JPH0471878B2 - - Google Patents
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- JPH0471878B2 JPH0471878B2 JP12208787A JP12208787A JPH0471878B2 JP H0471878 B2 JPH0471878 B2 JP H0471878B2 JP 12208787 A JP12208787 A JP 12208787A JP 12208787 A JP12208787 A JP 12208787A JP H0471878 B2 JPH0471878 B2 JP H0471878B2
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、フアラデー効果を利用した光アイソ
レータや光サーキユレータ、光スイツチ等に用い
られる磁性ガーネツト単結晶に関し、更に詳しく
は、ビスマス置換型のテルビウムおよび／または
ジスプロシウム−鉄ガーネツトで特定の組成とす
ることにより、室温付近におけるフアラデー回転
の温度係数をゼロもしくはほぼ零に低減できる磁
気光学素子材料に関するものである。
レータや光サーキユレータ、光スイツチ等に用い
られる磁性ガーネツト単結晶に関し、更に詳しく
は、ビスマス置換型のテルビウムおよび／または
ジスプロシウム−鉄ガーネツトで特定の組成とす
ることにより、室温付近におけるフアラデー回転
の温度係数をゼロもしくはほぼ零に低減できる磁
気光学素子材料に関するものである。
［従来の技術］
例えば半導体レーザを光源として使用する各種
の光応用機器においては、光コネクタ等の端面か
らの反射光が光源のレーザに戻ると、発振モード
に変化が生じ雑音の原因になる。この戻り光を阻
止するために光アイソレータが使用されている。
の光応用機器においては、光コネクタ等の端面か
らの反射光が光源のレーザに戻ると、発振モード
に変化が生じ雑音の原因になる。この戻り光を阻
止するために光アイソレータが使用されている。
この光アイソレータには、フラツクス法やFZ
法によつて作製されるバルクYIG（イツトリウム
−鉄ガーネツト）単結晶が広く使用されている。
法によつて作製されるバルクYIG（イツトリウム
−鉄ガーネツト）単結晶が広く使用されている。
しかし近年、LPE（液相エピタキシヤル）法に
よる磁性ガーネツト単結晶の厚膜化の研究が進
み、一部実用化がなされている。LPE法は、磁
性ガーネツトのフアラデー回転を飛躍的に負に増
大させるBi（ビスマス）置換を容易に行うことが
でき、しかも育成に要する時間が短い等の利点を
有し、このため製造コストが低減し高性能の磁気
光学素子の製造が可能とされている。
よる磁性ガーネツト単結晶の厚膜化の研究が進
み、一部実用化がなされている。LPE法は、磁
性ガーネツトのフアラデー回転を飛躍的に負に増
大させるBi（ビスマス）置換を容易に行うことが
でき、しかも育成に要する時間が短い等の利点を
有し、このため製造コストが低減し高性能の磁気
光学素子の製造が可能とされている。
磁性ガーネツトを光アイソレータ等に用いる場
合、それは光の偏波面を45度回転させる非相反素
子としての機能を果たす。この際の問題として、
磁性ガーネツトのフアラデー回転が温度によつて
変化するために、環境温度の変化に応じてフアラ
デー回転が本来の45度からずれるという欠点があ
る。
合、それは光の偏波面を45度回転させる非相反素
子としての機能を果たす。この際の問題として、
磁性ガーネツトのフアラデー回転が温度によつて
変化するために、環境温度の変化に応じてフアラ
デー回転が本来の45度からずれるという欠点があ
る。
その度合を示すため、室温付近（298K）にお
けるフアラデー回転角の温度係数αを、 α＝θF323−θF273／50（deg／Ｋ） 但し θF323：323Kにおけるフアラデー回転角 θF273：273Kにおけるフアラデー回転角 と定義すると、現在広く使用されているバルク
YIGでは、波長λ＝1.3μｍにおいて、α＝0.035
（deg／Ｋ）程度である。なお「アプライド・オ
プテイツクス」（APPLIED OPTICS）vol.25，
No.12p.1940−1945（1986）には、Ｙを一部Gdで置
