JPS62293240A - フオトレジストの付着性促進剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 この発明は、各種の極性基板に対する非極性のフォトレ
ジストの付着性を改善するフォトレジストの付着性促進
剤に関する。

Ｂ、従来技術 各種の基板に対するポジティブ・フォトレジストのぬれ
性および付着性を促進させるため、ヘキサメチルジシラ
ザン等のシラン系付着性促進剤が用いられている。この
ようなシラン系付着性促進剤は、この発明で意図される
ような、非極性のフォトレジストに対しては効果がない
。

Ｉｔｏらの゛高感度遠紫外線レジスト・システム（Ａ　
５ｅｎｓｉｔｉｖｅ　Ｄｅｅｐ　ＵＶ　Ｒｅ５ｉｓｔ　
Ｓｙｓｔｅｍ）”、（ＳＰＥ　Ｒｅ５ｉｏｎａｌ　Ｔｅ
ｃｈｎｉｃａｌ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）、。

Ｅｌｌｅｎｖｉｌｌｅ、　ＮＹ、（１，９８２年１１月
）には、高感度を有し、現像中に膨潤せず、ポジティブ
・フォトレジストとしても、ネガティブ・フォトレジス
トとしても使用することのできる遠紫外線（ＤＵＶ）フ
ォトレジスト・システムが開示されている。このフォト
レジスト・システムは、ｔ−ブチルオキシカルボニル基
で保護されたポリ−（ビニルフェニル）、およびオニウ
ム塩増感剤からなる処方に基づくものである。このよう
なフォトレジスト・システムの機構については、たとえ
ば“５マイクロリソグラフイ概説（ＩＮＴＲＯＤＵＣＴ
ＩＯＮ　Ｔｏ　ＭＩＣＲＯＬＩＴＨＯＧＲＡＰＨＹ）、
Ｗｉｌｌｓｏｎ、　ｐ　、　１５３に記載されている。

このような遠紫外線（ＤｔＪＶ）フォトレジスト・シス
テムの基本的な機構については、Ｆｒｅｃｈｅｔらの“
ポリ（ｐ　−ｔ−ブチルオキシカルボニルオキシスチレ
ン）、ｐ−ヒドロキシスチレン樹脂の製造に適した前駆
物質（Ｐｏｌｙ−（Ｐ−ｔ−Ｂｕｔｙｌｏｘｙｃａｒｂ
ｏｎｙｌｏｘｙｓｔｙｒｅｎｅ）　：　Ａ　ｃｏｎｖｅ
ｎｔｉｏｎａｌ　ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ　ｔ。

ｐ−ｈｙｄｒｏｘｙｓｔｙｒｅｎｅ　ｒｅｓｉｎｓ）”
、Ｐｏｌｙｍｅｒ　（投稿中）、１９８２年にも記載さ
れている。

Ｉｔｏらの米国特許第４４９１６２８号明細書には、タ
ーシャル（１）　−ブチルエステルまたはターシャル−
ブチルカーボネート基等の繰り返しペンダント基を有す
る重合体で処方されたポジティブおよびネガティブ・フ
ォトレジストが開示されている。このようなフォトレジ
ストが、この発明に用いられている。

Ｃ０発明の概要 本発明者らは、ポリスチレンカーボネートに代表される
ポリスチレン系フォトレジスト等の非極性のフォトレジ
ストは、たとえばシリコン・ウェハ等の半導体装置の製
造に使用する各種の極性基板に対する付着性が低く、フ
ォトレジストの現像後の処理中に、付着力が失なわれる
ことを見出した。この挙動は、極性のノボラック系レジ
ストとは全く異なるものである。

