JPH09186260A - 電子部品パッケージ用セラミックリッド基板及びセラミックリッド - Google Patents
電子部品パッケージ用セラミックリッド基板及びセラミックリッドInfo
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- JPH09186260A JPH09186260A JP35308795A JP35308795A JPH09186260A JP H09186260 A JPH09186260 A JP H09186260A JP 35308795 A JP35308795 A JP 35308795A JP 35308795 A JP35308795 A JP 35308795A JP H09186260 A JPH09186260 A JP H09186260A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミック基板の一主面にメタライズ層を形
成してシールド性を保持したリッド基板及びリッドで、
ハンダダムを設けない。 【解決手段】 セラミック基板２のハンダ封止部をなす
外周寄り部位に外周寄りメタライズ層４を形成する。外
周寄りメタライズ層４に包囲された内寄り部位に微小な
間隙ｋを保持して、内寄りメライズ層６を形成する。外
周寄りメタライズ層４と内寄りメタライズ層６とを微小
な幅の接続用メタライズ部７で接続する。外周寄りメタ
ライズ層４にハンダペーストを印刷、リフローして封止
用ハンダＨを形成する。この際、間隙ｋがあるため、ハ
ンダダムがなくても溶融ハンダは内寄りメタライズ層６
に濡れ広がらない。パッケージの封止時にも同様であ
る。
成してシールド性を保持したリッド基板及びリッドで、
ハンダダムを設けない。 【解決手段】 セラミック基板２のハンダ封止部をなす
外周寄り部位に外周寄りメタライズ層４を形成する。外
周寄りメタライズ層４に包囲された内寄り部位に微小な
間隙ｋを保持して、内寄りメライズ層６を形成する。外
周寄りメタライズ層４と内寄りメタライズ層６とを微小
な幅の接続用メタライズ部７で接続する。外周寄りメタ
ライズ層４にハンダペーストを印刷、リフローして封止
用ハンダＨを形成する。この際、間隙ｋがあるため、ハ
ンダダムがなくても溶融ハンダは内寄りメタライズ層６
に濡れ広がらない。パッケージの封止時にも同様であ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品パッケー
ジ用セラミックリッド基板及びセラミックリッドに関
し、詳しくは、水晶振動子、ＳＡＷフィルタ、トランジ
スタ、ＩＣ等の電子部品を封止するパッケージに用いら
れる、セラミックリッド基板（以下、単にリッド基板と
もいう）及びセラミックリッド（以下、単にリッドとも
いう）に関する。
ジ用セラミックリッド基板及びセラミックリッドに関
し、詳しくは、水晶振動子、ＳＡＷフィルタ、トランジ
スタ、ＩＣ等の電子部品を封止するパッケージに用いら
れる、セラミックリッド基板（以下、単にリッド基板と
もいう）及びセラミックリッド（以下、単にリッドとも
いう）に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミックリッド基板及びセラミックリ
ッドにシールド性をもたせるためには、セラミック基板
（以下、単に基板ともいう）の封止面側の一主面の略全
面にメタライズ層を形成する必要がある。しかし、この
ようにメタライズ層を形成すると、リッド基板のハンダ
封止部（封止用ハンダの形成される部位若しくは封止時
のハンダのぬれ面）をなすメタライズ層の外周寄り部位
（周縁面）に、封止用ハンダをハンダペーストを印刷し
てリフローすることにより形成する際や、同ハンダを形
成したリッドをパッケージ本体に被せて封止する際に、
溶融したハンダがリッドの内寄り部位（内側面）に流れ
（濡れ広がり）、封止に必要なハンダが不足して気密性
の低下を招いたり、一部のハンダがボンディングワイヤ
に接したり、パッケージ内のＩＣ上部に垂れ落ちたりす
るなどの重大な欠陥が発生しやすいといった問題があっ
た。
ッドにシールド性をもたせるためには、セラミック基板
（以下、単に基板ともいう）の封止面側の一主面の略全
面にメタライズ層を形成する必要がある。しかし、この
ようにメタライズ層を形成すると、リッド基板のハンダ
封止部（封止用ハンダの形成される部位若しくは封止時
のハンダのぬれ面）をなすメタライズ層の外周寄り部位
（周縁面）に、封止用ハンダをハンダペーストを印刷し
てリフローすることにより形成する際や、同ハンダを形
成したリッドをパッケージ本体に被せて封止する際に、
溶融したハンダがリッドの内寄り部位（内側面）に流れ
（濡れ広がり）、封止に必要なハンダが不足して気密性
の低下を招いたり、一部のハンダがボンディングワイヤ
に接したり、パッケージ内のＩＣ上部に垂れ落ちたりす
