JPS62299073A - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 43
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 14
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 4
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 241000272201 Columbiformes Species 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 208000014617 hemorrhoid Diseases 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔概要〕
共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタの構造で
あって、エミッタ−ベース間に形成された量子井戸内の
量子準位を通過して共鳴的に高速の電子をベースに注入
する半導体装置に於いて、エミツタ層を形成する化合物
半導体結晶のエネルギーバンドギャップを、ベース層を
形成する化合物半導体結晶のバンドギャップより大きく
することでエミツタとベース間の印加電圧が低い場合で
も、ベース層に注入される電子のエネルギーが最適状態
となるようにしたもの。
あって、エミッタ−ベース間に形成された量子井戸内の
量子準位を通過して共鳴的に高速の電子をベースに注入
する半導体装置に於いて、エミツタ層を形成する化合物
半導体結晶のエネルギーバンドギャップを、ベース層を
形成する化合物半導体結晶のバンドギャップより大きく
することでエミツタとベース間の印加電圧が低い場合で
も、ベース層に注入される電子のエネルギーが最適状態
となるようにしたもの。
本発明は半導体装置、特に共鳴トンネルホットエレクト
ロントランジスタに関する。
ロントランジスタに関する。
エミツタ層、およびベース層をガリウム−砒素（ＧａＡ
ｓ）の化合物半導体結晶層で形成し、このエミ、り層、
およびベース層間に前記したＧａＡｓとエネルギーバン
ドギャップが異なるアルミニウムーガリウム−砒素（〜
ＧａＡｓ）の化合物半導体結晶層をペテロ構造に挿入形
成することで、エミツタ層とベース層間にポテンシャル
バリアを形成する。
ｓ）の化合物半導体結晶層で形成し、このエミ、り層、
およびベース層間に前記したＧａＡｓとエネルギーバン
ドギャップが異なるアルミニウムーガリウム−砒素（〜
ＧａＡｓ）の化合物半導体結晶層をペテロ構造に挿入形
成することで、エミツタ層とベース層間にポテンシャル
バリアを形成する。
そしてトンネル現象により、エミツタ層よりベース層に
対して初速塵を持ち、高エネルギーの電子、即ちホット
エレクトロンを注入することで、注入された電子を高速
にベース領域を通過させるホットエレクトロントランジ
スタ（以下ＨＥＴと称する。）は高速で動作する半導体
装置として、電子計算機等の論理回路を形成するために
開発されている。
対して初速塵を持ち、高エネルギーの電子、即ちホット
エレクトロンを注入することで、注入された電子を高速
にベース領域を通過させるホットエレクトロントランジ
スタ（以下ＨＥＴと称する。）は高速で動作する半導体
装置として、電子計算機等の論理回路を形成するために
開発されている。
従来のこのような半導体装置について第３図を用いて説
明する。
明する。
図示するように半絶縁性のＧａＡｓの基板１上にはハソ
ファ層としてのＧａＡｓの結晶層２が分子線エピタキシ
ャル成長法等を用いて形成され、更にその上にＮ＋型の
ＧａＡｓの結晶層がコレクタ層３として形成されている
。
ファ層としてのＧａＡｓの結晶層２が分子線エピタキシ
ャル成長法等を用いて形成され、更にその上にＮ＋型の
ＧａＡｓの結晶層がコレクタ層３として形成されている
。
更にその上には真性の八ΩＧａＡｓの結晶層がベースコ