この知見に基づいて、本発明者らは、このような非極性
フォトレジストの、極性基板に対する付着性を改善する
方法を検討し、極性基板の表面を１種類または２種類以
上の非極性オルガノシランを含有する溶液で処理するこ
とにより、非極性フォトレジストの、極性基板に対する
付着力が飛躍的に向上し、付着力の喪失が防止され、そ
の後に行う通常の湿式化学処理を通じても極性基板から
＝４− はく離する必要が生じるまでは、はく離することがない
ようにして、リソグラフィ像が非極性フォトレジスト中
に現像されることを発見した。

この発明の主要な目的は、非極性フォトレジストの、半
導体製造に用いられる極性基板に代表される極性基板に
対する付着性を改善し、はく離することが必要な時期ま
では、極性基板からはく離することのないような、非極
性フォトレジストの付着性促進剤を提供することにある
。

Ｄ、実施例 この発明は明らかに広い用途があるが、現在の半導体製
造の厳しい要求条件および本質的に非極性であるポリス
チレン系フォトレジスト等のフォトレジストの特異な性
質に対応するためには極性基板に対して本発明の付着性
促進剤による前処理を施して、リソグラフィ現像後の通
常は湿式処理中の過程においてもフォトレジストが極性
基板に確実に付着するようにすることが必要である。

以後、゛フォトレジスト″の用語は、特に表示されない
限り、すべて非極性フォトレジストを指すものとする。

さらに、特に表示されない限り、１基板″の用語は極性
基板を指すものとする。

最後に、′オルガノシラン″、″オルガノシラン付着性
促進剤′”等について言及する場合は、非極性オルガノ
シラン、非極性オルガノシラン付着性促進剤等を示すも
のとする。

以下、処理される基板、オルガノシラン付着性促進剤、
および使用するフォトレジストについて詳細に説明する
。

′“極性″および″非極性″の用語はこの発明のフォト
レジスト、付着性促進剤または基板の臨界的な゛′カッ
トオフ″値（境界値）を示すのではなく、むしろフォト
レジストは基板よりも非極性が強いとか、フォトレジス
トより基板の方が極性が強いとかという相対性な性質を
示すものである。

一般に、フォトレジストと基板の極性の差が大きいほど
、付着性に関する問題が大きくなる。

本発明らの経験によれば、この発明の基本原理を理解す
れば、個別のシステムについてどの材料が最良の結果を
与えるかを容易に判断することができる。

考慮すべき３つの主な要素は、１）基板、２）オルガノ
シラン、および３）フォトレジストである。

基板は幸か不幸か、環境との接触により、その表面に、
少なくともいくらかのフォトレジストと適合しないシラ
ノール官能基を含む。

オルガノシロキサン付着性促進剤も、加水分解によりシ
ラノール官能基を含み、おそらく幸いなことに、基板（
極性）とフォトレジスト（非極性）との間の゛ブリッジ
″として作用し、十分な付着力が確保される。

一般に、この発明で問題となる表面は、周知の半導体装
置の製造に用いられるものである。たとえば、これらは
シリコン（自然の酸化物を含有する）、半導体装置の製
造に一般に用いられる酸化シリコン（最も一般的には二
酸化シリコン）、窒化シリコン（Ｓｉ、Ｎ、）および酸
化した窒化シリコン＜ｙｍ窒化物）を含む。

この発明にはまた、半導体装置の製造に用いるたとえば
約０．１〜約２重景％のシリコンを含有するシリコンリ
ッチの酸化物の表面を有するシリコン−アルミニウムー
銅合金等の金属表面にも適用することができる。このよ
うな合金は一般に従来の方法により蒸着させたもので、
内部より表面のほうがシリコン酸化物の比率が高い。

このような材料はすべて、環境との接触により生ずる５
ｉ−ＯＨ基（シラノール官能基）が存在する。論理的に
は、真空または不活性気体中で処理すれば、空気中の酸
素および水分との接触によるシラノール官能基の形成は
避けられるであろうが、実際問題としてこれは不可能で
あり、したがって、上記の例のようなシリコン系基板に
は、少なくとも表面にシラノール官能基が含まれる。基
板の化学組成や環境との接触時間が変わると表面が不均
一系となる。この結果、基板は本質的に、比較的非極性
のフォトレジストとの適合性が弱く、これらの間の付着
力は、後続の処理中において不十分なものとなる。

