JPS62281206A - 電子・電気機器用材料 - Google Patents
電子・電気機器用材料Info
- Publication number
- JPS62281206A JPS62281206A JP12452286A JP12452286A JPS62281206A JP S62281206 A JPS62281206 A JP S62281206A JP 12452286 A JP12452286 A JP 12452286A JP 12452286 A JP12452286 A JP 12452286A JP S62281206 A JPS62281206 A JP S62281206A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- plating
- electronic
- thickness
- plated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 16
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 34
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 7
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 2
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003287 bathing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Contacts (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野)
本発明は電子・電気機器のコネクター、スイッヂ、リレ
ー等の接点ばねや、各種48子、半導体等のリード線等
に用いる電子・電気機器用材filに関するものでおる
。
ー等の接点ばねや、各種48子、半導体等のリード線等
に用いる電子・電気機器用材filに関するものでおる
。
〔従来の技術]
従来Cu、Cu合金、中でもりん青銅(Cu−3n−P
系合金〉は強度、ばね性、耐食性が優れ、古くから電子
・電気機器に用いられている。これ等の用途は何れも電
気的接続を行なうため、電気的接触や半田付(プ等の別
能が要求されている。このため表面に△UやA9をメッ
キしているが、より経済的な実用的処理として3 nヤ
Sn−Pb合金をメッキすることが雫まれている。
系合金〉は強度、ばね性、耐食性が優れ、古くから電子
・電気機器に用いられている。これ等の用途は何れも電
気的接続を行なうため、電気的接触や半田付(プ等の別
能が要求されている。このため表面に△UやA9をメッ
キしているが、より経済的な実用的処理として3 nヤ
Sn−Pb合金をメッキすることが雫まれている。
(発明が解決しようとする問題点)
CuやCu合金に3nや3n−pb金合金メッキすると
、使用中にCuと3nの間で拡散反応が進行し、特にり
ん青銅ではP分の作用にJ:すCUと3nの界面か脆化
し、接合強度を劣化するばかりか、剥離を起J゛ことか
おる。これ(はCIJ33n化合物中にPが濃縮して界
面脆化を起すためでおる。これと類似の現象としてCu
N+系合金、例えばキュプロニッケル、C725(Cu
−9,5%N i−2,3%Sn>、Cu−Ee系合金
、例えばCu−0,15%Fe−0,05%P、 C1
94(Cu−2,4%l:e−0,12%Zn) 、C
u−N i −3i系合金、例えハCu−3,5%Ni
−0,6%S(等でも3n又は3n−Pb合金メッキの
剥離現象がλ口られている。
、使用中にCuと3nの間で拡散反応が進行し、特にり
ん青銅ではP分の作用にJ:すCUと3nの界面か脆化
し、接合強度を劣化するばかりか、剥離を起J゛ことか
おる。これ(はCIJ33n化合物中にPが濃縮して界
面脆化を起すためでおる。これと類似の現象としてCu
N+系合金、例えばキュプロニッケル、C725(Cu
−9,5%N i−2,3%Sn>、Cu−Ee系合金
、例えばCu−0,15%Fe−0,05%P、 C1
94(Cu−2,4%l:e−0,12%Zn) 、C
u−N i −3i系合金、例えハCu−3,5%Ni
−0,6%S(等でも3n又は3n−Pb合金メッキの
剥離現象がλ口られている。
このためCLI又はCu合金からなる基材の表面にNi
のバリヤーメッキを施してからSnやSn−Pb合金を
メッキすることが試みられている。しかしこのバリヤー
メッキには十分な厚さ、例えば0.5〜1μを必要とし
、生産性を阻害する。また硬質のバリヤーメッキは電子
・電気l!器用材料の成形加工性を阻害する。例えばエ
ンボス加工された接点部にマイクロクラックを発生し、
接点障害を起す。
のバリヤーメッキを施してからSnやSn−Pb合金を
メッキすることが試みられている。しかしこのバリヤー
メッキには十分な厚さ、例えば0.5〜1μを必要とし
、生産性を阻害する。また硬質のバリヤーメッキは電子
・電気l!器用材料の成形加工性を阻害する。例えばエ
ンボス加工された接点部にマイクロクラックを発生し、
接点障害を起す。
