋにおける感度定数ＣＴｌ２Ｏに＋を基
準にすると２５０〜３５０にの温度範囲全域で感度定数
Ｃの値は±２（％）の変化を示した。
＋、ｏ ） Ｆ ｅｑ ０１２なる組成を有する磁性ガ
ーネット単結晶膜をＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エ
ピタキシャル）法により育成した。この磁性ガーネット
膜の波長０．８μｍにおける感度定数Ｃを２５０〜３５
０にの温度範囲で測定したところ、第２図のような結果
を得た。３００Ｋにおける感度定数ＣＴｌ２Ｏに＋を基
準にすると２５０〜３５０にの温度範囲全域で感度定数
Ｃの値は±２（％）の変化を示した。
（比較例３′）
酸化ホルミウム、酸化ビスマス、酸化鉄、酸化鉛、酸化
ボロンを混合、加熱溶解した融液より。
ボロンを混合、加熱溶解した融液より。
非磁性ガーネット単結晶基板上に、（Ｈｏ２．、Ｂｉ
＋、ｏ ） Ｆ ｅ５０１２なる組成を有する磁性ガー
ネット単結晶膜をＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エピ
タキシャル）法により育成した。この磁性ガーネット膜
の波長０，８μｍにおける感度定数Ｃを２５０〜３５０
にの温度範囲で測定したところ、第４図のような結果を
得た。３００Ｋにおける感度定数Ｃ（３００に＋を基準
にすると２５０〜３５．ＯＫの温度範囲全域で感度定数
Ｃの値は±２（％）の変化を示した。
＋、ｏ ） Ｆ ｅ５０１２なる組成を有する磁性ガー
ネット単結晶膜をＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エピ
タキシャル）法により育成した。この磁性ガーネット膜
の波長０，８μｍにおける感度定数Ｃを２５０〜３５０
にの温度範囲で測定したところ、第４図のような結果を
得た。３００Ｋにおける感度定数Ｃ（３００に＋を基準
にすると２５０〜３５．ＯＫの温度範囲全域で感度定数
Ｃの値は±２（％）の変化を示した。
（実施例４）
酸化ユーロピウム、酸化エルビウム、酸化ビスマス、酸
化鉄、酸化鉛、酸化ボロンを混合、加熱溶解した融液よ
り、非磁性ガーネット単結晶基板上に、（Ｅｕｏ、ｓ
Ｅ ｒ＋、２Ｂ ｉ ｒ、ｏ ） Ｆ ｅｓ ０１２な
る組成を有する磁性ガーネット単結晶膜をＬＰＥ（リキ
ッド・フェイズ・エピタキシャル）法により育成した。
化鉄、酸化鉛、酸化ボロンを混合、加熱溶解した融液よ
り、非磁性ガーネット単結晶基板上に、（Ｅｕｏ、ｓ
Ｅ ｒ＋、２Ｂ ｉ ｒ、ｏ ） Ｆ ｅｓ ０１２な
る組成を有する磁性ガーネット単結晶膜をＬＰＥ（リキ
ッド・フェイズ・エピタキシャル）法により育成した。
この磁性ガーネット膜の波長０．８μｍにおける感度定
数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で測定したところ、
第１図のような結果を得た。３００Ｋにおける感度定数
Ｃ（３００に）を基準にすると２５０〜３５０にの温度
範囲全域で、感度定数Ｃの値は±０．１（％）以内の変
化を示したにすぎなかった。この変化率は（Ｙ、Ｌａ、
Ｂ １）３Ｆｅ５０．□、および比較例４．４’ 、に
おける変化率よりも小さく、温度特性の良好な磁界セン
サ用材料として優れている。
数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で測定したところ、
第１図のような結果を得た。３００Ｋにおける感度定数
Ｃ（３００に）を基準にすると２５０〜３５０にの温度
範囲全域で、感度定数Ｃの値は±０．１（％）以内の変
化を示したにすぎなかった。この変化率は（Ｙ、Ｌａ、
Ｂ １）３Ｆｅ５０．□、および比較例４．４’ 、に
おける変化率よりも小さく、温度特性の良好な磁界セン
サ用材料として優れている。
またこの（Ｅｕｏ、５Ｅｒｌ、ｚＢｌ＋、ｏ）Ｆｅ５０
．２は波長０．８μｍのみならず、他の波長における感