この発明のオルガノシラン付着性促進剤すなわちコンデ
ィショナ（調整剤）も、基板と比較して極性であるが、
フォトレジストと類似の非極性の性質を有する。

後に詳述するように、オルガノシロキサン付着性促進剤
は、少なくとも１個のアルコキシまたはアリーロキシ基
を有し、これらは加水分解によりシラノール（Ｓｉ−Ｏ
Ｈ）基に変換する。

このように１本発明の適用する基板には“特殊″な点は
なく、むしろ本来の表面官能性、または空気中の酸素お
よび水と基板との不可避の反応により、比較的非極性の
フォトレジストとの付着性に問題のある、半導体業界に
広く用いられている従来のシリコンを含有する基板であ
る。

この発明による処理は、ｔ−ブチロキシカルボニルスチ
レン型のポリスチレン系レジスト重合体であるフォトレ
ジストに代表される非極性のフォトレジストの塗布に適
した、均一にコンディショニングされた表面の形成を指
向している。これらはこの明細書に参考文献として添付
した前記の出板物およびＩｔｏらの特許に例示されてい
る。

半導体技術に用いられるポリスチレン系フオトレジス＋
−ｍ合体は、下記の一般構造式（Ｉ）で示される。

上式には反復するスチレン基が存在するが、これはフォ
トレジストのバックボーン（中枢）として作用する。Ｘ
で示すペンダント基は、最も通常には −０−Ｃ−０−Ｒ’　または　−〇−Ｃ−Ｒ’で示され
、カーボネート（炭酸塩）またはエステルを生成する基
である。

Ｒは一般に水素、アルキル基、またはアリール基で、水
素が好ましい。低級アルキル基、たとえばメチル、エチ
ル、ｎ−または１−プロピル基、およびアリール基、た
とえばフェニル基も有用である。

Ｘ中の末端基Ｒ′は、水素以外であればＲと同じもので
よいが、好ましくは炭素原子３〜５個を有する直鎖、ま
たは側鎖を有するアルキル基、たとえばｎ−プロピル基
、ｉ−プロピル基、アミル基等で、ｔ−ブチル基が好ま
しい。

その他の有用なフォトレジストは、ｌｔｏらの特許に開
示されている。

分子量には特に制限はないが、比較的広い分子量分布を
有するポリスチレン系材料からなるフォトレジスト、た
とえば分散値（重量平均分子景／数平均分子量）が約３
ないし約８のものが最良の結果を与えることが判明した
。重量平均分子量は一般に約２０，０００〜約２００，
０００で、これにより式（Ｉ）のｎが制限される。

分子量は通常非常に高いので、重合体の末端基は重要で
なく、一般にたとえば−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５等の比較的
簡単なものである。

フォトレジストは、使用する現像剤により、性質がポジ
ティブのものでもネガティブのものでもよい。現像条件
は通常のものでよく、たとえばＩｔｏらの特許や、前記
の参考文献により、周知のものである。

この発明のポリスチレン系フォトレジストの処理は、単
に通常の方法でＤＵＶに露出後、通常の方法で現像し、
フォトレジストの性質に応じて、露出した部分または露
出しない部分のいずれかを除去すればよく、フォトレジ
ストと極性基板との付着性の問題が解決される以外は、
フォトレジストは従来どおりの作用をするため、露出お
よび現像の工程には何ら新規性はない。このフォトレジ
ストは、必要な時期に基板からはがすことが可能で、こ
れもＩｔｏらの特許および前述の参考文献に例が開示さ
れている。

