JPS62286278A - ホツトキヤリアトランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明の詳細な説明 本発明はホット多数キャリアにより電流が流れるベース
領域を具えるホットキャリアトランジスタに関するもの
であり、特に単結晶砒化ガリウムで形成した室温作用の
ホットエレクトロントランジスタに関するものであるが
、これに限定されるものではない。

英国特許出願公告（ＧＢ−へ）２０５６１６６号に、一
導電型のホットキャリアにより電流が流れるベース領域
を具えるホットキャリアトランジスタが開示されている
。。障壁形成手段が前記ベース領域と相まってベース−
コレクタ障壁を形成する。反対導電型の不純物がドープ
された工、ミツターベース障壁領域は充分に１くて前記
一導電型のベース領域の一部分と相まって前記一導電型
のホットキャリアをトランジスタの動作中ベース領域に
注入するバルクユニポーラダイオードを構成する。これ
らトランジスタは室温動作用に好適である。

上記のＧＢ−Ａ２０５６１６６号に開示されている１−
ランジスタにおいては、エミッタ−ベース障壁領域が零
バイアス時にエミッタ−ベース障壁部に存在する空乏層
によりその厚さの一部分に亘り空乏化されないようにな
っている。従って、ベース−コレクタ障壁以上の工ふル
ギーを有するホット多数キャリアの供給を（アバランシ
降服、トン不リング又は空乏層バンチスルーにより）得
るのに最小バイアス電圧の印加を必要とし、されは、Ｇ
Ｂ−Ａ２０５６１６６号に記載されているようにトラン
ジスタの収集効率を改善する。本発明は斯るエミッタ−
ベース障壁領域を有するトランジスタに適用し得るが、
ドープエミッタ−ベース障壁領域が零バイアスでその厚
さ全体に亘って略々空乏化される零えば米国特許（ＵＳ
−Ａ）　４１４９１７４号に記載さ乳ているようなトラ
ンジスタにも適用することができる。

これらトランジスタのいくつかの例がＧＢ−Ａ２０５６
１６６号に開示されている。その第３及び第４図のホッ
トエレクトロンデバイス構造では、複数個の自由少数キ
ャリア（正孔）源、例えば障壁領域４の非空乏化Ｐ型部
分、非空乏化Ｐ型ガードリング１１及び障壁領域４のア
バランシ降服の場合に発生する電子−正孔対が存在し得
る。状況によってはこのトランジスタ構造内のこれら自
由少数キャリアがトランジスタの動作中にエミッタ−ベ
ース障壁領域４によりトラ・ンフ゛されることがあり、
エミ・ンターベース障壁領域４内の斯る少数キャリアは
障壁の高さを下げ、容量を増大し、トランジスタの速度
を減少させ得る・。

ＧＢ−６２０５６１６６号の第３図のデバイス構造では
ベース領域２とエミッタ−ベース障壁領域４をともにイ
オン注入により形成し、シリコンデバイス本体の上側主
表面まで延在させ、この主表面においてベース領域２に
、Ｐ型ガードリング１１と隣接する部分でベース接点８
を接触させている。第７図のデバイス構造では、ベース
領域２とエミッタ−ベース障壁領域４をともに適当にド
ープした砒化ガリウムの分子線エピタキシにより形成し
、且つ、砒化ガリウム障壁領域４を接点８を設けるべき
区域からエツチング除去する。砒化ガリウムベース領域
２はエミッタ−ベース障壁領域４及びベース−コレクタ
障壁領域１に比較して極めて高い反対導電型のドーピン
グ濃度を有するが、エツチング処理を領域４が除去され
た後に領域１に達する前に終了するように充分注意する
必要がある。

本発明は、一導電型のホット多数キャリアにより電流が
流れるベース領域と、該ベース領域とベース−コレクタ
障壁を形成する障壁形成手段と、反対導電型の不純物が
ドープされ且つ充分に薄くて動作中に前記一導電型のベ
ース領域の一部分と相まって前記一導電型のホットキャ
リアをベース領域内に注入するバルクユニポーラダイオ
ードを形成するエミッタ−ベース障壁領域とを具えるホ
ットキャリアトランジスタにおいて、前記エミッタ−ベ
ース障壁領域をベース領域の隣接部分とは異なるバンド
ギャップの半導体材料としてヘテロ接合を形成し、前記
エミッタ−ベース障壁領域の前記一導電型ホットキャリ
アに対する障壁高ざが前記反対導電型の不純物と前記ヘ
テロ接合とにより決定されるようにしたことを特徴とす
る。

