JPH08193290A - 光沢パラジウム系めっき浴およびめっき方法 - Google Patents
光沢パラジウム系めっき浴およびめっき方法Info
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- JPH08193290A JPH08193290A JP581295A JP581295A JPH08193290A JP H08193290 A JPH08193290 A JP H08193290A JP 581295 A JP581295 A JP 581295A JP 581295 A JP581295 A JP 581295A JP H08193290 A JPH08193290 A JP H08193290A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アンモニアあるいはアンモニア塩を使用せず
に、光沢パラジウム( −銀合金) めっきを実現する。 【構成】パラジウムイオン 5.0〜50.0 g/l グリシン 20.0 〜200.0 g/l 導電塩 10.0 〜150.0 g/l ｐＨが、7.5 〜12.0 パラジウム−銀合金めっきの場合には、さらに、 銀イオン 1.0 〜30.0g/l 、 アルカリ金属の臭化物塩50.0〜600.0 g/l のめっき浴を用い、電流密度0.5 〜50 mA/cm2 、めっき
浴温度10〜80℃でめっきを行う。
に、光沢パラジウム( −銀合金) めっきを実現する。 【構成】パラジウムイオン 5.0〜50.0 g/l グリシン 20.0 〜200.0 g/l 導電塩 10.0 〜150.0 g/l ｐＨが、7.5 〜12.0 パラジウム−銀合金めっきの場合には、さらに、 銀イオン 1.0 〜30.0g/l 、 アルカリ金属の臭化物塩50.0〜600.0 g/l のめっき浴を用い、電流密度0.5 〜50 mA/cm2 、めっき
浴温度10〜80℃でめっきを行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光沢パラジウム系めっ
き浴およびめっき方法、つまり光沢パラジウム、光沢パ
ラジウム−銀合金めっき用のめっき浴およびめっき方法
に関する。特に、電力、自動制御、情報伝達などの電気
回路中のめっき接点としての機能的用途と、装飾品のめ
っきなどの装飾的用途とに用いる光沢パラジウム、パラ
ジウム−銀合金めっき浴およびめっき方法に関する。
き浴およびめっき方法、つまり光沢パラジウム、光沢パ
ラジウム−銀合金めっき用のめっき浴およびめっき方法
に関する。特に、電力、自動制御、情報伝達などの電気
回路中のめっき接点としての機能的用途と、装飾品のめ
っきなどの装飾的用途とに用いる光沢パラジウム、パラ
ジウム−銀合金めっき浴およびめっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】パラジウ
ムおよびパラジウム合金めっきは、優れた電気伝導性と
耐食性さらに、貴金属中で白金、金と比べて安価なこと
から、電気接点用めっきや装飾用の仕上げめっきとして
使用されてきた。
ムおよびパラジウム合金めっきは、優れた電気伝導性と
耐食性さらに、貴金属中で白金、金と比べて安価なこと
から、電気接点用めっきや装飾用の仕上げめっきとして
使用されてきた。
【０００３】例えば、従来のパラジウムおよびパラジウ
ム合金めっき方法としては、 「白色パラジウム用のめっき浴及びその方法」 (特公
昭59−33674 号公報) 「白色パラジウム浴用組成物及び方法」 (特公昭59−
45758 号公報) 「半光沢パラジウムメッキ浴」 (特公昭62−24517 号
公報) 「パラジウム (合金) めっき浴組成物および方法」
(特公昭62−20279 号公報) 等が知られている。
ム合金めっき方法としては、 「白色パラジウム用のめっき浴及びその方法」 (特公
昭59−33674 号公報) 「白色パラジウム浴用組成物及び方法」 (特公昭59−