度定数の温度変化も極めて小さかった。
．２は波長０．８μｍのみならず、他の波長における感
度定数の温度変化も極めて小さかった。
（比較例４）
酸化ユーロピウム、酸化ビスマス、酸化鉄、酸化鉛、酸
化ボロンを混合、加熱溶解した融液より。
化ボロンを混合、加熱溶解した融液より。
非磁性ガーネット単結晶基板上に、（Ｅｕ２．、Ｂｉｌ
、。）ＦｅｓＯ＋ｚなる組成を有する磁性ガー！ネット
単結晶膜をＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エピタキシ
ャル）法により育成した。この磁性ガーネット膜の波長
０．８μｍにおける感度定数Ｃを２５０〜３５０にの温
度範囲で測定したところ、第２図のような結果を得た。
、。）ＦｅｓＯ＋ｚなる組成を有する磁性ガー！ネット
単結晶膜をＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エピタキシ
ャル）法により育成した。この磁性ガーネット膜の波長
０．８μｍにおける感度定数Ｃを２５０〜３５０にの温
度範囲で測定したところ、第２図のような結果を得た。
３００Ｋにおける感度定数ＣＬ３００Ｋ）を基準にする
と２５０〜３５０にの温度範囲全域で感度定数Ｃの値は
±２（Ｓ）の変化を示した。
と２５０〜３５０にの温度範囲全域で感度定数Ｃの値は
±２（Ｓ）の変化を示した。
（比較例４′）
酸化エルビウム、酸化ビスマス、酸化鉄、酸化鉛、酸化
ボロンを混合、加熱溶解した融液より。
ボロンを混合、加熱溶解した融液より。
非磁性ガーネット単結晶基板上に、（Ｅｒ２．、Ｂｉ、
。）Ｆｅ、Ｏ＋２なる組成を有する磁性ガーネット単結
晶膜をＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エピタキシャル
）法により育成した。この磁性ガーネット膜の波長０．
８μｍにおける感度定°数Ｃを２５０〜３５０にの温度
範囲で７１１１１定したところ、第５図のような結果を
得た。３００Ｋにおける感度定数Ｃ（３００Ｋ］を基準
にすると２５０〜３５０にの温度範囲全域で感度定数Ｃ
の値は±１（％）の変化を示した。
。）Ｆｅ、Ｏ＋２なる組成を有する磁性ガーネット単結
晶膜をＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エピタキシャル
）法により育成した。この磁性ガーネット膜の波長０．
８μｍにおける感度定°数Ｃを２５０〜３５０にの温度
範囲で７１１１１定したところ、第５図のような結果を
得た。３００Ｋにおける感度定数Ｃ（３００Ｋ］を基準
にすると２５０〜３５０にの温度範囲全域で感度定数Ｃ
の値は±１（％）の変化を示した。
（実施例５）
酸化ルテシウム、酸化トリウム、酸化ビスマス。
酸化鉄、酸化鉛、酸化ボロンを混合、加熱溶解した融液
より、非磁性ガーネット単結晶基板上に。
より、非磁性ガーネット単結晶基板上に。
（Ｌ ｕｏ、ｓ Ｔｍ１２Ｂ ｉ ＋、ｏ ） Ｆ ｅ
ｓ ０１２なる組成を有する磁性ガーネット単結晶膜を
ＬＰＥ （リキッドφフェイズ・エピタキシャル）法に
より育成した。この磁性ガーネット膜の波長０．８μｍ
における感度定数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で測
定したところ、第１図のような結果を得た。
ｓ ０１２なる組成を有する磁性ガーネット単結晶膜を
ＬＰＥ （リキッドφフェイズ・エピタキシャル）法に
より育成した。この磁性ガーネット膜の波長０．８μｍ
における感度定数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で測
定したところ、第１図のような結果を得た。
３００Ｋにおける感度定数ＣＬ３ｏｏに）を基準にする
と２５０〜３５０にの温度範囲全域で、感度定数Ｃの値
は±０．１（％）以内の変化を示したにすぎなかった。
と２５０〜３５０にの温度範囲全域で、感度定数Ｃの値
