JPS62272534A - Ｘ線リソグラフイ装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
Ｘ線リソグラフイ装置及び半導体装置の製造方法Info
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- JPS62272534A JPS62272534A JP62091827A JP9182787A JPS62272534A JP S62272534 A JPS62272534 A JP S62272534A JP 62091827 A JP62091827 A JP 62091827A JP 9182787 A JP9182787 A JP 9182787A JP S62272534 A JPS62272534 A JP S62272534A
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- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
本発明は、Ｘｌ１Ｉリソグラフイ装置に関し、特にレー
ザ・ビームが充分なパワーによりターゲットに衝突して
Ｘ線を放射するプラズマを発生する方法及びこれを用い
た半導体装置の製造方法に関する。
ザ・ビームが充分なパワーによりターゲットに衝突して
Ｘ線を放射するプラズマを発生する方法及びこれを用い
た半導体装置の製造方法に関する。
半導体チップは多年に亙ってリソグラフィと呼ばれるブ
Ｏセスにより製造されていた。典型的なものとして、エ
ネルギ源からレジストにより被覆されたシリコン・ウェ
ーハ上にパターンを発生させるマスクを介して紫外線を
得ている。マスクにより阻止されなかった紫外線はシリ
コン・ウェーハ上のレジストを露光させ、露光した又は
霧光されていないレジストをエツチングにより除去し、
公知の技術により更に処理可能なシリコン・つ工−ハ上
にパターンを残す。
Ｏセスにより製造されていた。典型的なものとして、エ
ネルギ源からレジストにより被覆されたシリコン・ウェ
ーハ上にパターンを発生させるマスクを介して紫外線を
得ている。マスクにより阻止されなかった紫外線はシリ
コン・ウェーハ上のレジストを露光させ、露光した又は
霧光されていないレジストをエツチングにより除去し、
公知の技術により更に処理可能なシリコン・つ工−ハ上
にパターンを残す。
益々密な半導体チップの要求が発生するに従つて、紫外
線の使用上の限界が明らかとなった。この限界は、その
中でも特に紫外線の波長と、充分な分解能により光学系
の能力に基づいている。これらはいずれも半導体チップ
上に配置可能な１．０〜１．５ミクロン・オーダの有限
な線の太さを理由とするものである。紫外線写真プロセ
スの密度のｌｉＱ’ｌを破るために、異なるエネルギ源
を使用しなければならないことが数年来知られていた。
線の使用上の限界が明らかとなった。この限界は、その
中でも特に紫外線の波長と、充分な分解能により光学系
の能力に基づいている。これらはいずれも半導体チップ
上に配置可能な１．０〜１．５ミクロン・オーダの有限
な線の太さを理由とするものである。紫外線写真プロセ
スの密度のｌｉＱ’ｌを破るために、異なるエネルギ源
を使用しなければならないことが数年来知られていた。
良く示唆される第１形式のエネルギ源は、紫外線より短
い波長であり、１！雑な光学装置を必要としないＸｔａ
であった。ＸＩ！リソグラフィは最初にソフトＸ線リソ
グラフィ装置及び処理と題するスミス他による米国特許
第３．７４３．８４２号に示唆されている。その後、ナ
ーゲル（Ｎａｇｅｌ ）他による米国特許第４．１８４
．０７８号にＸ線を発生するためにＸ線源を放射するプ
ラズマを用いることが示唆された。ここで、特に重要な
ことは、レーザが金属ターゲットに収束され、プラズマ
を発生させるナーゲル他の実施例である。ナーゲルの基
礎的な技術は、Ｘ線発生源手段の改良に関連する米国出
願番号箱６６９．４４０号及び第６６９．４４２号にお
いて本出願人により改良されている。
い波長であり、１！雑な光学装置を必要としないＸｔａ
であった。ＸＩ！リソグラフィは最初にソフトＸ線リソ
グラフィ装置及び処理と題するスミス他による米国特許
第３．７４３．８４２号に示唆されている。その後、ナ
ーゲル（Ｎａｇｅｌ ）他による米国特許第４．１８４
．０７８号にＸ線を発生するためにＸ線源を放射するプ
ラズマを用いることが示唆された。ここで、特に重要な
ことは、レーザが金属ターゲットに収束され、プラズマ
を発生させるナーゲル他の実施例である。ナーゲルの基
礎的な技術は、Ｘ線発生源手段の改良に関連する米国出
願番号箱６６９．４４０号及び第６６９．４４２号にお
いて本出願人により改良されている。