45758 号公報) 「半光沢パラジウムメッキ浴」 (特公昭62−24517 号
公報) 「パラジウム (合金) めっき浴組成物および方法」
(特公昭62−20279 号公報) 等が知られている。
【０００４】これらのめっき浴は電導塩や添加剤などは
異なるものの、基本的には、すべてアンモニアあるいは
アンモニウム塩を含み、めっき浴中でパラジウムはテト
ラアンミンパラジウム錯イオンを形成することを特徴と
している。ところが、周知の通り、アンモニアは揮発性
に富み、めっき作業中に経時的に揮発し、めっき浴を不
安定にする (アンモニアの揮発に伴い、ｐＨが低下し、
テトラアンミンパラジウムは分解し、パラジウム塩およ
び合金金属塩が著しく沈殿する) 。従って、従来のめっ
き浴では以下のような問題点があった。
異なるものの、基本的には、すべてアンモニアあるいは
アンモニウム塩を含み、めっき浴中でパラジウムはテト
ラアンミンパラジウム錯イオンを形成することを特徴と
している。ところが、周知の通り、アンモニアは揮発性
に富み、めっき作業中に経時的に揮発し、めっき浴を不
安定にする (アンモニアの揮発に伴い、ｐＨが低下し、
テトラアンミンパラジウムは分解し、パラジウム塩およ
び合金金属塩が著しく沈殿する) 。従って、従来のめっ
き浴では以下のような問題点があった。
【０００５】(1) アンモニアの揮発を抑制するために浴
温度を比較的低温に保たなければならない。 (2) 常時、アンモニウム塩の補給が必要である。 (3) アンモニアの揮発に伴い浴組成が変化するために、
合金めっき浴とした時に、安定した合金組成のめっき皮
膜が得られない。 (4) アンモニアの悪臭のために作業環境が劣悪である。 (5) また、アンモニウム塩を含むめっき浴から得られる
パラジウムめっき皮膜は、白色あるいは灰色で、かつ無
光沢あるいは半光沢であり、装飾用として好まれる光沢
のある表面が得られない。
温度を比較的低温に保たなければならない。 (2) 常時、アンモニウム塩の補給が必要である。 (3) アンモニアの揮発に伴い浴組成が変化するために、
合金めっき浴とした時に、安定した合金組成のめっき皮
膜が得られない。 (4) アンモニアの悪臭のために作業環境が劣悪である。 (5) また、アンモニウム塩を含むめっき浴から得られる
パラジウムめっき皮膜は、白色あるいは灰色で、かつ無
光沢あるいは半光沢であり、装飾用として好まれる光沢
のある表面が得られない。
【０００６】本発明の目的は、上記の問題点を改善する
ために、めっき浴中にアンモニアあるいはアンモニア塩
を含まない安定なめっき浴とめっき方法を提供すること
にある。
ために、めっき浴中にアンモニアあるいはアンモニア塩
を含まない安定なめっき浴とめっき方法を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討を重ねた結果、パラジウムの
錯化剤としてグリシンを用いることにより、光沢のある
良好な表面を有するパラジウムおよびパラジウム−銀合
金めっき皮膜が生成できることを知り、本発明を完成し
た。
を解決するために鋭意検討を重ねた結果、パラジウムの
錯化剤としてグリシンを用いることにより、光沢のある
良好な表面を有するパラジウムおよびパラジウム−銀合
金めっき皮膜が生成できることを知り、本発明を完成し
た。
【０００８】ここに、本発明の要旨とするところは、 パラジウムイオン 5.0〜50.0 g/l グリシン 20.0 〜200.0 g/l 導電塩 10.0 〜150.0 g/l を含み、ｐＨが、7.5 〜12.0であることを特徴とする光
沢パラジウムめっき浴である。
沢パラジウムめっき浴である。
【０００９】さらに、合金化元素として銀イオン1.0
〜30.0g/l 、および銀イオンの錯化剤として、アルカリ
金属の臭化物塩50.0〜600.0 g/l を含むことを特徴とす
る上記記載のめっき浴である。
〜30.0g/l 、および銀イオンの錯化剤として、アルカリ
金属の臭化物塩50.0〜600.0 g/l を含むことを特徴とす
る上記記載のめっき浴である。