は±０．１（％）以内の変化を示したにすぎなかった。
この変化率は（Ｙ、Ｌａ、Ｂｉ）、Ｆｅ５ｏ１゜、およ
び比較例５．５’ 、における変化率よりも小さく、温
度特性の良好な磁界センサ用材料として優れている。
び比較例５．５’ 、における変化率よりも小さく、温
度特性の良好な磁界センサ用材料として優れている。
またこの（Ｌ ｕｏ、ｓ Ｔｍ、、２９ ｉ 、、、
） Ｆ ｅ５０．２は波長０．８μｍのみならず、他の
波長における感度定数の温度変化も極めて小さかった。
） Ｆ ｅ５０．２は波長０．８μｍのみならず、他の
波長における感度定数の温度変化も極めて小さかった。
（比較例５）
酸化ルテシウム、酸化ビスマス、酸化鉄、酸化鉛、酸化
ボロンを混合、加熱溶解した融液より。
ボロンを混合、加熱溶解した融液より。
非磁性ガーネット単結晶基板上に（Ｌｕ２．０Ｂｉｏ）
ＦｅｓＯ＋□なる組成を有する磁性ガーネット単結晶膜
をＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エピタキシャル）法
により育成した。この磁性ガーネット膜の波長０．８μ
ｍにおける感度定数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で
測定したところ、第２図のような結果を得た。３００Ｋ
における感度定数Ｃ１３゜０に）を基準にすると２５０
〜３５０にの温度範囲全域で感度定数Ｃの値は±２（％
〉の変化を示した。
ＦｅｓＯ＋□なる組成を有する磁性ガーネット単結晶膜
をＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エピタキシャル）法
により育成した。この磁性ガーネット膜の波長０．８μ
ｍにおける感度定数Ｃを２５０〜３５０にの温度範囲で
測定したところ、第２図のような結果を得た。３００Ｋ
における感度定数Ｃ１３゜０に）を基準にすると２５０
〜３５０にの温度範囲全域で感度定数Ｃの値は±２（％
〉の変化を示した。
（比較例５′）
酸化トリウム、酸化ビスマス、酸、化鉄、酸化鉛。
酸化ボロンを混合、加熱溶解した融液より、非磁性ガー
ネット単結晶基板上に＋ （Ｔｒｒｚ、ｏ Ｂ ｉ
。
ネット単結晶基板上に＋ （Ｔｒｒｚ、ｏ Ｂ ｉ
。
。）ＦｅｓＯ＋２なる組成を有する磁性ガーネット単結
晶膜をＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エビタキシャル
）法により育成した。この磁性ガーネット膜の波長０．
８μｍにおける感度定数Ｃを２５０〜３５０にの温度範
囲で測定したところ、第５図のような結果を得た。３０
０Ｋにおける感度定数ＣＬ３００に＋を基準にすると２
５０〜３５０にの温度範囲全域で感度定数Ｃの値は士ユ
（％）の変化を示した。
晶膜をＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エビタキシャル
）法により育成した。この磁性ガーネット膜の波長０．
８μｍにおける感度定数Ｃを２５０〜３５０にの温度範
囲で測定したところ、第５図のような結果を得た。３０
０Ｋにおける感度定数ＣＬ３００に＋を基準にすると２
５０〜３５０にの温度範囲全域で感度定数Ｃの値は士ユ
（％）の変化を示した。
（実施例６）
酸化イツトリウム、酸化テルビウム、酸化ビスマス、酸
化鉄、酸化鉛、酸化ボロンを混合、加熱溶解した融液よ
り、非磁性ガーネット単結晶基板上に、 （Ｙｌ、４
Ｔｂｏ６Ｂ ｉ ＋、ｏ ）Ｆ ｅ５Ｏ１２なる組成
を有する磁性ガーネット単結晶膜をＬＰＥ（リキッド・
フェイズ・エピタキシャル）法により育成した。この磁
性ガーネット膜の波長０，８μｍにおける感度定数Ｃを
２５０〜３５０にの温度範囲で測定したところ、第１図
のような結果を得た。３００Ｋにおける感度定数Ｃ０゜
。。を基準にすると２５０〜３５０にの温度範囲全域で