換したバルクY3XGd3(1-X)Fe5O12（0.57＜ｘ＜0.7）
で非常に小さなα（0.007以下）が得られることが
開示されている。
けるフアラデー回転角の温度係数αを、 α＝θF323−θF273／50（deg／Ｋ） 但し θF323：323Kにおけるフアラデー回転角 θF273：273Kにおけるフアラデー回転角 と定義すると、現在広く使用されているバルク
YIGでは、波長λ＝1.3μｍにおいて、α＝0.035
（deg／Ｋ）程度である。なお「アプライド・オ
プテイツクス」（APPLIED OPTICS）vol.25，
No.12p.1940−1945（1986）には、Ｙを一部Gdで置
換したバルクY3XGd3(1-X)Fe5O12（0.57＜ｘ＜0.7）
で非常に小さなα（0.007以下）が得られることが
開示されている。
しかしバルク型の単結晶の場合は、育成に時間
がかかり高度な加工を必要とする等、コストが高
くなり且つ偏波面を45度回転させるのに必要な結
晶長さが長くなる等の欠点がある。
がかかり高度な加工を必要とする等、コストが高
くなり且つ偏波面を45度回転させるのに必要な結
晶長さが長くなる等の欠点がある。
他方、LPE法によるビスマス置換ガーネツト
厚膜の場合には、フアラデー回転の温度係数αを
低減するために２通りの方法が提案されている。
厚膜の場合には、フアラデー回転の温度係数αを
低減するために２通りの方法が提案されている。
その一つは、R3-xBixFe5O12（Ｒは希土類元素）
で表される磁性ガーネツト単層膜において、Ｒと
してTb（テレビウム）やDy（ジスプロシウム）等
のフアラデー効果への寄与が正で且つ大きい元
素、あるいはＹ（イツトリウム）等のネール温度
が大きくなる元素を置換することにより、前記温
度係数αを小さくする方法がある。
で表される磁性ガーネツト単層膜において、Ｒと
してTb（テレビウム）やDy（ジスプロシウム）等
のフアラデー効果への寄与が正で且つ大きい元
素、あるいはＹ（イツトリウム）等のネール温度
が大きくなる元素を置換することにより、前記温
度係数αを小さくする方法がある。
例えば、日本応用磁気学会誌vol.10，No.２，
P.151（1986）には、ＲとしてGd，Yb，Tbを用
い、ｘを変えて実験を行つた結果、Dy2.5Bi0.5
Fe5O12の組成がαが最も小さく、バルクYIGと
同程度のαを有することが記載されている。
P.151（1986）には、ＲとしてGd，Yb，Tbを用
い、ｘを変えて実験を行つた結果、Dy2.5Bi0.5
Fe5O12の組成がαが最も小さく、バルクYIGと
同程度のαを有することが記載されている。
電子通信学会技術研究報告CPM86−36（1986）
には、ＲとしてEr，Yb，Tm，Lu，Gd，Dy，
Ｙを用いて実験した結果、Ｙが最もネール温度が
高くαが小さいこと、しかしこれは飽和磁化が大
きい欠点を有するために、ＲとしてYbとTbを用
い、Yb：Tb＝１：3.65とした（YbTbBi）3Fe5
O12が、バルクYIGに近いαを有することが示さ
れている。
には、ＲとしてEr，Yb，Tm，Lu，Gd，Dy，
Ｙを用いて実験した結果、Ｙが最もネール温度が
高くαが小さいこと、しかしこれは飽和磁化が大
きい欠点を有するために、ＲとしてYbとTbを用
い、Yb：Tb＝１：3.65とした（YbTbBi）3Fe5
O12が、バルクYIGに近いαを有することが示さ
れている。
もう一つの方法は、αが正のBi置換磁性ガー
ネツトとαが負で大きな値を持つ磁性ガーネツト
からなる二層膜構造とし、膜厚を各々適当に選ぶ
ことによつて全体の温度係数αをゼロにする方法
である。
ネツトとαが負で大きな値を持つ磁性ガーネツト
からなる二層膜構造とし、膜厚を各々適当に選ぶ
ことによつて全体の温度係数αをゼロにする方法
である。
例えば第34回応用物理学会関係連合講演会29p
−ZE−15（1987）には、（GdBi）3（FeAlGa）5O12
と（YbTbBi）3Fe5O12の組み合わせで、全体のα
がほぼゼロになることが示されているし、同じく
第34回応用物理学会関係連合講演会31a−ZE−５
（1987）には、（BiLuGd）3Fe5O12と（BiGd）3
（FeGa）5O12の組み合わせで、全体のαがほぼゼ