ｔ−ブチロキシカルボニル型のポリスチレン系レジスト
重合体に代表される本発明を適用するフォトレジストを
使用し易くするために、基板を゛１コンディショニング
（調整）″するこの発明による最も典型的な処理を行っ
た基板の一般的性質の説明を行ったが、フォトレジスト
に通常のりソクラフイ処理を行った後、必要な時期まで
基板からはがれることなく、通常の方法で処理するため
に、基板が確実にフォトレジストと接着するように基板
をコンディショニングするために用いるこの発明の最も
重要な特徴であるオルガノシランについて説明を行う。

有用な付着性促進剤には、当初アルコキシ官能基を有し
、好ましくは下記の式（ＩＩ）で示される構造の非極性
オルガノシラン類がある。

Ｒ′ Ｘ　−５ｉ−ＯＺ　　　　　　（ｎ） Ｒ“は典型的にはフッ素置換アルキル基等の置換アルキ
ル基を含むアリキル基またはアリール基である。Ｒ“の
代表例には、プロピル基、ブチル基、アミル基、シクロ
ヘキシルメチル基、フェニル基、ベンジル基、またはト
リフルオロプロピル基等のフルオロアルキル基がある。

Ｒ“には、ブチル基が不活性であり、使用中に有害な反
応を起こさないため最も好ましい。炭素原子数１〜２４
のアルキル基、たとえばオクチル基、ノナデシル基、ス
テアリル基等のアルキル基はＲ＃基として有用であり、
また炭素原子数３〜１０の三フッ化置換アルキル基もＲ
”基として有用であると考えられる。アリール基とする
場合は、フェニル基が最も好ましい。

Ｒ＃の主な基準は、使用中に不活性であり、基板に塗布
して均一な溶液を得るのに妨げとならないことである。

ＸはＲ“と同じでよい。ＸはＲ”と同じ種類のものから
選択するが、ＸとＲ＃は同じものである必要はない。

またＸは下記のＯＹまたはＯＺでもよい。この場合も、
ＸはＯＹおよびｏＺの種類から選択することができるが
、Ｘ、ＯＹおよびＯ７は同じであっても、異なるもので
あっても、またこれらの２つが同じものであってもよい
。

この発明のオルガノシラン類に不可欠な原子団は、５ｉ
−ＯＹおよび５ｉ−Ｏ７である。それは、これらが少な
くとも部分的に加水分解して、必要なシラノール基を生
成するためである。

Ｙは通常アルキル基、たとえばメチル基、エチル基、ア
セトキシ基等である。

Ｚも通常アルキル基で、たとえばメチル基、エチル基、
アセトキシ基等である。

この発明により基板のコンディショニングに使用するオ
ルガノシラン類は市販もされており、また従来の方法で
合成することもできる。多くの種類のオルガノシラン類
は、たとえばＰｅｔｒａｒｃｈＳｙｓｔｅｍｓ、　Ｉｎ
ｃ、、　Ｂｒ１ｓｔｏｌ、　ＰＡから市販されている。

この発明で用いるのに最も適したコンディショナ（調整
剤即ち付着性促進剤）は、ブチルトリメトキシシラン、
フェニルトリメトキシシラン、および３，３．３−トリ
フルオロプロピルトリメトキシシランである。

必要があれば、各種のオルガノシラン類の混合物も、均
一な溶液（厳しい用途に必要）が得られれば使用するこ
とができるが、現在のところ、これらの混合物を使用す
る利点は見出されていない。

アミノシラン類または極性のシアノシラン類等の接着促
進剤は、現像中に亀裂が生ずるため、この発明の効果は
得られない。

上記の使用する基板、使用するオルカッシラン類および
使用するフォトレジストに関する説明はこの発明の背景
をなすもので、不必要な説明をしなくてもこの技術に熟
知した者であれば、この発明を実施することができる。