、感度定数Ｃの値は±０，１（％）以内の変化を示した
にすぎなかった。この変化率は（Ｙ、Ｌａ、Ｂｉ） ３
Ｆｅ’５Ｏ，２．および比較例６．１’、における変化
率よりも小さく、温度特性の良好な磁界センサ用）イ料
として優れている。
化鉄、酸化鉛、酸化ボロンを混合、加熱溶解した融液よ
り、非磁性ガーネット単結晶基板上に、 （Ｙｌ、４
Ｔｂｏ６Ｂ ｉ ＋、ｏ ）Ｆ ｅ５Ｏ１２なる組成
を有する磁性ガーネット単結晶膜をＬＰＥ（リキッド・
フェイズ・エピタキシャル）法により育成した。この磁
性ガーネット膜の波長０，８μｍにおける感度定数Ｃを
２５０〜３５０にの温度範囲で測定したところ、第１図
のような結果を得た。３００Ｋにおける感度定数Ｃ０゜
。。を基準にすると２５０〜３５０にの温度範囲全域で
、感度定数Ｃの値は±０，１（％）以内の変化を示した
にすぎなかった。この変化率は（Ｙ、Ｌａ、Ｂｉ） ３
Ｆｅ’５Ｏ，２．および比較例６．１’、における変化
率よりも小さく、温度特性の良好な磁界センサ用）イ料
として優れている。
またこの（Ｙｌ、４ Ｔｂ０．６ Ｂ ｉｔ、ｏ ）
Ｆ ｅ５Ｏ．２は波長０．８μｍのみならず、他の波長
における感度定数の温度変化も極めて小さかった。
Ｆ ｅ５Ｏ．２は波長０．８μｍのみならず、他の波長
における感度定数の温度変化も極めて小さかった。
（比較例６）
酸化イツトリウム、酸化ビスマス、酸化鉄、酸化鉛、酸
化ボロンを混合、加熱溶解した融液より。
化ボロンを混合、加熱溶解した融液より。
非磁性ガーネット単結晶基板上にｒ （”２．０ Ｂ
１゜）ＦｅｓＯ＋２なる組成を有する磁性ガーネット単
結晶膜をＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エピタキシャ
ル）法により育成した。この磁性ガーネット膜の波長０
．８μｍにおける感度定数Ｃを２５０〜３５０にの温度
範囲で測定したところ、第２図のような結果を得た。３
００Ｋにおける感度定数Ｃ＋３００Ｋ）を基準にすると
２５０〜３５０にの温度範囲全域で感度定数Ｃの値は±
２（％）の変化を示した。
１゜）ＦｅｓＯ＋２なる組成を有する磁性ガーネット単
結晶膜をＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エピタキシャ
ル）法により育成した。この磁性ガーネット膜の波長０
．８μｍにおける感度定数Ｃを２５０〜３５０にの温度
範囲で測定したところ、第２図のような結果を得た。３
００Ｋにおける感度定数Ｃ＋３００Ｋ）を基準にすると
２５０〜３５０にの温度範囲全域で感度定数Ｃの値は±
２（％）の変化を示した。
本発明は上記実施例のみならず、（Ａ、Ｂ、Ｂ１３−ｘ
−ｙ ） Ｆ ｅ ５Ｏ１２ （ただしＡは、Ｌａ、Ｐ
ｒ。
−ｙ ） Ｆ ｅ ５Ｏ１２ （ただしＡは、Ｌａ、Ｐ
ｒ。
Ｓｍ、Ｅｕ、Ｌｕ、Ｙの元素のうち少なくとも１種、Ｂ
は、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍの元素のうち少なく
とも１柾０，１ ≦Ｘ≦２．５ ５Ｏ．１≦Ｙ≦２．５
かつ０．５≦ｘ＋ｙ≦２．６）で表される磁性ガーネッ
ト全般に適用されるものである。
は、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍの元素のうち少なく
とも１柾０，１ ≦Ｘ≦２．５ ５Ｏ．１≦Ｙ≦２．５
かつ０．５≦ｘ＋ｙ≦２．６）で表される磁性ガーネッ
ト全般に適用されるものである。
［発明の効果］
以上説明したように本発明を用いれば、感度定数Ｃが太
き（、なおかつ、その温度変動が極めて小さいという優
れた特性を有する磁界センサ用磁気光学ガーネットを得
ることが可能となり、工業的利用価値は、極めて大であ
る。
き（、なおかつ、その温度変動が極めて小さいという優
れた特性を有する磁界センサ用磁気光学ガーネットを得
ることが可能となり、工業的利用価値は、極めて大であ
る。