レクタ［２層４として形成され、更にその上にはＮ＋型
のＧａＡｓの結晶層がベース層５として形成されている
。
レクタ［２層４として形成され、更にその上にはＮ＋型
のＧａＡｓの結晶層がベース層５として形成されている
。
そしてこれらベース−コレクタ障壁層４、およびベース
層５が所定の寸法となるようにウェットエツチング法等
を用いて所定のパターンに形成されている。
層５が所定の寸法となるようにウェットエツチング法等
を用いて所定のパターンに形成されている。
更にその上には真性のＡｇＧａＡｓ結晶層６、真性のＧ
ａＡｓ結晶層７、真性のＮＪＧ ａ Ａ ｓ結晶層８が
超格子層として形成され、これら超格子層がエミッタ−
ベース障壁層９となって形成されている。
ａＡｓ結晶層７、真性のＮＪＧ ａ Ａ ｓ結晶層８が
超格子層として形成され、これら超格子層がエミッタ−
ベース障壁層９となって形成されている。
更にその上にはＮ＋型のＧａＡｓの結晶層がエミツタ層
１０として形成されている。
１０として形成されている。
そしてこれ等エミッタ−ベース障壁層９およびエミツタ
層１０が所定の寸法となるようにリアクティブイオンエ
ツチング法等を用いて所定のパターンに形成されている
。
層１０が所定の寸法となるようにリアクティブイオンエ
ツチング法等を用いて所定のパターンに形成されている
。
そしてこれらのエミツタ層１０、ベース層５、コレクタ
層３上には、金−ゲルマニウム／金合金よりなるエミッ
タ電極１１、ベース電極１２、コレクタ電極１３がそれ
ぞれ蒸着、およびホトリソグラフィ法等を用いて形成さ
れている。
層３上には、金−ゲルマニウム／金合金よりなるエミッ
タ電極１１、ベース電極１２、コレクタ電極１３がそれ
ぞれ蒸着、およびホトリソグラフィ法等を用いて形成さ
れている。
第４図はこのような半導体装置のエミッタ−ベース間の
エネルギーバンド構造を概念的に示した図で、図のエミ
ッタ領域２１はＮ＋型ＧａＡｓ結晶層１０よりなり、図
のエミッタ−ベース障壁要領Ｆ２２２は、真性のへΩＧ
ａＡｓ結晶層８、真性のＧａＡｓ結晶層７、真性の鳩Ｇ
ａＡｓ結晶層６の超格子構造よりなるエミッタ障壁層９
で形成され、ベース領域２３はＮ”ＧａＡｓ結晶層５よ
りなる。
エネルギーバンド構造を概念的に示した図で、図のエミ
ッタ領域２１はＮ＋型ＧａＡｓ結晶層１０よりなり、図
のエミッタ−ベース障壁要領Ｆ２２２は、真性のへΩＧ
ａＡｓ結晶層８、真性のＧａＡｓ結晶層７、真性の鳩Ｇ
ａＡｓ結晶層６の超格子構造よりなるエミッタ障壁層９
で形成され、ベース領域２３はＮ”ＧａＡｓ結晶層５よ
りなる。
図示するようにエミッタ−ベース障壁領域２２に於いて
は、真性のＡＱ Ｇ ａ Ａ ｓ結晶層８．６よりなる
第１の障壁層２４、第２の障壁層２５がそれぞれ形成さ
れ、第１の障壁層２４と第２の障壁層２５の間には第１
の量子井戸層２７が形成されている。
は、真性のＡＱ Ｇ ａ Ａ ｓ結晶層８．６よりなる
第１の障壁層２４、第２の障壁層２５がそれぞれ形成さ
れ、第１の障壁層２４と第２の障壁層２５の間には第１
の量子井戸層２７が形成されている。
ところで、従来のこのような半導体装置は、ベース層５
とエミツタ層１０に同一材料の化合物半導体結晶のＮ＋
型のＧａＡｓの結晶層を用いているので、この半導体装
置のエミッタ−ベース間に電圧を印加しない状態に於い
ては、第４図に示すように、エミッタ領域２１とベース
領域２３の間で、伝導帯の底のエネルギー準位２６が同
一の高さを示している。
とエミツタ層１０に同一材料の化合物半導体結晶のＮ＋
型のＧａＡｓの結晶層を用いているので、この半導体装
置のエミッタ−ベース間に電圧を印加しない状態に於い
ては、第４図に示すように、エミッタ領域２１とベース
領域２３の間で、伝導帯の底のエネルギー準位２６が同
一の高さを示している。
図で２８は伝導帯と価電子帯との間のエネルギーバンド
ギャップを示している。
ギャップを示している。
そのため、第５図の曲線３１に示すように、エミッタ−
ベース間に低電圧を印加した状態で、而もエミッタ−ベ
ース間の電流にピーク値Ａが出るようにする、所謂ネガ
ティブレジスタンスが現れるようにしようとしても、エ