本発明の第１の特徴によれば、一対の高エネルギのレー
ザ・ビームを発生する手段と、側壁に一対のバーメツチ
ク・シールの窓を有する排気室と、 その一端の第１のｌＪｄ口と、 その他端の第２の開口と を有するＸ線リソグラフィ装置が備えられる。
ザ・ビームを発生する手段と、側壁に一対のバーメツチ
ク・シールの窓を有する排気室と、 その一端の第１のｌＪｄ口と、 その他端の第２の開口と を有するＸ線リソグラフィ装置が備えられる。
更に、このＸ線リソグラフィは一対のレーザ・ビームを
前記窓を介して前記第１の開口の焦点に導き、収束させ
る手段と、 焦点で前記ターゲットを移動させるように前記ターゲッ
トの確保、位置決め、及び移動をさせ、その間に前記間
口の周辺に真空シールを形成する手段と、 レジスト被覆の−りＪ、−ハを保持し、かつ移動させる
と共に、航記つェーへを保持し、かつ移動させる間に、
前記第２の間口上に真空シールを形成する手段とを備え
ている。
前記窓を介して前記第１の開口の焦点に導き、収束させ
る手段と、 焦点で前記ターゲットを移動させるように前記ターゲッ
トの確保、位置決め、及び移動をさせ、その間に前記間
口の周辺に真空シールを形成する手段と、 レジスト被覆の−りＪ、−ハを保持し、かつ移動させる
と共に、航記つェーへを保持し、かつ移動させる間に、
前記第２の間口上に真空シールを形成する手段とを備え
ている。
最後に、このＸ線リソグラフィ装置は、レーザ・ビーム
の発生と、 前記排気室の排気と、前記 ターゲットを確保し、位置決めし、かつ移動さぼる手段
、及び前記ウェーハを保持し、かつ８仙させる手段の移
動を制御する手段 とを備えている。
の発生と、 前記排気室の排気と、前記 ターゲットを確保し、位置決めし、かつ移動さぼる手段
、及び前記ウェーハを保持し、かつ８仙させる手段の移
動を制御する手段 とを備えている。
以下、図を詳細に参照して本発明の好ましい実施例を説
明する。
明する。
さて、第１図を参照すると、Ｘ線リソグラフィ（ＸＲＬ
）装置１０が示されている。
）装置１０が示されている。
Ｘ線リソグラフィ装置１０はレーザ装置１２０）材料取
扱い装置１４およびＸ線発生装＠１６、ウェーハ取扱い
装置１８及び制御装置ｉ！２０を備えている。レーザ装
置１２は高エネルギ、高速磨繰返レーザ発振器及び増幅
手段と共に、複数のフィルタ、シャッタ及びミラーを備
え、Ｘ線発生装置１６に一対の強力なレーザ・ビームを
指向させている。レーＩＪ′装置１２の詳細を以下第１
１図〜第１４図に関連して説明する。
扱い装置１４およびＸ線発生装＠１６、ウェーハ取扱い
装置１８及び制御装置ｉ！２０を備えている。レーザ装
置１２は高エネルギ、高速磨繰返レーザ発振器及び増幅
手段と共に、複数のフィルタ、シャッタ及びミラーを備
え、Ｘ線発生装置１６に一対の強力なレーザ・ビームを
指向させている。レーＩＪ′装置１２の詳細を以下第１
１図〜第１４図に関連して説明する。
Ｘ線発生装置１６は排気された排気２２を備え、レーザ
装置１２からの一対のレーザ・ご−ム２４及び２４Ａを
排気室２２に収束させている。レーザ・ビーム２４及び
２４Ａは１８気室２２によりインタフェース接続さ礼て
いるターゲット２６を照射するように指向され、プラズ
マを発生させる。
装置１２からの一対のレーザ・ご−ム２４及び２４Ａを
排気室２２に収束させている。レーザ・ビーム２４及び
２４Ａは１８気室２２によりインタフェース接続さ礼て
いるターゲット２６を照射するように指向され、プラズ
マを発生させる。
プラズマによりＸ線が発生し、こ机が排気室２２０）排
気ｖ２２内に配置されているマスクのＸ′ｍ透過部分を
介してウェーハ取扱い装置１８上のシリコン・ウェーハ
に向かって進行する。マスク及びシリコン・ウェーハの
所望部分は材料取扱い装置１４により適当な位置に、か
つアライメントにより配置され、保持される。
気ｖ２２内に配置されているマスクのＸ′ｍ透過部分を
介してウェーハ取扱い装置１８上のシリコン・ウェーハ
に向かって進行する。マスク及びシリコン・ウェーハの
所望部分は材料取扱い装置１４により適当な位置に、か
つアライメントにより配置され、保持される。
レーザ装置１２０）材料取扱い装置１４、Ｘ線発生装＠
１６及びウェーハ取扱い装置１８はそれぞれｔ＋ｌｌ
’ｉｌｌ装＠２０により制御される。
１６及びウェーハ取扱い装置１８はそれぞれｔ＋ｌｌ
’ｉｌｌ装＠２０により制御される。
第１八図を参照すると、材料取１及い装置１４が示され
ており、Ｃれにはアーム及びプラットフォームｍ構３０
を有するＯボット２８が備えられている。ロボット２８
はアーム及びプラットフォーム機構３０を制御して・ウ
ェーハ、ターゲット又はマスクのような部材３２を取り
上げて移動する。
ており、Ｃれにはアーム及びプラットフォームｍ構３０