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、AuやAgにかえ
てSnまたはSn−Pb合金をメッキするも、Qu−3
n拡散生成物の界面脆化による接合強度の劣化や剥離を
起すことのない電子・電気機器用材料を開発したもので
、CuまたはCu合金からなる基材の表面に、Sn又は
Sn−Pb合金の薄メッキの溶融処理層を設け、該処理
層上に3n又はSn−Pb合金をメッキしたことを特徴
とするものでおる。
てSnまたはSn−Pb合金をメッキするも、Qu−3
n拡散生成物の界面脆化による接合強度の劣化や剥離を
起すことのない電子・電気機器用材料を開発したもので
、CuまたはCu合金からなる基材の表面に、Sn又は
Sn−Pb合金の薄メッキの溶融処理層を設け、該処理
層上に3n又はSn−Pb合金をメッキしたことを特徴
とするものでおる。
即ち本発明はCu又はCu合金からなる基材、例えばり
/V青銅からなる基材の表面に、厚ざO15〜2μの薄
いSn又はSn−Pb合金をメッキし、これをメッキ金
屈の融点以上に加熱してメッキ金屈を溶融処理し、その
上に直らに所望の3n又はSn−Pb合金をメッキする
か、又は中間加工や最終成形加工を施してから所望の3
nまたはSn−Pb合金をメッキするものである。
/V青銅からなる基材の表面に、厚ざO15〜2μの薄
いSn又はSn−Pb合金をメッキし、これをメッキ金
屈の融点以上に加熱してメッキ金屈を溶融処理し、その
上に直らに所望の3n又はSn−Pb合金をメッキする
か、又は中間加工や最終成形加工を施してから所望の3
nまたはSn−Pb合金をメッキするものである。
本発明はCu又はCu合金からなる塁村上に厚さ0.5
〜2μの3n又はSn−Pb合金をメッキし、これを溶
融処理することにより、溶融状態で安定緻密なCLJ−
3n拡散化合物を形成し、例えばりん青銅においても経
0.1的に劣化しない信頼性の高い界面化合接合を実現
する。溶融処理するメッキ厚さは、溶融SnまたはSn
−pb金合金粘性流動や表面張力により0.5〜2μに
制約され、より薄いメッキ厚さでは十分な効果が得られ
ず、より厚いメッキ厚さでは溶融処理を均一に施すこと
ができない。
〜2μの3n又はSn−Pb合金をメッキし、これを溶
融処理することにより、溶融状態で安定緻密なCLJ−
3n拡散化合物を形成し、例えばりん青銅においても経
0.1的に劣化しない信頼性の高い界面化合接合を実現
する。溶融処理するメッキ厚さは、溶融SnまたはSn
−pb金合金粘性流動や表面張力により0.5〜2μに
制約され、より薄いメッキ厚さでは十分な効果が得られ
ず、より厚いメッキ厚さでは溶融処理を均一に施すこと
ができない。
次に溶融処理層上に所望の3nまたは3n−Pb合金メ
ッキを施して、電子・電気別器用材料として長期に亘る
電気接触抵抗を安定に保持するには、外部環境による腐
食作用や、コネクター、スイッチ等における摩耗に耐え
得る厚さにメッキする。例えば長期の半田付は性の保持
には2〜3μ以上の厚さにメッキする。本発明の般も有
用な実施形態は、溶融処理したりん青銅基材を中間加工
又は成形加工後に、所望厚さの3nまたはSn−Pb合
金メッキを施すことでおる。
ッキを施して、電子・電気別器用材料として長期に亘る
電気接触抵抗を安定に保持するには、外部環境による腐
食作用や、コネクター、スイッチ等における摩耗に耐え
得る厚さにメッキする。例えば長期の半田付は性の保持
には2〜3μ以上の厚さにメッキする。本発明の般も有
用な実施形態は、溶融処理したりん青銅基材を中間加工
又は成形加工後に、所望厚さの3nまたはSn−Pb合
金メッキを施すことでおる。
単なる3n又はSn−Pb合金メッキに代えて、Snま
たはSn−Pb合金の薄メッキの溶融処理層を設【プ、
その上に所望のSn又は3n−pb合金メッキを施すこ
とにより、界面の剥離防止ができる理由については明ら
かではないが、溶融時、叩ら固・液反応により形成され
る化合物層が、単なるメッキの場合の固相反応と異なっ
た界iTi構造、例えばP分の濃縮のないCU−3n化
合物(′f)’+ε)相を形成するためと考えられる。
たはSn−Pb合金の薄メッキの溶融処理層を設【プ、
その上に所望のSn又は3n−pb合金メッキを施すこ
とにより、界面の剥離防止ができる理由については明ら
かではないが、溶融時、叩ら固・液反応により形成され
る化合物層が、単なるメッキの場合の固相反応と異なっ
た界iTi構造、例えばP分の濃縮のないCU−3n化
合物(′f)’+ε)相を形成するためと考えられる。
以上主としてりん青銅について説明したが、これに限る
ものではなく、Cu又は一般のCu合金についても同様
の作用効果を秦づるものである。
ものではなく、Cu又は一般のCu合金についても同様
の作用効果を秦づるものである。
(実施例)
Cu−6゜1%−〇、11%P合金条(厚さ0.25m
)を常法によりアルカリ脱脂と酸洗を施してから、S
n 304−l−12sO4i谷 (S n
409 / 1 −1−1−+2SO4809/1、
浴温15°C)を用い、電流密度2.5 A/d77j
で0.8μの厚さにSnメッキを施した。これをNGガ
スバーナー加熱により約0.2秒間加熱した後、水冷し
てメッキ層を溶融処理した。
)を常法によりアルカリ脱脂と酸洗を施してから、S