【００１０】上記、のいずれか記載のめっき浴を
用いて電流密度0.5 〜50 mA/cm2 、めっき浴温度10〜80
℃で行うパラジウムまたはパラジウム−銀合金めっき方
法である。
用いて電流密度0.5 〜50 mA/cm2 、めっき浴温度10〜80
℃で行うパラジウムまたはパラジウム−銀合金めっき方
法である。
【００１１】本発明によれば、好ましくは、膜厚0.1 〜
20.0μｍで、クラックのない、光沢のある良好な表面の
パラジウムおよびパラジウム−銀合金めっき皮膜が得ら
れる。
20.0μｍで、クラックのない、光沢のある良好な表面の
パラジウムおよびパラジウム−銀合金めっき皮膜が得ら
れる。
【００１２】
【作用】以下に本発明をその作用効果とともに詳述す
る。本発明によれば、パラジウムはグリシンとめっき浴
中で以下の反応により錯イオンを形成していると思われ
る。
る。本発明によれば、パラジウムはグリシンとめっき浴
中で以下の反応により錯イオンを形成していると思われ
る。
【００１３】Pd2+＋２NH2CH2COO- → Pd(NH2CH2COO)2 Pd(NH2CH2COO)2は、弱アルカリ性〜アルカリ性で極めて
安定で、沈殿を生ずることなく、長期間にわたりめっき
浴の組成を安定に保つことができる。また、揮発もな
く、作業環境になんら悪影響を与えない。
安定で、沈殿を生ずることなく、長期間にわたりめっき
浴の組成を安定に保つことができる。また、揮発もな
く、作業環境になんら悪影響を与えない。
【００１４】さらに、パラジウムとの錯体形成にあずか
らない遊離のグリシンは以下の反応により、ｐＨ緩衝剤
としての作用を示すために、めっき浴のｐＨを安定に保
つことができる。
らない遊離のグリシンは以下の反応により、ｐＨ緩衝剤
としての作用を示すために、めっき浴のｐＨを安定に保
つことができる。
【００１５】H+ ＋ NH2CH2COOH → NH3 +CH2COOH NH2CH2COOH → NH2CH2COO- ＋ H+ また、本発明のパラジウムめっき浴からは、光沢のある
表面が得られる。この理由は明らかではないが、遊離の
グリシンがめっき中にめっき皮膜の表面に吸着するか、
あるいは極微量のグリシンが皮膜中に混入することによ
り、結晶核の成長を抑制し、めっき皮膜の結晶粒を微細
化させる効果があるためと思われる。従って、本発明の
めっき浴では、通常のめっき浴に用いられるような特別
な光沢剤の添加を必要としない。
表面が得られる。この理由は明らかではないが、遊離の
グリシンがめっき中にめっき皮膜の表面に吸着するか、
あるいは極微量のグリシンが皮膜中に混入することによ
り、結晶核の成長を抑制し、めっき皮膜の結晶粒を微細
化させる効果があるためと思われる。従って、本発明の
めっき浴では、通常のめっき浴に用いられるような特別
な光沢剤の添加を必要としない。
【００１６】本発明にかかるめっき浴を用いてめっきし
たパラジウムめっき皮膜とアンモニアを錯化剤としため
っき浴を用いてめっきしたパラジウムめっき皮膜の表面
観察結果を写真１と写真２にそれぞれ本発明例、比較例
として示す。このときの各めっき浴組成およびめっき条
件は次の通りであった。
たパラジウムめっき皮膜とアンモニアを錯化剤としため
っき浴を用いてめっきしたパラジウムめっき皮膜の表面
観察結果を写真１と写真２にそれぞれ本発明例、比較例
として示す。このときの各めっき浴組成およびめっき条
件は次の通りであった。
【００１７】本発明例： パラジウムイオン ： 10.0 g/l グリシン ： 75.0 g/l 導電塩 ： 50.0 g/l ｐＨ ： 9.5 (KOHで調整) めっき浴温度 ： 50 ℃ 電流密度 ： 5 mA/cm2 。
【００１８】比較例： パラジウムイオン ： 10.0 g/l 25％アンモニア水 ： 100 ml/l 硫酸アンモニウム ： 30.0 g/l ｐＨ ： 10.5 (未調整) めっき浴温度 ： 30 ℃ 電流密度 ： 5 mA/cm2 。
【００１９】アンモニアを錯化剤として添加した浴から
のパラジウムめっき皮膜 (図２の表面顕微鏡組織写真、
