JPS62279520A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS62279520A JPS62279520A JP12122286A JP12122286A JPS62279520A JP S62279520 A JPS62279520 A JP S62279520A JP 12122286 A JP12122286 A JP 12122286A JP 12122286 A JP12122286 A JP 12122286A JP S62279520 A JPS62279520 A JP S62279520A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- protective film
- magnetic
- film layer
- compd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 44
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical group Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 27
- 150000007824 aliphatic compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 12
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 abstract description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000001706 oxygenating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 39
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYPYGDUZKOPBEL-UHFFFAOYSA-N trichloro(hexadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl RYPYGDUZKOPBEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTJGTSOTDBPDE-UHFFFAOYSA-N [dimethyl(methylsilyloxy)silyl]oxy-dimethyl-trimethylsilyloxysilane Chemical compound C[SiH2]O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C NRTJGTSOTDBPDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 hexamethylsiloxane Chemical compound 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- RFMOODUJRPZGFS-UHFFFAOYSA-N trichloro(heptadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl RFMOODUJRPZGFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWUKCFJDVNCGML-UHFFFAOYSA-N trichloro(nonadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl UWUKCFJDVNCGML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUPFRFFJHFKOHE-UHFFFAOYSA-N trichloro(pentadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl JUPFRFFJHFKOHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPMVYGAHBSNGHP-UHFFFAOYSA-N trichloro(tetradecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl LPMVYGAHBSNGHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、耐久性に優れた磁気記録媒体およびその製造
方法に関する。
方法に関する。
一般に、強磁性金属もしくは合金を真空蒸着、スパッタ
リング等によって基体上に被着するか。
リング等によって基体上に被着するか。
または磁性粉末を結合剤成分とともに基体上に結着して