n 304−l−12sO4i谷 (S n
409 / 1 −1−1−+2SO4809/1、
浴温15°C)を用い、電流密度2.5 A/d77j
で0.8μの厚さにSnメッキを施した。これをNGガ
スバーナー加熱により約0.2秒間加熱した後、水冷し
てメッキ層を溶融処理した。
次にt−1ciでl洗後、3n (BF4)2− PB
(BF4 )2 − トIBF、t:谷
[3n(BF、+ >2 Sn709/1l−Pb (
BF4 >2Pb59/、2十FIBF4 100s/
1、浴温15°Cコを用い、電流密度4.5A/dmで
3n−10%Pb合金を約3μの厚さにメッキして本発
明電子・電気機器用材料を製造した。
(BF4 )2 − トIBF、t:谷
[3n(BF、+ >2 Sn709/1l−Pb (
BF4 >2Pb59/、2十FIBF4 100s/
1、浴温15°Cコを用い、電流密度4.5A/dmで
3n−10%Pb合金を約3μの厚さにメッキして本発
明電子・電気機器用材料を製造した。
これについてコネクター接点部を模して先端半径0.4
Mのポンチで1#の高ざに張出し加工し、その特性を下
記比較例と比較した。
Mのポンチで1#の高ざに張出し加工し、その特性を下
記比較例と比較した。
比較例△9上記実施例において3nメツギの溶融処理を
行なうことなく、3nメツ キーヒに直接3n−10%Pb合金をメッキした。
行なうことなく、3nメツ キーヒに直接3n−10%Pb合金をメッキした。
比較例B、上記実施例において、3nメツキと溶融処理
を省略し、合金条に直接 3n−10%Pb合金を4μの厚さに メッキした。
を省略し、合金条に直接 3n−10%Pb合金を4μの厚さに メッキした。
比較例C2上記実施例において、3nメツキと溶融処理
に代えて、ワット入浴 (N i SO,+ 2009/1+N i C123
0!? / 1 + ト1+BO330g /
1 、 DH3,1、浴温45°C)を用い、電
流密度3A/d尻でNiを0.8μの厚さに メッキした。
に代えて、ワット入浴 (N i SO,+ 2009/1+N i C123
0!? / 1 + ト1+BO330g /
1 、 DH3,1、浴温45°C)を用い、電
流密度3A/d尻でNiを0.8μの厚さに メッキした。
比較例り、上記実施例において、3n−10%Pb合金
メッキを省略した。
メッキを省略した。
上記各材料について、張出し加工部を40倍の拡人倹鏡
を行なうと共に、JEIDA−25に準じ40’Cの3
1)pm−t−1zs中に48時間敢装してから、張出
し部と標〈¥Au板を509の荷重で押し当てて接触抵
抗を測定した。また105°Cの大気中に2000時間
放置して同様の接触抵抗を測定した。次に各材料を15
0°Cで600〜1000時間放置してから密着曲げ試
験を行なって、曲げ割れ部のメッキ剥離状況を調べた。
を行なうと共に、JEIDA−25に準じ40’Cの3
1)pm−t−1zs中に48時間敢装してから、張出
し部と標〈¥Au板を509の荷重で押し当てて接触抵
抗を測定した。また105°Cの大気中に2000時間
放置して同様の接触抵抗を測定した。次に各材料を15
0°Cで600〜1000時間放置してから密着曲げ試
験を行なって、曲げ割れ部のメッキ剥離状況を調べた。
これ等の結果を第1表に示す。
第1表
第1表から明らかなように、本発明品は張出し部に割れ
を発生することがなく、接触抵抗も汚染環境で長門の実
用に耐え、更にメッキ層の長期に亘る安定密着が保証で
きることが判る。
を発生することがなく、接触抵抗も汚染環境で長門の実
用に耐え、更にメッキ層の長期に亘る安定密着が保証で
きることが判る。
これに対しSnメッキの溶融処理を省略した比較量A及
び3nメツキとその溶融処理を省略した比較量Bでは、
何れも張出しによる割れは起ぎないが、長期の使用でメ
ッキ層の密着性を経時低下し、そのため接点抵抗を劣化
する。
び3nメツキとその溶融処理を省略した比較量Bでは、
何れも張出しによる割れは起ぎないが、長期の使用でメ
ッキ層の密着性を経時低下し、そのため接点抵抗を劣化
する。
Niを下地メッキとする比較量C(従来品)はメッキ層
の剥離を起さないが、張出し加工等により割れを起し、
接触抵抗も不安定となる。またSn−10%Pbメッキ
を省略してSnの薄メッキの溶融処理したままの比較量
りは比較量Cとほぼ同様であることが判る。
の剥離を起さないが、張出し加工等により割れを起し、
接触抵抗も不安定となる。またSn−10%Pbメッキ
を省略してSnの薄メッキの溶融処理したままの比較量
りは比較量Cとほぼ同様であることが判る。
このように本発明によれば、Cu又はCu合金、特にり
ん青銅の表面を改質し、電子・電気別器用材料として好
適な特性を高度に発現することかできるもので、電子・
電気機器の有余や信頼性を大「1]に向上することがで
きる等工業上顕著な効果を発するものでおる。
ん青銅の表面を改質し、電子・電気別器用材料として好
適な特性を高度に発現することかできるもので、電子・
電気機器の有余や信頼性を大「1]に向上することがで
きる等工業上顕著な効果を発するものでおる。
代理人 弁理士 箕 浦 清 5゜、、/
