JPS6227790A - 記憶装置 - Google Patents

記憶装置

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JPS6227790A
JPS6227790A JP60168327A JP16832785A JPS6227790A JP S6227790 A JPS6227790 A JP S6227790A JP 60168327 A JP60168327 A JP 60168327A JP 16832785 A JP16832785 A JP 16832785A JP S6227790 A JPS6227790 A JP S6227790A
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JP
Japan
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data
address
memory
address signal
memory element
Prior art date
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Pending
Application number
JP60168327A
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English (en)
Inventor
元春 水谷
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP60168327A priority Critical patent/JPS6227790A/ja
Publication of JPS6227790A publication Critical patent/JPS6227790A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明は、画像データを記憶づるのに好適な記憶装置に
関するものでおる。
(発明の技術的背景とその問題点) 従来、画像メモリにd3いては、1画素単位の画像デー
タを記憶するに際し、複数画素分の画像データを例えば
8ピッ1〜単位でグループ化し、これを1アドレスが8
ビツトの記憶領域を備えたメモリ素子の各アドレスに記
憶させ、また読出しも同様に8ビット単位で読出しを行
うJ:うに構成している。そして、1画素だけのデータ
データが必要になった場合には、読み出した8画素分の
画像データの中から必要とする画素のデータをセレクタ
あるいはシフトレジスタ等を用いて抽出している。
一方、画像データを1画素単位で読み書きすることがで
きるビットアドレス型の画像メモリもある。
ところが、前者においては所望のドツトパターンの画像
を2つのアドレスにまたがって記憶させ、その復このド
ツトパターンを読出づためにはドツトパターンの書込み
および読出しをそれぞれ2回行う必要がある。このため
、読み書き速度が遅くなってしまうという問題がある。
一方、後者においては、1画素単位でアドレス指定を行
うためにアドレス信号のビット数が増加し、構成が複雑
になるという問題がおる。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、このような問題点を解決す゛るために
なされたもので、その目的は所望のドツトパターンの画
像データを少ないビット数のアドレス信号で高速に読み
書きすることができる記憶装置を提供することにある。
(発明の概要〕 本発明は、メモリ素子の記憶領域のうち隣接する奇数ア
ドレスと偶数アドレスの記憶領域を1組として複数組の
メ−しリブロックに分割したうえ、各メモリブロックで
のデータ書込みを行うためのアドレス信号は(イ)読み
書き対象のメモリブロックを指定する第1のアドレス信
号部分と(ロ)読み書きを開始する記憶領域のアドレス
が奇数アドレスか偶数アドレスかを指定づる第2のアド
レス信号部分と(ハ)指定された記′臆領域におけるデ
ータの読み書ぎ開始ビット位置を指定する第3のアドレ
ス信号部分とから構成し、さらに前記メモリ素子のデー
タ内込み入力側およびデータ読出し出力側に前記第1な
いし第3のアドレス信号部分で指定されたアドレスにd
3いてデータの読み出ぎを行うシフト回路を設けて構成
したものでおる。
第1のアドレス信号部分で所望の1組の奇数アドレスと
偶数アドレスが指定される。また、第2のアドレス信号
部分で奇数アドレスまたは偶数アドレスの一方が指定さ
れ、第3のアドレス信号部分で指定されたアドレス内に
おけるデータの読み書き開始ビット位置が指定される。
シフト回路はこの指定されたアドレスにおいて、かつ指
定されたビット位置から入力データの書込みまたは記憶
データの読出しを行う。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図でおり、メ
モリ素子1のデータ入出力側には右シフトマトリクス2
.左シフトマトリクス3およびセレクタ4とから成るシ
フト回路5が配置されている。
メモリ索子1は、第2図に示ずように1アドレスにつき
8ビツトbo〜b7のデータを記憶する256個のアド
レスを備えたメモリ素子1△、1Bを2個結合したもの
で構成され、図の下側の記憶領域は奇数アドレスが割当
てられ、図の上側の記憶領域は偶数アドレスが割当てら
れている。
このようにして奇数アドレスと偶数アドレスが割当てら
れた256個の記憶領域は、隣接づる奇数アドレスと偶