を有するＯボット２８が備えられている。ロボット２８
はアーム及びプラットフォーム機構３０を制御して・ウ
ェーハ、ターゲット又はマスクのような部材３２を取り
上げて移動する。
移動のために積み上げられた部材３２は、Ｘ線リソグラ
フィ装置１１１０にＳＭＩＦコンテナー３４を用いてロ
ードされる。ＳＭ Ｉ Ｆコンテナー３４は移動又はロ
ードしている間に部材３２の汚染を避けるために浄化さ
れたエア雰囲気を維持するように設計されたものである
。Ｘ線リソグラフィ装置１０はＳＭＩＦコンテナー３４
を受は止めるように一つを第１図に示す正面に、他方を
側方（図示なし）に配置した２つのりセブタクルを有す
る。
フィ装置１１１０にＳＭＩＦコンテナー３４を用いてロ
ードされる。ＳＭ Ｉ Ｆコンテナー３４は移動又はロ
ードしている間に部材３２の汚染を避けるために浄化さ
れたエア雰囲気を維持するように設計されたものである
。Ｘ線リソグラフィ装置１０はＳＭＩＦコンテナー３４
を受は止めるように一つを第１図に示す正面に、他方を
側方（図示なし）に配置した２つのりセブタクルを有す
る。
ロボット２８はＳＭ Ｉ Ｆコンテナー３４を用いてＸ
線リソグラフィ装置１０に挿入された部材３２を移動し
、これらを種々の位置３６に積み重ねるようにυ１１１
１することができる。ロボット２８は、後で各部＠３２
を位＠３６から以下で更に詳細に説明する適当な位置に
移動することができる。つ工−ハは完全に処理されると
、ＳＭＩＦコンテナー３４に戻され、ＳＭ Ｉ Ｆ′コ
ンテナー３４が一杯のときは、これをＸ線リソグラフィ
装置１０から取り除き、次の処理ステーションに転送す
ることができる。同様に、未使用マスク又は使用済みタ
ーゲットをロボット２８を用いて取り除くことができる
。
線リソグラフィ装置１０に挿入された部材３２を移動し
、これらを種々の位置３６に積み重ねるようにυ１１１
１することができる。ロボット２８は、後で各部＠３２
を位＠３６から以下で更に詳細に説明する適当な位置に
移動することができる。つ工−ハは完全に処理されると
、ＳＭＩＦコンテナー３４に戻され、ＳＭ Ｉ Ｆ′コ
ンテナー３４が一杯のときは、これをＸ線リソグラフィ
装置１０から取り除き、次の処理ステーションに転送す
ることができる。同様に、未使用マスク又は使用済みタ
ーゲットをロボット２８を用いて取り除くことができる
。
次に、第２図を参照すると、外部パネルを取り除いたＸ
線リソグラフィ装置１０が示されており、従ってウェー
ハ取扱い装置１８及び部分的なＸ線発生装置１６が示さ
れている。第２図において、レーザ装置１２は花崗岩ス
ラブ３８上に設定されている。また花崗岩スラブ３８は
プラットフォーム４０上に設定され、プラットフォーム
４０は第２の花崗岩スラブ４２に設定されている。第２
図には示されていないが、花崗岩スラブ４２は制御装置
２０上の支持体により保持されている。
線リソグラフィ装置１０が示されており、従ってウェー
ハ取扱い装置１８及び部分的なＸ線発生装置１６が示さ
れている。第２図において、レーザ装置１２は花崗岩ス
ラブ３８上に設定されている。また花崗岩スラブ３８は
プラットフォーム４０上に設定され、プラットフォーム
４０は第２の花崗岩スラブ４２に設定されている。第２
図には示されていないが、花崗岩スラブ４２は制御装置
２０上の支持体により保持されている。
花崗岩スラブ３８及び４２は非常に平坦かつ均一な上面
を有するように設計されている。特に花崗岩スラブ４２
の場合に、これは適当なアライメントで処理しているウ
ェーハを正しく処理し、配置するようにウェーハ取扱い
装置１８をエネーブルするために必要である。更に、各
花崗岩スラブ３８及び４２は極端に重いので、従ってＸ
線リソグラフィ装置１ｏの適当な動作に影響しないよう
に振動を防止する。
を有するように設計されている。特に花崗岩スラブ４２
の場合に、これは適当なアライメントで処理しているウ
ェーハを正しく処理し、配置するようにウェーハ取扱い
装置１８をエネーブルするために必要である。更に、各
花崗岩スラブ３８及び４２は極端に重いので、従ってＸ
線リソグラフィ装置１ｏの適当な動作に影響しないよう
に振動を防止する。
花崗岩スラブ３８はレーザ装置１２のレーザ・ビーム２
４及び２４ＡをＸ線発生装置１６に向かって指向するよ
うに、その内部を與通する一対の縦孔４４及び４６を有
する。それぞれ２つの縦孔４６はミラー４８及び５０に
それぞれ整列されている。またミラー４８及び５０はＮ
いに収束レンズ５２及び５４にむかつてレーザ・ビーム
２４及び２４Ａを反射し、収束レンズ５２及び５４はタ
ーゲット２６領域上の小さな点にレーザ・ビームを収束
さけている。この描込の詳細を以下第４図に関連して説
明する。
４及び２４ＡをＸ線発生装置１６に向かって指向するよ