ミッタ領域２１とベース領域２３の間に於いては伝導帯
の底のエネルギー準位２６が同一の高さであるので、エ
ミッタ領域２１よリベース領域２３に注入される電子の
エネルギーは、エミッタ−ベース間に印加した電圧によ
るエネルギー分のみであるため、ベース領域への電子の
注入エネルギーは低く、電流利得が低下する。
ベース間に低電圧を印加した状態で、而もエミッタ−ベ
ース間の電流にピーク値Ａが出るようにする、所謂ネガ
ティブレジスタンスが現れるようにしようとしても、エ
ミッタ領域２１とベース領域２３の間に於いては伝導帯
の底のエネルギー準位２６が同一の高さであるので、エ
ミッタ領域２１よリベース領域２３に注入される電子の
エネルギーは、エミッタ−ベース間に印加した電圧によ
るエネルギー分のみであるため、ベース領域への電子の
注入エネルギーは低く、電流利得が低下する。
また一方、ベース領域への注入エネルギーを高くしよう
とすると、ピーク電流が現れるエミッタ−ベース間の電
圧が大きくなり、エミッタ−ベース間にリーク電流が発
生する不都合が生じる。
とすると、ピーク電流が現れるエミッタ−ベース間の電
圧が大きくなり、エミッタ−ベース間にリーク電流が発
生する不都合が生じる。
本発明は上記した問題点を除去し、エミッタ−ベース間
に低電圧を印加した場合でも、エミッタ領域からベース
領域に注入される電子の注入エネルギーが最適な値とな
るような半導体装置の提供を目的とする。
に低電圧を印加した場合でも、エミッタ領域からベース
領域に注入される電子の注入エネルギーが最適な値とな
るような半導体装置の提供を目的とする。
本発明の半導体装置は、化合物半導体基板上に化合物半
導体結晶層を多層構造に積層してコレクタ層、ベースコ
レクタ障壁層、ベース層、超格子構造のエミッタ−ベー
ス障壁層、エミツタ層を設けた半導体装置に於いて、 前記エミツタ層とベース層が、それぞれエネルギーバン
ドギャップの異なる化合物半導体結晶で形成されている
ことを特徴とする。
導体結晶層を多層構造に積層してコレクタ層、ベースコ
レクタ障壁層、ベース層、超格子構造のエミッタ−ベー
ス障壁層、エミツタ層を設けた半導体装置に於いて、 前記エミツタ層とベース層が、それぞれエネルギーバン
ドギャップの異なる化合物半導体結晶で形成されている
ことを特徴とする。
本発明の半導体装置はエミッタ領域のエミツタ層をバン
ドギャップの広いＲｆＪＧａＡｓ結晶層で形成し、ベー
ス領域のベース層をバンドギャップの狭いＧａＡｓ結晶
層で形成する。
ドギャップの広いＲｆＪＧａＡｓ結晶層で形成し、ベー
ス領域のベース層をバンドギャップの狭いＧａＡｓ結晶
層で形成する。
このようにすることで、エミツタ層に於ける伝導帯の底
のエネルギーと、第１の量子井戸層の第１量子準位のエ
ネルギー差が少なくなるようにすることで、低いエミッ
タ−ベース間の印加電圧でエミッタ−ベース間の電流に
ピーク値が出るようにする。
のエネルギーと、第１の量子井戸層の第１量子準位のエ
ネルギー差が少なくなるようにすることで、低いエミッ
タ−ベース間の印加電圧でエミッタ−ベース間の電流に
ピーク値が出るようにする。
またエミッタ領域のエミツタ層をバンドギャップの広い
〜ＧａＡｓ結晶層で形成し、ベース領域のベース層をバ
ンドギャップの狭いＧａＡｓの結晶層で形成することで
、エミツタ層に於ける伝導帯の底のエネルギーと、ベー
ス層に於ける伝導帯の底のエネルギーとの間に差が生じ
るようにし、このエネルギーの差の分だけ、エミッタ領
域よりベース領域への電子の注入エネルギーを高くする
ことができる。
〜ＧａＡｓ結晶層で形成し、ベース領域のベース層をバ
ンドギャップの狭いＧａＡｓの結晶層で形成することで
、エミツタ層に於ける伝導帯の底のエネルギーと、ベー
ス層に於ける伝導帯の底のエネルギーとの間に差が生じ
るようにし、このエネルギーの差の分だけ、エミッタ領
域よりベース領域への電子の注入エネルギーを高くする
ことができる。
以下、図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の半導体装置の構造を示す断面図で、図