数アドレスの記憶領域を1組として、すなわち図の下側
と上側の記′臘領域を′1組として128個のメモリブ
ロックMB1〜M+3128に分割されている。そして
、各ブロックの記憶領域には8ビツトのデータDO〜D
Iが並列に入力されている。
このようなメモリ構成に対し、レシーバ5を介して次の
ような8ビツトbO〜b7@成のアドレス信号ADRが
外部から入力される。
すなわち5 (イ)読み書き対象のメモリブロックを指
定する第1のアドレス信号部分b4〜b7と、(ロ)読
み書きを開始づる記憶領域のアドレスが奇数アドレスか
偶数アドレスかを指定する第2のアドレス信号部分b3
と、(ハ)指定された記憶領域におけるデータの読み書
きlin殆ビット位置を指定する第3のアドレス信号部
分bO〜b2とから成るアドレス信号ADRが外部から
パノノされる。このうち、下位の信号bO〜b2はシフ
ト回路5の右シフトマトリクス2および左シフトマトリ
クス3(こ勾えられ、その」二位の1邑号b3〜b7は
メモリドライバ7に与えられる。
メモリドライバ7には、この他にデータの読み書きモー
ドを指定する制御信号R/Wが入力される。
メモリドライバ7は、制御信号R/Wによってデータの
書込みモードが指定されている時、上位のアドレス信号
b4〜b7をメモリ素子1△、1Bに並列に与えると共
に、その下位の信号b3に基づいてメモリ素子1△、1
Bを書込み可能状態とするためのライトイネーブル信号
WEを交互に11 i II 、  II Q IIと
し、メモリ素子1A、1Bを交互に書込み可能状態にす
る。りなわら、信号b3が′O゛で必り、データの書込
み開始ビット位置が奇数アドレスを示しているならば、
信号b7〜b4で指定されたメモリブロックのうち奇数
アドレスか割当てられたメモリ素子を先に書込み可能状
態とし、次に偶数アドレスが割当てられたメモリ素子を
占込み可能状態にする。しかし、信号b3が゛1パでめ
り、データの書込み開始ビット位置が偶数アドレスを示
しているならば、信号b7〜b4で指定されたメモリブ
ロックのうち偶数アドレスが割当てられたメモリ素子を
先に書込み可能状態とし、次にアドレス値が「1」だ(
プ大きい隣りのメモリブロックにおける奇数アドレスか
割当てられたメモリ素子を田込み可能状態にする。
(F3L、、この時はメモリブロックを指定する信号b
4〜b7の最下位b4にb3を加算した信号をメモリ素
子1に与える。
メモリドライバ7は、制御信号R/ Wによって読出し
モードが指定された時にも同様にしてアドレス信号AD
Rを与える。但し、信号b3が′”091でおり、デー
タの読出し開始ビット位置が奇数アドレスを示している
ならば、信号b7〜b4で指定されたメモリブロックの
うち奇数アドレスが割当てられたメモリ素子からの読出
しデータを先に出力し、次に偶数アドレスが割当てられ
たメモリ素子からの読出しデータを出力するために、セ
レクタ4に対して必要な選択制御信号SLを与える。
しかし、信号b3が“1″であり、データの読出し開始
ビット位置が偶数アドレスを示しているならば、信号b
7〜b4で指定されたメモリプロッタのうち偶数アドレ
スが割当てられたメモリ素子からの読出しデータを先に
出力し、次にアドレス値が「1」だけ大きい隣りのメモ
リブロックにおける奇数アドレスが割当てられたメモリ
素子からの読出しデータを出力するために、セレクタ4
に対し必要な選択制御信号SLを与える。
一方、右シフトマトリクス2はドライバ8を介して需込
みデータが入力されると、この書込みデータをアドレス
信号ADRのbO−b2で指定されるシフトはだけ下位
ビット位置側にシフトし、すなわち右シフトし、メモリ
素子1のデータ入力に供給する。また、左シフトマトリ
クス3はセレクタ4から奇数アドレスと偶数アドレスの
読出しデータが入力されると、これらの続出しデータを
アドレス信号ADRのbo’−b2で指定されるシフト
量だけ上位ビット側にシフトし、すなわら左シフトし、
ドライバ8を介して外部に出力する。
以上の構成において、8ビツトのデータDO〜D7を例
えば右方向に3ビツトシフトし、第3図(a)に示すよ
うにメモリブロックMB1における奇数アドレスの第4
ビツト目(b71)から偶数アドレスの第5ビツト目(
b5)に亘って書込む場合、アドレス信号ADRとして
b7〜b5 =O。
b4 =1.b3 =O,b2 =0.bl〜bo=i
を与える。すると、右シフトマトリクス2は入力データ
を右方向に3ビツトシフトしてメモリ素子1に入力し、
またメモリドライバ7はb4〜b7=Oのアドレス信号
をメモリ素子1に入力し、さらに最初に奇数アドレスが
書込み可能状態となり、次に偶数アドレスが書込み可能
状態となるライトイネーブル信号WEを入力する。
これによって、外部から入力されたデータは第3図(a
>に斜線で示づように各ビット位置が下位ビット位置側
に3ビツトだけシフトされ、データの最上位ビットから
第3ビツト目までは奇数アドレスに、また第2ピツ1〜
目から第3ビツト目は偶数アドレスにそれぞれ書込まれ
る。すなわち、入力データは奇数アドレスと偶数アドレ
スの2つのアドレスにまたがってbo〜b2で指定され
た(6)だけ右方向にシフトされて書込まれる。
次に、8ビツトのデータ[)0〜D7を例えば右方向に
3ビツトシフトし、第3図(a)に示ずようにメモリブ
ロックMB1における偶数アドレスの第4ビツト目(b
4)からメモリブロックMB2の奇数アドレスの第5ビ
ツト目(b5)に亘って書込む場合、アドレス信号AD
