JPS62285449A - 回路チツプのパツケ−ジ方法 - Google Patents

回路チツプのパツケ−ジ方法

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JPS62285449A
JPS62285449A JP12727886A JP12727886A JPS62285449A JP S62285449 A JPS62285449 A JP S62285449A JP 12727886 A JP12727886 A JP 12727886A JP 12727886 A JP12727886 A JP 12727886A JP S62285449 A JPS62285449 A JP S62285449A
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JP
Japan
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glass
lead frame
substrate
sintered
glass substrate
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JP12727886A
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Hajime Goto
肇 後藤
Takashi Matsuda
松田 髞
Yutaka Tsuchiya
裕 土屋
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Kanagawa Seisakusho KK
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Kanagawa Seisakusho KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 (産業上の利用分野) 本発明は、集積回路(IC,LSI)や固体映像素子(
COD)等の回路チップをリードフレーム上に封止する
パッケージングの方法に関するものである。
(従来の技術) 従来回路チップのパッケージとしては、セラミックスケ
ースをガラス封着して成るもの、あるいは合成樹脂モー
ルディングして成るもの等が知られている。
(発明が解決しようとする問題点) 上記従来の回路チップのパッケージ方法は、何れもその
セラミックスケースの製造あるいはモールディングにつ
いて高度の専門技術を必要とするので、専門業者にその
製作を依頼しなければならず、かなりの製作日数を要す
る上、高価なものとなるという問題点があった。
本発明は、上記従来の問題点を解決し、従来のパッケー
ジ方法に比してはるかに簡単で高度の専門知識を必要と
せず、容易に、かつ安価に実施することができ、従って
多品種の回路チップのパッケージに容易に対応すること
ができるパッケージ方法を提供しようとするものである
(問題点を解決するための手段) 上記従来の問題点を解決するため、本発明においては、
リードフレーム1と略等しい熱膨張係数を有するガラス
基板2上にそれと略等しい熱膨張係数を有する低融点ガ
ラスペースト4を塗布して仮焼結した後、この焼結ガラ
ス5面上にリードフレーム1を重ね、再び加熱して前記
焼結ガラス5にてガラス基板2上にリードフレーム1を
溶着し、次いでこのリードフレーム1上に回路チップ6
を載置して配線し、これとは別に前記ガラス基板2と同
特性のカバーガラス3の接合面3aに前記同様の低融点
ガラスペースト7を塗布して仮焼結し、この焼結ガラス
8を前記ガラス基板2及びリードフレーム1に当接させ
るように前記カバーガラス3をガラス基板2と突合せた
状態で加熱し、カバーガラス3とリードフレーム1及び
ガラス基板2を溶着する方法を採用した。
(作用) 本発明の方法においては1例えば容易に入手可能な通常
の窓ガラス用の板ガラスを所定形状に切断し、必要なら
ば加熱プレス成形等の加工を施してガラス基板2及びカ
バーガラス3を形成することができ、この間に特に高度
の専門技術を必要としない。そして、ガラス基板2、リ
ードフレーム1、カバーガラス3及び低融点ガラスペー
スト4゜7の素材ガラスは、全て略等しい熱膨張係数を
有するものであるから、熱処理過程においてクラック等
が生じるおそれがなく、溶融した低融点ガラスペースト
4,7により互いに確実に封着され、内部に集積回路や
固体映像素子等の回路チップ6が封入される。
(実施例) 本発明の一実施例を第1図乃至第10図に示す。
第1図は本発明の方法により完成されたパッケージの断
面図、第2図はガラス基板の断面図、第3図はガラスペ
ースト仮焼結後のガラス基板の断面図、第4図はガラス
基板とリードフレームの組合せ状態を示す斜視図、第5
図はガラス基板とリードフレームとの溶着状態を示す断
面図、第6図はカバーガラスの成形工程を示す断面図、
第7図はカバーガラスにガラスペーストを塗布した状態
の断面図、第8図はガラスペースト仮焼結後のカバーガ
ラスの断面図、第9図はガラス基板、リードフレーム、
カバーガラスの組合せ状態を示す斜視図である。
第1図において、1はコ字状に折り曲げられたリードフ
レームで、プレスまたはエツチングにより成形され、必
要部分にニッケルメッキ、銀メッキ、金メッキ等が施さ
れている。2はガラス基板で、リードフレーム1の両側