るなどの重大な欠陥が発生しやすいといった問題があっ
た。
【０００３】こうした問題を解消したセラミックリッド
として、図１２に示したようなものが知られている。こ
のリッド１０１は、セラミック基板１０２の一主面の全
面にメタライズ層１０３を形成してリッド基板１０４と
し、そのメタライズ層１０３の上であって封止用ハンダ
Ｈの形成される部位（エリア）より内寄り部位の全面に
（若しくは封止用ハンダの形成される部位の内周縁に沿
って）ガラス等の絶縁材を印刷、焼付けしてハンダダム
１０５を形成し、溶融ハンダの内寄り部位への濡れ広が
りを防止するようにしたものである。
として、図１２に示したようなものが知られている。こ
のリッド１０１は、セラミック基板１０２の一主面の全
面にメタライズ層１０３を形成してリッド基板１０４と
し、そのメタライズ層１０３の上であって封止用ハンダ
Ｈの形成される部位（エリア）より内寄り部位の全面に
（若しくは封止用ハンダの形成される部位の内周縁に沿
って）ガラス等の絶縁材を印刷、焼付けしてハンダダム
１０５を形成し、溶融ハンダの内寄り部位への濡れ広が
りを防止するようにしたものである。
【０００４】そして、このようなリッド１０１は、アル
ミナ粉末を主成分としてプレス成形したセラミック基板
を焼成した後、封止用ハンダの形成される部位を含む基
板１０２の全面に、メタライズ層としてＡｇ−Ｐｔペー
スト等を印刷、焼成（焼付け）してリッド基板１０４を
製造し、その後、ハンダダム１０５をなすガラス等を印
刷して焼成することにより形成されていた。また、この
リッド基板１０４に封止用ハンダＨを形成する場合に
は、上記したようなリフロー法などによってそれを形成
するというのが一般であった。
ミナ粉末を主成分としてプレス成形したセラミック基板
を焼成した後、封止用ハンダの形成される部位を含む基
板１０２の全面に、メタライズ層としてＡｇ−Ｐｔペー
スト等を印刷、焼成（焼付け）してリッド基板１０４を
製造し、その後、ハンダダム１０５をなすガラス等を印
刷して焼成することにより形成されていた。また、この
リッド基板１０４に封止用ハンダＨを形成する場合に
は、上記したようなリフロー法などによってそれを形成
するというのが一般であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のセ
ラミックリッド１０１にシールド性を持たせるために
は、セラミック基板１０２にメタライズ層１０３を設け
てなるリッド基板１０４に、溶融ハンダのその内側寄り
部位への濡れ広がりを防止するためのハンダダム１０５
を形成する必要があった。そして、その場合には、ガラ
スペースト等を所定のパターンで１〜２回スクリーン印
刷し、その後焼き付けする工程を要することから、ハン
ダダム１０５を形成しないリッドに比較すると極めて製
造手間がかかり、製造コストがかさむといった問題があ
った。
ラミックリッド１０１にシールド性を持たせるために
は、セラミック基板１０２にメタライズ層１０３を設け
てなるリッド基板１０４に、溶融ハンダのその内側寄り
部位への濡れ広がりを防止するためのハンダダム１０５
を形成する必要があった。そして、その場合には、ガラ
スペースト等を所定のパターンで１〜２回スクリーン印
刷し、その後焼き付けする工程を要することから、ハン
ダダム１０５を形成しないリッドに比較すると極めて製
造手間がかかり、製造コストがかさむといった問題があ
った。
【０００６】本発明は、メタライズ層を設けることによ
ってシールド性を保持したリッド基板及びリッドであり
ながら、ハンダダムを不要としたものを提供することを
その目的とする。
ってシールド性を保持したリッド基板及びリッドであり
ながら、ハンダダムを不要としたものを提供することを
その目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、セラミック基板の一主面にメタライズ層
が形成された電子部品パッケージ用セラミックリッド基
板であって、該メタライズ層は、ハンダ封止部をなす外
周寄り部位及び該外周寄り部位に包囲された内寄り部位
に該外周寄り部位との間に間隙を保持して形成されてい
ると共に、該間隙に、前記外周寄り部位に形成された外
周寄りメタライズ層と前記内寄り部位に形成された内寄
りメタライズ層とを接続する少なくとも１つの接続用メ
タライズ部を備えていることを特徴とする。
め、本発明は、セラミック基板の一主面にメタライズ層
が形成された電子部品パッケージ用セラミックリッド基
板であって、該メタライズ層は、ハンダ封止部をなす外
周寄り部位及び該外周寄り部位に包囲された内寄り部位
に該外周寄り部位との間に間隙を保持して形成されてい
ると共に、該間隙に、前記外周寄り部位に形成された外
周寄りメタライズ層と前記内寄り部位に形成された内寄
りメタライズ層とを接続する少なくとも１つの接続用メ
タライズ部を備えていることを特徴とする。
【０００８】このものでは、外周寄りメタライズ層と内
