JPS6157042A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6157042A JPS6157042A JP17707084A JP17707084A JPS6157042A JP S6157042 A JPS6157042 A JP S6157042A JP 17707084 A JP17707084 A JP 17707084A JP 17707084 A JP17707084 A JP 17707084A JP S6157042 A JPS6157042 A JP S6157042A
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- film layer
- plasma treatment
- protective film
- layer
- lubricating agent
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- Lubricants (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は強磁性金属薄成層を磁気記録層とする磁気記
録媒体の製造方法に関し、さらに詳しくは、摩擦係数が
小さくて耐摩耗性に優れ、かつ耐食性に優れた前記の磁
気記録媒体の製造方法に関する。
録媒体の製造方法に関し、さらに詳しくは、摩擦係数が
小さくて耐摩耗性に優れ、かつ耐食性に優れた前記の磁
気記録媒体の製造方法に関する。
強磁性金属′N膜屓を磁気記録層とする磁気記録媒体は
、1m常、金属もしくはそれらの合金などを真空薄着、
スパッタリング等によってフ、(体フィルJ、−t:に
被着してつくられ、高密度記録に)内したIts性を有
するが、反面磁気ヘッドとの摩擦係数が大きくて摩耗や
t0傷を受は易く、また空気中に静置しておくと腐食さ
れて最大磁束密度などの磁気特性が劣化するなどのyi
1点がある。
、1m常、金属もしくはそれらの合金などを真空薄着、
スパッタリング等によってフ、(体フィルJ、−t:に
被着してつくられ、高密度記録に)内したIts性を有
するが、反面磁気ヘッドとの摩擦係数が大きくて摩耗や
t0傷を受は易く、また空気中に静置しておくと腐食さ
れて最大磁束密度などの磁気特性が劣化するなどのyi
1点がある。
このため、強磁性金泥薄膜層上に種々の潤滑剤を被着し
て混性のよい保護IQ屓を設けるなどの方法で耐久性お
よび耐食性を改善することが行われており、たとえば、
ミリスチン酸などの脂肪酸を被着するなどしてlh性の
よい保護膜層を強磁性金属薄膜層上に設けることが提案
されている。(特公昭56−30609号) 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、この種の脂肪酸等からなる保護膜層を強磁性
金属薄膜層上に設けたものは、保護膜層の1lWI l
:’r :AI+甲に、Lす、初期の而(摩耗1T[は
改善されるものの、f’+’護股)−がそれほど緻密で
なく保護膜層を構成する脂111i酸の分子間に間隙が
あるため、この間隙から空気中の酸素や水蒸気が浸入し
て強磁性金属)1%−映屓が次第に腐食され、その結果
、次第に摩!ンミ係数が大きくなり、耐摩耗性が次第に
劣化して、l1l11摩耗(Itお、1、び耐食1)F
を充分に改善することができないというS!11点があ
った。
て混性のよい保護IQ屓を設けるなどの方法で耐久性お
よび耐食性を改善することが行われており、たとえば、
ミリスチン酸などの脂肪酸を被着するなどしてlh性の
よい保護膜層を強磁性金属薄膜層上に設けることが提案
されている。(特公昭56−30609号) 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、この種の脂肪酸等からなる保護膜層を強磁性
金属薄膜層上に設けたものは、保護膜層の1lWI l
:’r :AI+甲に、Lす、初期の而(摩耗1T[は
改善されるものの、f’+’護股)−がそれほど緻密で
なく保護膜層を構成する脂111i酸の分子間に間隙が