第１図は、 （Ｌ ａ １．２ Ｔｂｏ、ｓ Ｂ ｉ
＋、ｏ ） Ｆ ｅ５Ｏ１２１ （Ｐ ｒｉ、
Ｄ）’ｏ、６Ｂ ｉｔ、ｏ ） Ｆｅ５Ｏ１２、 （
Ｓｍ１Ｈｏ、 Ｂ ｉｔ、ｏ ） Ｆ ｅｓ ０１２
゜（Ｅｕ（１，ｓ Ｅ ｒｉ２Ｂ ｉｔ、ｏ ） Ｆ
ｅ５Ｏ１２． （Ｌｕｏ、ｓ Ｔｒｒ＋＋２Ｂ ｉ
＋、ｏ ） Ｆ ｅｑ ０１２１ （ＹｌＴｂｏ、ｂ
Ｂ ｉ ｒ、ｏ ） Ｆ ｅ５０１２の波長０．８μ
ｍでの感度定数Ｃの温度変動を示す図、第２図は。 （Ｙ、Ｌａ、Ｂ ｉ）３ Ｆｅｓ ０１２．（Ｌａ２．
ｏＢｉ＋、ｏ ） Ｆｅｓ ０１２１ （Ｐ ｒ２．
ｏ Ｂ ｉｔ、ｏ ） Ｆｅ５０１２１ （Ｓｍ２ｏ
Ｂ ｉｌ、ｏ ） Ｆ ｅｓ ０１２１ （Ｅｕ２．
ｏ Ｂ ｉ ＋、ｏ ） Ｆ ｅｓ ０１２１ （Ｌ
ｕ２．（Ｉ Ｂ ｉｌｏ ） Ｆｅ５０＋２． （Ｙ
２．ＯＢｉ＋、ｏ ） Ｆｅｓ ０１２の波長０，８μ
ｍでの感度定数Ｃの温度変動を示す図１第３図は（Ｔｂ
２．ｏ Ｂ ｉ １．ｏ ） Ｆ ｅ５Ｏ１２゜（Ｄ’
／２．０ Ｂ ｉ ｔ、ｏ ） Ｆ ｅｓ ０１２の波
長０．８μｍでの感度定数Ｃの温度変動を示す図、第４
図は（Ｈｏ２．ｏ Ｂ ｉ ＋、ｏ ） Ｆ ｅ５Ｏ１
２の波長０．８μｍでの感度定数Ｃの温度変動を示す図
、第５図は（Ｅ ｒ２．ｏ Ｂ ｉｔ、ｏ ） Ｆ ｅ
ｓ ０１２． （Ｔｍ２．ｏ Ｂｊ ＋、ｏ ） Ｆ
ｅ ５０１２の波長０．８μｍでの感度定数Ｃの温度
変動を示す図、第６図は磁界中での磁性ガーネットのフ
ァラデー回転を示す図である。 Ｔ （に） 嘉４図 （Ｋ）
＋、ｏ ） Ｆ ｅ５Ｏ１２１ （Ｐ ｒｉ、
Ｄ）’ｏ、６Ｂ ｉｔ、ｏ ） Ｆｅ５Ｏ１２、 （
Ｓｍ１Ｈｏ、 Ｂ ｉｔ、ｏ ） Ｆ ｅｓ ０１２
゜（Ｅｕ（１，ｓ Ｅ ｒｉ２Ｂ ｉｔ、ｏ ） Ｆ
ｅ５Ｏ１２． （Ｌｕｏ、ｓ Ｔｒｒ＋＋２Ｂ ｉ
＋、ｏ ） Ｆ ｅｑ ０１２１ （ＹｌＴｂｏ、ｂ
Ｂ ｉ ｒ、ｏ ） Ｆ ｅ５０１２の波長０．８μ
ｍでの感度定数Ｃの温度変動を示す図、第２図は。 （Ｙ、Ｌａ、Ｂ ｉ）３ Ｆｅｓ ０１２．（Ｌａ２．
ｏＢｉ＋、ｏ ） Ｆｅｓ ０１２１ （Ｐ ｒ２．
ｏ Ｂ ｉｔ、ｏ ） Ｆｅ５０１２１ （Ｓｍ２ｏ
Ｂ ｉｌ、ｏ ） Ｆ ｅｓ ０１２１ （Ｅｕ２．
ｏ Ｂ ｉ ＋、ｏ ） Ｆ ｅｓ ０１２１ （Ｌ
ｕ２．（Ｉ Ｂ ｉｌｏ ） Ｆｅ５０＋２． （Ｙ
２．ＯＢｉ＋、ｏ ） Ｆｅｓ ０１２の波長０，８μ
ｍでの感度定数Ｃの温度変動を示す図１第３図は（Ｔｂ
２．ｏ Ｂ ｉ １．ｏ ） Ｆ ｅ５Ｏ１２゜（Ｄ’
／２．０ Ｂ ｉ ｔ、ｏ ） Ｆ ｅｓ ０１２の波
長０．８μｍでの感度定数Ｃの温度変動を示す図、第４
図は（Ｈｏ２．ｏ Ｂ ｉ ＋、ｏ ） Ｆ ｅ５Ｏ１
２の波長０．８μｍでの感度定数Ｃの温度変動を示す図
、第５図は（Ｅ ｒ２．ｏ Ｂ ｉｔ、ｏ ） Ｆ ｅ
ｓ ０１２． （Ｔｍ２．ｏ Ｂｊ ＋、ｏ ） Ｆ
ｅ ５０１２の波長０．８μｍでの感度定数Ｃの温度
変動を示す図、第６図は磁界中での磁性ガーネットのフ
ァラデー回転を示す図である。 Ｔ （に） 嘉４図 （Ｋ）
Claims (1)
- １）（Ａ＿ｘＢ＿ｙＢｉ＿３＿−＿ｘ＿−＿ｙ）Ｆｅ＿
５Ｏ＿１＿２ただし、ＡはＬａ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｌ
ｕ、Ｙの元素のうち少なくとも１種、ＢはＴｂ、Ｄｙ、
Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍの元素のうち少なくとも１種、０．１
≦Ｘ≦２．５、０．１≦Ｙ≦２．５かつ０．５≦ｘ＋ｙ
≦２．６）の化学式で表されることを特徴とする磁気光
学ガーネット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14109389A JPH038725A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 磁気光学ガーネット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14109389A JPH038725A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 磁気光学ガーネット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038725A true JPH038725A (ja) | 1991-01-16 |
Family
ID=15284034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14109389A Pending JPH038725A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 磁気光学ガーネット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH038725A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5709811A (en) * | 1995-04-11 | 1998-01-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic material for microwave and high-frequency circuit component using the same |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182111A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
| JPS60255696A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-17 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | ビスマス置換磁性ガ−ネツト単結晶の製造方法 |
| JPS62283821A (ja) * | 1986-05-31 | 1987-12-09 | Tohoku Metal Ind Ltd | 磁気光学ガ−ネツト |
| JPS63159225A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-02 | Tokin Corp | 磁気光学ガ−ネツト |
| JPS63285196A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 磁気光学素子材料 |
| JPS6436005A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Tokin Corp | Magnetooptic garnet material |
| JPH038726A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Tokin Corp | 磁気光学ガーネット |
-
1989
- 1989-06-05 JP JP14109389A patent/JPH038725A/ja active Pending
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| JPS6436005A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Tokin Corp | Magnetooptic garnet material |
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