寄りメタライズ層は接続用メタライズ部により相互に接
続されていることから、シールド性が保持されている一
方、外周寄りメタライズ層と内寄りメタライズ層との間
にハンダに濡れない間隙があることから、例えば外周寄
りメタライズ層に封止用ハンダを形成する際、そのメタ
ライズ層にハンダペーストを印刷してリフローしても溶
融ハンダが内寄りメタライズ層に濡れ広がることが防止
される。なお接続用メタライズ部は、その幅が狭い（細
い）方が好ましい。接続用メタライズ部にはハンダが濡
れ広がるが、狭いほどその量も濡れ広がる範囲や距離も
小さくなり、その濡れ広がりによる問題が少なくなるか
らである。
寄りメタライズ層は接続用メタライズ部により相互に接
続されていることから、シールド性が保持されている一
方、外周寄りメタライズ層と内寄りメタライズ層との間
にハンダに濡れない間隙があることから、例えば外周寄
りメタライズ層に封止用ハンダを形成する際、そのメタ
ライズ層にハンダペーストを印刷してリフローしても溶
融ハンダが内寄りメタライズ層に濡れ広がることが防止
される。なお接続用メタライズ部は、その幅が狭い（細
い）方が好ましい。接続用メタライズ部にはハンダが濡
れ広がるが、狭いほどその量も濡れ広がる範囲や距離も
小さくなり、その濡れ広がりによる問題が少なくなるか
らである。
【０００９】また、前記間隙は、シールド性の保持のた
めにはなるべく狭くするのが好ましいが、外周寄りメタ
ライズ層に封止用ハンダを形成する際、或いは封止用ハ
ンダを形成したリッドをパッケージ本体に被せて封止す
る際において、その封止用（溶融）ハンダが外周寄りメ
タライズ層から内寄りメタライズ層に濡れ広がったり、
ブリッジとなったりしない程度の間隔を確保して設計す
ればよい。封止されるパッケージ本体の対向する封止層
の幅にもよるが、外周寄りメタライズ層の幅の１／３〜
２／３程度が適切である。
めにはなるべく狭くするのが好ましいが、外周寄りメタ
ライズ層に封止用ハンダを形成する際、或いは封止用ハ
ンダを形成したリッドをパッケージ本体に被せて封止す
る際において、その封止用（溶融）ハンダが外周寄りメ
タライズ層から内寄りメタライズ層に濡れ広がったり、
ブリッジとなったりしない程度の間隔を確保して設計す
ればよい。封止されるパッケージ本体の対向する封止層
の幅にもよるが、外周寄りメタライズ層の幅の１／３〜
２／３程度が適切である。
【００１０】そして、接続用メタライズ部は、外周寄り
メタライズ層と内寄りメタライズ層との間の電気的導通
を確保する部位であるから最低１か所必要であるが、上
記したように、溶融ハンダが内寄りメタライズ層へ流れ
る道となるのでその幅は溶融ハンダが濡れ広がりにくい
ようになるべく狭くする一方、適宜のピッチで複数設け
るとよい。また、前記間隙のうち、接続用メタライズ部
の両外側に沿う部位の間隙は、該両外側に沿う部位以外
の間隙より広くしておくとよい。このように広くしてお
くと、その分接続用メタライズ部が細長くなり、溶融ハ
ンダが内寄りメタライズ層に濡れ広がりにくくなるから
である。
メタライズ層と内寄りメタライズ層との間の電気的導通
を確保する部位であるから最低１か所必要であるが、上
記したように、溶融ハンダが内寄りメタライズ層へ流れ
る道となるのでその幅は溶融ハンダが濡れ広がりにくい
ようになるべく狭くする一方、適宜のピッチで複数設け
るとよい。また、前記間隙のうち、接続用メタライズ部
の両外側に沿う部位の間隙は、該両外側に沿う部位以外
の間隙より広くしておくとよい。このように広くしてお
くと、その分接続用メタライズ部が細長くなり、溶融ハ
ンダが内寄りメタライズ層に濡れ広がりにくくなるから
である。
【００１１】さらに前記メタライズ層は、メタライズペ
ーストを印刷、焼成することで形成する場合には、Ａｇ
−Ｐｔ合金若しくはＡｇ−Ｐｄ合金等のＡｇ系合金又は
Ａｇによって形成するのが好ましい。メタライズ層の上
に鍍金等を施さなくとも直接封止用ハンダを形成でき、
しかも安価だからである。
ーストを印刷、焼成することで形成する場合には、Ａｇ
−Ｐｔ合金若しくはＡｇ−Ｐｄ合金等のＡｇ系合金又は
Ａｇによって形成するのが好ましい。メタライズ層の上
に鍍金等を施さなくとも直接封止用ハンダを形成でき、
しかも安価だからである。
【００１２】そして、このようなセラミックリッド基板
の外周寄りメタライズ層に封止用ハンダを形成したもの
は、パッケージ本体に被せて封止するときに、リッドの
内寄りメタライズ層にハンダが濡れ広がらず、したがっ
て、封止に預かるハンダが少なくならないので気密性が
低下することもなく、またパッケージの内部のＩＣ上部
などにハンダが垂れ落ちることもない。
の外周寄りメタライズ層に封止用ハンダを形成したもの
は、パッケージ本体に被せて封止するときに、リッドの
内寄りメタライズ層にハンダが濡れ広がらず、したがっ
て、封止に預かるハンダが少なくならないので気密性が