本発明によるホットキャリアトランジスタにおいてはこ
のようにヘテロ接合を形成するエミッタ−ベース障壁領
域を設けることによりいくつかの利点を得ることができ
る。このエミッタ−ベース障壁領域はベース領域の隣接
部分とヘテロ接合を形成する広バンドギヤツプ材料とし
てエミッタ−ベース障壁領域の障壁高さを増大させるこ
とができる。この場合、エミッタの特性に応じて、ホッ
トキャリアの供給をエミッタからの注入により得るのに
もっと高い最小バイアス電圧の印加が必要になるように
して、これらホットキャリアが注入時にベース領域及び
ヘースーコレクタ領域に対し一層高いエネルギーを有す
るようにしてトランジスタの収集効率の向上を得ること
ができる。このヘテロ接合はベース領域の接続の形成も
用意にする。即ち、異なるバンドギャップ材料のエミッ
タ−ベース障壁領域はベース領域の隣接部分に対し選択
的にエツチングすることができ、斯かる選択エツチング
処理を用いてベース領域の前記の隣接部分の異なるバン
ドギャップ材料を選択的に除去してこの部分にベース領
域と接触するベース接続を設けることができる。更に、
異種材料のバンドギャップ構造を、少数キャリアバンド
エツジに、少数キャリアに対する電位ウェルを減少する
ステップを与えるように選択して障壁領域による少数キ
ャリアのトラッピングを低減させることができる。斯く
して、ホットエレクトロントランジスタに対しては前記
ヘテロ接合における価電子帯のステップは障壁領域内の
価電子帯エツジがベース領域の隣接部分内の価電子帯エ
ツジよりも高い正孔エネルギーに位置するようにするの
が好ましい。

ホットホールトランジスタに対しては障壁領域からベー
ス領域内の低電子エネルギーレヘルへの伝導帯ステップ
が存在するようにするのが好ましい。

尚、　　ｒＪＥＥ　Ｊ　（Ｊｏｕｒｎａｌ　６ｆ　Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎ−Ｊａｐａｎ
）、　１９８５年１０月、ｐｐ３０〜３４の論文“Ｄｅ
ｖｅ　ｌｏｐｍｅｎ　ｔｏｆ　　１ｌｏｔ　　Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ　　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ　　ｓｈｏｗｓ　　
Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ　　ａｓＨｉｇｈ　−５ｐｅｅｄ　
Ｄｅｖｉｃｅ”に、隣接ベース領域より広いバンドギャ
ップの半導体材料のエミッタ−ベース障壁領域が開示さ
れているが、このトランジスタでは反対導電型のドーピ
ングを用いていないためその障壁高さはもっばらヘテロ
接合により決定される。これはエミッタ−ベース障壁領
域とベース−コレクタ障壁領域の双方に対する最大障壁
高さをヘテロ接合における最大伝導帯ステップ（約０．
４ｅＶ）に制限することになり、従ってトランジスタを
リーク電流の低減のために極低温（例えば４０゜に）で
動作させる必要がある。これに対し、本発明によれば障
壁高さの一部分が反対導電型の不純物により決定される
ためトランジスタを高温（例えば室温）動作用に設計す
ることができる。この不純物に対し適度に高いドーピン
グ濃度ルを選択し且つ／又このドープ障壁領域に対し適
度の厚さを選択することにより、本発明トランジスタの
エミッタ−ベース障壁領域の障壁高さを適度に高いべ−
スーコレクタ障壁よりも相当高くしてコレクタ効率を向
上させることができる。

図面につき本発明を説明する。

図は全て略図であり、正しいスケールで示してない。こ
れら図の各部の相対寸法及び寸法比（特に各層の厚さ方
向の寸法について）は明瞭のため適宜拡大したり縮小し
である。また一実施例に用いた符号を他の実施例の対応
する部分にも用いている。第１図の断面図において薄い
空乏化エミッタ−ベース及びヘースーコレクタ障壁領域
には線形を付してない。