つくられる磁気記録媒体は、記録再生時に磁気ヘッド等
と激しく摺接するため、磁性層が摩耗しやすく、特に真
空蒸着等によって形成される強磁性金属薄膜層は、高密
度記録に適した特性を有する反面、磁気ヘッドとの摩擦
係数が大で摩耗や損傷を受けやすく、また空気中で徐々
に酸化して最大磁束密度などの磁気特性が劣化するなど
の難点がある。
つくられる磁気記録媒体は、記録再生時に磁気ヘッド等
と激しく摺接するため、磁性層が摩耗しやすく、特に真
空蒸着等によって形成される強磁性金属薄膜層は、高密
度記録に適した特性を有する反面、磁気ヘッドとの摩擦
係数が大で摩耗や損傷を受けやすく、また空気中で徐々
に酸化して最大磁束密度などの磁気特性が劣化するなど
の難点がある。
このため、従来から磁性層上に種々の保護膜層を設ける
などして耐摩耗性および耐食性を改善する努力が払われ
ており、たとえばフッ素系有機化合物やケイ素系有機化
合物のプラズマ重合保護膜層を磁性層上に設けたり(特
開昭58−88828号、特開昭58−60427号)
、このプラズマ重合保護膜層上にさらに炭素炭素不飽和
基をもつ化合物かなる潤滑剤層を設ける(特開昭59−
154643号)ことが提案されている。
などして耐摩耗性および耐食性を改善する努力が払われ
ており、たとえばフッ素系有機化合物やケイ素系有機化
合物のプラズマ重合保護膜層を磁性層上に設けたり(特
開昭58−88828号、特開昭58−60427号)
、このプラズマ重合保護膜層上にさらに炭素炭素不飽和
基をもつ化合物かなる潤滑剤層を設ける(特開昭59−
154643号)ことが提案されている。
しかし、これらのプラズマ重合保護膜層を磁性層上に設
けたものや、プラズマ重合保護膜層上にさらに炭素炭素
不飽和基をもつ化合物からなる潤滑剤層を設けたものは
、耐摩耗性および耐食性を改善するものの未だ十分でな
く、磁気ヘッドとの摺接により短期間に摩耗したり、高
温多湿下で最大磁束密度などの磁気特性が劣化し、十分
に良好な耐久性が得られるまでに至っていない。
けたものや、プラズマ重合保護膜層上にさらに炭素炭素
不飽和基をもつ化合物からなる潤滑剤層を設けたものは
、耐摩耗性および耐食性を改善するものの未だ十分でな
く、磁気ヘッドとの摺接により短期間に摩耗したり、高
温多湿下で最大磁束密度などの磁気特性が劣化し、十分
に良好な耐久性が得られるまでに至っていない。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を補い、耐久性に
優れた磁気記録媒体を提供することにある。
優れた磁気記録媒体を提供することにある。
本発明に係る磁気記録媒体は、磁性層上に酸素原子を含
む高分子化合物からなる保護膜層を設け、さらにこの高
分子化合物からなる保護膜層上に末端にトリクロロシラ
ン基をもつ脂肪族化合物からなる潤滑剤層を被着させる
ことにより、耐摩耗性および耐食性を一段と改善したも
のである。
む高分子化合物からなる保護膜層を設け、さらにこの高
分子化合物からなる保護膜層上に末端にトリクロロシラ
ン基をもつ脂肪族化合物からなる潤滑剤層を被着させる
ことにより、耐摩耗性および耐食性を一段と改善したも
のである。
本発明に係る磁気記録媒体は、基体上に磁性層を形成し
、この磁性層上に酸素原子を含む高分子化合物からなる
保護膜層を形成した後、またはこの高分子化合物からな
る保護膜層をさらに酸素プラズマ中で処理した後、末端
にトリクロロシラン基をもつ脂肪族化合物を有機溶剤に
溶かして前記高分子化合物からなる保護膜層または酸素
プラズマ中で処理した前記高分子化合物からなる保護膜
層上に被着させ、潤滑剤層を形成することによってつく
られる。
、この磁性層上に酸素原子を含む高分子化合物からなる
保護膜層を形成した後、またはこの高分子化合物からな
る保護膜層をさらに酸素プラズマ中で処理した後、末端
にトリクロロシラン基をもつ脂肪族化合物を有機溶剤に
溶かして前記高分子化合物からなる保護膜層または酸素
プラズマ中で処理した前記高分子化合物からなる保護膜
層上に被着させ、潤滑剤層を形成することによってつく
られる。
この過程で、たとえば末端にトリクロロシラン基をもつ
脂肪族化合物を有機溶剤に溶かした溶液中に酸素原子を
含む高分子化合物からなる保護膜層または酸素プラズマ
中で処理した高分子化合物からなる保護膜層を浸漬する
と、溶液中の脂肪族化合物は、第2図に示すように、親
水性基である末端のトリクロロシラン基が保護膜層表面
に向いた形に配向した単分子液となって保護膜層上に吸
着され、その際、末端のトリクロロシラン基中の塩素原
子がとれ、脂肪族化合物層と高分子化合物層との間で化
学結合が形成されることにより、高分子化合物からなる
保護膜層上に、各分子が垂直配向され、潤滑性に優れた
脂肪族化合物からなる潤滑剤層が強固に接着するに至り
、この結果、磁性層上に高分子化合物からなる保護膜層
を設けただけのものに比べて、耐摩耗性および耐食性が
一段と改善され、耐久性に優れた磁気記録媒体を提供す
ることができる。