示するように半絶縁性のＧａＡｓの基板４１上には、Ｇ
ａＡｓの結晶層がバッファ層４２として分子線エピタキ
シャル法で形成されている。
示するように半絶縁性のＧａＡｓの基板４１上には、Ｇ
ａＡｓの結晶層がバッファ層４２として分子線エピタキ
シャル法で形成されている。
更にその上にはＮ＋型のＧａＡｓの結晶層がコレクタ層
４３として分子線エピタキシャル法で形成されている。
４３として分子線エピタキシャル法で形成されている。
更にその上には真性の〜、、、ＧａＪｓ層が、１５００
〜３０００人の厚さに分子線エピタキシャル法でベース
−コレクタ障壁層４４として形成されている。
〜３０００人の厚さに分子線エピタキシャル法でベース
−コレクタ障壁層４４として形成されている。
更にその上にはＮ“型のＧａＡｓ結晶層が２００〜１０
００人の厚さに分子線エピタキシャル法でベース層４５
として形成されている。
００人の厚さに分子線エピタキシャル法でベース層４５
として形成されている。
更にその上にはＡｌｌ、、Ｇａ、、７Ａｓ層４６、真性
のＧａＡｓ結晶層４７、へΩ、、Ｇａ６．ψＳ結晶層４
８が超格子構造にエミッタ−ベース障壁層４９として分
子線エピタキシャル法で１００〜５００ 人の厚さに形
成されている。
のＧａＡｓ結晶層４７、へΩ、、Ｇａ６．ψＳ結晶層４
８が超格子構造にエミッタ−ベース障壁層４９として分
子線エピタキシャル法で１００〜５００ 人の厚さに形
成されている。
更にその上には、Ｎ１型のＡｌｌ、、、Ｇ ａｆ、１Ａ
Ｓ結晶層がエミツタ層５０として分子線エピタキシャ
ル法で１０００〜２０００人の厚さに形成されている。
Ｓ結晶層がエミツタ層５０として分子線エピタキシャ
ル法で１０００〜２０００人の厚さに形成されている。
更にこのようなエミツタ層５０、エミッタ−ベース障壁
層４９は所定の寸法にリアクティブイオンエツチング法
でパターン形成された後、エミ・ツタ層５０上に金−ゲ
ルマニウム／金合金よりなるエミッタ電極５１が所定の
パターンに蒸着法、ホトリソグラフィ法等を用いて形成
されている。
層４９は所定の寸法にリアクティブイオンエツチング法
でパターン形成された後、エミ・ツタ層５０上に金−ゲ
ルマニウム／金合金よりなるエミッタ電極５１が所定の
パターンに蒸着法、ホトリソグラフィ法等を用いて形成
されている。
またベース層４５、およびベース−コレクタ障壁層４４
は所定の寸法にウェットエツチング法でパターン形成さ
れた後、ベース層４５上に金−ゲルマニウム／金合金よ
りなるベース電極５２が所定のパターンに蒸着法、ホト
リソグラフィ法等を用いて形成されている。
は所定の寸法にウェットエツチング法でパターン形成さ
れた後、ベース層４５上に金−ゲルマニウム／金合金よ
りなるベース電極５２が所定のパターンに蒸着法、ホト
リソグラフィ法等を用いて形成されている。
またコレクタ層４３上に金−ゲルマニウム／金合金より
なるコレクタ電極５３が所定のパターンに蒸着法、ホト
リソグラフィ法等を用いて形成されている。
なるコレクタ電極５３が所定のパターンに蒸着法、ホト
リソグラフィ法等を用いて形成されている。
このようにして形成された半導体装置のエミッタ領域、
エミッタ−ベース障壁層領域、ベース領域に於けるエネ
ルギーバンド構造の概念図を第２図に示す。
エミッタ−ベース障壁層領域、ベース領域に於けるエネ
ルギーバンド構造の概念図を第２図に示す。
第１図および第２図に図示するように、エミッタ領域６
１はＮ＋型のへイＧ ａ、、、Ａ ｓ結晶層５０で形成
され、エミッタ−ベース障壁層領域６２はＡｇ。ｓＧ
ａ、、Ｉ ｓ結晶層４８、真性のＧａＡｓ結晶層４７、
ＡＱ、、、Ｇ ａ、、、Ａ ３結晶層４６よりなるエミ
ッタ−ベース障壁層４９で形成されている。
１はＮ＋型のへイＧ ａ、、、Ａ ｓ結晶層５０で形成
され、エミッタ−ベース障壁層領域６２はＡｇ。ｓＧ
ａ、、Ｉ ｓ結晶層４８、真性のＧａＡｓ結晶層４７、
ＡＱ、、、Ｇ ａ、、、Ａ ３結晶層４６よりなるエミ
ッタ−ベース障壁層４９で形成されている。
またベース領域６３はＮ“型のＧａＡｓ結晶層よりなる