うに、その内部を與通する一対の縦孔４４及び４６を有
する。それぞれ２つの縦孔４６はミラー４８及び５０に
それぞれ整列されている。またミラー４８及び５０はＮ
いに収束レンズ５２及び５４にむかつてレーザ・ビーム
２４及び２４Ａを反射し、収束レンズ５２及び５４はタ
ーゲット２６領域上の小さな点にレーザ・ビームを収束
さけている。この描込の詳細を以下第４図に関連して説
明する。
レーザ・ビーム２４及び２４Ａをターゲット２６上に収
束する結果、ターゲット２６でプラズマは排気室２２の
全域でＸ線５６を発生し、その一部をウェーハに指向さ
せる。プラズマ及びウェーハ５８との間の排気ｖ２２内
に配置されているマスフは、Ｘ線のパターンをウェーハ
５８に衝突させる。このパターンはウェーハ５８を覆う
レジスト層を露光させるので、ウェーハ５８を更に処理
することができる。
束する結果、ターゲット２６でプラズマは排気室２２の
全域でＸ線５６を発生し、その一部をウェーハに指向さ
せる。プラズマ及びウェーハ５８との間の排気ｖ２２内
に配置されているマスフは、Ｘ線のパターンをウェーハ
５８に衝突させる。このパターンはウェーハ５８を覆う
レジスト層を露光させるので、ウェーハ５８を更に処理
することができる。
ウェーハ５８はウェーハ取扱い装置１８による離散的な
ステップにより移動される。ウェーハ取扱い装置１８は
チャック６０を備えており、チャック６０は排気室２２
からのＸ線５６のパターンに一致して所望の位置に正し
くウェーハ５８を配置するように、Ｘ、Ｙ、Ｚ及びシー
タ方向に移動可能性である。ウェーハ５８はミルロンの
数十分の一内にある非常に正確な位置を必要とするが、
これはＸ線５６を処理する際に用いられる種々のステッ
プでそのような精度を必要とするためである。ウェーハ
取扱い装置１８は通常のウェーハ・ステッパ装置、例え
ばマーチン・Ｅ、り一（Ｈａｒｔｉｎ Ｌｅｅ）の名に
より「半導体ウェーへのダイスに一連のイメージを投影
する装置（八ＤＤａｒａｔｕｓｆｏｒ Ｐｒｏｊｅｃｔ
ｉｎｇ ａ ５ｅｒｉｅｓ ｏｆ Ｉｍａｇｅｓ ｏｎ
ｔｏ Ｄｉｅｓｏｆ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄ
ｅｖｉｃｅｓ） Ｊと題して米国特許第４，４４４．４
９２号に更に詳細に説明されているウルトラステップ１
０００フオトリソグラフイ・システムであればよい。
ステップにより移動される。ウェーハ取扱い装置１８は
チャック６０を備えており、チャック６０は排気室２２
からのＸ線５６のパターンに一致して所望の位置に正し
くウェーハ５８を配置するように、Ｘ、Ｙ、Ｚ及びシー
タ方向に移動可能性である。ウェーハ５８はミルロンの
数十分の一内にある非常に正確な位置を必要とするが、
これはＸ線５６を処理する際に用いられる種々のステッ
プでそのような精度を必要とするためである。ウェーハ
取扱い装置１８は通常のウェーハ・ステッパ装置、例え
ばマーチン・Ｅ、り一（Ｈａｒｔｉｎ Ｌｅｅ）の名に
より「半導体ウェーへのダイスに一連のイメージを投影
する装置（八ＤＤａｒａｔｕｓｆｏｒ Ｐｒｏｊｅｃｔ
ｉｎｇ ａ ５ｅｒｉｅｓ ｏｆ Ｉｍａｇｅｓ ｏｎ
ｔｏ Ｄｉｅｓｏｆ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄ
ｅｖｉｃｅｓ） Ｊと題して米国特許第４，４４４．４
９２号に更に詳細に説明されているウルトラステップ１
０００フオトリソグラフイ・システムであればよい。
第３図及び第４図を参照すると、Ｘ線発生装置１６が更
に詳細に示されている。特に、第３図は排気室２２の内
部の詳細を含む側面を示し、第４図は排気ｖ２２の内部
の詳細を含む正面を示す。
に詳細に示されている。特に、第３図は排気室２２の内
部の詳細を含む側面を示し、第４図は排気ｖ２２の内部
の詳細を含む正面を示す。
縦孔４４および４６を介してレーザ装置１２がら投射さ
れたレーザ・ビーム２４及び２４Ａは、ミラー４８及び
５０によって偏向され、収束レンズ５２及び５４を通過
する。第４図において、収束レンズ５４は複数のレンズ
６２〜６４がらなり、切断された状態で示されている。
れたレーザ・ビーム２４及び２４Ａは、ミラー４８及び
５０によって偏向され、収束レンズ５２及び５４を通過
する。第４図において、収束レンズ５４は複数のレンズ
６２〜６４がらなり、切断された状態で示されている。
レーザ・ビーム２４及び２４Ａはそれぞれ収束レンズ５
２及び５４を通過し、排気室２２の外側に配置されたミ
ラー６６及び６８により窓７ｏ及び７２を介してターゲ
ット２６に向かって反射される。収束レンズ５２．５４
、ミラー６６及び６８は、レーザ・ビーム２４及び２４
Ａが収束レンズ５２及び′５４によって収束され、ミラ
