JPS6229517B2 - - Google Patents
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
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- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/62—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of gold
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は金合金めつき浴、さらに詳しくは硬質
金合金の高速めつき浴に関する。
金合金の高速めつき浴に関する。
めつきに際して金と一緒に共析する他の金属を
析出させると、純金の場合よりも硬質のめつき膜
が得られることは公知である。この場合には合金
化金属に対する錯化剤が用いられ、例えば公知の
金−コバルトめつき浴中には錯化剤としてクエン
酸塩が含まれているが、これは緩衝剤としての役
割も果す。
析出させると、純金の場合よりも硬質のめつき膜
が得られることは公知である。この場合には合金
化金属に対する錯化剤が用いられ、例えば公知の
金−コバルトめつき浴中には錯化剤としてクエン
酸塩が含まれているが、これは緩衝剤としての役
割も果す。
金−ニツケル合金めつき浴は、金−コバルト合
金めつき浴組成中のコバルト成分を単にニツケル
で置換すれば調製できるように期待されるかもし
れないが、このようにするとめつき速度が阻害さ
れ、かつ浴中に好ましくない沈殿が生成する。
金めつき浴組成中のコバルト成分を単にニツケル
で置換すれば調製できるように期待されるかもし
れないが、このようにするとめつき速度が阻害さ
れ、かつ浴中に好ましくない沈殿が生成する。
[発明の要約]
金−ニツケル合金めつき浴の場合にはクエン酸
塩を添加することが浴の欠陥の原因であるという
ことが判明した。
塩を添加することが浴の欠陥の原因であるという
ことが判明した。
そこで本発明によれば、クエン酸塩を含まない
金合金めつき浴が提供され、該浴は浴可溶性金、
浴可溶性合金化金属、蓚酸及びギ酸から成つてい
る。
金合金めつき浴が提供され、該浴は浴可溶性金、
浴可溶性合金化金属、蓚酸及びギ酸から成つてい
る。
以下に記載した蓚酸又はギ酸のような弱有機酸
とそのアニオンとは同意語として交換できる用語
であることに注意すべきであり、そこに存在する
種の性質は浴のPHに依存するだけである。
とそのアニオンとは同意語として交換できる用語
であることに注意すべきであり、そこに存在する
種の性質は浴のPHに依存するだけである。
[発明の構成]
浴可溶性金源は例えばシアン化金()アルカ
リ金属又はシアン化金()アンモニウムのよう
な金()塩が好ましい。金濃度は4〜50g/
、好ましくは4〜20g/、例えば8〜12g/
である。
リ金属又はシアン化金()アンモニウムのよう
な金()塩が好ましい。金濃度は4〜50g/
、好ましくは4〜20g/、例えば8〜12g/
である。
特に好ましい合金化金属はニツケルである。こ
の場合、好ましい浴可溶性合金化金属源は硫酸ニ
ツケルである。ニツケル濃度は0.5〜20g/、
好ましくは1〜5g/、例えば2〜3g/で
ある。
の場合、好ましい浴可溶性合金化金属源は硫酸ニ
ツケルである。ニツケル濃度は0.5〜20g/、
好ましくは1〜5g/、例えば2〜3g/で
ある。
蓚酸の浴中での主な機能は二つある。第1はニ
ツケルイオンに対する錯化剤、第2は浴の緩衝剤
としてである。したがつて蓚酸の濃度はこれらの
機能を充足するのに十分な量である。蓚酸濃度を
選択する際には、蓚酸の溶解性が低温になる程、
制限を受けるということを注意すべきである。本
発明の好ましい浴組成は蓚酸濃度が20〜200g/
、より好ましくは30〜80g/、例えば40〜60
g/の範囲である。さらに詳しくは蓚酸の最適
な使用濃度は45〜55g/、例えば50g/の範
囲であることが判つた。この水準の周辺における
多少の濃度変動はめつき速度に対してそれほどの
