JPS62291145A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS62291145A
JPS62291145A JP61136615A JP13661586A JPS62291145A JP S62291145 A JPS62291145 A JP S62291145A JP 61136615 A JP61136615 A JP 61136615A JP 13661586 A JP13661586 A JP 13661586A JP S62291145 A JPS62291145 A JP S62291145A
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silicon layer
bonding pad
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は、多層金属配線構造の半導体装置上に外部と接
続する領域として設けられるボンディングパッド部の構
造に関し、特にボンディングパッド部と内部配線の接続
構造に関する。
〔従来の技術〕
従来この種の多層配線構造の半導体装置では、ボンディ
ングパッドは第２図の断面図に示すような構造となって
いた。すなわち、第２図において、シリコン基板１の上
に絶縁膜２と４が形成され、絶縁膜４の上に、第１層の
アルミ配線３およびアルミ配線３を覆う絶縁膜６が形成
され、絶縁膜６にあけられたスルーホールを通して第１
層のアルミ配線３と接続されたボンディングパッド用の
第２層のアルミ配線７が絶縁膜６の上に形成され、最後
ニバソシベーシヲン膜８で全体を覆った後ボンディング
パッド部に穴をあけ、露出したポンティングバッドにワ
イヤ９をボンデイン′グした後、樹脂（図示せず）封止
されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述の従来のボンディングパッドにおいては、樹脂封止
後に、ボンディングワイヤ９を伝わって外部から浸入し
た水分とパッシベーション膜８が反応してリン酸を作り
、ボンディングパッドのパッシベーション膜から露出し
た部分Ａに腐蝕が起り、ボンディングワイヤ９と内部の
アルミ配線３この間が断線するという欠点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、多層金属配線構造の半導体装置において、外
部と接続するために設けられるボンディングパッド部は
、下層の第１金属配線の上に多結晶シリコン層を介して
局部的に重ねられた第２金属配線層からなシ、かつ、こ
の第２金属配線層は、層間絶縁膜に設けたスルーホール
を通して、前記多結晶シリコン層とは別個に前記第１金
属配線に直接接続されてもいる。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例に係るボンディングパッド部
を示す断面図である。図において、１は半導体シリコン
基板、２，４．６は層間絶縁膜、３は第１金属配線、５
は多結晶シリコン層、７は第２金属配線層、８はパッシ
ベーション膜、９はボンディングワイヤである。この第
１図において、ボンディングパッド部の構造を、第１金
属配線３と第２金属配線層７この配線層間に多結晶シリ
コン層５をはさんだ構造とし、ボンティングパッド部と
下層の第１金輌配線この接続１、多結晶シリコン層を介
した接続の他に、層間絶縁膜４と６を貫通したスルーホ
ールを１０を通した２重の接続構造としている。このよ
うにした結果ボンディングパッド部の金属配線層の総膜
厚が厚くなるため腐蝕に対して強く、また、多結晶シリ
コンは腐蝕されないため、ボンディングワイヤ９の接続
周辺の金属配線層が腐蝕されても多結晶シリコン層によ
シ第１金属配線が延在した内部配線この接続がとれてい
るのでボンディングパッド部と内部配線この間がオープ
ンとなる事がない。また、スルーホールでの金属配線の
段切れ（第１、第２金属配線の接続不良）が生じた場合
でも、多結晶シリコン層によシ内部配線この接続がなさ
れている。
さらに、ボンティング部周辺で金属配線が腐蝕され、か
つスルーホールでの段切れ（第１、第２金属配線の接続
不良）が生じた場合も、前記と同様に、多結晶シリコン
層を介してボンティングパッド部と内部配線この接続が
なされているのでオープンとなることがない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、多層金属配線を有する半
導体装置において、ボンディングパッド部を金属配線層
、多結晶シリコン層、金属配線層とい９ような三層の接
続構造とし、ボンディングパッド部と内部配線この接続
は多結晶シリコン層による接続の他に、スルーホールを
通しても行う事により、万全の耐湿性の向上効果を得て
いる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例半導体装置の樹脂封止前のボ
ンティングパッド部の断面図、第２図は従来の半導体装
置のボンティングパッド部の断面図である。 １・・・シリコン基板、２，４．６・・絶縁膜、３・・
・下層の第１金属配線、５・・・多結晶シリコン層、７
・・・第２金属配線層、８・・パッシベーション膜、９
・・・ボンティングワイヤ、１０・・スルーホール。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 下層の第１金属配線がパッシベーション膜から露出され
    ているボンディングパッドにおいて外部引出しのボンデ
    ィングワイヤと接続された半導体装置において、前記ボ
    ンディングパッドは前記第１金属配線の上に多結晶シリ
    コン層を介して重ねられた第２金属配線層からなり、さ
    らに、この第２金属配線層は前記パッシベーション膜で
    覆われた部分において、層間絶縁膜に設けられたスルー
    ホールを通して前記多結晶シリコン層とは別個に前記第
    １金属配線に接続されていることを特徴とする半導体装
    置。
JP61136615A 1986-06-11 1986-06-11 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0682703B2 (ja)

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JPH0682703B2 JPH0682703B2 (ja) 1994-10-19

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05183006A (ja) * 1992-01-06 1993-07-23 Nec Yamagata Ltd 半導体装置
US5661081A (en) * 1994-09-30 1997-08-26 United Microelectronics Corporation Method of bonding an aluminum wire to an intergrated circuit bond pad

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US5734200A (en) * 1994-09-30 1998-03-31 United Microelectronics Corporation Polycide bonding pad structure

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JPH0682703B2 (ja) 1994-10-19

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