ー６６及び６８によって反射されるように、配置されて
おり、ターゲット２６上で直径が５０〜１００ミクロン
程度の狭いスポット７４に衝突する。従って、ミラー６
６又は６８によって反射されたときに、収束レンズ５２
又は５４からスポット７４までの中心距離は、収束レン
ズ５２及び５４の焦点距離に等しい。
２及び５４を通過し、排気室２２の外側に配置されたミ
ラー６６及び６８により窓７ｏ及び７２を介してターゲ
ット２６に向かって反射される。収束レンズ５２．５４
、ミラー６６及び６８は、レーザ・ビーム２４及び２４
Ａが収束レンズ５２及び′５４によって収束され、ミラ
ー６６及び６８によって反射されるように、配置されて
おり、ターゲット２６上で直径が５０〜１００ミクロン
程度の狭いスポット７４に衝突する。従って、ミラー６
６又は６８によって反射されたときに、収束レンズ５２
又は５４からスポット７４までの中心距離は、収束レン
ズ５２及び５４の焦点距離に等しい。
排気室２２は数Ｔｏｒｒ以下の圧力に排気されたチャン
バーであるのが好ましい。排気室２２内に残留するガス
はヘリウムのような不活性ガスが好ましい。レーザ・ビ
ーム２４及び２４ＡがＩＪＥ気至２２に進行するので真
空を保持するために、窓７０及び７２は排気室２２側で
密閉されている。ターゲット２６は排気室２２の頂部に
配置されており、両者が移動できるように、ノチカナ第
８図及び第９図に関連して説明する真空シールが得られ
るようにしている。排気室２２の底部ら第５図、第５Ａ
図、第６図、第７図及び第７Δ図に関連して更に詳細に
流体力学的に密閉され、かつ花崗岩スラブ３８を介して
可動である。
バーであるのが好ましい。排気室２２内に残留するガス
はヘリウムのような不活性ガスが好ましい。レーザ・ビ
ーム２４及び２４ＡがＩＪＥ気至２２に進行するので真
空を保持するために、窓７０及び７２は排気室２２側で
密閉されている。ターゲット２６は排気室２２の頂部に
配置されており、両者が移動できるように、ノチカナ第
８図及び第９図に関連して説明する真空シールが得られ
るようにしている。排気室２２の底部ら第５図、第５Ａ
図、第６図、第７図及び第７Δ図に関連して更に詳細に
流体力学的に密閉され、かつ花崗岩スラブ３８を介して
可動である。
レーザ・ビーム２４及び２４Ａが収束レンズ５２及び５
４によって収束され、ミラー６６及び６８により焦点で
あるスポット７４に向がって反射されるので、ターゲッ
ト２６の温度は１，０００゜０００℃以上に上昇する。
４によって収束され、ミラー６６及び６８により焦点で
あるスポット７４に向がって反射されるので、ターゲッ
ト２６の温度は１，０００゜０００℃以上に上昇する。
ターゲット２６は通常の金属材料、例えばステンレス鋼
でよく、レーザ・ビーム２４及び２４Ａがスポット７４
で収束されたとぎは、プラズマが生成され、これが排気
室２２の完全に排気した内部がらＸｔｆＡ５６を放射す
る。プラズマを放射する一方法はジェームス・フォーサ
イス（Ｊａｍｅｓ Ｆｏｒｓｙｔｈ ）の名により、か
つ本出願人に譲渡された米国特許出願第６６９．４４１
号に更に詳細に説明されている。
でよく、レーザ・ビーム２４及び２４Ａがスポット７４
で収束されたとぎは、プラズマが生成され、これが排気
室２２の完全に排気した内部がらＸｔｆＡ５６を放射す
る。プラズマを放射する一方法はジェームス・フォーサ
イス（Ｊａｍｅｓ Ｆｏｒｓｙｔｈ ）の名により、か
つ本出願人に譲渡された米国特許出願第６６９．４４１
号に更に詳細に説明されている。
プラズマが発生すると、Ｘ線の他に２種類の汚染物質が
プラズマから放出される。これらの汚染物質は蒸発した
金属及び荷電粒子に起因した微粒子である。磁石７６は
、第３図に示すように、排気室２２の外側周辺、又は排
気室２２内に配置したものでよく、リソグラフィ処理が
発生している重要な領域から荷電粒子を偏向により離す
ように極性が与えられている。磁石７６の位買決めはし
−ザ・ビーム２４及び２４Δの経路外になければならな
いので、排気室２２の外側が好ましい。微粒子の大部分
は、書を与えることなく、リソグラフィ処理に微妙に影
響するＸ線５６の経路から窓７０及び７２を支持する構
造体に落下する。Ｘ線５６の経路にある微粒子はＸ線透
過１１１７７により阻止される。Ｘ線透過ｌ１７７はシ
リコン膜でよく、通常の支持体により保持され、またＸ
ｌ５１１の経路から収束した微粒子を除去するために、
支持体と共にＸ線透過ｌｌ１７７を移動又は除去する手
段を備えてもよい。
プラズマから放出される。これらの汚染物質は蒸発した
金属及び荷電粒子に起因した微粒子である。磁石７６は
、第３図に示すように、排気室２２の外側周辺、又は排
気室２２内に配置したものでよく、リソグラフィ処理が
発生している重要な領域から荷電粒子を偏向により離す