低下することもなく、またパッケージの内部のＩＣ上部
などにハンダが垂れ落ちることもない。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
〜４を参照しながら説明する。図中１は本例のリッド基
板であって、所定厚さで略矩形板状をなすセラミック基
板２の一主面（図１手前、図３上）に、図１に示したパ
ターンで、後焼成によりＡｇ−Ｐｔペースト等がスクリ
ーン印刷、焼成（焼付け）され、所定の厚さのメタライ
ズ層をなしている。これにより、電子部品用パッケージ
に封着したときに金属製リッドと同様にシールド性が保
持される。なお、セラミック基板２はアルミナ粉末を主
成分としてプレス成形したものを焼成して製造したもの
である。
〜４を参照しながら説明する。図中１は本例のリッド基
板であって、所定厚さで略矩形板状をなすセラミック基
板２の一主面（図１手前、図３上）に、図１に示したパ
ターンで、後焼成によりＡｇ−Ｐｔペースト等がスクリ
ーン印刷、焼成（焼付け）され、所定の厚さのメタライ
ズ層をなしている。これにより、電子部品用パッケージ
に封着したときに金属製リッドと同様にシールド性が保
持される。なお、セラミック基板２はアルミナ粉末を主
成分としてプレス成形したものを焼成して製造したもの
である。
【００１４】セラミック基板２の外周縁（四辺）に沿う
外周寄り部位３には、所定の幅Ｗａで外周寄りメタライ
ズ層４が形成されている。そして、この外周寄りメタラ
イズ層４に包囲された内寄り部位５には、外周寄りメタ
ライズ層４との間に微小な間隙ｋを介して内寄りメタラ
イズ層６が形成されている。本例ではこの間隙ｋは、リ
ッド基板１の各辺の中央において、微小な幅Ｗｂの接続
用メタライズ部７で接続されており、それ以外の部位は
基板２のセラミックが露出している。しかして、この外
周寄りメタライズ層４のある部位がハンダ封止部すなわ
ち封止用半田の形成される部位であり、外周寄りメタラ
イズ層４がその下地メタライズをなし、これに後述する
ようにして封止用ハンダが形成される。
外周寄り部位３には、所定の幅Ｗａで外周寄りメタライ
ズ層４が形成されている。そして、この外周寄りメタラ
イズ層４に包囲された内寄り部位５には、外周寄りメタ
ライズ層４との間に微小な間隙ｋを介して内寄りメタラ
イズ層６が形成されている。本例ではこの間隙ｋは、リ
ッド基板１の各辺の中央において、微小な幅Ｗｂの接続
用メタライズ部７で接続されており、それ以外の部位は
基板２のセラミックが露出している。しかして、この外
周寄りメタライズ層４のある部位がハンダ封止部すなわ
ち封止用半田の形成される部位であり、外周寄りメタラ
イズ層４がその下地メタライズをなし、これに後述する
ようにして封止用ハンダが形成される。
【００１５】なお、本例では、外周寄りメタライズ層４
と内寄りメタライズ層６との間隙ｋが、接続用メタライ
ズ部７の両外側に沿って局所的に広げられているため、
接続用メタライズ部７の長さＬが細長く、したがって、
溶融ハンダが外周寄りメタライズ層４から内寄りメタラ
イズ層６に濡れ広がり難くなっている。
と内寄りメタライズ層６との間隙ｋが、接続用メタライ
ズ部７の両外側に沿って局所的に広げられているため、
接続用メタライズ部７の長さＬが細長く、したがって、
溶融ハンダが外周寄りメタライズ層４から内寄りメタラ
イズ層６に濡れ広がり難くなっている。
【００１６】また、外周寄りメタライズ層４と内寄りメ
タライズ層６との間隙ｋは、上記したようにシールド性
の保持のためには、なるべく微小であるのが好ましい
が、封止用ハンダ形成時などに内寄りメタライズ層６に
濡れ広がったり、或いは封止時においてブリッジとなら
ない程度の幅に設計すればよく、外周寄りメタライズ層
４の幅Ｗａの１／３〜２／３の大きさとするのが適切で
ある。本例では、外周寄りメタライズ層４の幅Ｗａが
０．６ｍｍとされ、したがって、ｋは０．２ｍｍ〜０．
４ｍｍの範囲とされている。なお、接続用メタライズ部
７の幅Ｗｂは、シールド性の保持に支障がなく、かつ、
その長さＬの大きさにもよるが、溶融ハンダの濡れ広が
りを防止できる程度の幅に設計すればよい。本例では、
Ｌ０．５ｍｍで、幅Ｗｂを０．５ｍｍとしている。ただ
し溶融ハンダの濡れ広がりを防止するためには、上記し
たように、なるべく狭い方が良い。
タライズ層６との間隙ｋは、上記したようにシールド性
の保持のためには、なるべく微小であるのが好ましい
が、封止用ハンダ形成時などに内寄りメタライズ層６に
濡れ広がったり、或いは封止時においてブリッジとなら
ない程度の幅に設計すればよく、外周寄りメタライズ層
４の幅Ｗａの１／３〜２／３の大きさとするのが適切で
ある。本例では、外周寄りメタライズ層４の幅Ｗａが
０．６ｍｍとされ、したがって、ｋは０．２ｍｍ〜０．
４ｍｍの範囲とされている。なお、接続用メタライズ部
７の幅Ｗｂは、シールド性の保持に支障がなく、かつ、