あるため、この間隙から空気中の酸素や水蒸気が浸入し
て強磁性金属)1%−映屓が次第に腐食され、その結果
、次第に摩!ンミ係数が大きくなり、耐摩耗性が次第に
劣化して、l1l11摩耗(Itお、1、び耐食1)F
を充分に改善することができないというS!11点があ
った。
(1!I L’Ei点をp11′決するための手段〕こ
の発明はかかる現状に鑑み、鋭意研究を重ねた結果なさ
れたもので、基体上に強磁性金属薄膜■督を形成し、次
いで、この強磁性金属薄膜層−Fに脂肪族系潤滑剤、フ
ッ素系脂肪酸、フッ素系脂肪酸エステル、リン酸エステ
ルおよびシリコーン系潤li剤から選ばれる少なくとも
1種以−ヒの潤滑剤を被着させて保護膜層を形成した後
、不活性ガスまたは窒素ガスもしくはこれらのン昆合ガ
スのプラズマ中にさらしてプラズマ処理することによっ
て、強磁性金属薄膜層上の前記潤lh剤からなる保護膜
層を緻密にし、潤lh剤の分子間の間隙をなくして空気
中の酸素や水茎気のl是人を防+L L、A?r’を剤
の潤lh効果を持続して充分に発II[!させ、摩i察
係数を充分かつ持続的に小さくして、耐摩耗セ1および
耐食性を充分に改善させたものである。
の発明はかかる現状に鑑み、鋭意研究を重ねた結果なさ
れたもので、基体上に強磁性金属薄膜■督を形成し、次
いで、この強磁性金属薄膜層−Fに脂肪族系潤滑剤、フ
ッ素系脂肪酸、フッ素系脂肪酸エステル、リン酸エステ
ルおよびシリコーン系潤li剤から選ばれる少なくとも
1種以−ヒの潤滑剤を被着させて保護膜層を形成した後
、不活性ガスまたは窒素ガスもしくはこれらのン昆合ガ
スのプラズマ中にさらしてプラズマ処理することによっ
て、強磁性金属薄膜層上の前記潤lh剤からなる保護膜
層を緻密にし、潤lh剤の分子間の間隙をなくして空気
中の酸素や水茎気のl是人を防+L L、A?r’を剤
の潤lh効果を持続して充分に発II[!させ、摩i察
係数を充分かつ持続的に小さくして、耐摩耗セ1および
耐食性を充分に改善させたものである。
この発明で使用される脂肪族系/r81h剤としては、
たとえば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、
ステアリン酸等の炭素原子数が10以−にの脂肪酸、ス
テアリン酸亜鉛等の脂肪酸の金属塩、ステアリン酸アミ
ド等の脂肪酸アミド、ステアリン酸−n−ブチル、ミリ
スチン酸オクチル等の脂肪酸エステル、ステアリルアル
コール、ミリスチルアルコール等の脂肪族アルコールな
どが好ましく使用され、フッ素系脂肪酸の具体例として
は、たとえば、パーフルオロアルキルカルボン酸が挙げ
られる。また)、素糸脂肪酸エステルの具体例としては
、たとえば、CF3 (CF2 ) s (CTI
2)2011が挙げられ、リン酸エステルの具体例とし
ては、たとえば、トリアルキルリン酸エステル(市販品
としては東邦比重11盟、G r(−520)が挙げら
れる。さらにシリコ1−ン系潤消/IIIの具体例とし
ては、たとえば、シリコーンオイル、変性シリコーンオ
イルが挙げられ、これらの脂肪族系潤滑剤、フッ素系脂
肪酸、フッ素系脂肪酸エステル、リン酸エステル、シリ
コーン系潤滑剤などの潤lh剤は、いずれか一種が単独
で使用されるか、あるいは二種以−ヒカ<?昆合して使
用される。
たとえば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、
ステアリン酸等の炭素原子数が10以−にの脂肪酸、ス
テアリン酸亜鉛等の脂肪酸の金属塩、ステアリン酸アミ
ド等の脂肪酸アミド、ステアリン酸−n−ブチル、ミリ
スチン酸オクチル等の脂肪酸エステル、ステアリルアル
コール、ミリスチルアルコール等の脂肪族アルコールな
どが好ましく使用され、フッ素系脂肪酸の具体例として
は、たとえば、パーフルオロアルキルカルボン酸が挙げ
られる。また)、素糸脂肪酸エステルの具体例としては
、たとえば、CF3 (CF2 ) s (CTI
2)2011が挙げられ、リン酸エステルの具体例とし
ては、たとえば、トリアルキルリン酸エステル(市販品
としては東邦比重11盟、G r(−520)が挙げら
れる。さらにシリコ1−ン系潤消/IIIの具体例とし