ベース層４５で形成されている。
ベース層４５で形成されている。
図でＥｇ （Ｅ）はエミッタ領域６１に於ける伝導帯と
価電子帯との間のエネルギーギャップを示し、Ｅｇ（Ｂ
）はベース領域６３に於ける伝導帯と価電子帯との間の
エネルギーギャップを示している。
価電子帯との間のエネルギーギャップを示し、Ｅｇ（Ｂ
）はベース領域６３に於ける伝導帯と価電子帯との間の
エネルギーギャップを示している。
図示するようにエミッタ領域６１の伝導帯の底のエネル
ギーレベル６４とベース領域６３の伝導帯の底のエネル
ギーレベル６５とは、エミッタ領域を形成するＮ ”
ＡＱ Ｇａ Ａｓの結晶層５０のエネルギーバンド０．
１ ＋＋、ｊ プが、ベース領域を形成するＮ“ＧａＡｓの結晶層４５
のエネルギーギャップより大きいために異なっており、
このエネルギーの差の分だけエミッタ領域よりベース領
域に注入される電子の注入エネルギーが増加する。
ギーレベル６４とベース領域６３の伝導帯の底のエネル
ギーレベル６５とは、エミッタ領域を形成するＮ ”
ＡＱ Ｇａ Ａｓの結晶層５０のエネルギーバンド０．
１ ＋＋、ｊ プが、ベース領域を形成するＮ“ＧａＡｓの結晶層４５
のエネルギーギャップより大きいために異なっており、
このエネルギーの差の分だけエミッタ領域よりベース領
域に注入される電子の注入エネルギーが増加する。
また第１の量子井戸層６８の井戸幅を適当に選ぶと、第
１の障壁層６６と第２の障壁層６７で挟まれた第１の量
子井戸層６８の第一量子準位６９は、エミツタ層の伝導
帯の底のエネルギーレベル６４と殆ど差かないようにで
きるため、低いエミッタ−ベース間の印加電圧でも、エ
ミッタ領域６１よりベース領域６３に注入される電子の
エネルギーが大きいため、エミッタ−ベース間のピーク
電流が現れる。
１の障壁層６６と第２の障壁層６７で挟まれた第１の量
子井戸層６８の第一量子準位６９は、エミツタ層の伝導
帯の底のエネルギーレベル６４と殆ど差かないようにで
きるため、低いエミッタ−ベース間の印加電圧でも、エ
ミッタ領域６１よりベース領域６３に注入される電子の
エネルギーが大きいため、エミッタ−ベース間のピーク
電流が現れる。
以上述べたように、本発明の半導体装置によれば、エミ
ッタ−ベース領域間に印加する電圧が低電圧でもエミッ
タ−ベース間に流れる電流のピーク値が得られ、また同
時に最適の注入エネルギーが得られるので、ネガティブ
レジスタンスを有する電圧−電流特性を有する論理回路
形成用の高速トランジスタが容易に得られる効果がある
。
ッタ−ベース領域間に印加する電圧が低電圧でもエミッ
タ−ベース間に流れる電流のピーク値が得られ、また同
時に最適の注入エネルギーが得られるので、ネガティブ
レジスタンスを有する電圧−電流特性を有する論理回路
形成用の高速トランジスタが容易に得られる効果がある
。
第１図は本発明の半導体装置の構造を示す断面図、
第２図は本発明の半導体装置のエネルギーバンド構造の
説明図、 第３図は従来の半導体装置の構造を示す断面図、第４図
は従来の半導体装置のエネルギーバンド構造の説明図、 第５図はホットエレクトロントランジスタの特性を示す
図である。 図に於いて、 ４１はＧａＡｓ基板、４２はバッファ層、４３はコレク
タ層、４４はベース−コレクタ障壁層、４５はベース層
、４６はＮＪＧａ Ａｓ層、４７はＧａＡｓ層、４８は
％ Ｇａ Ａｓ層、４９はエミッタ−ベース障壁層、５
０はエミツタ層、５１はエミッタ電極、５２はベース電
極、５３はコレクタ電極、６１はエミッタ領域、６２は
エミッタ−ベース障壁領域、６３はベース領域、６４は
エミッタ領域に於ける伝導帯の底のエネルギーレベル、
６５はベース領域に於ける伝導帯の底のエネルギーレベ
ル、６６は第１の障壁層、６７は第２の障壁層、６８は
第１の量子井戸、６９は第１の量子井戸に於ける第一量
子準位を示す。 本殻珂。す柑Ｊ１唯跡ろ助シロ 第 １ 図 ジ ノ 才４斉幌っ２１工程−−バニＩ”得１ 第２図 第３図 従庫りｌ炎室りエキルギ＝バシ）：１１１Ｂ−ラＶＥＢ ネットエレクトロントランジスタの痔）峨第５図
説明図、 第３図は従来の半導体装置の構造を示す断面図、第４図