ように極性が与えられている。磁石７６の位買決めはし
−ザ・ビーム２４及び２４Δの経路外になければならな
いので、排気室２２の外側が好ましい。微粒子の大部分
は、書を与えることなく、リソグラフィ処理に微妙に影
響するＸ線５６の経路から窓７０及び７２を支持する構
造体に落下する。Ｘ線５６の経路にある微粒子はＸ線透
過１１１７７により阻止される。Ｘ線透過ｌ１７７はシ
リコン膜でよく、通常の支持体により保持され、またＸ
ｌ５１１の経路から収束した微粒子を除去するために、
支持体と共にＸ線透過ｌｌ１７７を移動又は除去する手
段を備えてもよい。
製造応用に有用なＸ線リソグラフィ装置１０を作成する
ために、ターゲット２６は４〜８時間を超える寿命を有
する必要がある。ターゲットの寿命を伸ばすための１技
術はジェームスＭ、フォーサイスの名により、本出願人
に譲渡された米国特許出願第６６９．４４０号に既に説
明されている。
ために、ターゲット２６は４〜８時間を超える寿命を有
する必要がある。ターゲットの寿命を伸ばすための１技
術はジェームスＭ、フォーサイスの名により、本出願人
に譲渡された米国特許出願第６６９．４４０号に既に説
明されている。
本出願においては、金属のカセット保持ストリップか、
又は金属ドラム状の対象を排気″ｇ２２の排気した部分
内に全て配置しているものとして示している。ｘｍリソ
グラフィ装！ｉ１０では、板又はディスク状の対象をタ
ーゲット２６として利用する。レーザ・ビーム２４及び
２４Ａはディスク状ターゲット２６の複数の異なるトラ
ックに沿って独立した別個の点に収束される。更に、米
国特許出願第６６９．４４０号に説明したようなターゲ
ット２６上に空洞が予め定められている領域に、複数の
異なるレーザ・パルスを点弧することによりディスク材
料の利用を増加させるのが好ましい。
又は金属ドラム状の対象を排気″ｇ２２の排気した部分
内に全て配置しているものとして示している。ｘｍリソ
グラフィ装！ｉ１０では、板又はディスク状の対象をタ
ーゲット２６として利用する。レーザ・ビーム２４及び
２４Ａはディスク状ターゲット２６の複数の異なるトラ
ックに沿って独立した別個の点に収束される。更に、米
国特許出願第６６９．４４０号に説明したようなターゲ
ット２６上に空洞が予め定められている領域に、複数の
異なるレーザ・パルスを点弧することによりディスク材
料の利用を増加させるのが好ましい。
池に、複数のレーザ・パルスを各露光のターゲット領域
に点弧させてもよい。
に点弧させてもよい。
ターゲット２６は、排気室２２の上部から伸長するプレ
ート８０上で、円及び長さ方向に移動するように設計し
た真空チャック７８により保持してもよい。真空チャッ
ク７８及び保持したターゲット２６の移動は、ステッパ
・モータ８２の制御及び線形Ｓ動装置８４により制御さ
れる。線形移動装＠８４は、第４図に示すように左から
右へステッパ・モータ８２を移動させる回転ネジを備え
てもよい。ステッパ・モータ８２は伸延するシャフトを
有し、これを制御装置２０からの命令に応答して精密な
りを回転させることができ、これによって真空チャック
７８及びターゲット２６をターゲット２６の種々のトラ
ックを回転するのを継続させる。完全な１回転が特定の
トラックに発生ずると直ちに、線形移動装置８４はステ
ッパ・モータ８２を８ｆｌＪさせるように噛合わせるこ
とができるので、他のトラックの回転が発生する。ター
ゲット２６のト弓ツクの全てを使用した後、ターゲット
２６は新しいプレートにより置換される。
ート８０上で、円及び長さ方向に移動するように設計し
た真空チャック７８により保持してもよい。真空チャッ
ク７８及び保持したターゲット２６の移動は、ステッパ
・モータ８２の制御及び線形Ｓ動装置８４により制御さ
れる。線形移動装＠８４は、第４図に示すように左から
右へステッパ・モータ８２を移動させる回転ネジを備え
てもよい。ステッパ・モータ８２は伸延するシャフトを
有し、これを制御装置２０からの命令に応答して精密な
りを回転させることができ、これによって真空チャック
７８及びターゲット２６をターゲット２６の種々のトラ
ックを回転するのを継続させる。完全な１回転が特定の
トラックに発生ずると直ちに、線形移動装置８４はステ
ッパ・モータ８２を８ｆｌＪさせるように噛合わせるこ
とができるので、他のトラックの回転が発生する。ター
ゲット２６のト弓ツクの全てを使用した後、ターゲット
２６は新しいプレートにより置換される。
ステッパ・モータ８２のシャフトは静止部分及び回転部
分を有する鉄流体カップラ８６に結合される。静止部分
は空気圧及びこれに結合されたエア真空線を有し、これ
が更にＩＪ：に流体カップラ８６の回転部分に結合され
ている。次に、空気圧及び真空路はシャフト８８を介し