ては、たとえば、シリコーンオイル、変性シリコーンオ
イルが挙げられ、これらの脂肪族系潤滑剤、フッ素系脂
肪酸、フッ素系脂肪酸エステル、リン酸エステル、シリ
コーン系潤滑剤などの潤lh剤は、いずれか一種が単独
で使用されるか、あるいは二種以−ヒカ<?昆合して使
用される。
これらの脂肪族系潤滑剤、フッ素系脂肪酸、フッ素系脂
肪酸エステル、リン酸エステルおよびシリコーン系潤滑
剤から選ばれる少なくとも1種以−にの潤滑剤からなる
保護膜層の形成は、これらの潤滑剤の一種または2種以
上を、トルエン、メチルイソブチルケトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、テトラヒド
ロフラン、ジメチルホルムアミド、ジオキサン等の適当
な溶剤に溶解し、溶解によって得られた溶液中に強磁性
金属薄膜層を浸漬するか、あるいは前記溶液を強磁性金
属薄膜層上に塗布または噴霧するなどの方法で行われ、
この他、これらの潤滑剤の一種または2種以上を強磁性
金属i膜層上に真空蒸着するなどの方法でも行われる。
肪酸エステル、リン酸エステルおよびシリコーン系潤滑
剤から選ばれる少なくとも1種以−にの潤滑剤からなる
保護膜層の形成は、これらの潤滑剤の一種または2種以
上を、トルエン、メチルイソブチルケトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、テトラヒド
ロフラン、ジメチルホルムアミド、ジオキサン等の適当
な溶剤に溶解し、溶解によって得られた溶液中に強磁性
金属薄膜層を浸漬するか、あるいは前記溶液を強磁性金
属薄膜層上に塗布または噴霧するなどの方法で行われ、
この他、これらの潤滑剤の一種または2種以上を強磁性
金属i膜層上に真空蒸着するなどの方法でも行われる。
このようにして形成される脂肪族系潤滑剤、フッ素系脂
肪酸、フッ素系脂肪酸エステル、リン酸エステルおよび
シリコーン系潤滑剤から選ばれる少なくとも1種以−に
の潤滑剤からなる保護膜層の膜厚は、20〜1000人
の範囲内となるようにするのが好ましく、20人より薄
いとその優れた潤滑効果を充分に発揮させて、摩擦係数
を充分に低減することができず、1000人より厚くす
るとスペーシングロスが大きくなりすぎて電磁変換特性
に悪影響を及ぼす。
肪酸、フッ素系脂肪酸エステル、リン酸エステルおよび
シリコーン系潤滑剤から選ばれる少なくとも1種以−に
の潤滑剤からなる保護膜層の膜厚は、20〜1000人
の範囲内となるようにするのが好ましく、20人より薄
いとその優れた潤滑効果を充分に発揮させて、摩擦係数
を充分に低減することができず、1000人より厚くす
るとスペーシングロスが大きくなりすぎて電磁変換特性
に悪影響を及ぼす。
このようにして形成された脂肪族系潤滑剤、フッ素系脂
肪酸、フッ素系脂肪酸エステル、リン酸エステルおよび
シリコーン系潤滑剤から選ばれる少なくとも1種以上の
潤滑剤からなる保護膜層の表面は、次いで、不活性ガス
または窒素ガスもしくはこれらの混合ガスのプラズマに
さらされてプラズマ処理が行われ、このようなプラズマ
処理が行われると、これら潤滑剤が架橋結合してこれら
の潤ンI剤からなる保護膜層が緻密になり、潤滑剤の分
子間の間隙がなくなって空気中の酸素や水蒸気の4人が
効果的に防1にされ、その結果、保護膜1−を48成す
る潤l:% 7plの、fII沿効果が持続して充分に
発揮され、19′Iや係数が充分かつ持続的に小さくな
ってit l”l’″耗171が充分に改善されるとと
もに耐食性が充分に改善される。このようなプラズマ処
理に使用されるガスとしては、アルゴンガス、ヘリウム
ガス、ネオンガス、キセノンガス、クリブlンガス等の
不活セ1ガスおよび窒素ガスが好ましく使用され、これ
らのガスはt1’!独で使用される他、混合して使用さ
れる。
肪酸、フッ素系脂肪酸エステル、リン酸エステルおよび
シリコーン系潤滑剤から選ばれる少なくとも1種以上の
潤滑剤からなる保護膜層の表面は、次いで、不活性ガス
または窒素ガスもしくはこれらの混合ガスのプラズマに
さらされてプラズマ処理が行われ、このようなプラズマ
処理が行われると、これら潤滑剤が架橋結合してこれら