は従来の半導体装置のエネルギーバンド構造の説明図、 第５図はホットエレクトロントランジスタの特性を示す
図である。 図に於いて、 ４１はＧａＡｓ基板、４２はバッファ層、４３はコレク
タ層、４４はベース−コレクタ障壁層、４５はベース層
、４６はＮＪＧａ Ａｓ層、４７はＧａＡｓ層、４８は
％ Ｇａ Ａｓ層、４９はエミッタ−ベース障壁層、５
０はエミツタ層、５１はエミッタ電極、５２はベース電
極、５３はコレクタ電極、６１はエミッタ領域、６２は
エミッタ−ベース障壁領域、６３はベース領域、６４は
エミッタ領域に於ける伝導帯の底のエネルギーレベル、
６５はベース領域に於ける伝導帯の底のエネルギーレベ
ル、６６は第１の障壁層、６７は第２の障壁層、６８は
第１の量子井戸、６９は第１の量子井戸に於ける第一量
子準位を示す。 本殻珂。す柑Ｊ１唯跡ろ助シロ 第 １ 図 ジ ノ 才４斉幌っ２１工程−−バニＩ”得１ 第２図 第３図 従庫りｌ炎室りエキルギ＝バシ）：１１１Ｂ−ラＶＥＢ ネットエレクトロントランジスタの痔）峨第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 化合物半導体基板（４１）上に化合物半導体結晶層をコ
レクタ層（４３）、ベース−コレクタ障壁層（４４）、
ベース層（４５）、超格子構造のエミッタ−ベース障壁
層（４９）、エミッタ層（５０）として設けた半導体装
置に於いて、 前記エミッタ層（５０）とベース層（４５）がエネルギ
ーバンドギャップの異なる化合物半導体結晶層で形成さ
れていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14373986A JPS62299073A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14373986A JPS62299073A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62299073A true JPS62299073A (ja) | 1987-12-26 |
Family
ID=15345887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14373986A Pending JPS62299073A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62299073A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01262663A (ja) * | 1988-04-14 | 1989-10-19 | Fujitsu Ltd | 共鳴トンネリングヘテロバイポーラトランジスタ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6158268A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-25 | Fujitsu Ltd | 高速半導体装置 |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP14373986A patent/JPS62299073A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6158268A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-25 | Fujitsu Ltd | 高速半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01262663A (ja) * | 1988-04-14 | 1989-10-19 | Fujitsu Ltd | 共鳴トンネリングヘテロバイポーラトランジスタ |
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