しかし、半導体装置の製造に熟知した者が理解している
ように、処理環境中で使用する場合、基板表面がポリス
チレン系フォトレジスト等の非極性フォトレジストとの
付着を確実にするために、コンディショニングした表面
は、従来どおりのアルコールまたはエステル系溶剤で予
備洗浄した後、脱イオン水で洗浄する。予備洗浄は単に
、後の半導体処理の妨げとなる汚染物質が基板表面に付
着していないようにするためのものである。

酸化物またはシラノール官能基を有する基板がこの発明
には必要である。これらは環境に接触することにより得
られ、処理または貯蔵を真空または不活性雰囲気中で行
なわない限り、自然に得られる。代替方法として、この
官能性は半導体製造に用いる従来の処理、たとえば周知
の酸素反応性イオン・エツチング（ＲＩＥ）、過酸化水
素水（Ｈｚ　Ｏ２）エツチング、硝酸エツチング等の、
従来の熱または湿式化学酸化技術により増強される。

これらはすべて本質的に酸化官能性を増大させるため、
これらの処理には特別の基準はない。

酸化物またはシラノール官能性を強化した基板の例とし
て、窒化シリコンを従来の化学蒸着（ＣＶＤ）により付
着させることができる。この窒化シリコンは、空気と接
触すると、特別な貯蔵を行わない限り、少なくとも表面
が、たとえば４０〜５０人の深さまで酸化する。

このような材料を、ファン（４１ｕａｎｇ）　Ａ　（過
酸化水素水／アンモニア）またはファン（ＨｕａｎＨ）
　Ｂ　（過酸化水素水／塩酸）等の従来の溶液で洗浄す
れば、表面の酸化物またはシラノール（Ｓｉ−ＯＨ）官
能性を増大することは従来から知られている。

任意ではあるが、好ましい上記の予備洗浄処理後、基板
をこの発明の１種類または２種類以上のオルガノシラン
に接触させる。

この発明によるオルガノシランとの接触の後、基板をた
とえば水溶液またはアルコール溶液で約３０秒洗浄し、
窒素または圧縮空気でスピン乾燥または吹付は乾燥をし
、必要があれば約８０℃ないし約１５０℃で約１分ない
し約１０分間加熱乾燥する。後処理は単に溶剤の除去（
スピン乾燥または吹付は乾燥）および必要があれば熱乾
燥を行って、付着性促進剤を固着させるおそれのある残
った溶剤を完全に除去すればよい。

この発明の実際のコンディショニングのために、一般に
は約０．０１ないし約２％（溶液の全体容量に対し、以
後パーセント、部等は、他に示さない限りすべて同じ基
準の容量によるものとする）の１種類または２種類以上
のオルガノシランの溶液を調製する。溶剤は通常アルコ
ールと水の混合物である。アルコールとしては、炭素原
子が１ないし４個の低級アルコールが適しており、これ
らのアルコールには、メタノール、エタノール、プロパ
ツール、ブタノール（どの種類の異性体も使用すること
ができる）があり、溶液の全体重量に対し、アルコール
が約７ないし約９５％、残りを水とする。

最も好ましい溶液は、はぼ等重電のアルコールと水（ブ
タノールについては溶解度が約１０重量％に限られるた
め、この例については使用するアルコールの量は少なく
なる）の混合溶液であり、入手および処理の容易な点で
、メタノールまたはイソプロパツールが最も好適である
。

もちろん、処理上の見地から必要性があれば、低級アル
コールの混合物を使用することもできる。

理論的には、使用するオルガノシランに対する溶媒とし
ては、水のみを使用することが好ましい。

しかし、半導体製造の厳しい要求条件のため、均一な溶
液が必要であり、オルガノシランの水に対する溶解性に
は限度があるため、通常は水と完全に相溶性があり、処
理が容易なアルコールを使用することにより、系の溶解
性が確保される。