その長さＬの大きさにもよるが、溶融ハンダの濡れ広が
りを防止できる程度の幅に設計すればよい。本例では、
Ｌ０．５ｍｍで、幅Ｗｂを０．５ｍｍとしている。ただ
し溶融ハンダの濡れ広がりを防止するためには、上記し
たように、なるべく狭い方が良い。
【００１７】このような本例のリッド基板１に封止用ハ
ンダを形成する際には、ハンダ封止部をなす外周寄りメ
タライズ層４に、図４に示したようにハンダペーストＨ
ｐを適数回スクリーン印刷し、そしてリフロー炉（図示
せず）を通せばよい。これよって図５ないし図８に示し
たリッド１１を得ることができる。なお図５ないし図８
は、図１ないし図４のリッド基板１に封止用ハンダＨを
形成した点のみその構成が異なることから、同一部位に
は同一の符号を付すに止める。
ンダを形成する際には、ハンダ封止部をなす外周寄りメ
タライズ層４に、図４に示したようにハンダペーストＨ
ｐを適数回スクリーン印刷し、そしてリフロー炉（図示
せず）を通せばよい。これよって図５ないし図８に示し
たリッド１１を得ることができる。なお図５ないし図８
は、図１ないし図４のリッド基板１に封止用ハンダＨを
形成した点のみその構成が異なることから、同一部位に
は同一の符号を付すに止める。
【００１８】すなわち、外周寄りメタライズ層４に、ハ
ンダペーストＨｐを印刷してリフロー炉を通すと、ハン
ダは溶融して凝固するが、溶融してもそれが濡れない間
隙ｋがあるために内寄りメタライズ層６の部位に濡れ広
がることがない。ただし、接続用メタライズ部７を通っ
て内寄りメタライズ層６に向かって図６中矢印で示した
ように濡れ広がろうとするが、接続用メタライズ部７の
幅Ｗｂが狭いためにその途中で止まる。また仮に、接続
用メタライズ部７を超えて内寄りメタライズ層６に溶融
ハンダのいくらかが濡れ広がったとしても封止等に支障
のない範囲、量に止めることができる。かくして、フラ
ックスを洗浄することにより、ハンダダムを設けること
なくして所望とするシールド性を有するセラミックリッ
ド１１を得ることができるわけである。
ンダペーストＨｐを印刷してリフロー炉を通すと、ハン
ダは溶融して凝固するが、溶融してもそれが濡れない間
隙ｋがあるために内寄りメタライズ層６の部位に濡れ広
がることがない。ただし、接続用メタライズ部７を通っ
て内寄りメタライズ層６に向かって図６中矢印で示した
ように濡れ広がろうとするが、接続用メタライズ部７の
幅Ｗｂが狭いためにその途中で止まる。また仮に、接続
用メタライズ部７を超えて内寄りメタライズ層６に溶融
ハンダのいくらかが濡れ広がったとしても封止等に支障
のない範囲、量に止めることができる。かくして、フラ
ックスを洗浄することにより、ハンダダムを設けること
なくして所望とするシールド性を有するセラミックリッ
ド１１を得ることができるわけである。
【００１９】また、このようにして得られたセラミック
リッド１１を図示しないパッケージ本体に被せて封止す
る際においてハンダＨがリフローされても、前記と同様
の理由から内寄りメタライズ層６に濡れ広がらない。し
たがって、パッケージ本体の内部のボンディングワイヤ
などに溶融ハンダが垂れ落ちるといった不具合の発生が
防止される。
リッド１１を図示しないパッケージ本体に被せて封止す
る際においてハンダＨがリフローされても、前記と同様
の理由から内寄りメタライズ層６に濡れ広がらない。し
たがって、パッケージ本体の内部のボンディングワイヤ
などに溶融ハンダが垂れ落ちるといった不具合の発生が
防止される。
【００２０】なお、図１ないし図４に示したリッド基板
１は、それに封止用ハンダを形成することなく、パッケ
ージ本体を封止する場合にも同様の効果がある。すなわ
ち、ハンダプリフォームと呼ばれる薄板片（ハンダ片）
を、図示しないパッケージ本体とリッド基板１の外周寄
りメタライズ層４との間に、内寄りメタライズ層６に触
れないようにして挟んで、加熱溶融して封止する場合で
ある。この際にも、溶融ハンダは内寄りメタライズ層６
側に濡れ広がらないし、パッケージ本体の内部に溶融ハ
ンダが垂れ落ちるといった不具合の発生もない。
１は、それに封止用ハンダを形成することなく、パッケ
ージ本体を封止する場合にも同様の効果がある。すなわ
ち、ハンダプリフォームと呼ばれる薄板片（ハンダ片）
を、図示しないパッケージ本体とリッド基板１の外周寄
りメタライズ層４との間に、内寄りメタライズ層６に触
れないようにして挟んで、加熱溶融して封止する場合で
ある。この際にも、溶融ハンダは内寄りメタライズ層６
側に濡れ広がらないし、パッケージ本体の内部に溶融ハ
ンダが垂れ落ちるといった不具合の発生もない。
【００２１】さらに、図５に示したセラミックリッド１
１のように、封止用ハンダＨが形成されたものでは次の
ような効果もある。すなわちハンダペーストＨｐを印刷
してリフローする際には、上記したように外周寄りメタ
ライズ層４から間隙ｋの接続用メタライズ部７を通って
若干の溶融ハンダが内寄りメタライズ層６に濡れ広がっ