比較例) と比べて、グリシンを錯化剤とした浴からのパ
ラジウムめっき皮膜 (図１の表面顕微鏡組織写真、本発
明例) は、微細な結晶粒となっている。このため、本発
明のめっき浴からは、光沢ある表面のパラジウムめっき
皮膜が得られるものと思われる。
のパラジウムめっき皮膜 (図２の表面顕微鏡組織写真、
比較例) と比べて、グリシンを錯化剤とした浴からのパ
ラジウムめっき皮膜 (図１の表面顕微鏡組織写真、本発
明例) は、微細な結晶粒となっている。このため、本発
明のめっき浴からは、光沢ある表面のパラジウムめっき
皮膜が得られるものと思われる。
【００２０】本発明によれば、パラジウムイオンの供給
は、PdCl2, PdBr2などのハロゲン化パラジウム、硝酸パ
ラジウム(Pd(NO3)2)、硫酸パラジウム(PdSO4) および錯
塩として、ジアンミンジクロロパラジウム (Pd(NH3)2Cl
2)、ジアンミンパラジウム亜硝酸塩 (Pd(NH3)2(NO2)2)
により行うことができる。
は、PdCl2, PdBr2などのハロゲン化パラジウム、硝酸パ
ラジウム(Pd(NO3)2)、硫酸パラジウム(PdSO4) および錯
塩として、ジアンミンジクロロパラジウム (Pd(NH3)2Cl
2)、ジアンミンパラジウム亜硝酸塩 (Pd(NH3)2(NO2)2)
により行うことができる。
【００２１】パラジウムの添加量はイオン量で5.0 〜5
0.0g/l とするが、余り少ないと所定量のめっきに長時
間を要し、50.0g/l を超えると溶解しにくくなる。グリ
シンは、前述のように本発明を特徴づける最も重要な物
質である。グリシンは、パラジウムと安定な錯イオンを
形成するばかりでなく、ｐＨ緩衝剤、光沢剤としての作
用も有する。グリシンの濃度が20 g/l未満では、パラジ
ウムを十分に溶解させることができない。また、200 g/
l を越えると、めっき皮膜が黒色を帯びてくるので好ま
しくない。好ましくは、40〜150 g/l である。
0.0g/l とするが、余り少ないと所定量のめっきに長時
間を要し、50.0g/l を超えると溶解しにくくなる。グリ
シンは、前述のように本発明を特徴づける最も重要な物
質である。グリシンは、パラジウムと安定な錯イオンを
形成するばかりでなく、ｐＨ緩衝剤、光沢剤としての作
用も有する。グリシンの濃度が20 g/l未満では、パラジ
ウムを十分に溶解させることができない。また、200 g/
l を越えると、めっき皮膜が黒色を帯びてくるので好ま
しくない。好ましくは、40〜150 g/l である。
【００２２】導電塩 (例：炭酸カリウム) は、めっき浴
の液抵抗を小さくし、めっき皮膜の付き回り性を向上さ
せる作用をする。導電塩としての炭酸カリウムの濃度が
10g/l 未満では、電導塩としての効果が少なく、150 g/
l を越えてさらに加えても著しい効果は期待できない。
の液抵抗を小さくし、めっき皮膜の付き回り性を向上さ
せる作用をする。導電塩としての炭酸カリウムの濃度が
10g/l 未満では、電導塩としての効果が少なく、150 g/
l を越えてさらに加えても著しい効果は期待できない。
【００２３】めっき浴のｐＨは、KOH 、NaOHなどにより
7.5 〜12.0に、好ましくは9.0 〜12.0に調整する。前述
のように遊離のグリシンがｐＨ緩衝剤として作用するた
め、建浴時にｐＨをいったん調整すると、長期にわたり
ｐＨを安定させることができる。ｐＨが低いとめっきと
同時に水素の発生が起こる。水素の発生は、電流効率を
低下させ、非経済的であるだけでなく、めっき皮膜中に
吸蔵された水素は、めっき皮膜のクラック発生の原因に
もなる。従って、ｐＨが7.5 〜12.0でもめっきは可能で
あるが、好ましいｐＨとしては、水素発生が起こらない
9.0 〜12.0の範囲としたのである。
7.5 〜12.0に、好ましくは9.0 〜12.0に調整する。前述
のように遊離のグリシンがｐＨ緩衝剤として作用するた
め、建浴時にｐＨをいったん調整すると、長期にわたり