の潤ンI剤からなる保護膜層が緻密になり、潤滑剤の分
子間の間隙がなくなって空気中の酸素や水蒸気の4人が
効果的に防1にされ、その結果、保護膜1−を48成す
る潤l:% 7plの、fII沿効果が持続して充分に
発揮され、19′Iや係数が充分かつ持続的に小さくな
ってit l”l’″耗171が充分に改善されるとと
もに耐食性が充分に改善される。このようなプラズマ処
理に使用されるガスとしては、アルゴンガス、ヘリウム
ガス、ネオンガス、キセノンガス、クリブlンガス等の
不活セ1ガスおよび窒素ガスが好ましく使用され、これ
らのガスはt1’!独で使用される他、混合して使用さ
れる。
このような不活性ガスまたは窒素ガスもしくはこれらの
混合ガスのプラズマによるプラズマ処理は、前記の潤滑
剤からなる保護膜層の特に表面付近の架橋密度を充分に
高くして保護膜層を緻密にし、潤lh剤のう〕手間の間
隙をなくして空気中の酸素や水蒸気の沼・人を効果的に
防止するため、ガス圧を0.01〜5I・−ルの範囲内
とし、高周波やマイクロ波の電力密度を0.08〜2
W / cdの範囲内として行うのが灯ましく、ガス圧
を0.05〜3トールとし、電力密度を0.3〜] W
/ ctAの範囲内とするのがより好ましい。
混合ガスのプラズマによるプラズマ処理は、前記の潤滑
剤からなる保護膜層の特に表面付近の架橋密度を充分に
高くして保護膜層を緻密にし、潤lh剤のう〕手間の間
隙をなくして空気中の酸素や水蒸気の沼・人を効果的に
防止するため、ガス圧を0.01〜5I・−ルの範囲内
とし、高周波やマイクロ波の電力密度を0.08〜2
W / cdの範囲内として行うのが灯ましく、ガス圧
を0.05〜3トールとし、電力密度を0.3〜] W
/ ctAの範囲内とするのがより好ましい。
強磁性金属薄膜層の形成材木、Iとしては、C01Ni
、Fe、Co−Ni合金、C:、o−Cr合金、Co−
P合金、co−Ni−P合金などの一般に使用される強
磁性材がいずれも好適に使用され、これらの強磁性材か
らなる強磁性金属薄膜層は、真空蒸着、イオンブレーテ
ィング、スパッタリング、メッキ等の手段によって基体
フィルム」二に被着形成される。
、Fe、Co−Ni合金、C:、o−Cr合金、Co−
P合金、co−Ni−P合金などの一般に使用される強
磁性材がいずれも好適に使用され、これらの強磁性材か
らなる強磁性金属薄膜層は、真空蒸着、イオンブレーテ
ィング、スパッタリング、メッキ等の手段によって基体
フィルム」二に被着形成される。
また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルム、
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープ、合成Ill脂フィルム、アルミニウム板
およびガラス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁
気ディスクや磁気1′ラム、さらに磁気カードなど、磁
気へy FとlFt接する構造の種々の形態を包含する
。
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープ、合成Ill脂フィルム、アルミニウム板
およびガラス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁
気ディスクや磁気1′ラム、さらに磁気カードなど、磁
気へy FとlFt接する構造の種々の形態を包含する
。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例1
摩さ10メ!のポリエステルフィルムを真空蒸着装置に
装填し、5XIO−Sトールの真空下でコバルト−ニッ
ケル合金(モル比80:20)を加熱蒸発させてポリエ
ステルフィルム上に厚さ1200人のコバルト−ニッケ
ル合金からなる強磁性金rfA薄膜層を形成し、た0次
いで、この強磁性全屈薄膜層上にミリスチン酸の0.0
5重量%アセトン溶液を塗布し、乾燥してミリスチン酸
からなる厚さが100人の保護膜層を形成した。次ぎに
、第1図に示すプラズマ処理装置を使用し、この強磁性