て凝固することになる。しかし、逆にこの濡れ広がりが
ある分、図６に示したように、この接続用メタライズ部
７に対応する部位の封止用ハンダＨａは図９に示したよ
うにその盛り上がり高さが周囲より低くなる結果、相対
的に凹部１２を形成する。したがって、このようなリッ
ド１１が、パッケージ本体に被されてリフローされる際
には、この凹部１２がパッケージ内外に通じるガスの通
路の役割をなすことから、ハンダの溶融加熱によるパッ
ケージ内のガス圧の上昇によるハンダの飛散を防止する
効果がある。したがって、ハンダの飛散による封止不良
や他の箇所へのハンダの付着による不良が未然に防止さ
れる。
１のように、封止用ハンダＨが形成されたものでは次の
ような効果もある。すなわちハンダペーストＨｐを印刷
してリフローする際には、上記したように外周寄りメタ
ライズ層４から間隙ｋの接続用メタライズ部７を通って
若干の溶融ハンダが内寄りメタライズ層６に濡れ広がっ
て凝固することになる。しかし、逆にこの濡れ広がりが
ある分、図６に示したように、この接続用メタライズ部
７に対応する部位の封止用ハンダＨａは図９に示したよ
うにその盛り上がり高さが周囲より低くなる結果、相対
的に凹部１２を形成する。したがって、このようなリッ
ド１１が、パッケージ本体に被されてリフローされる際
には、この凹部１２がパッケージ内外に通じるガスの通
路の役割をなすことから、ハンダの溶融加熱によるパッ
ケージ内のガス圧の上昇によるハンダの飛散を防止する
効果がある。したがって、ハンダの飛散による封止不良
や他の箇所へのハンダの付着による不良が未然に防止さ
れる。
【００２２】なお、上記例では、リッド基板１やリッド
１１の各辺の中央部に接続用メタライズ部７を設けた
が、本発明においては、その位置はリッドに応じて適宜
の箇所に設ければよい。ただし、上記したように、その
数は導通が確実に保持され、シールド性（効果）に支障
がない範囲であれば１か所でもよいが、なるべく多く設
けるのがシールド性の確実な保持のために好ましい。
１１の各辺の中央部に接続用メタライズ部７を設けた
が、本発明においては、その位置はリッドに応じて適宜
の箇所に設ければよい。ただし、上記したように、その
数は導通が確実に保持され、シールド性（効果）に支障
がない範囲であれば１か所でもよいが、なるべく多く設
けるのがシールド性の確実な保持のために好ましい。
【００２３】因みに、封止用ハンダの材質としては、Ｓ
ｎ−Ｐｂハンダの他Ａｕ−Ｓｎハンダなど、リッドに応
じて適宜のハンダを用いればよい。また、本発明に係る
セラミックリッド基板に設けるメタライズ層は、上記の
ものに限定されるものではなく、また、リッド基板と同
時焼成によっても設けることができる。
ｎ−Ｐｂハンダの他Ａｕ−Ｓｎハンダなど、リッドに応
じて適宜のハンダを用いればよい。また、本発明に係る
セラミックリッド基板に設けるメタライズ層は、上記の
ものに限定されるものではなく、また、リッド基板と同
時焼成によっても設けることができる。
【００２４】さて、次に本発明のリッド基板の実施の形
態の別例を図１０を参照して説明するが、このリッド基
板２１は、前例のもの（図１〜図４）と比較し、外周寄
りメタライズ層４の外周縁４ａがセラミック基板２２の
外周縁２２ａよりも、全周にわたって所定の幅Ｗｃ内側
に位置するように形成した点のみが相違するものである
ため、同一部位には同一の符号を付しその説明を省略
し、相違点のみ説明する。
態の別例を図１０を参照して説明するが、このリッド基
板２１は、前例のもの（図１〜図４）と比較し、外周寄
りメタライズ層４の外周縁４ａがセラミック基板２２の
外周縁２２ａよりも、全周にわたって所定の幅Ｗｃ内側
に位置するように形成した点のみが相違するものである
ため、同一部位には同一の符号を付しその説明を省略
し、相違点のみ説明する。
【００２５】すなわち、図１０の形態例においては、上
記の基本的な作用ないし効果に加えて次のような作用効
果がある。本例では、基板２２の外周縁２２ａから所定
の幅Ｗｃで基板２２のセラミックが露出しているため、
ここ（セラミック）にはハンダが濡れない。したがっ
て、同寸で同じ平面形状をなすパッケージ本体を封止す
る際には、溶融ハンダが外側にはみでることが防止され
る。このため、ハンダのはみ出しによるハンドリングに
おける難点もなく、また、回路基板に実装する場合にお
いて、パッケージの外側（辺）を基準に位置合わせをす
る場合にも精度を出しやすい。さらに、実装工程、或い
はその後においてもハンダが切断や分離されてボール
（小塊）となって脱落する危険が少なくなるので回路基
板の信頼性が向上する。
記の基本的な作用ないし効果に加えて次のような作用効
果がある。本例では、基板２２の外周縁２２ａから所定
の幅Ｗｃで基板２２のセラミックが露出しているため、
ここ（セラミック）にはハンダが濡れない。したがっ
て、同寸で同じ平面形状をなすパッケージ本体を封止す