ｐＨを安定させることができる。ｐＨが低いとめっきと
同時に水素の発生が起こる。水素の発生は、電流効率を
低下させ、非経済的であるだけでなく、めっき皮膜中に
吸蔵された水素は、めっき皮膜のクラック発生の原因に
もなる。従って、ｐＨが7.5 〜12.0でもめっきは可能で
あるが、好ましいｐＨとしては、水素発生が起こらない
9.0 〜12.0の範囲としたのである。
【００２４】本発明の別の態様として、上記パラジウム
めっき浴にさらに銀イオン1.0 〜30.0g/l 、銀イオンの
錯化剤としてアルカリ金属の臭化物塩50.0〜600.0 g/l
を加えることにより、光沢のあるパラジウム−銀合金め
っき皮膜を得ることができる。
めっき浴にさらに銀イオン1.0 〜30.0g/l 、銀イオンの
錯化剤としてアルカリ金属の臭化物塩50.0〜600.0 g/l
を加えることにより、光沢のあるパラジウム−銀合金め
っき皮膜を得ることができる。
【００２５】銀に過剰の臭素イオンを加え、錯イオンを
形成させることにより両金属の析出電位を近づけること
ができるために、銀イオン1.0 〜30.0 g/lの範囲におい
て良好な表面を有する銀−パラジウム合金めっきが可能
になるものと思われる。上記範囲内において目的に応じ
銀含有量を適宜選択すればよい。この態様での銀イオン
の供給は、AgCl、AgBrなどのハロゲン化銀、硝酸銀 (Ag
NO3)および硫酸銀 (Ag2SO4) により行うことができる。
また、銀の錯化剤としてのアルカリ金属の臭化物塩は、
KBr 、NaBrなどである。その配合量は銀イオン量に応じ
て上記範囲内で添加すればよい。
形成させることにより両金属の析出電位を近づけること
ができるために、銀イオン1.0 〜30.0 g/lの範囲におい
て良好な表面を有する銀−パラジウム合金めっきが可能
になるものと思われる。上記範囲内において目的に応じ
銀含有量を適宜選択すればよい。この態様での銀イオン
の供給は、AgCl、AgBrなどのハロゲン化銀、硝酸銀 (Ag
NO3)および硫酸銀 (Ag2SO4) により行うことができる。
また、銀の錯化剤としてのアルカリ金属の臭化物塩は、
KBr 、NaBrなどである。その配合量は銀イオン量に応じ
て上記範囲内で添加すればよい。
【００２６】合金化元素としての銀は、パラジウムに特
有の有機物系の雰囲気でのポリマーの生成を抑制する効
果があることが知られている。ポリマーの生成は、めっ
き皮膜表面を変色させ、接触電気抵抗を大きくするため
に好ましくない。従って、本発明のめっき浴を用いて、
パラジウム−銀合金めっき皮膜を生成できることは、工
業上、有用である。
有の有機物系の雰囲気でのポリマーの生成を抑制する効
果があることが知られている。ポリマーの生成は、めっ
き皮膜表面を変色させ、接触電気抵抗を大きくするため
に好ましくない。従って、本発明のめっき浴を用いて、
パラジウム−銀合金めっき皮膜を生成できることは、工
業上、有用である。
【００２７】本発明のパラジウムおよびパラジウム−銀
合金めっき浴では、電流密度0.5 〜50mA/cm2の広い範囲
で良好なめっきが可能である。電流密度が0.5 mA/cm2未
満では、めっき速度が遅く工業上、非効率的である。ま
た、電流密度が50 mA/cm2 を越えるとめっき皮膜の表面
状態が粉末状になり好ましくない。
合金めっき浴では、電流密度0.5 〜50mA/cm2の広い範囲
で良好なめっきが可能である。電流密度が0.5 mA/cm2未
満では、めっき速度が遅く工業上、非効率的である。ま
た、電流密度が50 mA/cm2 を越えるとめっき皮膜の表面
状態が粉末状になり好ましくない。
【００２８】めっき浴温度は、10〜80℃であれば十分可
能である。従来のアンモニアを含むめっき浴 (約30℃以
下、30℃以上でアンモニアの揮発が激しくなり、めっき
浴が不安定となる) よりも高温でのめっきが可能であ
る。めっき温度は一般に、高温の方が、より高電流密度
で良好な表面のめっきが得られる。めっき浴温度が80℃
を越えると水の蒸発により、めっき浴組成が変化しやす