金属薄膜層を形成し、さらにミリスチン酸からなる保護
膜層を形成したポリエステルフィルム1を、処理槽2内
で原反ロール3から円筒状キャン4の周側面に沿って移
動させ、巻取りロール5に巻き取るようにセットした0
次いで、ポリエステルフィルム1を円筒状キャン4の周
側面に沿って走行速度を0.3〜10m/minの範囲
で種々に変えて走行させ、処理槽2に取りつけたガス導
入管6からアルゴンガスをlQsccmの流量で導入し
、ガス圧を0.5トールとして電極7で13.56MI
+2の高周波を0.5 W/cdの電力密度で印加し、
プラズマ処理を行った。しかる後、所定の巾に裁断して
、第2図に示すようなポリエステルフィルム1上に強磁
性金属薄膜層10および保護膜層1】を順次に積層形成
した多数の磁気テープ八をつくった。なお、図中8は処
理槽2内を減圧するための排気系であり、9は電極7に
高周波を印加するための高周波電源である。
装填し、5XIO−Sトールの真空下でコバルト−ニッ
ケル合金(モル比80:20)を加熱蒸発させてポリエ
ステルフィルム上に厚さ1200人のコバルト−ニッケ
ル合金からなる強磁性金rfA薄膜層を形成し、た0次
いで、この強磁性全屈薄膜層上にミリスチン酸の0.0
5重量%アセトン溶液を塗布し、乾燥してミリスチン酸
からなる厚さが100人の保護膜層を形成した。次ぎに
、第1図に示すプラズマ処理装置を使用し、この強磁性
金属薄膜層を形成し、さらにミリスチン酸からなる保護
膜層を形成したポリエステルフィルム1を、処理槽2内
で原反ロール3から円筒状キャン4の周側面に沿って移
動させ、巻取りロール5に巻き取るようにセットした0
次いで、ポリエステルフィルム1を円筒状キャン4の周
側面に沿って走行速度を0.3〜10m/minの範囲
で種々に変えて走行させ、処理槽2に取りつけたガス導
入管6からアルゴンガスをlQsccmの流量で導入し
、ガス圧を0.5トールとして電極7で13.56MI
+2の高周波を0.5 W/cdの電力密度で印加し、
プラズマ処理を行った。しかる後、所定の巾に裁断して
、第2図に示すようなポリエステルフィルム1上に強磁
性金属薄膜層10および保護膜層1】を順次に積層形成
した多数の磁気テープ八をつくった。なお、図中8は処
理槽2内を減圧するための排気系であり、9は電極7に
高周波を印加するための高周波電源である。
実施例2一
実施例1における保護IJ層のプラズマ処理において、
円筒状キャン4の周側面に沿って走行するポリエステル
フィルム1の走行速度を、10m/winと一定にし、
またアルゴンガスに代えて窒素ガスを10105eの流
量で導入し、ガス圧を0.5 1−−ルとした以外は実
施例1と同様にしてプラズマ処理を行い、磁気テープ八
をつくった。
円筒状キャン4の周側面に沿って走行するポリエステル
フィルム1の走行速度を、10m/winと一定にし、
またアルゴンガスに代えて窒素ガスを10105eの流
量で導入し、ガス圧を0.5 1−−ルとした以外は実
施例1と同様にしてプラズマ処理を行い、磁気テープ八
をつくった。
実施例3
実施例1における保護膜層の形成おいて、ミリスチン酸
の0,05重M%アセトン溶液に代えて、ステアリン酸
アミl”の0.1重量%アセトン溶液を使用し、またプ
ラズマ処理において、円筒状キャン4の周側面に沿って
走行するポリエステルフィルム1の走行速度をIOm/
minと一定にしたJリタ1は、実施例1と同様にして
ステアリン酸アミ1′からなる厚さが100人の保護膜
層を形成するとともにプラズマ処理を行い、磁気テープ
八をつくった。
の0,05重M%アセトン溶液に代えて、ステアリン酸
アミl”の0.1重量%アセトン溶液を使用し、またプ
ラズマ処理において、円筒状キャン4の周側面に沿って
走行するポリエステルフィルム1の走行速度をIOm/
minと一定にしたJリタ1は、実施例1と同様にして
ステアリン酸アミ1′からなる厚さが100人の保護膜
層を形成するとともにプラズマ処理を行い、磁気テープ
八をつくった。
実施例4
実施例1における保護膜層の形成おいて、ミリスチン酸
の0.05市M%アセトン/8液に代えて、CF3
(CF2 ) s (CI+2 ) 20TIの0.