影響を与えない。
ツケルイオンに対する錯化剤、第2は浴の緩衝剤
としてである。したがつて蓚酸の濃度はこれらの
機能を充足するのに十分な量である。蓚酸濃度を
選択する際には、蓚酸の溶解性が低温になる程、
制限を受けるということを注意すべきである。本
発明の好ましい浴組成は蓚酸濃度が20〜200g/
、より好ましくは30〜80g/、例えば40〜60
g/の範囲である。さらに詳しくは蓚酸の最適
な使用濃度は45〜55g/、例えば50g/の範
囲であることが判つた。この水準の周辺における
多少の濃度変動はめつき速度に対してそれほどの
影響を与えない。
ギ酸は高速めつきを達成させるための必須成分
の一つであると考えられる。このものは焦げ防止
剤又は高電流密度領域における金属移動防止剤と
して作用するようである。ギ酸濃度は20〜100
ml/、好ましくは30〜80ml/、最適には30〜
40ml/の範囲であるが、35ml/のギ酸濃度が
特に好ましい。
の一つであると考えられる。このものは焦げ防止
剤又は高電流密度領域における金属移動防止剤と
して作用するようである。ギ酸濃度は20〜100
ml/、好ましくは30〜80ml/、最適には30〜
40ml/の範囲であるが、35ml/のギ酸濃度が
特に好ましい。
PH調整剤、例えば水酸化カリウム又は他の水酸
化アルカリ金属は、最終浴のPHが3.9〜5.1、特に
4.1〜4.9になるような量において浴中に含まれる
ことが好ましい。
化アルカリ金属は、最終浴のPHが3.9〜5.1、特に
4.1〜4.9になるような量において浴中に含まれる
ことが好ましい。
必須成分ではないが、めつき光沢、延性、粒子
緻密度その他を変化及び/又は改良するための他
の添加剤を含むことは差支えない。ただしこれら
の添加成分は浴中の他の成分と相溶性であつて、
浴組成及び浴の運転に対して悪影響がないもので
なければならない。
緻密度その他を変化及び/又は改良するための他
の添加剤を含むことは差支えない。ただしこれら
の添加成分は浴中の他の成分と相溶性であつて、
浴組成及び浴の運転に対して悪影響がないもので
なければならない。
さらに、本発明によれば素地上に金合金、特に
金−ニツケルめつきを高速で施こすための方法が
提供される。該方法は本発明浴中に素地をカソー
ドとして浸漬し、次いでカソードとアノード間に
通電することから成つている。
金−ニツケルめつきを高速で施こすための方法が
提供される。該方法は本発明浴中に素地をカソー
ドとして浸漬し、次いでカソードとアノード間に
通電することから成つている。
浴温は20゜〜80℃、好ましくは30゜〜70℃、例
えば40゜〜60℃である。
えば40゜〜60℃である。
めつき後、適正にめつきされた素地を軟水又は
脱イオン水ですすいで蓚酸カルシウムの沈殿が生
じないようにする。
脱イオン水ですすいで蓚酸カルシウムの沈殿が生
じないようにする。
かくはん付きで本発明の方法を実験室的規模で
実施する際には、電流密度13ASDにおいて3.8マ
イクロン/分のめつき速度になるようにめつきす
れば光沢の減少がなく実施できるので好ましいこ
とが判つた。例えばジエツトプレーテイングのよ
うな、もつと速度の大きな処理装置を用いれば、
200ASD以下までの高電流密度において、さらに
高速のめつき操業が達成できる。
実施する際には、電流密度13ASDにおいて3.8マ
イクロン/分のめつき速度になるようにめつきす
れば光沢の減少がなく実施できるので好ましいこ
とが判つた。例えばジエツトプレーテイングのよ
うな、もつと速度の大きな処理装置を用いれば、
200ASD以下までの高電流密度において、さらに
高速のめつき操業が達成できる。
本発明の浴は特に高速めつき用に適している。
商業運転条件では、電流密度10、20、50もしくは
100ASDないし200ASDの範囲において有利な高
速めつきができる。高速めつきの場合には一般に
はかくはんを行なつたほうがよく、例えば浴溶液
中に渦流を生じさせる方法によるとよい。
商業運転条件では、電流密度10、20、50もしくは
100ASDないし200ASDの範囲において有利な高
速めつきができる。高速めつきの場合には一般に