ロになることが示されている。
−ZE−15（1987）には、（GdBi）3（FeAlGa）5O12
と（YbTbBi）3Fe5O12の組み合わせで、全体のα
がほぼゼロになることが示されているし、同じく
第34回応用物理学会関係連合講演会31a−ZE−５
（1987）には、（BiLuGd）3Fe5O12と（BiGd）3
（FeGa）5O12の組み合わせで、全体のαがほぼゼ
ロになることが示されている。
［発明が解決しようとする問題点］
上記のような従来のLPE法によるBi置換磁性
ガーネツト単結晶厚膜によるフアラデー回転の温
度係数αの低減に関しては、単層膜構造ではαが
バルクYIGなみの値にとどまり、それよりも低減
できない欠点があり、また二層膜構造ではαがほ
ぼゼロになるが、２種類の膜を育成する必要があ
るため、時間や工数を要し、従つてコスト高にな
る欠点があつた。
ガーネツト単結晶厚膜によるフアラデー回転の温
度係数αの低減に関しては、単層膜構造ではαが
バルクYIGなみの値にとどまり、それよりも低減
できない欠点があり、また二層膜構造ではαがほ
ぼゼロになるが、２種類の膜を育成する必要があ
るため、時間や工数を要し、従つてコスト高にな
る欠点があつた。
本発明の目的は、上記のような従来技術の欠点
を解消し、磁性ガーネツト単結晶の単層膜構造で
ありながら、フアラデー回転の温度係数αをゼロ
もしくはほぼゼロに低減できる磁気光学素子材料
を提供することにある。
を解消し、磁性ガーネツト単結晶の単層膜構造で
ありながら、フアラデー回転の温度係数αをゼロ
もしくはほぼゼロに低減できる磁気光学素子材料
を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
上記のような目的を達成できる本発明は、磁性
ガーネツト単結晶であつて、次の一般式 R13-x-yR2yBixFe5O12 但し、 R1：Tbおよび／またはDy R2：希土類元素 Ｏ≦ｙ≦１，0.35≦ｘ≦0.45 まず本発明の基本的考え方について説明する。
ガーネツト型構造を有する単結晶は、一般に
｛C3｝〔A2〕（D3）012で書き表わされ、希土類元
素やビスマスはＣサイトに、鉄はＡサイトとＤサ
イトとに入る。そして鉄ガーネツトにおいては、
ＣサイトとＡサイトの磁気モーメントが平行で、
Ｄサイトの磁気モーメントはそれらと反平行をな
し、全体でフエリ磁性を形成している。
ガーネツト単結晶であつて、次の一般式 R13-x-yR2yBixFe5O12 但し、 R1：Tbおよび／またはDy R2：希土類元素 Ｏ≦ｙ≦１，0.35≦ｘ≦0.45 まず本発明の基本的考え方について説明する。
ガーネツト型構造を有する単結晶は、一般に
｛C3｝〔A2〕（D3）012で書き表わされ、希土類元
素やビスマスはＣサイトに、鉄はＡサイトとＤサ
イトとに入る。そして鉄ガーネツトにおいては、
ＣサイトとＡサイトの磁気モーメントが平行で、
Ｄサイトの磁気モーメントはそれらと反平行をな
し、全体でフエリ磁性を形成している。
フアラデー回転の温度変化は、下記に示す一定
波長での理論式（Phys.Rev.vol.181No.2p896
（1969）） θF（Ｔ）＝CMc（Ｔ）＋AMa（Ｔ）＋DMd（Ｔ）
…… が実験値とよく合うとされている。ここで、Mc
（Ｔ）．Ma（Ｔ），Md（Ｔ）は上述の各サイトの磁
気モーメントの温度変化を示し、またＣ，Ａ，Ｄ
は一定波長における定数である。
波長での理論式（Phys.Rev.vol.181No.2p896
（1969）） θF（Ｔ）＝CMc（Ｔ）＋AMa（Ｔ）＋DMd（Ｔ）
…… が実験値とよく合うとされている。ここで、Mc
（Ｔ）．Ma（Ｔ），Md（Ｔ）は上述の各サイトの磁
気モーメントの温度変化を示し、またＣ，Ａ，Ｄ
は一定波長における定数である。
鉄サイトが鉄以外の元素で置換されていない場
合には、上記式は希土類元素の寄与θFR（Ｔ）と
鉄による寄与θFFe（Ｔ）を用いて θF（Ｔ）＝θFR（Ｔ）＋θFFe（Ｔ） …… と書くことができる。
合には、上記式は希土類元素の寄与θFR（Ｔ）と
鉄による寄与θFFe（Ｔ）を用いて θF（Ｔ）＝θFR（Ｔ）＋θFFe（Ｔ） …… と書くことができる。
ところでフアラデー回転を大きくするには希土