て結合され、真空チャック７８を上昇又は下降させるの
に用いるベロー装置９ｏと、鉄流体カップラ８６を介し
て空気を注入するのか、又は除去するかに従ってターゲ
ット２６を所定の位置に保持するのに用いる複数の真空
ボートとをｉ制御する。ターゲット２６を交換したいと
きは、ベロー装置９６を上昇させ、これによって真空チ
ャック、７８を上昇させるので、ロボット２８のアーム
及びプラットフォーム機構３０はターゲット２６を取り
除き、新しいターゲットと交換することができる。
分を有する鉄流体カップラ８６に結合される。静止部分
は空気圧及びこれに結合されたエア真空線を有し、これ
が更にＩＪ：に流体カップラ８６の回転部分に結合され
ている。次に、空気圧及び真空路はシャフト８８を介し
て結合され、真空チャック７８を上昇又は下降させるの
に用いるベロー装置９ｏと、鉄流体カップラ８６を介し
て空気を注入するのか、又は除去するかに従ってターゲ
ット２６を所定の位置に保持するのに用いる複数の真空
ボートとをｉ制御する。ターゲット２６を交換したいと
きは、ベロー装置９６を上昇させ、これによって真空チ
ャック、７８を上昇させるので、ロボット２８のアーム
及びプラットフォーム機構３０はターゲット２６を取り
除き、新しいターゲットと交換することができる。
ＸＩｉの充分な強度を発生するために、生成されたプラ
ズマは部分的に排気された排気室２２に存在する必要が
ある。従って、レーザ・ビーム２４及び２４Ａが衝突す
る少なくともロボット２８の表面は不完全真空でなけれ
ばならない。
ズマは部分的に排気された排気室２２に存在する必要が
ある。従って、レーザ・ビーム２４及び２４Ａが衝突す
る少なくともロボット２８の表面は不完全真空でなけれ
ばならない。
真空チャック７８が排気室２２内を不完全真空に保持す
るための真空シールを形成し、かつロボット２８の移動
を可能にするエア・ベアリングも形成すると共に、レー
ザ・ビーム２４及び２４Ａをスポット７４に収束するこ
とができるようにターゲット２６を正しく配置させる構
造については、以下第８図及び第９図により説明する。
るための真空シールを形成し、かつロボット２８の移動
を可能にするエア・ベアリングも形成すると共に、レー
ザ・ビーム２４及び２４Ａをスポット７４に収束するこ
とができるようにターゲット２６を正しく配置させる構
造については、以下第８図及び第９図により説明する。
排気室２２の底部にはマスク９４を配置することになっ
ている開口９２がある。マスク９４は、例えば金を堆積
している重い金属のパターンを有するシリコン膜のよう
な通常のＸ線マスクでもよい。マスク９４に含まれるパ
ターンは、排気室２２の底部で開口９２に整列されなけ
ればならない。
ている開口９２がある。マスク９４は、例えば金を堆積
している重い金属のパターンを有するシリコン膜のよう
な通常のＸ線マスクでもよい。マスク９４に含まれるパ
ターンは、排気室２２の底部で開口９２に整列されなけ
ればならない。
マスク９４の残りの部分は、前記シリコン膜の支持体と
、シールを保持するために接続される真空及び圧力用の
複数の入出力路とであり、エア・ベアリングとなり、ウ
ェーハ５８にＩＩＩ連してマスクを正しく配置する。シ
ール、エア・ベアリング及び位置決めが発生する正確な
方法を以下第５図、第５Ａ図、第６図、第７図及び第７
Ａ図に関連して説明しよう。
、シールを保持するために接続される真空及び圧力用の
複数の入出力路とであり、エア・ベアリングとなり、ウ
ェーハ５８にＩＩＩ連してマスクを正しく配置する。シ
ール、エア・ベアリング及び位置決めが発生する正確な
方法を以下第５図、第５Ａ図、第６図、第７図及び第７
Ａ図に関連して説明しよう。
通常、ベロー独１ａ９６はマスク９４．Ｌの排気室２２
の下部に配置されている。ベロー装置９６は通常のフォ
トリソグラフィ技術、例えば、前述の米国特許第４，４
４４．４９２号に説明されているウルトラステップ１０
００ステツパに使用されている技術により、ウェーハを
配置し、整列するために用いられているアライメント機
構の考え方と同様である。しかし、アライメント技術が
マスク９４のマークを利用し、マスク９４が排気室２２
の排気された部分内になければならないという一部の要
求のために、Ｘ線リソグラフィ装置ｔ １０のアライメ
ント機構と、従来技術との間で特に相違がある。
の下部に配置されている。ベロー装置９６は通常のフォ
トリソグラフィ技術、例えば、前述の米国特許第４，４
４４．４９２号に説明されているウルトラステップ１０
００ステツパに使用されている技術により、ウェーハを
配置し、整列するために用いられているアライメント機
構の考え方と同様である。しかし、アライメント技術が
マスク９４のマークを利用し、マスク９４が排気室２２
の排気された部分内になければならないという一部の要