端子片1a、laに内接する幅をもち、またリードフレ
ーム1と略同等の熱膨張係数を有する。3はカバーガラ
スで、ガラス基板2と同材質のものである。5,8は、
リードフレーム1、ガラス基板2、カバーガラス3の三
者を封着する焼結ガラスである。
次にこのパッケージの形成工程を説明する。
先ず、第2図に示すように、ガラス基板2の上面にガラ
スペースト4を塗布する。このガラス基板2は、例えば
ソーダライム系で、市販の窓用板ガラスと同等のもので
あり、ガラスペースト4は。
ガラス基板2と略同等の熱膨張係数を有する低融点のガ
ラス粉末(PbO,B、○、を主成分とする鉛ガラスと
称されるもの)とバインダとを混合して成る。
しかる後、このガラス基板2を炉内で加熱してガラスペ
ースト3を仮焼結させる。この仮焼結工程は、例えば、
330℃まで毎分7℃〜1o℃、330℃から410”
Cまで毎分4℃の温度上昇率で加熱して10分間保持し
た後、毎分50℃〜1oO℃の温度降下率で冷却するよ
うに実施する。
こうしてガラス基板2上には、第3図の如く焼結ガラス
5が仮溶着される。
次に、第4,5図に示すように、上記ガラス基板2の焼
結ガラス5上にリードフレーム1を重ね、再び炉内にて
加熱して焼結ガラス5を溶融させ、ガラス基板2上にリ
ードフレーム1を溶着する。
この溶着工程は、例えば、460’Cまで毎分5゜℃〜
100”Cの温度上昇率で加熱して10分間保持した後
、毎分20℃〜40℃の温度降下率で冷却するように実
施する。
次に、第9図に示すように、リードフレーム1上に集積
回路(IC,LSI)や固体映像素子(CCD)等の回
路チップ6を載置してワイヤボンディングする。
これとは別に、第6図に示すように、ガラス基板2と同
特性のカバーガラス3を加熱して型D1゜D2にて矩形
皿状に成形する。
次いで、第7図に示すように、カバーガラス3の周縁接
合面3aに前記同様の低融点ガラスペースト7を塗布し
、前記同様に炉内で加熱してガラスペースト7を仮焼結
させる。こうしてガラス基板2上には第8図に示す如く
焼結ガラス8が仮溶着される。
次いで、第9図に示すように、カバーガラス3をガラス
基板2上に被せ、接合面3aの焼結ガラス8をガラス基
板2及びリードフレーム1に当接させるように配置した
状態で再び炉内にて加熱して焼結ガラス8を溶融させ、
カバーガラス3をガラス基板2とリードフレーム1に溶
着する。この溶着工程は、前記同様1例えば、460’
Cまで毎分50℃〜100℃の温度上昇率で加熱して1
0分間保持した後、毎分20’C〜40℃の温度降下率
で冷却するように実施する。
なお、本発明は図示の実施例に限定されるものではなく
、例えばガラス基板2.カバーガラス3の形状は収容す
る回路チップ6の形状1機能等に応じて適宜変更される
べきものであり、また1回路チップ6が光を嫌うもので
ある場合には、ガラス基板2、カバーガラス3の素材と
してすりガラス、あるいは着色ガラス等の遮光性のある
ガラスを用いることができる。
(発明の効果) 以上のように、本発明においては、リードフレーム1と
略等しい熱膨張係数を有するガラス基板2上にそれと略
等しい熱膨張係数を有する低融点ガラスペースト4を塗
布して仮焼結した後、この焼結ガラス5面上にリードフ
レーム1を重ね、再び加熱して前記焼結ガラス5にてガ
ラス基板2上にリードフレーム1を溶着し、次いでこの
リードフレーム1上に回路チップ6を載置して配線し。
これとは別に前記ガラス基板2と同特性のカバーガラス
3の接合面3aに前記同様の低融点ガラスペースト7を
塗布して仮焼結し、この焼結ガラス8を前記ガラス基板
2及びリードフレーム1に当接させるように前記カバー
ガラス3をガラス基板2と突合せた状態で加熱し、カバ
ーガラス3とリードフレーム1及びガラス基板2を溶着
する方法を採用したため、従来のセラミックス、プラス
チックによるパッケージ方法に比してはるかに技術的に
簡単で、高度の専門知識を必要とせず、材料の入手も容
易で、安価に実施することができ、従って多品種の回路
チップのパッケージに容易に対応することができるパッ
ケージ方法を提供することができるという効果を有する
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の一実施例を示すもので、第1図は本発明
の方法により完成されたパッケージの断面図、第2図は
ガラス基板の断面図、第3図はガラスペースト仮焼結後
のガラス基板の断面図、第4図はガラス基板とリードフ
レームの組合せ状態を示す斜視図、第5図はガラス基板
とリードフレームとの溶着状態を示す断面図、第6図は
カバーガラスの成形工程を示す断面図、第7図はカバー
ガラスにガラスペーストを塗布した状態の断面図。 第8図はガラスペースト仮焼結後のカバーガラスの断面
図、第9図はガラス基板、リードフレーム。 カバーガラスの組合せ状態を示す斜視図である。 1・・・リードフレーム、2・・・ガラス基板。 3・・・カバーガラス、3a・・・接合面、4・・・ガ
ラスペースト、5・・・焼結ガラス、6・・・回路チッ
プ、7・・・ガラスペースト、8・・・焼結ガラス。 特許出願人   株式会社神奈川製作所1・・・・リー
ドフレーム 2・・・ガラス基板 3・・・カバーガラス 3a ・・接合面 4・・・・ガラスペースト 5 ・・・焼く古ガラス ら・・・・同格チップ 7・ ・ガラスペースト 8・・・・焼詰ガラス 第1図 第2図 第3図 ら 第4図 第5図 第6図 1r