類サイトの一部をBiで置換するのが有効である
が、この場合にはBi自身はフアラデー回転に寄
与しない代わりに、鉄サイトの係数ＡおよびＤが
変化し、結局、Bi置換量ｘの増加に伴つてθFFe
（Ｔ）が負に増大するために、θF（Ｔ）が負に増大
するものと説明されている。
類サイトの一部をBiで置換するのが有効である
が、この場合にはBi自身はフアラデー回転に寄
与しない代わりに、鉄サイトの係数ＡおよびＤが
変化し、結局、Bi置換量ｘの増加に伴つてθFFe
（Ｔ）が負に増大するために、θF（Ｔ）が負に増大
するものと説明されている。
第１図は前記式に基づいたBi置換ガーネツ
トにおけるフアラデー回転の温度変化を示す模式
図である。ｘが約0.02より大きい場合、θFFe（Ｔ）
のαは正の傾きを有している。従つて全体のフア
ラデー回転θF（Ｔ）のαをゼロにするには、θFR
（Ｔ）のαが負である必要がある。
トにおけるフアラデー回転の温度変化を示す模式
図である。ｘが約0.02より大きい場合、θFFe（Ｔ）
のαは正の傾きを有している。従つて全体のフア
ラデー回転θF（Ｔ）のαをゼロにするには、θFR
（Ｔ）のαが負である必要がある。
θFR（Ｔ）のαについては、R3Fe5O12（Ｒは希土
類元素）において調べられており、その結果、
DyおよびTbでそれが負で大きいことが知られて
いる。
類元素）において調べられており、その結果、
DyおよびTbでそれが負で大きいことが知られて
いる。
そこで本発明者は、Tb3-x-yLuyBixFe5O12の磁
性ガーネツト単結晶について種々検討を行つた結
果、フアラデー回転の温度係数αがゼロもしくは
ほぼゼロになる組成を見出した。本発明はかかる
現象の知得に基づき完成されたものである。即ち
前記のように本発明は次の一般式 R13-x-yR2yBixFe5O12 但し、 R1：Tbおよび／またはDy R2：希土類元素 Ｏ≦ｙ≦１，0.35≦ｘ≦0.45 で表される組成を有する。
性ガーネツト単結晶について種々検討を行つた結
果、フアラデー回転の温度係数αがゼロもしくは
ほぼゼロになる組成を見出した。本発明はかかる
現象の知得に基づき完成されたものである。即ち
前記のように本発明は次の一般式 R13-x-yR2yBixFe5O12 但し、 R1：Tbおよび／またはDy R2：希土類元素 Ｏ≦ｙ≦１，0.35≦ｘ≦0.45 で表される組成を有する。
ここでTbまたはDyを用いるのは、前述のよう
にそれらを含む鉄ガーネツトが大きな負の温度係
数αをもつからである。またR2として用いる希
土類元素は、LPE法の場合に使用する基板との
格子整合をとるため置換したものであり、基板材
料によつて、あるいは製法によつて用いなくてよ
ければ、その方が好ましい。
にそれらを含む鉄ガーネツトが大きな負の温度係
数αをもつからである。またR2として用いる希
土類元素は、LPE法の場合に使用する基板との
格子整合をとるため置換したものであり、基板材
料によつて、あるいは製法によつて用いなくてよ
ければ、その方が好ましい。
Bi置換量ｘを0.35≦ｘ≦0.45としたのは、各種
実験の結果、特にその組成範囲とすることによつ
てフアラデー回転の温度係数αが非常に小さくな
るからである。更に好ましくは、0.4≦ｘ≦0.45
程度とすることである。
実験の結果、特にその組成範囲とすることによつ
てフアラデー回転の温度係数αが非常に小さくな
るからである。更に好ましくは、0.4≦ｘ≦0.45
程度とすることである。
［実施例］
以下、Tb3-x-yLuyBixFe5O12について行つた実
験結果を特性線図によつて詳細に説明する。
験結果を特性線図によつて詳細に説明する。
第２図は、LPE法によつてSmGGおよび
CaMgZrGGG基板上に作製したTb3-x-yLuyBix
Fe5O12のｘ＝０，0.4，0.6，1.1の場合の波長λ＝
633nmにおけるフアラデー回転θFの温度依存性を
示している。ｘ＝０，ｙ＝０のTb3Fe5O12では温
度係数α（曲線の傾き）は負であるが、ｘの増加
とともに正に変化している。その中間段階である
ｘ＝0.4，ｙ＝0.5の場合には、室温付近での温度
係数αが非常に小さくなることが分かる。なおフ
アラデー回転θFの符号の反転は磁気補償によるも
のである。