くなる恐れがある。めっき中はめっき浴を攪拌する方が
好ましい。これは、めっき液を攪拌すると、高電流密度
で良好なめっき皮膜が得られるからである。
能である。従来のアンモニアを含むめっき浴 (約30℃以
下、30℃以上でアンモニアの揮発が激しくなり、めっき
浴が不安定となる) よりも高温でのめっきが可能であ
る。めっき温度は一般に、高温の方が、より高電流密度
で良好な表面のめっきが得られる。めっき浴温度が80℃
を越えると水の蒸発により、めっき浴組成が変化しやす
くなる恐れがある。めっき中はめっき浴を攪拌する方が
好ましい。これは、めっき液を攪拌すると、高電流密度
で良好なめっき皮膜が得られるからである。
【００２９】めっき膜厚は0.1 μｍ以上が好ましい。め
っき膜厚が0.1 μｍ未満では、めっき皮膜中のピンホー
ルをなくすることが困難で、使用環境中で素地金属が腐
食される危険性が高く好ましくない。また、めっき膜厚
が20μｍを超えるとクラックが発生しやすく、好ましく
ない。さらに本発明の効果を実施例を用いて詳述する
が、これはあくまでも本発明の例示であり、これにより
本発明が限定されるものではない。
っき膜厚が0.1 μｍ未満では、めっき皮膜中のピンホー
ルをなくすることが困難で、使用環境中で素地金属が腐
食される危険性が高く好ましくない。また、めっき膜厚
が20μｍを超えるとクラックが発生しやすく、好ましく
ない。さらに本発明の効果を実施例を用いて詳述する
が、これはあくまでも本発明の例示であり、これにより
本発明が限定されるものではない。
【００３０】
【実施例】以下、本発明における実施例と比較例を説明
する。 (実施例１)下記のようなめっき浴組成およびめっき条件
でパラジウムめっきを行った。 PdCl2 ： 10.0 g/l NH2CH2COOH ： 75.0 g/l K2CO3 ： 50.0 g/l ｐＨ ： 9.5 (KOHで調整) めっき浴温度： 50 ℃ 電流密度 ： 1, 5, 10, 20, 50 mA/cm2。
する。 (実施例１)下記のようなめっき浴組成およびめっき条件
でパラジウムめっきを行った。 PdCl2 ： 10.0 g/l NH2CH2COOH ： 75.0 g/l K2CO3 ： 50.0 g/l ｐＨ ： 9.5 (KOHで調整) めっき浴温度： 50 ℃ 電流密度 ： 1, 5, 10, 20, 50 mA/cm2。
【００３１】得られためっき皮膜の表面状態と、建浴
後、10日経過した時のめっき浴の状態を表１に示す。本
発明において得られたパラジウムめっき皮膜の外観は、
銀色で光沢があり、良好であった。また、めっき浴は10
日後も建浴時と変化なく良好であった。
後、10日経過した時のめっき浴の状態を表１に示す。本
発明において得られたパラジウムめっき皮膜の外観は、
銀色で光沢があり、良好であった。また、めっき浴は10
日後も建浴時と変化なく良好であった。
【００３２】(実施例２)下記のようなめっき浴組成およ
びめっき条件でパラジウム−銀合金めっきを行った。 PdCl2 ： 10.0 g/l NH2CH2COOH ： 75.0 g/l AgNO3 ： 2.0 g/l (銀イオンとして) KBr ： 400 g/l K2CO3 ： 50.0 g/l ｐＨ ： 9.5 (KOHで調整) めっき浴温度： 50 ℃ 電流密度 ： 1, 5, 10, 20, 50 mA/cm2。
びめっき条件でパラジウム−銀合金めっきを行った。 PdCl2 ： 10.0 g/l NH2CH2COOH ： 75.0 g/l AgNO3 ： 2.0 g/l (銀イオンとして) KBr ： 400 g/l K2CO3 ： 50.0 g/l ｐＨ ： 9.5 (KOHで調整) めっき浴温度： 50 ℃ 電流密度 ： 1, 5, 10, 20, 50 mA/cm2。
【００３３】得られためっき皮膜の表面状態と、合金組
成と、建浴後、10日経過した時のめっき浴の状態を表２
に示す。本発明において得られたパラジウム−銀合金め
っき皮膜は、外観、合金組成共良好であった。また、め