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Cu又はCu合金からなる基材の表面に、 Sn又はSn−Pb合金をメッキした電子・電気機器用
材料において、Cu又はCu合金からなる基材の表面に
、Sn又はSn−Pb合金の薄メッキの溶融処理層を設
け、該処理層上にSnまたはSn−Pb合金をメッキし
たことを特徴とする電子・電気機器用材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12452286A JPS62281206A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 電子・電気機器用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12452286A JPS62281206A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 電子・電気機器用材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62281206A true JPS62281206A (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=14887567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12452286A Pending JPS62281206A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | 電子・電気機器用材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62281206A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0398271A (ja) * | 1989-09-11 | 1991-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | コネクタ材料 |
JPH087960A (ja) * | 1994-06-16 | 1996-01-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 端子材料 |
-
1986
- 1986-05-29 JP JP12452286A patent/JPS62281206A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0398271A (ja) * | 1989-09-11 | 1991-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | コネクタ材料 |
JPH087960A (ja) * | 1994-06-16 | 1996-01-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 端子材料 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6495001B2 (en) | Method for manufacturing a metallic composite strip | |
JP2726434B2 (ja) | SnまたはSn合金被覆材料 | |
JP3998731B2 (ja) | 通電部材の製造方法 | |
JPS63121693A (ja) | コネクタ−用端子 | |
JPS61124597A (ja) | 銀被覆電気材料 | |
JPS62281206A (ja) | 電子・電気機器用材料 | |
JPH01283780A (ja) | SnまたはSn合金被覆材料 | |
JP2000045039A (ja) | コンタクト材料とその製造方法 | |
JPS6251503B2 (ja) | ||
JPH07116573B2 (ja) | リードフレーム用Cu系条材の製造方法 | |
JPS61256579A (ja) | コネクタ− | |
JPH048883B2 (ja) | ||
JPS61151914A (ja) | 接触子 | |
JPS61198507A (ja) | 電子部品用複合材料及びその製造方法 | |
JP2647656B2 (ja) | 接触子の製造方法 | |
JPH01279582A (ja) | 接触子 | |
JPS60131996A (ja) | 被メツキステンレス鋼及びその製造方法 | |
JPS6037605A (ja) | Ag被覆Cu系電子部品材料 | |
JPH02226619A (ja) | 電気接点材料とその製造方法 | |
JPH0480103B2 (ja) | ||
JPS6214452A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム | |
JPS6153434B2 (ja) | ||
JPS60253107A (ja) | 耐熱性Ag被覆導体 | |
KR910000841B1 (ko) | 은피복 전기재료 및 그의 제조방법 | |
JPH04180589A (ja) | 接触子用銅合金材料の製造方法 |