る際には、溶融ハンダが外側にはみでることが防止され
る。このため、ハンダのはみ出しによるハンドリングに
おける難点もなく、また、回路基板に実装する場合にお
いて、パッケージの外側（辺）を基準に位置合わせをす
る場合にも精度を出しやすい。さらに、実装工程、或い
はその後においてもハンダが切断や分離されてボール
（小塊）となって脱落する危険が少なくなるので回路基
板の信頼性が向上する。
【００２６】さらに、図１１に示したリッド３１は、図
１０のリッド基板２１における外周寄りメタライズ層４
に、封止用ハンダＨを形成した点が相違するのみである
から、同様に上記例と同一部位には同一の符号を付しそ
の説明を省略する。
１０のリッド基板２１における外周寄りメタライズ層４
に、封止用ハンダＨを形成した点が相違するのみである
から、同様に上記例と同一部位には同一の符号を付しそ
の説明を省略する。
【００２７】
【発明の効果】本発明に係るセラミックリッド基板は、
メタライズ層を設けることでシールド性を保持させたも
のでありながら、外周寄りメタライズ層と内寄りメタラ
イズ層との間に間隙があることから、ハンダダムを備え
ることなく、外周寄りメタライズ層に問題なく封止用ハ
ンダを形成することができる。
メタライズ層を設けることでシールド性を保持させたも
のでありながら、外周寄りメタライズ層と内寄りメタラ
イズ層との間に間隙があることから、ハンダダムを備え
ることなく、外周寄りメタライズ層に問題なく封止用ハ
ンダを形成することができる。
【００２８】また、封止用ハンダを形成してなる本発明
に係るリッドによれば、ハンダダムがないものの、パッ
ケージ本体を封止する際にも溶融ハンダは内寄りメタラ
イズ層に濡れ広がらない。すなわち、ハンダダムがない
ものの、封止に必要なハンダの不足が起こらず、したが
って気密性の低下を招いたり、ハンダがパッケージ内の
ＩＣ等に垂れ落ちたりするといった問題を起こさない。
したがって、本発明にかかるリッド基板及びリッドによ
れば、ハンダダム分のガラスやガラスセラミック或いは
ポリイミドを全く要しない分、材料の節減を図ることが
できると同時に製造工程の簡略化が図られるので、コス
トの大幅な低減が図られる。
に係るリッドによれば、ハンダダムがないものの、パッ
ケージ本体を封止する際にも溶融ハンダは内寄りメタラ
イズ層に濡れ広がらない。すなわち、ハンダダムがない
ものの、封止に必要なハンダの不足が起こらず、したが
って気密性の低下を招いたり、ハンダがパッケージ内の
ＩＣ等に垂れ落ちたりするといった問題を起こさない。
したがって、本発明にかかるリッド基板及びリッドによ
れば、ハンダダム分のガラスやガラスセラミック或いは
ポリイミドを全く要しない分、材料の節減を図ることが
できると同時に製造工程の簡略化が図られるので、コス
トの大幅な低減が図られる。
【００２９】さらに、本発明にかかるセラミックリッド
基板に封止用ハンダを形成するには、ハンダペーストを
印刷してリフローすることになるが、その際には、外周
寄りメタライズ層から接続用メタライズ部を通って若干
の溶融ハンダが内寄りメタライズ層に濡れ広がって凝固
することになる。したがって、この濡れ広がりのある
分、接続用メタライズ部に対応する部位の封止用ハンダ
はその盛り上がり高さが低くなり、相対的に凹部をな
す。したがって、このリッドがパッケージ本体に被され
てリフローされる際には、この凹部がガスの通路となる
ことから、加熱によるパッケージ内のガス圧の上昇によ
るハンダの飛散を防止する効果もある。
基板に封止用ハンダを形成するには、ハンダペーストを
印刷してリフローすることになるが、その際には、外周
寄りメタライズ層から接続用メタライズ部を通って若干
の溶融ハンダが内寄りメタライズ層に濡れ広がって凝固
することになる。したがって、この濡れ広がりのある
分、接続用メタライズ部に対応する部位の封止用ハンダ
はその盛り上がり高さが低くなり、相対的に凹部をな
す。したがって、このリッドがパッケージ本体に被され
てリフローされる際には、この凹部がガスの通路となる
ことから、加熱によるパッケージ内のガス圧の上昇によ
るハンダの飛散を防止する効果もある。
【図１】本発明に係るセラミックリッド基板の実施形態
例を封止面側から見た平面図。
例を封止面側から見た平面図。
【図２】図１のＡ部拡大図。
【図３】図１のＢ−Ｂ線拡大断面図。
【図４】図２のＣ−Ｃ線拡大断面図。
【図５】図１のセラミックリッド基板に封止用ハンダを
形成した平面図。
形成した平面図。
【図６】図５のＤ部拡大図。
【図７】図５のＥ−Ｅ線拡大断面図。
【図８】図６のＦ−Ｆ線拡大断面図。
【図９】図６のＧ−Ｇ線断面図。
【図１０】本発明に係るセラミックリッド基板の別の実
施形態例を封止面側から見た平面図。
施形態例を封止面側から見た平面図。
【図１１】図１０のセラミックリッド基板に封止用ハン
ダを形成した平面図。
ダを形成した平面図。
【図１２】従来のシールド性を有するセラミックリッド