第１図は本発明ホットキャリアトランジスタの一例の構
造を示す。このデバイスはホットエレクトロンにより電
流が流れるｎ型ベース領域３を有するホットエレクトロ
ントランジスタである。しかし、本発明はホットエレク
トロンの対応する領域に対し反対導電型の領域を有する
ホットホールトランジスタの構成にも使用し得ること勿
論である。ホットキャリアとは格子と熱平衡状態にない
キャリアのことである。これがため、ホットエレクトロ
ンの平均エネルギーは格子と熱平衡状態にある電子の平
均エネルギーより数Ｋ・Ｔ以上高い（ここでＫ及びＴは
ボルツマン定数及び格子温度である）。室温ではに−Ｔ
は約２５ｍｅＶである。

第１図に示すトランジスタは半導体領域１〜６を含む単
結晶半導体本体を具える。領域４はベース領域３とベー
ス−コレクタ障壁を形成する。ホットキャリア（電、＋
）と反対導電型（Ｐ型）の不純物がドープされたエミッ
タ−ベース障壁領域２は充分に薄クシてｎ型ベース領域
３の一部分と相まってトランジスタの動作中ホット電子
をベース領域３に注入するバルクユニポーラダイオード
を形成する。

本発明においでは（ＧＢ−Ａ　２０５６１６６号の第７
図に示されている類似のホットエレクトロントランジス
タと異なり）エミッタ−ベース障壁領域２をへ一ス領域
３の隣接部分とは異なるハツトギャップの半導体材料で
形成して好ましくは電子に対するエミッタ−ベース障壁
領域２の障壁の高さくｈ）を所望の如く増大するヘテロ
接合２３を形成する。この障壁の増大を第２図にＸとし
て示しである。しかし、領域２内のＰ型不純物により決
まる障壁高さの部分（第２図の（ｈ−Ｘ））の方がヘテ
ロ接合２３により決まる障壁高さの部分（ｘ）より大き
い。

ベースコレクタ障壁領域４はベース領域３と同一のバン
ドギャップの半導体材料で形成して量子力学的反射を減
少させる。ベース−コレクタ障壁領域は、例えばＵＳ−
Ａ　４Ｌ４９１７４号に記載されているタイプのバルク
ユニポーラダイオードにより形成することができる。こ
れがため領域４はベース領域３からｎ型コレクタ５．６
への電子の流れに対する電位障壁の高さを決定する大き
さのｐ型不沌物濃度を有することができる。障壁領域４
は十分に薄くして零バイアスのときにベース領域との空
乏層とコレクタ領域との空乏層が領域４内でつながって
領域４の全域の正孔が零バイアスで略々空乏化されるよ
うにする。斯る零バイースでの空乏化を得るためには、
領域４の厚さ及びドーピングレベルはＵＳ−４４１４９
１７４号に記載されている所定の条件を満足する必要が
あり、同時に障壁の高さを領域４のドーピングレベルに
より決定する必要がある。第１図に示す例では、コレク
タ領域はコレクタ電極を構成する金属層１６を具える高
ドープｎ型基板６上のｎ型エピタキシャル層５を具えて
いる。

エミッタ−ベース障壁領域２は少なくともトランジスタ
の動作中正孔が空乏化されるように十分に薄くする。例
えばＧＢ−Ａ２０５６１６６号に記載されているエミッ
タ−ベース障壁領域のように、零バイアスにおいてその
厚さの一部分が空乏化れれないようにすることができる
。しかし、ＵＳ−Ａ　４１４９１７４号に記載されてい
る障壁領域のように零バイアスでもその厚さ全体が空乏
化されるようるすることもできる。この障壁領域２は、
第１図の例ではベース電極を構成する金属層１３が設け
られた単一の高ドープｎ型半導体領域（ｎ”）であるベ
ース領域３より広いバンドギャップの材料で形成するの
が好適である。第１図に例示する特定の例ではトランジ
スタはエミッタ電極を構成するオーム接点を形成する金
属層１１が設けられたｎ型エミッタ領域１を具えている
。

第１図のトランジスタは例えば単結晶砒化ガリウム基板
上のエピタキシャル層を分子線エピタキシャル成長装置
を用いて成長させて形成することができる。砒化ガリウ
ムの分子線エピタキシにより、ｎ型コレクタ領域層５、
Ｐ型ドープ障壁領域４及びｎ型ベース領域を適当なドー
ピングを用いて順次成長させることができる。次に、Ｐ
型ドープ障壁領域２の分子線エピタキシャル成長中に、
アルミニウムのクヌーセンセルソースヲ付加的に使用し
て砒化ガリウムアルミニウムの混晶の領域２を形成する
ことかできる。次にアルミニウムセルソースを閉じて砒
化ガリウムの最終ｎ型層１を成長させることができる。