はかくはんを行なつたほうがよく、例えば浴溶液
中に渦流を生じさせる方法によるとよい。
[実施例]
次に実施例を述べるが、本発明の要旨を逸脱し
ない限り、これらの実施例のみに限定されるもの
ではない。
ない限り、これらの実施例のみに限定されるもの
ではない。
実施例 1
次の組成の浴を調製した;成 分
量
金、シアン化金() 10g/
カリウムとして蓚酸・2水和物 63g/
ギ 酸 40ml/
ニツケル(硫酸塩として) 2g/
水酸化カリウム PH4.1になる量
蒸留水 全量を1にする量
上記の浴を渦流式かくはん装置を備えた実験室
規模のめつき装置中に仕込んだ。2本のパイプを
通してめつき液を1のビーカー中の500ml容積
中にポンプ送入し、パイプの穴を通してビーカー
中にカソードとして浸漬されている素地上に向け
た。ビーカー中の第3番目のパイプからめつき溶
液をポンプによつて抜き出した。該カソードは2
本の供給側パイプの間に配置し、アノードはこれ
らが溶液の流れを阻害しないように供給側パイプ
の周辺に配置させた。
規模のめつき装置中に仕込んだ。2本のパイプを
通してめつき液を1のビーカー中の500ml容積
中にポンプ送入し、パイプの穴を通してビーカー
中にカソードとして浸漬されている素地上に向け
た。ビーカー中の第3番目のパイプからめつき溶
液をポンプによつて抜き出した。該カソードは2
本の供給側パイプの間に配置し、アノードはこれ
らが溶液の流れを阻害しないように供給側パイプ
の周辺に配置させた。
該溶液を流速5/分(室温の水にて測定)で
強制循環した。
強制循環した。
約5マイクロン膜厚で、完全光沢性金−ニツケ
ル合金めつき膜が3.8マイクロン/分の析出速度
で生成したが、電流密度は13ASD以下であつ
た。
ル合金めつき膜が3.8マイクロン/分の析出速度
で生成したが、電流密度は13ASD以下であつ
た。
実施例 2
次の組成の浴を調製した;成 分
量
金、シアン化金() 10g/
カリウムとして蓚酸・2水和物 50g/
ギ 酸 35ml/
ニツケル(硫酸塩として) 3g/
水酸化カリウム PH4.4になる量
蒸留水 全量を1にする量
実施例1に記載の条件下において、電流密度
12ASD以下で完全光沢性金−ニツケル合金めつ
きが3.75マイクロン/分の析出速度で得られた。
12ASD以下で完全光沢性金−ニツケル合金めつ
きが3.75マイクロン/分の析出速度で得られた。
実施例 3
20ml/ギ酸及び2g/のニツケルを用いた
以外は実施例2に記載と同様の浴を用いたが、
8ASDの電流密度において完全光沢性のめつきが
2.5マイクロン/分の速度で得られた。2.8マイク
ロン/分(9ASD)及び3.1マイクロン/分
(10ASD)においても同様に得られた膜は完全光
沢性であつた。すべての場合、浴温は50℃であつ
た。
以外は実施例2に記載と同様の浴を用いたが、
8ASDの電流密度において完全光沢性のめつきが
2.5マイクロン/分の速度で得られた。2.8マイク
ロン/分(9ASD)及び3.1マイクロン/分
(10ASD)においても同様に得られた膜は完全光
沢性であつた。すべての場合、浴温は50℃であつ
た。
実施例 4
ギ酸濃度が40ml/、ニツケル濃度が2.0g/
であつた以外は実施例2に記載の浴を用いた
が、電流密度10ASDにおいては完全光沢性の金
−ニツケル合金めつきが3.0マイクロン/分の速
度で得られた。3.3マイクロン/分(11ASD)及
び3.55マイクロン(12ASD)においてもまた完全
光沢性のめつき膜が得られた。浴温はいずれも50
℃であつた。
であつた以外は実施例2に記載の浴を用いた
が、電流密度10ASDにおいては完全光沢性の金
−ニツケル合金めつきが3.0マイクロン/分の速
度で得られた。3.3マイクロン/分(11ASD)及
び3.55マイクロン(12ASD)においてもまた完全
光沢性のめつき膜が得られた。浴温はいずれも50
℃であつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 金合金めつき浴であつて、浴可溶性金源、浴
可溶性ニツケル源、蓚酸及びギ酸から成るクエン