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  リードフレームと略等しい熱膨張係数を有するガラス
    基板上にそれと略等しい熱膨張係数を有する低融点ガラ
    スペーストを塗布して仮焼結した後、この焼結ガラス面
    上にリードフレームを重ね、再び加熱して前記焼結ガラ
    スにてガラス基板上にリードフレームを溶着し、次いで
    このリードフレーム上に回路チップを載置して配線し、
    これとは別に前記ガラス基板と同特性のカバーガラスの
    接合面に前記同様の低融点ガラスペーストを塗布して仮
    焼結し、この焼結ガラスを前記ガラス基板及びリードフ
    レームに当接させるように前記カバーガラスをガラス基
    板と突合せた状態で加熱し、カバーガラスとリードフレ
    ーム及びガラス基板を溶着したことを特徴とする回路チ
    ップのパッケージ方法。
JP12727886A 1986-06-03 1986-06-03 回路チツプのパツケ−ジ方法 Granted JPS62285449A (ja)

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JP12727886A JPS62285449A (ja) 1986-06-03 1986-06-03 回路チツプのパツケ−ジ方法

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JPS62285449A true JPS62285449A (ja) 1987-12-11
JPH0376025B2 JPH0376025B2 (ja) 1991-12-04

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02113564A (ja) * 1988-10-24 1990-04-25 Tokyo Denpa Kk 混成icパッケージとその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH02113564A (ja) * 1988-10-24 1990-04-25 Tokyo Denpa Kk 混成icパッケージとその製造方法

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JPH0376025B2 (ja) 1991-12-04

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