Rとしてb7〜b5 =Q、b4 =1.b3 =1.
b2 =O,bl〜bO=1を与える。すると、右シフ
トマトリクス2は上記の場合と同様に入力データを右方
向に3ビツトシフトしてメモリ素子1に入力し、またメ
モリドライバ7はb4〜b7 =0のアドレス信号をメ
モリ素子1に入力し、ざらに最初にメモリブロックMB
1の偶数アドレスを出込み可能状態とする。次に隣りの
メモリブロックMB2の偶数アドレスを書込み可能状態
とすると共に、メモリブロックを指定する信号b4〜b
7の最下位b4にb3=1を加算した信号をメモリ素子
1に与える。
これによって、外部から入力されたデータは第3図(b
)に斜線で示すように各ビット位置が下位ビット位置側
に3ビツトだけシフトされ、データの最上位ヒラ1〜か
ら第3ビツト目まではMBlの偶数アドレスに、また第
2ビツト目から第2ビツト目はMB2の偶数アドレスに
それぞれ書込まれる。すなわち、入力データは偶数アド
レスと隣りのメモリブロックの奇数アドレスの2つのア
ドレスにまたがってbo〜b2で指定された量だけ右方
向にシフトされて出込まれる。
このようにして書込まれたデータを読出J場合、書込み
時と同様な構成のアドレス信号ADRを入力する。する
と、奇数アドレスおよび偶数アドレスに記憶されたデー
タが読み出され、セレクタ4の選択動作によって左シフ
トマトリクス3に順次入力される。覆ると、左シフトマ
トリクス3は入力された奇数アドレスおよび偶数アドレ
スの読出しデータを左方向に3ビツトシフトし、ドライ
バ8を介して外部に出力する。
従って、アドレス信号ADRのbo〜b2を所望の値に
設定することにより、各メモリブロックあるいは隣り合
うメモリブロックから出込みデータを所望の量だけシフ
トした形で読出すことができ、画像データを1画素単位
で抽出するクリッピイング操作を極めて容易に行うこと
ができる。
なお、第1図に破線で示すように、右シフトマトリクス
2の出力側にデータの加算回路10を設け、右シフトマ
トリクス2の出力データとセレクタ4の出力データとを
加算し、メモリ素子1に書込むようにしてもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、メモリ素子のアドレスを
ブロック化し、アドレス信号により各メモリブロックと
データの読み書き開始ビット位置を任意に指定できるよ
うにしたため、所望のドツトパターンの画像データを少
ないビット数のアドレス信号で所望のビット単位で高速
に読み書きすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第2図は
同実施例のメモリ素子の構成を示す図、第3図はデータ
の読み書き動作を説明するための図である。 1・・・メモリ素子、2・・・右シフトマトリクス、3
・・・左シフトマトリクス、4・・・セレクタ、5・・
・シフト回路、7・・・メモリドライバ。 −を)1 −一一一一ヒ1ヅト (b) 第3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 単位アドレスが所定ビット数のデータ記憶領域で構成さ
    れたメモリ素子を有する記憶装置において、 前記メモリ素子の記憶領域のうち隣接する奇数アドレス
    と偶数アドレスの記憶領域を1組として複数組のメモリ
    ブロックに分割し、 各メモリブロックでのデータ書込みを行うためのアドレ
    ス信号は(イ)読み書き対象のメモリブロックを指定す
    る第1のアドレス信号部分と(ロ)読み書きを開始する
    記憶領域のアドレスが奇数アドレスか偶数アドレスかを
    指定する第2のアドレス信号部分と(ハ)指定された記
    憶領域におけるデータの読み書き開始ビット位置を指定
    する第3のアドレス信号部分とから構成し、 さらに前記メモリ素子のデータ書込み入力側およびデー
    タ読出し出力側に前記第1ないし第3のアドレス信号部
    分で指定されたアドレスにおいてデータの読み書きを行
    うシフト回路 を設けて成る記憶装置。
JP60168327A 1985-07-30 1985-07-30 記憶装置 Pending JPS6227790A (ja)

Priority Applications (1)

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JP60168327A JPS6227790A (ja) 1985-07-30 1985-07-30 記憶装置

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JP60168327A JPS6227790A (ja) 1985-07-30 1985-07-30 記憶装置

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JPS6227790A true JPS6227790A (ja) 1987-02-05

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ID=15865983

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JP60168327A Pending JPS6227790A (ja) 1985-07-30 1985-07-30 記憶装置

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