酸を含まないPH3.9〜5.1のめつき浴。 2 浴可溶性金源が金()塩から成ることを特
徴とする特許請求の範囲第1項に記載のめつき
浴。 3 金()塩がシアン化金()アルカリ金属
又はシアン化金()アンモニウムのいずれかで
あることを特徴とする特許請求の範囲第2項に記
載のめつき浴。 4 金イオンが4〜50g/にて含有されること
を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のめつ
き浴。 5 金イオンが4〜20g/にて含有されること
を特徴とする特許請求の範囲第4項に記載のめつ
き浴。 6 浴可溶性ニツケル源が硫酸ニツケルであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のめ
つき浴。 7 ニツケルが0.5〜20g/にて含有されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のめ
つき浴。 8 ニツケルが1〜5g/にて含有されること
を特徴とする特許請求の範囲第7項に記載のめつ
き浴。 9 蓚酸が20〜100g/にて含有されることを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のめつき
浴。 10 蓚酸が40〜60g/にて含有されることを
特徴とする特許請求の範囲第9項に記載のめつき
浴。 11 ギ酸が20〜100ml/にて含有されること
を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のめつ
き浴。 12 ギ酸が30〜40ml/にて含有されることを
特徴とする特許請求の範囲第11項に記載のめつ
き浴。 13 PH調整剤をさらに含むことを特徴とする特
許請求の範囲第1項に記載のめつき浴。 14 PH調整剤が水酸化カリウムであることを特
徴とする特許請求の範囲第13項に記載のめつき
浴。 15 浴のPHが4.1〜4.9であることを特徴とする
特許請求の範囲第1項に記載のめつき浴。 16 浴可溶性金源、浴可溶性ニツケル源、蓚酸
及びギ酸から成るクエン酸を含まないPH3.9〜5.1
の金合金めつき浴中に被めつき素地をカソードと
して浸漬し、カソードとアノード間に通電して該
カソード上に金めつき膜を生成させる方法。 17 金の生成が電流密度200ASD以下にて行な
われることを特徴とする特許請求の範囲第16項
に記載の方法。 18 浴のPHが3.9〜5.1であり、かつ該浴が4〜
50g/の金含量になるような量のシアン化金ア
ルカリ金属、0.5〜20g/のニツケル含量にな
るような量の硫酸ニツケル、20〜100g/の蓚
酸、及び20〜100ml/のギ酸を含有することを
特徴とする特許請求の範囲第17項に記載の方
法。
Applications Claiming Priority (2)
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GB8402617 | 1984-02-01 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60187696A JPS60187696A (ja) | 1985-09-25 |
JPS6229517B2 true JPS6229517B2 (ja) | 1987-06-26 |
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Family Applications (1)
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JP1847085A Granted JPS60187696A (ja) | 1984-02-01 | 1985-02-01 | 金合金めつき浴及び方法 |
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BE901632A (fr) | 1985-05-29 |
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