05市呈%n−ヘキサンl’;i ’/&を使用し、ま
たプラズマ処理において、円筒υζキャン4の周1ul
1面に沿って走行するポリエステルフィルム1の走行速
度を10m/min と一定にしたIフタIは、実施例
1と同様にして前記のフッ素系脂BjiMエステルから
な7)厚さが100人の保護膜層を形成するとともにプ
ラズマ処理を行い、磁気テープAをつくった。
の0.05市M%アセトン/8液に代えて、CF3
(CF2 ) s (CI+2 ) 20TIの0.
05市呈%n−ヘキサンl’;i ’/&を使用し、ま
たプラズマ処理において、円筒υζキャン4の周1ul
1面に沿って走行するポリエステルフィルム1の走行速
度を10m/min と一定にしたIフタIは、実施例
1と同様にして前記のフッ素系脂BjiMエステルから
な7)厚さが100人の保護膜層を形成するとともにプ
ラズマ処理を行い、磁気テープAをつくった。
実施例5
実施例1にお(Jる保護膜層の形成おいて、ミリスチン
酸の0.f15重p%アセトン溶液に代えで、パーフル
オロポリエーテルの0.1重7%l−リクロロI・リフ
ルオロエタン溶液を使用し、またプラズマ処理において
、円筒状キャン4の周+11面に沿って走行するポリエ
ステルフィルJ、1の走行速度を10m/minと一定
にした以外は、実施例1と同様にしてパーフルオロポリ
エーテルからなる厚さが100人のf呆護191脅を形
成するとともにプラズマ処理を行い、硝気テープ八をつ
くった。
酸の0.f15重p%アセトン溶液に代えで、パーフル
オロポリエーテルの0.1重7%l−リクロロI・リフ
ルオロエタン溶液を使用し、またプラズマ処理において
、円筒状キャン4の周+11面に沿って走行するポリエ
ステルフィルJ、1の走行速度を10m/minと一定
にした以外は、実施例1と同様にしてパーフルオロポリ
エーテルからなる厚さが100人のf呆護191脅を形
成するとともにプラズマ処理を行い、硝気テープ八をつ
くった。
実施例6
実施例1におシJZ、保護膜屓の形成おいて、ミリスチ
ン酸の0.(15i!ti%アセl、ン18液に代えて
、l・ルアルキルリン酸エステルのo、+ m1%トル
エン/8液を使用し、またプラズマ処理において、円筒
状キャン4の周側面に沿って走行するポリエステルフィ
ルム1の走行速度をIOm/minと一定にした以外は
、実施例1と同様にしてトリアルキルリン酸エステJし
からなる厚さが100人の(宋護■9層を形成するとと
もにプラズマ処理を行い、磁気テープ八をつくった。
ン酸の0.(15i!ti%アセl、ン18液に代えて
、l・ルアルキルリン酸エステルのo、+ m1%トル
エン/8液を使用し、またプラズマ処理において、円筒
状キャン4の周側面に沿って走行するポリエステルフィ
ルム1の走行速度をIOm/minと一定にした以外は
、実施例1と同様にしてトリアルキルリン酸エステJし
からなる厚さが100人の(宋護■9層を形成するとと
もにプラズマ処理を行い、磁気テープ八をつくった。
実施例7
実施例1におLJる保護膜層の形成おいて、ミリスチン
酸の0.05rliEd%アセトン/8液に代えて、シ
リコーンオイルの0.1重M%トルエン/8液を使用し
、またプラズマ処理において、円筒状キャン4の周側面
に沿−2で走行するポリエステルフィルムlの走行i1
度をIOm/minと一定にした以外は、実施例1と同
1pにしてシリコーンオイルからなるPJさが100人
の保護膜層を形成するとともにプラズマ処理を行い、磁
気テープAをつくった。
酸の0.05rliEd%アセトン/8液に代えて、シ
リコーンオイルの0.1重M%トルエン/8液を使用し
、またプラズマ処理において、円筒状キャン4の周側面
に沿−2で走行するポリエステルフィルムlの走行i1
度をIOm/minと一定にした以外は、実施例1と同
1pにしてシリコーンオイルからなるPJさが100人
の保護膜層を形成するとともにプラズマ処理を行い、磁
気テープAをつくった。
比較例I
実施例]において、保護膜層のプラズマ処理を省いた以
外は実施例1と同様にして磁気テープをつくった。
外は実施例1と同様にして磁気テープをつくった。
比較例2
実施例3において、保護膜層のプラズマ処理を省いた1
:)外は実施例3と同様にして磁気テープをつくった。
:)外は実施例3と同様にして磁気テープをつくった。
比較例3
実施例4に41いて、保護膜層のプラズマ処理を省いた