溶液には他の材料、たとえばアセトン等のケトン類、酢
酸エチル等のエステル類、ジグリムすなわちビス（２−
メトキシエチル）エーテル、（ＣＨ３−０−ＣＨ２−Ｃ
Ｈ２）、０等のエーテル類を添加することもできる。こ
れらの材料は、ぬれ性を改善する作用を有する。市販の
有用な材料にＡｒｃｏｓｏｌｖｅ　−ＰＭＡ　（Ａｔｌ
ａｎｔｉｃ　Ｒｉｃｈｆｉｅｌｄ　Ｃｏ、の一部門であ
るＡＲＣＯＣｈｅｍｉｃａｌ　Ｃｏ、のアルキルアセテ
ートの商品名）がある。

前述のように、オルガノシランのアルコキシシラン官能
基は、少なくとも部分的に加水分解されて、この発明の
シラノール官能基を生成する。この目的は、付着性促進
剤中に十分なシラノール官能基を存在させ、基板中のシ
ラノール官能基と共働させて、付着性促進剤中のシラノ
ール原子団を゛′拘束″させ、基板との共働を助けない
付着性促進剤中のシラノール基どうしの不必要な反応を
起こすことなく、良好な付着を確実にすることである。

現在の分析方法では、必要なシラノール基の正確な数を
定量することはできないが、良好な結果を得る方法を見
出した。これらは、受は入れられるか受は入れられない
かを当業者が容易に判断して変更することができる。

本発明者らは最近″自然″′エージング、または、“′
触媒化″エージング（加水分解）を使用している。

これらはいずれも完全に受入れられるものである。

オルガノシラン溶液は、アルコキシシラン官能基を加水
分解してシラノール官能基にする以前に″自然に″エー
ジングされることができる。

本発明者らは、たとえば室温で８ないし１２時間エージ
ングを行えば、アルコキシシラン官能基を必要な程度に
加水分解して、シラノール官能基を生成させるには十分
であることを見出した。

プラスチック製のびんに入れた、オルガノシランを水と
アルコールの混合溶媒に溶解した溶液を単に１晩通常の
研究室の周囲条件で放置すれば、適当なシロキサン官能
基を有する１′エージング″した材料が得られる。

しかし、次に説明するように、触媒を用いて急速に加水
分解させることも容易である。

必要であれば、塩基性または酸性触媒を溶液に添加して
、存在するアルコキシシラン基を所要のシロキサン型と
することができる。

塩基性または酸性触媒の典型例には、ジエチルアミン等
のアミン類および酢酸等の酸類がある。

これらの塩基性または酸性触媒は、オルガノシラン中の
不安なアルコキシ官能基を加水分解して、必要なシロキ
サン官能基を生成する。通常、たとえば溶液の全量に対
して約０．０１％程度の少量のアンモニアまたは低級ア
ルキルアミン（たとえばＣ□〜Ｃ４のアルキル基）を使
用したり、アルキルカルボン酸（たとえばギ酸、酢酸、
プロピオン酸等）を使用してｐＨを約５に下げることが
できる。最も好ましいのは酢酸であり、約ｐＨ５で必要
な加水分解を生成する。たとえば、氷酢酸を１〜２滴添
加することにより、室温で約１０分で完全に加水分解が
行われると考えられる。同様にして、溶液の全重量に対
して約０．０１％程度の塩基性材料を添加しても、約１
０分でアルコキシシランを加水分解する。

当業者にとっては触媒を使用するか使用しない＝２２− か、温度、その他の条件により、上記の方法を大幅に変
更することができる。

一般に、オルガノシラン溶液は単に適当な成分を普通の
方法で混合するだけで調製される。たとえば、必要量の
オルガノシランを室温で溶媒系に添加した後、均一な溶
液を得るために攪拌することにより得られる。室温より
温度を高く、または低くしてはならない理由はないが、
その必要はないと考えられる。均一な溶液が得られれば
、攪拌の程度は重要ではない。

必要があれば、オルガノシラン溶液は使用前に濾過して
もよい。市販の材料を購入した場合は、一般に有害物質
を除去するために０．２ミクロンのフルオロボア（フッ
素細孔）フィルタで濾過を行う。しかしこれは一般に問
題ではない。