CaMgZrGGG基板上に作製したTb3-x-yLuyBix
Fe5O12のｘ＝０，0.4，0.6，1.1の場合の波長λ＝
633nmにおけるフアラデー回転θFの温度依存性を
示している。ｘ＝０，ｙ＝０のTb3Fe5O12では温
度係数α（曲線の傾き）は負であるが、ｘの増加
とともに正に変化している。その中間段階である
ｘ＝0.4，ｙ＝0.5の場合には、室温付近での温度
係数αが非常に小さくなることが分かる。なおフ
アラデー回転θFの符号の反転は磁気補償によるも
のである。
第３図は、第２図の試料におけるαのｘ依存性
を示す。ｘ＝０ではｘが増えるに従い正に変化し
ており、ｘが約0.4ではαがほぼゼロになること
が分かる。
を示す。ｘ＝０ではｘが増えるに従い正に変化し
ており、ｘが約0.4ではαがほぼゼロになること
が分かる。
上記の実施例は、波長λ＝633nmの場合である
が、光通信に使われる波長である0.8，1.15，1.3，
1.55μｍ等の場合でもｘ＝0.4，ｙ＝0.5の膜が、α
がほぼゼロになることを確認している。従つて以
上の議論および組成は、そのまま光通信波長にも
当てはまる。
が、光通信に使われる波長である0.8，1.15，1.3，
1.55μｍ等の場合でもｘ＝0.4，ｙ＝0.5の膜が、α
がほぼゼロになることを確認している。従つて以
上の議論および組成は、そのまま光通信波長にも
当てはまる。
また実施例ではLuが置換されているが、これ
は基板と膜との格子整合をとる目的で使用されて
おり、従つて必ずしもLuのみに限られるもので
はなく、その目的を達しうる希土類元素であれば
よい。但し、この種の元素の置換は、Tb，Dyあ
るいはBiの置換量を減らし、その寄与を減少さ
せることになるので、その量ｙはなるべく小さい
値をとることが望ましい。この置換元素の種類や
用いる基板の格子定数に応じてα＝０となる組成
は若干変化するが、0.35≦ｘ≦0.45，０≦ｙ≦１
の範囲内である。
は基板と膜との格子整合をとる目的で使用されて
おり、従つて必ずしもLuのみに限られるもので
はなく、その目的を達しうる希土類元素であれば
よい。但し、この種の元素の置換は、Tb，Dyあ
るいはBiの置換量を減らし、その寄与を減少さ
せることになるので、その量ｙはなるべく小さい
値をとることが望ましい。この置換元素の種類や
用いる基板の格子定数に応じてα＝０となる組成
は若干変化するが、0.35≦ｘ≦0.45，０≦ｙ≦１
の範囲内である。
更に実施例ではR1にTbを用いているが、Dyに
変えても、またTbとDyとを一緒に用いても同じ
効果が得られる。但し、Dy3+イオンは波長λ＝
1.3μｍ付近に光吸収を有するため、この波長での
使用は適当でない。
変えても、またTbとDyとを一緒に用いても同じ
効果が得られる。但し、Dy3+イオンは波長λ＝
1.3μｍ付近に光吸収を有するため、この波長での
使用は適当でない。
なお本発明による磁性ガーネツトは、フアラデ
ー回転の温度係数αがほぼゼロになる原因がその
組成のみに依存するため、LPE法によつて作製
されたものだけでなく、フラツクス法やFZ法に
よつて作製したものでも同等の効果が得られるこ
とは言うまでもない。このような製法の場合に
は、格子整合をとるための置換元素R2は不要と
なる。
ー回転の温度係数αがほぼゼロになる原因がその
組成のみに依存するため、LPE法によつて作製
されたものだけでなく、フラツクス法やFZ法に
よつて作製したものでも同等の効果が得られるこ
とは言うまでもない。このような製法の場合に
は、格子整合をとるための置換元素R2は不要と
なる。
［発明の効果］
本発明は上記のように、Bi置換型のTbおよ
び／またはDy−鉄ガーネツト単結晶でBi量ｘを
0.35≦ｘ≦0.45としたから、室温付近のフアラデ
ー回転の温度係数αをほぼゼロにできる優れた効
果を有する。
び／またはDy−鉄ガーネツト単結晶でBi量ｘを
0.35≦ｘ≦0.45としたから、室温付近のフアラデ
ー回転の温度係数αをほぼゼロにできる優れた効
果を有する。
そのため例えばLPE法の場合、従来技術の二
層膜構造のように、それぞれ適当な厚みをもつた
２種類の磁性ガーネツト膜を作製せずに済み、結
晶の育成や加工の工程を半減できる等の利点が生
じる。
層膜構造のように、それぞれ適当な厚みをもつた