以り1は実施例4と同様にして磁気テープをつくった。
以り1は実施例4と同様にして磁気テープをつくった。
比較例4
実施例5において、保護膜層のプラズマ処理・を省いた
以外は実施例5と同様にして磁気テープをつくった。
以外は実施例5と同様にして磁気テープをつくった。
比較例5
実施例6において、保護膜層のプラズマ処理を省いた以
外は実施例6と同様にして磁気テープをつくった。
外は実施例6と同様にして磁気テープをつくった。
比較例6
実施例7において、保護膜層のプラズマ処理を省いた以
外は実施例7と同様にして磁気テープをつくった。
外は実施例7と同様にして磁気テープをつくった。
各実施例および各比較例で得られた磁性テープについて
、60℃、90%RHの環填下に5週間静置した後と静
置前の摩擦係数を測定し、耐食慴を試験した。摩Iり係
数は、第3図に示す、F、うに、8m川幅にスリットし
た磁気テープ八を、表面用さが0.05メrの固定ピン
12に強磁セ1余圧薄IQ 1m lll’lが接する
ように重下し、磁気テープへの−1と1に35gの重錘
13に、する前型をかけて、固定ビンにかかる応力から
71Ii ;il L、た。また耐食111試験は、(
72られた磁気テープを60 ”C:、90%r?I+
の環境下に7 II間放置してIi&大磁束密度を測定
し、7ik置前の磁気テープの最大磁束密度を100%
としてこれと比較した(l/iでその劣化率を=1!J
べて行った。
、60℃、90%RHの環填下に5週間静置した後と静
置前の摩擦係数を測定し、耐食慴を試験した。摩Iり係
数は、第3図に示す、F、うに、8m川幅にスリットし
た磁気テープ八を、表面用さが0.05メrの固定ピン
12に強磁セ1余圧薄IQ 1m lll’lが接する
ように重下し、磁気テープへの−1と1に35gの重錘
13に、する前型をかけて、固定ビンにかかる応力から
71Ii ;il L、た。また耐食111試験は、(
72られた磁気テープを60 ”C:、90%r?I+
の環境下に7 II間放置してIi&大磁束密度を測定
し、7ik置前の磁気テープの最大磁束密度を100%
としてこれと比較した(l/iでその劣化率を=1!J
べて行った。
第4図口実施例1でfifられた多数の磁気テープにつ
いて、測定した摩Iユ係数とプラズマ処理時のポリエス
テルフィルムの走行速度との関係をグラフで表し、さら
にプラズマ処理を行わないものとIL較したもので、グ
ラフAは静置前の磁気テープの1?“1θ係数の測定結
果を示し、グラフBは60℃、90%R11のr環境下
に5週間静置後の磁気テープの171亭係数の測定結果
を示したものである。また、+:j、 nはプラズマ処
理を行わない磁気テープの静:′f!前の磁気テープの
摩擦係数の測定結果を示し、点Eは60°C290%R
1+の環境下に5週間静h’?f&のプラズマ処理を行
わない磁気テープの摩擦係数の測定結果を示Uまたもの
である。これらのグラフから明らかなように、プラズマ
処理を施すことによって摩擦係数が下がり走行性が向上
するとともに、腐食環境下での摩擦係数の経時劣化も実
用l−問題ない稈度に1r11えることができる。
いて、測定した摩Iユ係数とプラズマ処理時のポリエス
テルフィルムの走行速度との関係をグラフで表し、さら
にプラズマ処理を行わないものとIL較したもので、グ
ラフAは静置前の磁気テープの1?“1θ係数の測定結
果を示し、グラフBは60℃、90%R11のr環境下
に5週間静置後の磁気テープの171亭係数の測定結果
を示したものである。また、+:j、 nはプラズマ処
理を行わない磁気テープの静:′f!前の磁気テープの
摩擦係数の測定結果を示し、点Eは60°C290%R
1+の環境下に5週間静h’?f&のプラズマ処理を行
わない磁気テープの摩擦係数の測定結果を示Uまたもの
である。これらのグラフから明らかなように、プラズマ
処理を施すことによって摩擦係数が下がり走行性が向上
するとともに、腐食環境下での摩擦係数の経時劣化も実
用l−問題ない稈度に1r11えることができる。
また、下表じ1各実施例および各比較例で得られた磁気
テープのl〜flta係数と最大磁束密度の劣化率を測
定した結果である。なお、下表で示した実施例1の結果
は、ポリエステルフィルムの走行速度を]Om/min
としたとき得られた磁気テープの測定結果である。
テープのl〜flta係数と最大磁束密度の劣化率を測