一般には、低級アルコールと水との５０１５０の混合物
に約Ｑ、１％のオルガノシランを溶解し、これを−晩エ
ージングすれば、この発明のコンディショナはいつでも
使用可能となる。

この発明の接着促進剤の使用条件はそれほど厳しくはな
い。一般に、室温および大気圧条件で簡単なタンク浸漬
を用いるか、半導体製造に用いるウェーハの場合は、従
来のウェーハ・スピン・テーブルで塗布することができ
る。付着性促進剤溶液に浸漬する時間はそれほど重要で
はなく、室温の大気圧条件では、接触時間は約２０秒な
いし約１０分とすることができるが、約１ないし約２分
が好ましい。

この発明の機構については完全に解明されていないが、
非極性のシラン付着促進剤により、極性の基板表面の官
能性を非極性の基板の官能性に変換して、基板とフォト
レジストとの間に炭化水素に富んだ境界面を形成する。

コンディショニングした基板とフォトレジストとの間に
ぬれを生じさせた後、得られたコンディショニングした
表面はおそらく成分の相互作用と、コンディショニング
した基板表面とフォトレジストの間の疎水性相互作用に
より、レジストの親和性を保つものと考えられる。

この発明の詳細な説明を行ったが、下記にいくつかの例
について説明する。

倒」、 代表的な例として、通常の窒化シリコンのウェーハ基板
を、濃硝酸（約７０％水溶液）に８５℃で１０分間浸漬
する（通常の処理）。この窒化シリコン基板を脱イオン
水ですすいだ後、メタノールと水の混合溶媒（１：１の
容積比）に０．１％のｎ−ブチルトリメトキシシランを
溶解した溶液（室温で一晩エージンクしたもの）に２分
間浸漬し、イソプロパツールに３０秒間浸漬してすすぐ
。

通常方法で乾燥した後前述のＩｔｏらの特許またはＦｒ
ｅｃｈｔらの文献に記載された種類のスチレンカーボネ
ート処方のレジストを通常方法により、窒化シリコンの
ウェーハに通常の厚み、たとえば約１〜５ミクロンの厚
みにスピン・コーティングし、必要があれば、フォトレ
ジストを塗布したウェーハを、たとえば１００℃で５分
間加熱して、残存する溶媒を除去した後、たとえば約１
９０〜約３００ｎｍのＤＵＶに露出し、再加熱して、た
とえばネガティブ・フォトレジストの場合は、室温でキ
シレンを用いて現像する。

次に通常方法により露出を行い、像パターンの現像を通
常方法により、キシレン等の炭化水素溶媒中で行うと、
後の通常方法による湿式処理中にフォトレジストが基板
からはく離することのない０．５ミクロン範囲の密着し
た像の線が得られる。

Ｉｔｏらの特許に説明されているように、フォトレジス
トを像に従って露出した後、一般に後焼付けを行う。

例２〜５ 参考文献として引用したＩｔｏらの米国特許第４４９１
６２８号明細書の例１〜５の方法を、フォトレジストの
コーティングの前に、この発明の付着性促進剤に接触さ
せる工程を導入する以外は、正確に追従することができ
る（　Ｉ　ｔｏらの例３に用いた石英はもちろんＳｉＣ
２である）。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）非極性オルガノシランの水溶液を含むことを特徴
   とするフォトレジストの付着性促進剤。
2. （２）特許請求の範囲第（１）項において、前記非極性
   オルガノシランは、 Ｒ″＝アルキル基またはアリル基； Ｘ＝アルキル基、アリル基、あるいはＯＹまたはＯＺ； Ｙ＝アルキル基またはアセトキシ基； Ｚ＝アルキル基またはアセトキシ基： であるとしたときに、 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされることを特徴とするフォトレジストの付着性
   促進剤。