上側の２層１及び２をエツチングによりそれらの厚さ全
体に亘って局部的に除去して第１図に領域１及び２に対
し示すようなエミッタメサ構造を残存させ、斯る後に下
側の２層３及び４もそれらの全厚に亘って局部的に除去
して第１図に領域３及び４に対し示すようなベースメサ
構造を残存させる。

領域３及び４に対するメサエッチングの終了は層５が厚
いために臨界的でない。しかし、ベース領域３は比較的
薄いため、エミッタメサ１及び２を形成するエツチング
処理は十分な制御の下で終了させて、露出ベース領域３
が全部エツチングされないようにする必要がある。これ
は、本発明ではエミッタ−ベース障壁領域２をベース領
域３の隣接部分（砒化ガリウム）に対し選択的にエツチ
ングし得る広バンドギャップの材料（砒化ガリウムアル
ミニウム）とすることにより達成される。

砒化ガリウム上の砒化ガリウムアルミニウムの選択エツ
チングに対してはいくつかの選択エッチ液、例えば゛ア
ンモニアの湿式エッチ）容液及び過酸化水素水を用いる
ことができる。次にベース接点１３をベース領域３の隣
接部分の広バンドギヤツプ材料２が除去された区域に設
ける。

第１図のトランジスタは代表的な特定の例では令頁域１
〜５に対し次の厚さ及びドーピング濃度を有するものと
することができる。

ＧａＡｓＳｉ域１：約４００ｎｍ厚 約１０′６シリコン又は錫原子７ｃｍ３ＧａＡＩＡｓ領
域２：約２０ｎｍ厚 約２Ｘ１０＋８へリリウム原子／ｃｍ’ＧａＡｓｊｉｉ
域３　；　約２５ｎｍ厚約５Ｘ１０Ｉ８シリコン原子／
ｃｒｒｉ３ＧａＡｓ領域４：約１５ｎｍ厚 約３Ｘ１０”へリリウム原子／ｃｒｎ３ＧａＡｓ領域５
：約１μｍ厚 約１０′６シリコン又は錫原子／　ｃｍ　３障壁領域２
のＧａＡｌＡｓに対しては約０．４の砒化ガリウムモル
分率を用いることができる。斯る組成の場合、ヘテロ接
合２３における伝導帯ステップにより与えられる障壁高
さの増分Ｘは約０．３５ｅＶ。

ベリリウムドーピングにより与えられる障壁高さくｈ−
ｘ）は約０．６ｅＶで、エミッタ−ベース障壁領域２に
対し約０．９５ｅＶの総合障壁高さくｈ）が得られる。

このホットエレクトトランジスタは室温（３００°Ｋ）
で満足に動作することができる。

第２図にはヘテロ接合２３が価電子帯エツジＥνに及ぼ
す効果も示しである。価電子帯ステップｙは伝導帯ステ
ップＸに対し反対方向でそれより小さい。これがため、
エミッタ−ベース障壁領域２内の価電子帯エツジはベー
ス領域３の隣接部分内の価電子帯エツジよりも高い正札
エネルギー（即ちＹｅＶだけ低い電子エネルギー）位置
にある。　ＧａＡｓベース領域３及びＧａｏ、ｂ　　Ａ
Ｉｏ、４　　Ａｓ障壁領域２の特定の例においてはＸは
約０．３５ｅＶであり、ｙは約０．１５ｅＶである。こ
れがため、電子に対し約０．９５ｅＶの総合障壁高さを
有するこの特定の例においては正札に対する対応するウ
ェルがたったの約０．６　ｅＶであるため、正孔（デバ
イス中の少数キャリア）が所定の障壁高さｈのエミッタ
−ベース障壁領域２内にトラップされ蓄積される傾向が
減少する。