脂肪族化合物を有機溶剤に溶かした溶液中に酸素原子を
含む高分子化合物からなる保護膜層または酸素プラズマ
中で処理した高分子化合物からなる保護膜層を浸漬する
と、溶液中の脂肪族化合物は、第2図に示すように、親
水性基である末端のトリクロロシラン基が保護膜層表面
に向いた形に配向した単分子液となって保護膜層上に吸
着され、その際、末端のトリクロロシラン基中の塩素原
子がとれ、脂肪族化合物層と高分子化合物層との間で化
学結合が形成されることにより、高分子化合物からなる
保護膜層上に、各分子が垂直配向され、潤滑性に優れた
脂肪族化合物からなる潤滑剤層が強固に接着するに至り
、この結果、磁性層上に高分子化合物からなる保護膜層
を設けただけのものに比べて、耐摩耗性および耐食性が
一段と改善され、耐久性に優れた磁気記録媒体を提供す
ることができる。
本発明において、酸素原子を含む高分子化合物からなる
保護膜層は、テトラメチルシラン、ヘキサメチルジシラ
ザン、オクタメチルテトラシロキサン、ヘキサメチルシ
ロキサン、ヘキサメチルジシラン等の有機ケイ素化合物
もしくはエチレン、ベンゼン等の脂肪族化合物をモノマ
ーとして用いるプラズマ重合法、またはケイ素樹脂等の
有機ケイ素化合物の重合体をターゲットとして用いるス
パッタリング法などによって形成される。プラズマ重合
法により保護膜層を形成する場合には、モノマーガス自
体に酸素原子を含んでいなくても、重合する過程で酸素
原子を含んだものとすることができる。これらの方法で
形成された高分子化合物からなる保護膜層をさらに酸素
プラズマ中で処理すれば、保護膜層表面付近の酸素原子
の量は一層多くなり、保護膜層とその上に形成される脂
肪族化合物層との化学結合が形成されやすくなる。
保護膜層は、テトラメチルシラン、ヘキサメチルジシラ
ザン、オクタメチルテトラシロキサン、ヘキサメチルシ
ロキサン、ヘキサメチルジシラン等の有機ケイ素化合物
もしくはエチレン、ベンゼン等の脂肪族化合物をモノマ
ーとして用いるプラズマ重合法、またはケイ素樹脂等の
有機ケイ素化合物の重合体をターゲットとして用いるス
パッタリング法などによって形成される。プラズマ重合
法により保護膜層を形成する場合には、モノマーガス自
体に酸素原子を含んでいなくても、重合する過程で酸素
原子を含んだものとすることができる。これらの方法で
形成された高分子化合物からなる保護膜層をさらに酸素
プラズマ中で処理すれば、保護膜層表面付近の酸素原子
の量は一層多くなり、保護膜層とその上に形成される脂
肪族化合物層との化学結合が形成されやすくなる。
高分子化合物からなる保護膜層上に潤滑剤層を形成する
のに用いる末端にトリクロロシラン基をもつ脂肪族化合
物としては、テトラデシルトリクロロシラン、ペンタデ
シルトリクロロシラン、ヘキサデシルトリクロロシラン
、ヘキサデシルトリクロロシラン、オクタデシルトリク
ロロシラン、ノナデシルトリクロロシラン等がいずれも
好適なものとして使用できる。これらの脂肪族化合物の
1種または2種以上をメチルイソブチルケトン、メチル
エチルケトン、イソプロピルアルコール、ベンゼン、ト
ルエン、クロロホルム、四塩化炭素等の有機溶剤に溶解
し、その溶液中に前記高分子化合物からなる保護膜層を
浸漬することにより。
のに用いる末端にトリクロロシラン基をもつ脂肪族化合
物としては、テトラデシルトリクロロシラン、ペンタデ
シルトリクロロシラン、ヘキサデシルトリクロロシラン
、ヘキサデシルトリクロロシラン、オクタデシルトリク
ロロシラン、ノナデシルトリクロロシラン等がいずれも
好適なものとして使用できる。これらの脂肪族化合物の
1種または2種以上をメチルイソブチルケトン、メチル
エチルケトン、イソプロピルアルコール、ベンゼン、ト
ルエン、クロロホルム、四塩化炭素等の有機溶剤に溶解
し、その溶液中に前記高分子化合物からなる保護膜層を
浸漬することにより。
第2図に示すような高分子化合物からなる保護膜層表面
と溶液から吸着された脂肪族化合物の単分子膜との間の
化学結合が形成される。また、適当な溶剤を選択すれば
、高分子化合物からなる保護膜層表面に溶液を塗布した
り噴霧するなどの方法でも脂肪族化合物の単分子膜を被
着させることができる。
と溶液から吸着された脂肪族化合物の単分子膜との間の
化学結合が形成される。また、適当な溶剤を選択すれば
、高分子化合物からなる保護膜層表面に溶液を塗布した
り噴霧するなどの方法でも脂肪族化合物の単分子膜を被
着させることができる。
高分子化合物からなる保護膜層と脂肪族化合物からなる
潤滑剤層は、それらの合計の膜厚が200人を越えない
範囲で被着させるのがよく、磁性層上の膜厚が200人
を越えると、スペーシングロスが大きくなりすぎて電磁
変換特性に悪影響を及ぼす。
潤滑剤層は、それらの合計の膜厚が200人を越えない
範囲で被着させるのがよく、磁性層上の膜厚が200人
を越えると、スペーシングロスが大きくなりすぎて電磁
変換特性に悪影響を及ぼす。
基体上に形成される磁性層は、γ−Fe、O,粉末、F
e、O,粉末、Co含有y−Fa、O,粉末、G。