っき浴は10日後も建浴時と変化なく良好であった。
成と、建浴後、10日経過した時のめっき浴の状態を表２
に示す。本発明において得られたパラジウム−銀合金め
っき皮膜は、外観、合金組成共良好であった。また、め
っき浴は10日後も建浴時と変化なく良好であった。
【００３４】(比較例)下記のようなめっき浴組成および
めっき条件でパラジウムめっきを行った。 PdCl2 ： 10.0 g/l 25％NH3 水 ： 100 ml/l (NH3)2SO4 ： 30.0 g/l ｐＨ ： 10.5 (未調整) めっき浴温度： 30 ℃ 電流密度 ： 1, 5, 10, 20, 50 mA/cm2。
めっき条件でパラジウムめっきを行った。 PdCl2 ： 10.0 g/l 25％NH3 水 ： 100 ml/l (NH3)2SO4 ： 30.0 g/l ｐＨ ： 10.5 (未調整) めっき浴温度： 30 ℃ 電流密度 ： 1, 5, 10, 20, 50 mA/cm2。
【００３５】得られためっき皮膜の表面状態と、建浴
後、10日経過した時のめっき浴の状態を表３に示す。本
発明の場合と比べ、パラジウムめっき皮膜の外観は、灰
色で無光沢であった。また、めっき浴は経時的に、パラ
ジウム化合物の沈殿を生じた。
後、10日経過した時のめっき浴の状態を表３に示す。本
発明の場合と比べ、パラジウムめっき皮膜の外観は、灰
色で無光沢であった。また、めっき浴は経時的に、パラ
ジウム化合物の沈殿を生じた。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【００３８】
【表３】
【００３９】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
アンモニアあるいはアンモニア塩を用いないで、安定な
パラジウムめっき浴およびパラジウム−銀合金めっき浴
を供することができ、かつ光沢ある表面を有するパラジ
ウムおよびパラジウム−銀合金めっき皮膜を生成するこ
とができる。これにより、めっき浴の組成を安定にし、
従来の劣悪なめっき環境条件を改善することができる。
また、電気めっき接点、装飾用仕上げめっきとして、さ
らに優れた光沢パラジウムおよびパラジウム−銀合金め
っき皮膜を生産することが可能になり、本発明の実用上
の効果は著しい。
アンモニアあるいはアンモニア塩を用いないで、安定な
パラジウムめっき浴およびパラジウム−銀合金めっき浴
を供することができ、かつ光沢ある表面を有するパラジ
ウムおよびパラジウム−銀合金めっき皮膜を生成するこ
とができる。これにより、めっき浴の組成を安定にし、
従来の劣悪なめっき環境条件を改善することができる。
また、電気めっき接点、装飾用仕上げめっきとして、さ
らに優れた光沢パラジウムおよびパラジウム−銀合金め
っき皮膜を生産することが可能になり、本発明の実用上
の効果は著しい。
【図１】本発明にかかるめっき浴を用いて得られたパラ
ジウムめっき皮膜の表面観察結果の表面顕微鏡組織写真
である。
ジウムめっき皮膜の表面観察結果の表面顕微鏡組織写真
である。
【図２】比較例として、アンモニアを含むめっき浴を用
いて得られたパラジウムめっき皮膜の表面観察結果の表
面顕微鏡組織写真である。
いて得られたパラジウムめっき皮膜の表面観察結果の表
面顕微鏡組織写真である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年１月１９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
Claims (3)
- 【請求項１】パラジウムイオン 5.0〜50.0 g/l グリシン 20.0 〜200.0 g/l 導電塩 10.0 〜150.0 g/l を含み、ｐＨが、7.5 〜12.0であることを特徴とする光
沢パラジウムめっき浴。 - 【請求項２】 請求項１記載のめっき浴が、さらに、合
金化元素として銀イオン1.0 〜30.0g/l 、および銀イオ
ンの錯化剤として、アルカリ金属の臭化物塩50.0〜600.