第１及び第２図に示す構成では、空乏化Ｐ型ドープ障壁
領域２は例えばＧａＡｓのｎ型エミッタ領域１ともヘテ
ロ接合１２を形成する。これがため、Ｘは領域２のエミ
ッタ側とベース側の両方で同一になる。しかし、エミッ
タメサ１は広バンドギヤツプ材料、例えば障壁領域２と
同一の砒化ガリウムアルミニウム材料とすることができ
、この場合工ミッタ抵抗が増大する。更に、エミッタ領
域１の材料は上表面に隣接する砒化ガリウムの層から界
面１２における障壁領域２のＡｌＡｓモル分率を有する
砒化ガリウムアルミニウムまでＡｌＡｓモル分率が次第
に変化する勾配組成を有するものとすることもできる。

更に、エミッタ領域ｌはベース領域３と反対導電型（本
例ではＰ型）にすることができると共に十分に低いドー
ピングレベルにしてエミッタ電極１１とショットキー障
壁を形成することができる。また、空乏化Ｐ型ドープ障
壁領域２とエミッタ及びベース領域１及び３との間、及
び空乏化Ｐ型ドープ障壁領域４とベース及びコレクタ領
域３及び５との間に極めて薄い真性層（即ち、アンドー
プ層又は故意にドープされてない層）を介在させること
もできる。ショットキー電極１１を設けるときは半導体
エミッタ領域１を省略することができる。

本発明ホットキャリアトランジスタにはいくつかの他の
ヘテロ接合を第３図に示すように付加することができる
。例えば、広バンドギヤツプ半導体材料５ａ　（例えば
ＧａＡＬＡｓ）をコレクタ領域５，６内に設けて、コレ
クタ領域５，６内のベース−コレクタ障壁領域４の近傍
のホットキャリアを減速する電界を発生するヘテロ接合
Ｓ１を形成することができる。材料５ａのバンドギャッ
プはベース−コレクタ障壁領域４（例えばＧａＡｓ）の
バンドギャップより大きくし、第３図の構成では、ヘテ
ロ接合５１をベース−コレクタ障壁領域からコレクタ領
域の狭バンドギャンブ（例えばＧａＡｓ）の部分５だげ
離間して平行に位置させる。この構成によれば、部分５
内における領域４の最高電位点のすぐ近くに高いコレク
タ電界が維持さてこれによりホット電子が効率よく収集
され、次いでホント電子はヘテロ接合５１における減速
電界により冷却されるため、コレクタ領域内でのイオン
化による電子−正孔対の生成１頃向が城少し、従ってベ
ースーコレクタ障壁領域４内における正孔のトラッピン
グ及び蓄積が減少する。コレクタ領域部分５内に一連の
互いに離間した広いバンドギャップ層５ａを設けてコレ
クタ領域部分５内に一連の減速ヘテロ接合５１を設ける
ことができる。

更に、第３図に示すように、少なくとも１個の金属ベー
ス層３０をベース領域３内に障壁領域４に平行に設けて
ベース抵抗を減少させることができる。ホットキャリア
のベース領域３及び３０の通過を促進するために、金属
ベース層３０は極めて薄くして（例えば約１ｎｍ厚）、
量子力学的なトンネリングが生じ得るようにする。半導
体領域３に対しＧａＡｓを使用する場合には、層３０は
例えばエピタキシャルアルミニウム層とすることができ
る。シリコントランジスタの場合にはケイ化金属を使用
することができる。トランジスタのベースに薄い金属層
３０を組み込んだことにより極めて低いベース抵抗を得
ることができる。半導体材料層３と金属ベース層３０を
交互に配置した構成をベース領域に使用することができ
る。