e、O,粉末、Co含有y−Fa、O,粉末、G。
含有Fe50.粉末、Fe粉末、Go粒粉末Fe−Ni
粉末などの磁性粉末を結合剤成分および有機溶剤等とと
もに基体上に塗布、乾燥するか、またはGo、Ni、F
e、Co−Ni%Co−Cr、Co−P。
粉末などの磁性粉末を結合剤成分および有機溶剤等とと
もに基体上に塗布、乾燥するか、またはGo、Ni、F
e、Co−Ni%Co−Cr、Co−P。
Co−N1−Pなどの強磁性材を真空蒸着、イオンブレ
ーティング、スパッタリング、メッキ等によって基体上
に被着するなどの方法で形成される。
ーティング、スパッタリング、メッキ等によって基体上
に被着するなどの方法で形成される。
また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルムな
どの合成樹脂フィルムを基体とする磁気テープ、円盤や
ドラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁
気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含する。
どの合成樹脂フィルムを基体とする磁気テープ、円盤や
ドラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁
気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含する。
以下1本発明の代表的な実施例について詳述し、併せて
検証のための比較例を示す。
検証のための比較例を示す。
実施例1
厚さ10.のポリエステルフィルムを基体として使用し
、これを真空蒸着装置に装填し、lX10−’torr
の真空下でコバルトを加熱蒸発させてポリエステルフィ
ルム上に厚さ1000人の強磁性金属薄膜からなる磁性
層を形成した。次いで、第3図に示すプラズマ処理装置
を使用し、磁性層を形成したポリエステルフィルム1を
処理槽2内の供給り−ル3から供給され、巻取リール4
に巻き取られるように装填した。この状態で、ガス導入
管5からモノマーガスとしてのテトラメチルシランを1
01005cの流量で導入し、ガス圧0.05torr
、下部電極6の高周波電力密度0.5W/cm”の条件
でプラズマ重合処理を行ない、磁性層上に厚さ60人の
プラズマ重合保護膜層を形成した。次いで、これをオク
タデシルトリクロロシランの0.05重量%四塩化炭素
溶液中に浸漬した後、乾燥させて、プラズマ重合保護膜
層上に潤滑剤層を形成した。その後、所定の幅に裁断す
ることにより、第1図に示すようなポリエステルフィル
ムからなる基体1上に強磁性金属薄膜からなる磁性層1
0.プラズマ重合保護膜層11および潤滑剤層12を順
次形成した磁気テープをつくった。なお、第3図中、7
は上部電極。
、これを真空蒸着装置に装填し、lX10−’torr
の真空下でコバルトを加熱蒸発させてポリエステルフィ
ルム上に厚さ1000人の強磁性金属薄膜からなる磁性
層を形成した。次いで、第3図に示すプラズマ処理装置
を使用し、磁性層を形成したポリエステルフィルム1を
処理槽2内の供給り−ル3から供給され、巻取リール4
に巻き取られるように装填した。この状態で、ガス導入
管5からモノマーガスとしてのテトラメチルシランを1
01005cの流量で導入し、ガス圧0.05torr
、下部電極6の高周波電力密度0.5W/cm”の条件
でプラズマ重合処理を行ない、磁性層上に厚さ60人の
プラズマ重合保護膜層を形成した。次いで、これをオク
タデシルトリクロロシランの0.05重量%四塩化炭素
溶液中に浸漬した後、乾燥させて、プラズマ重合保護膜
層上に潤滑剤層を形成した。その後、所定の幅に裁断す
ることにより、第1図に示すようなポリエステルフィル
ムからなる基体1上に強磁性金属薄膜からなる磁性層1
0.プラズマ重合保護膜層11および潤滑剤層12を順
次形成した磁気テープをつくった。なお、第3図中、7
は上部電極。
8は処理槽2内を減圧するための排気系、9は電t!l
!6.7間に高周波を印加する高周波電源であり、印加
周波数は13.56M1(zとした。
!6.7間に高周波を印加する高周波電源であり、印加
周波数は13.56M1(zとした。
実施例2
実施例1中の潤滑剤層形成工程において、オクタデシル
トリクロロシランに代えてヘプタデシルトリクロロシラ
ンを用いた以外は実施例1と同様にして潤滑剤層を形成
し、磁気テープをつくった。
トリクロロシランに代えてヘプタデシルトリクロロシラ
ンを用いた以外は実施例1と同様にして潤滑剤層を形成
し、磁気テープをつくった。
実施例3
実施例1におけるプラズマ重合保護膜層の形成に引き続
き、処理槽2内にガス導入管5から酸素ガスを200s
ecmの流量で導入し、ガス圧0.1torr。
き、処理槽2内にガス導入管5から酸素ガスを200s
ecmの流量で導入し、ガス圧0.1torr。
下部電極6の高周波電力密度0.8W/am2の条件で
プラズマ処理を行ない、プラズマ重合保護膜層を酸素プ