0 g/l を含むことを特徴とする光沢パラジウム−銀合金
めっき浴。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のめっき浴を用
い、電流密度0.5 〜50mA/cm2 、めっき浴温度10〜80℃
でめっきを行うことを特徴とする光沢パラジウム、パラ
ジウム−銀合金めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP581295A JPH08193290A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 光沢パラジウム系めっき浴およびめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP581295A JPH08193290A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 光沢パラジウム系めっき浴およびめっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08193290A true JPH08193290A (ja) | 1996-07-30 |
Family
ID=11621502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP581295A Withdrawn JPH08193290A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 光沢パラジウム系めっき浴およびめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08193290A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008081765A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | パラジウム合金めっき液及びそのめっき液を用いためっき方法。 |
| JP2008261045A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Green Hydrotec Inc | パラジウム含有メッキ液およびその使用 |
| JP2016529400A (ja) * | 2013-08-06 | 2016-09-23 | ウミコレ・ガルファノテフニック・ゲーエムベーハー | 銀−パラジウム合金の電着のための電解質、及びその析出方法 |
-
1995
- 1995-01-18 JP JP581295A patent/JPH08193290A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008081765A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | パラジウム合金めっき液及びそのめっき液を用いためっき方法。 |
| JP2008261045A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Green Hydrotec Inc | パラジウム含有メッキ液およびその使用 |
| KR100950411B1 (ko) * | 2007-04-13 | 2010-03-29 | 그린 하이드로텍 인코포레이티드. | 팔라듐-함유 도금액 및 그의 용도 |
| JP2016529400A (ja) * | 2013-08-06 | 2016-09-23 | ウミコレ・ガルファノテフニック・ゲーエムベーハー | 銀−パラジウム合金の電着のための電解質、及びその析出方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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