上述の特定の例ではＰ型ドープ障壁領域２は砒化ガリウ
ムアルミニウムから成り、少くともベース領域はｎ型Ｇ
ａＡｓから成る。しかし、他の種々の材料を使用するこ
とができる。例えばエミッタ及びベース領域１及び３は
アンチモン化ガリウムで形成し、エミッタ−ベース障壁
領域２は砒化ガリウムインジウムで形成することができ
る。本発明トランジスタはシリコンで形成することもで
き、この場合には例えばエミッタ及び障壁領域１及び２
をベース領域２を形成するゲルマニウム−シリコン合金
の単一の結晶層３上にエピタキシャル成長したシリコン
で形成することができる。エミッタ−ベース障壁領域２
の材料のバンドギャップは場合により領域３のバンドギ
ャップと略々間−又は小さくすることができるが、この
場合にはエネルギー軸に沿ってシフトさせて障壁領域２
内の少数キャリアハンドエツジがベース領域３の少数キ
ャリアバンドエツジに対しシフトして少数キャリアのト
ラッピングが゛減少するようにする。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるホントエレクトロントランジスタ
を含む半導体本体の一部分の断面図、第２図は第１図の
トランジスタの能動部における伝導帯エツジＢｅ及び価
電子帯エツジＥｖを示す工ネルギー状態図、 第３図は本発明による別のトランジスタの能動部におけ
る伝導帯エツジＥｃを示すエネルギー状態図である。 ■・・・エミッタ領域 ２・・・異なるバンドギャップ材料のエミッタ−ベース
障壁領域 ３・・・ベース領域　　　　４・・・ベース−コレクタ
領域５．６・・・コレクタ領域　１１・・・エミッタ電
極１３・・・ベース電極　　　　１６・・・コレクタ電
極２３・・・ヘテロ接合　　　　５ａ・・・広バンドギ
ヤツプ材料層５１・・・ヘテロ接合　　　　３０・・・
金属ベース層Ｒ々・２・

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一導電型のホット多数キャリアにより電流が流れる
   ベース領域と、該ベース領域とベース−コレクタ障壁を
   形成する障壁形成手段と、反対導電型の不純物がドープ
   され且つ充分に薄くて動作中に前記一導電型のベース領
   域の一部分と相まって前記一導電型のホットキャリアを
   ベース領域内に注入するバルクユニポーラダイオードを
   形成するエミッタ−ベース障壁領域とを具えるホットキ
   ャリアトランジスタにおいて、前記エミッタ−ベース障
   壁領域をベース領域の隣接部分とは異なるバンドギャッ
   プの半導体材料としてヘテロ接合を形成し、前記エミッ
   タ−ベース障壁領域の前記一導電型ホットキャリアに対
   する障壁高さが前記反対導電型の不純物と前記ヘテロ接
   合とにより決定されるようにしたことを特徴とするホッ
   トキャリアトランジスタ。 ２、ホットエレクトロントランジスタが得られるように
   前記一導電型をｎ型とし、且つ前記ヘテロ接合において
   価電子帯にステップが生じて前記エミッタ−ベース障壁
   領域内の価電子帯エッジがベース領域の前記隣接部分内
   の価電子帯エッジより高い正孔エネルギーに位置するよ
   うにしてあることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載のホットキャリアトランジスタ。 ３、前記エミッタ−ベース障壁領域をベース領域の前記
   隣接部分よりも広いバンドギャップの材料とし、前記ヘ
   テロ接合がエミッタ−ベース障壁領域の障壁高さを増大
   し、且つ前記反対導電型の不純物により決まる障壁高さ
   の部分の方がヘテロ接合により決まる障壁高さの部分よ
   り大きくしてあることを特徴とする特許請求の範囲第１
   又は２項記載のホットキャリアトランジスタ。 ４、前記エミッタ−ベース障壁領域及び該障壁領域に隣
   接するエミッタ領域をともに該障壁領域に隣接するベー
   ス領域の部分より広いバンドギャップの材料で形成して
   あることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のホッ
   トキャリアトランジスタ。 ５、前記エミッタ−ベース障壁領域をベース領域及びエ
   ミッタ領域の両領域の隣接部分よりも広いバンドギャッ
   プの材料で形成してあることを特徴とする特許請求の範
   囲第３項記載のホットキャリアトランジスタ。 ６、エミッタ領域は一導電型であることを特徴とする特
   許請求の範囲第４又は５項記載のホットキャリアトラン
   ジスタ。 ７、前記エミッタ−ベース障壁領域の異なるバンドギャ
   ップの材料をベース領域の隣接部分に対し選択的にエッ
   チングし、且つベース接続をベース領域の隣接部分の前
   記異なるバンドギャップ材料が除去された部分において
   ベース領域に接触させてあることを特徴とする特許請求
   の範囲第１〜６項の何れかに記載のホットキャリアトラ
   ンジスタ。 ８、前記広いバンドギャップの材料は砒化ガリウムアル
   ミニウムとし、ベース領域の少なくとも前記隣接部分を
   砒化ガリウムとしてあることを特徴とする特許請求の範
   囲第２項又は特許請求の範囲第２項に従続する特許請求
   の範囲第３〜７項の何れかに記載のホットキャリアトラ
   ンジスタ。