定した結果である。なお、下表で示した実施例1の結果
は、ポリエステルフィルムの走行速度を]Om/min
としたとき得られた磁気テープの測定結果である。
表
〔発明のすJ果〕
上表から明らかなように、この発明で得られた磁気テー
プ(実施例1〜7)は、いずれも比較例1ないし6で得
られた磁気テープに比し、静置前後の摩擦係数小さく、
なかでも静置後の摩擦係数の経時劣化が特に小さく、ま
た飽和磁化で見た劣化率も小さく、このことからこの発
明の製造方法によれば、耐摩耗性および耐食性に優れた
磁気記録媒体が得られることがわかる。 −
プ(実施例1〜7)は、いずれも比較例1ないし6で得
られた磁気テープに比し、静置前後の摩擦係数小さく、
なかでも静置後の摩擦係数の経時劣化が特に小さく、ま
た飽和磁化で見た劣化率も小さく、このことからこの発
明の製造方法によれば、耐摩耗性および耐食性に優れた
磁気記録媒体が得られることがわかる。 −
第1図は保護膜層の表面をプラズマ処理する際に使用す
るプラズマ処理装置の1例を示す概略断面図、第2図は
この発明によって得られた磁気テープの部分拡大断面図
、第3図はこの発明で得られた磁気テープの摩1が係数
の測定方法を示す説明図、第4図は実施例1で得られた
磁気テープの静置前後の摩擦係数とプラズマ処理時のポ
リエステルフィルムの走行速度との関係図である。
るプラズマ処理装置の1例を示す概略断面図、第2図は
この発明によって得られた磁気テープの部分拡大断面図
、第3図はこの発明で得られた磁気テープの摩1が係数
の測定方法を示す説明図、第4図は実施例1で得られた
磁気テープの静置前後の摩擦係数とプラズマ処理時のポ
リエステルフィルムの走行速度との関係図である。
Claims (1)
- 1、基体上に金属もしくはそれらの合金からなる強磁性
金属薄膜層を形成し、次いで、この強磁性金属薄膜層上
に脂肪族系潤滑剤、フッ素系脂肪酸、フッ素系脂肪酸エ
ステル、リン酸エステル、およびシリコーン系潤滑剤か
ら選ばれる少なくとも1種以上の潤滑剤を被着させて保
護膜層を形成した後、不活性ガスまたは窒素ガスもしく
はこれらの混合ガスのプラズマ中にさらして、プラズマ
処理することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17707084A JPS6157042A (ja) | 1984-08-25 | 1984-08-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17707084A JPS6157042A (ja) | 1984-08-25 | 1984-08-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6157042A true JPS6157042A (ja) | 1986-03-22 |
Family
ID=16024593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17707084A Pending JPS6157042A (ja) | 1984-08-25 | 1984-08-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6157042A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7146712B2 (en) * | 2002-05-24 | 2006-12-12 | Tdk Corporation | Pattern forming method and method of making microdevice |
-
1984
- 1984-08-25 JP JP17707084A patent/JPS6157042A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7146712B2 (en) * | 2002-05-24 | 2006-12-12 | Tdk Corporation | Pattern forming method and method of making microdevice |
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