２種類の磁性ガーネツト膜を作製せずに済み、結
晶の育成や加工の工程を半減できる等の利点が生
じる。
第１図は本発明の原理を示すBi置換ガーネツ
トにおけるフアラデー回転の温度変化を示す模式
図、第２図はTb3-x-yLuyBixFeO12のｘ＝０，
0.4，0.6，1.1の場合のλ＝633nmにおけるフアラ
デー回転の温度依存性を示す特性線図、第３図は
その室温付近のフアラデー回転の温度係数αの
Bi置換量ｘ依存性を示す特性線図である。
トにおけるフアラデー回転の温度変化を示す模式
図、第２図はTb3-x-yLuyBixFeO12のｘ＝０，
0.4，0.6，1.1の場合のλ＝633nmにおけるフアラ
デー回転の温度依存性を示す特性線図、第３図は
その室温付近のフアラデー回転の温度係数αの
Bi置換量ｘ依存性を示す特性線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁性ガーネツト単結晶であつて、一般式 R13-x-yR2yBixFe5O12 但し、 R1：Tbおよび／またはDy R2：希土類元素 Ｏ≦ｙ≦１，0.35≦ｘ≦0.45 にて表される組織を有することを特徴とする磁気
光学素子材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12208787A JPS63285196A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 磁気光学素子材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12208787A JPS63285196A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 磁気光学素子材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63285196A JPS63285196A (ja) | 1988-11-22 |
| JPH0471878B2 true JPH0471878B2 (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=14827330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12208787A Granted JPS63285196A (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 磁気光学素子材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63285196A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63291028A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ファラデ−素子 |
| JPH02164723A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Tokin Corp | 磁気光学ガーネット |
| JPH038725A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-16 | Tokin Corp | 磁気光学ガーネット |
| DE69127604T2 (de) * | 1990-11-14 | 1998-04-09 | Nippon Steel Corp | Dünne Schicht aus einem polykristallinen Granat für magneto-optisches Aufzeichnungsmedium |
-
1987
- 1987-05-19 JP JP12208787A patent/JPS63285196A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63285196A (ja) | 1988-11-22 |
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