の断面図。
の断面図。
１，２１ 電子部品パッケージ用セラミックリッド基板 １１，３１ 電子部品パッケージ用セラミックリッド ２，２２ セラミック基板 ３ 外周寄り部位 ４ 外周寄りメタライズ層 ５ 内寄り部位 ６ 内寄りメタライズ層 ７ 接続用メタライズ部 ｋ 間隙 Ｈ 封止用ハンダ
Claims (5)
- 【請求項１】 セラミック基板の一主面にメタライズ層
が形成された電子部品パッケージ用セラミックリッド基
板であって、該メタライズ層は、ハンダ封止部をなす外
周寄り部位及び該外周寄り部位に包囲された内寄り部位
に該外周寄り部位との間に間隙を保持して形成されてい
ると共に、該間隙に、前記外周寄り部位に形成された外
周寄りメタライズ層と前記内寄り部位に形成された内寄
りメタライズ層とを接続する少なくとも１つの接続用メ
タライズ部を備えていることを特徴とする電子部品パッ
ケージ用セラミックリッド基板。 - 【請求項２】 前記間隙が、前記外周寄りメタライズ層
の幅の１／３〜２／３の大きさであることを特徴とする
請求項１記載の電子部品パッケージ用セラミックリッド
基板。 - 【請求項３】 前記間隙のうち、前記接続用メタライズ
部の両外側に沿う部位の間隙が、該両外側に沿う部位以
外の間隙より広いことを特徴とする請求項１又は２記載
の電子部品パッケージ用セラミックリッド基板。 - 【請求項４】 前記メタライズ層が、Ａｇ−Ｐｔ合金若
しくはＡｇ−Ｐｄ合金等のＡｇ系合金又はＡｇによって
形成されていることを特徴とする請求項１、２又は３記
載の電子部品パッケージ用セラミックリッド基板。 - 【請求項５】 請求項１〜４記載の電子部品パッケージ
用セラミックリッド基板の外周寄りメタライズ層に、封
止用ハンダが形成されてなることを特徴とする電子部品
パッケージ用セラミックリッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35308795A JPH09186260A (ja) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 電子部品パッケージ用セラミックリッド基板及びセラミックリッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35308795A JPH09186260A (ja) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 電子部品パッケージ用セラミックリッド基板及びセラミックリッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09186260A true JPH09186260A (ja) | 1997-07-15 |
Family
ID=18428477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35308795A Pending JPH09186260A (ja) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 電子部品パッケージ用セラミックリッド基板及びセラミックリッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09186260A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113725085A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-11-30 | 深圳技术大学 | 一种封装零件的装配工艺方法和封装零件 |
| CN115302130A (zh) * | 2022-09-01 | 2022-11-08 | 广东省索艺柏科技有限公司 | 一种预成型盖板附着金锡焊环的烧结依附预封装方法 |
-
1995
- 1995-12-29 JP JP35308795A patent/JPH09186260A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113725085A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-11-30 | 深圳技术大学 | 一种封装零件的装配工艺方法和封装零件 |
| CN113725085B (zh) * | 2021-08-31 | 2024-03-29 | 深圳技术大学 | 一种封装零件的装配工艺方法和封装零件 |
| CN115302130A (zh) * | 2022-09-01 | 2022-11-08 | 广东省索艺柏科技有限公司 | 一种预成型盖板附着金锡焊环的烧结依附预封装方法 |
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