ラズマ中にさらした以外は実施例1と同様にして磁気テ
ープをつくった。
プラズマ処理を行ない、プラズマ重合保護膜層を酸素プ
ラズマ中にさらした以外は実施例1と同様にして磁気テ
ープをつくった。
比較例1
実施例1中のプラズマ重合保護膜層の形成および潤滑剤
層の形成を省き、それ以外は実施例1と同様にして磁気
テープをつくった。
層の形成を省き、それ以外は実施例1と同様にして磁気
テープをつくった。
比較例2
実施例1中の潤滑剤層の形成を省き、それ以外は実施例
1と同様にして磁気テープをつくった。
1と同様にして磁気テープをつくった。
上記各実施例および比較例で得られた磁気テープについ
て、摩擦係数を測定し、耐摩耗性および耐食性を試験し
た。耐摩耗性試験は磁気テープを摺動試験し、プラズマ
重合保護膜層または磁性層に傷がつくまでの摺動回数を
測定して行なった。
て、摩擦係数を測定し、耐摩耗性および耐食性を試験し
た。耐摩耗性試験は磁気テープを摺動試験し、プラズマ
重合保護膜層または磁性層に傷がつくまでの摺動回数を
測定して行なった。
また、耐食性試験は、得られた磁気テープを60℃、9
0%RHの条件下に7日間放置した後の最大磁束密度を
測定し、放置前の磁気テープの最大磁束密度を100%
として、これと比較した値で劣化率を調べる方法で行な
った。
0%RHの条件下に7日間放置した後の最大磁束密度を
測定し、放置前の磁気テープの最大磁束密度を100%
として、これと比較した値で劣化率を調べる方法で行な
った。
下表はその結果を示す6
〔発明の効果〕
上表から明らかなように、本発明で得られた磁気テープ
(実施例1〜3)は、いずれも比較例1および2で得ら
れた磁気テープに比べ、摩擦係数が小さく、プラズマ重
合保護膜層または磁性層に傷がつくまでの摺動回数が多
く、劣化率は小さい。
(実施例1〜3)は、いずれも比較例1および2で得ら
れた磁気テープに比べ、摩擦係数が小さく、プラズマ重
合保護膜層または磁性層に傷がつくまでの摺動回数が多
く、劣化率は小さい。
このことから本発明により得られる磁気記録媒体は、一
段と耐久性に優れていることがわかる。
段と耐久性に優れていることがわかる。
第1図は本発明により得られる磁気テープの部分拡大断
面図、第2図は保護膜層を形成する高分子化合物と潤滑
剤層を形成する脂肪族化合物が化学結合した状態の模式
図、第3図は保護膜層を形成する際に使用するプラズマ
処理装置の一例を示す概略断面図である。 1・・・基体(ポリ°エステルフィルム)10・・・磁
性層(強磁性金属薄膜) 11・・・プラズマ重合保護膜層 12・・・潤滑剤層
面図、第2図は保護膜層を形成する高分子化合物と潤滑
剤層を形成する脂肪族化合物が化学結合した状態の模式
図、第3図は保護膜層を形成する際に使用するプラズマ
処理装置の一例を示す概略断面図である。 1・・・基体(ポリ°エステルフィルム)10・・・磁
性層(強磁性金属薄膜) 11・・・プラズマ重合保護膜層 12・・・潤滑剤層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、磁性層上に酸素原子を含む高分子化合物からなる保
護膜層を有し、さらにこの高分子化合物からなる保護膜
層上に末端にトリクロロシラン基をもつ脂肪族化合物か
らなる潤滑剤層を有する磁気記録媒体。 2、基体上に磁性層を形成する工程と、この磁性層上に
酸素原子を含む高分子化合物からなる保護膜層を形成す
る工程と、末端にトリクロロシラン基をもつ脂肪族化合
物を有機溶剤に溶かして前記高分子化合物からなる保護
膜層上に被着させ、潤滑剤層を形成する工程とを含む磁
気記録媒体の製造方法。 3、基体上に磁性層を形成する工程と、この磁性層上に
酸素原子を含む高分子化合物からなる保護膜層を形成す
る工程と、さらにこの高分子化合物からなる保護膜層を
酸素プラズマ中で処理する工程と、末端にトリクロロシ
ラン基をもつ脂肪族化合物を有機溶剤に溶かして酸素プ
ラズマ中で処理された前記高分子化合物からなる保護膜
層上に被着させ、潤滑剤層を形成する工程とを含む磁気
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12122286A JPS62279520A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12122286A JPS62279520A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62279520A true JPS62279520A (ja) | 1987-12-04 |
Family
ID=14805917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12122286A Pending JPS62279520A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62279520A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007116812A1 (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-18 | Hoya Corporation | 磁気ディスク及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-05-28 JP JP12122286A patent/JPS62279520A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007116812A1 (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-18 | Hoya Corporation | 磁気ディスク及びその製造方法 |
JPWO2007116812A1 (ja) * | 2006-03-29 | 2009-08-20 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク及びその製造方法 |
US8257783B2 (en) | 2006-03-29 | 2012-09-04 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Magnetic disk and method of manufacturing the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS63220420A (ja) | 記録媒体およびその製造方法 | |
JPH0520658A (ja) | 磁気記録媒体用基板及びその製造方法 | |
JPS62279520A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPS6089817A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS6122419A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS61278025A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPS6122426A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS59167848A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS60237640A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPS639013A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPS6231022A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPS62167616A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPS6139233A (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体の製造法 | |
JPH038117A (ja) | 磁気記録テープの製造方法 | |
JPS60121521A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS62167615A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPS6122427A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS62273625A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPS6231024A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPS6089821A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS61214137A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPS61214138A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPS60133542A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH0799576B2 (ja) | 磁気記録媒体およびその製造法 | |
JPS6157042A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 |