求のために、Ｘ線リソグラフィ装置ｔ １０のアライメ
ント機構と、従来技術との間で特に相違がある。
アライメント機構は第３図に最もよく説明されており、
一対の光エミッタ及び検出８１９８及び１００を備えて
いる。一対の可動チャンバー１０２及び１０４を介して
光エミッタ及び検出装置９８及び１００のそれぞれに光
を送出し、また反射した光を送出する。可動チャンバー
１０２及び１０４はそれぞれウェーハ５８がウェーハ取
扱い装置１８により移動されているときに発生する閉成
した第３図の位置に示されている。光エミッタ及び検出
装置９８及び１００のエミッタ部分に水銀アーク・ラン
プを備えているときは、光ビーム１ｏ６及び１０８は顕
微鏡として機能する可動チャンバー１０２及び１０４を
介して進行し、ミラー１１０及び１１２からウェーハ５
８に向かって反射される。予め定めた光アライメント・
マークが光ビーム１０６及び１０８の経路に存在しない
限り、光は同一の経路に沿ってミラー１１０及び１１２
に反射される。光エミッタ及び検出装置９８及び１００
の検出器部分のファイバー光ケーブルにより結合された
ミラー１１０及び１１２の小さな穴は、検出すべき反射
光の経路となる。ウェーハ５８に現われるアライメント
・マーカーは光ビーム１０６及び１ｏ８の経路に移動し
、光は元の経路から散乱し、散乱した光は光エミッタ及
び検出装置９８及び１００により検出され、ウェーハが
一定の整列位置に移動したことを示す。
一対の光エミッタ及び検出８１９８及び１００を備えて
いる。一対の可動チャンバー１０２及び１０４を介して
光エミッタ及び検出装置９８及び１００のそれぞれに光
を送出し、また反射した光を送出する。可動チャンバー
１０２及び１０４はそれぞれウェーハ５８がウェーハ取
扱い装置１８により移動されているときに発生する閉成
した第３図の位置に示されている。光エミッタ及び検出
装置９８及び１００のエミッタ部分に水銀アーク・ラン
プを備えているときは、光ビーム１ｏ６及び１０８は顕
微鏡として機能する可動チャンバー１０２及び１０４を
介して進行し、ミラー１１０及び１１２からウェーハ５
８に向かって反射される。予め定めた光アライメント・
マークが光ビーム１０６及び１０８の経路に存在しない
限り、光は同一の経路に沿ってミラー１１０及び１１２
に反射される。光エミッタ及び検出装置９８及び１００
の検出器部分のファイバー光ケーブルにより結合された
ミラー１１０及び１１２の小さな穴は、検出すべき反射
光の経路となる。ウェーハ５８に現われるアライメント
・マーカーは光ビーム１０６及び１ｏ８の経路に移動し
、光は元の経路から散乱し、散乱した光は光エミッタ及
び検出装置９８及び１００により検出され、ウェーハが
一定の整列位置に移動したことを示す。
ウェーハ５８が光エミッタ及び検出装置９８及び１００
により正しく配置されると、電気信号が１ｉ１１葡Ｖｉ
霞２０に供給され、ｆｉ制御装置２０はウェーハ取扱い
１ｉｉｉｓにウェーハ５８の移動を停止させる。同時に
、信号を出力して開口９２を介するスポット７４のＸ線
５６の経路から可動ヂャンバー１０２及び１０４を移動
させる。２つの可動チャンバー１０２及び１０４はベロ
ー・コネクタ１１４及び１１６により排気室２２にそれ
ぞれ接続され、ベロー・コネクタ１１４及び１１６は可
動チャンバー１０２及び１０４の位置に関連することな
く、排気室２２内に不完全真空を保持させる。
により正しく配置されると、電気信号が１ｉ１１葡Ｖｉ
霞２０に供給され、ｆｉ制御装置２０はウェーハ取扱い
１ｉｉｉｓにウェーハ５８の移動を停止させる。同時に
、信号を出力して開口９２を介するスポット７４のＸ線
５６の経路から可動ヂャンバー１０２及び１０４を移動
させる。２つの可動チャンバー１０２及び１０４はベロ
ー・コネクタ１１４及び１１６により排気室２２にそれ
ぞれ接続され、ベロー・コネクタ１１４及び１１６は可
動チャンバー１０２及び１０４の位置に関連することな
く、排気室２２内に不完全真空を保持させる。
光ビーム１０６及び１０８は密封された窓１１８及び１
２０を介して可動チャンバー１０２及び１０４の終端に
導かれる。可動チャンバー１０２及び１０４がＸ線５６
の経路から移動させられたときは、レーザ・ビーム２４
及び２４Ａはスポット７４に導かれて収束され、Ｘ線を
発生させて排気室２２の排気された内部を介してマスク
９４に導ぎ、Ｘａのパターンをウェーハ５８に導く。そ
の後、べ０−・コネクタ１１４及び１１６第３図に示す
位置に排気室２２を戻すように制御され、前述の方法に
より次の位置にウェーハ５８を移動し、整列させる。
２０を介して可動チャンバー１０２及び１０４の終端に
導かれる。可動チャンバー１０２及び１０４がＸ線５６
の経路から移動させられたときは、レーザ・ビーム２４
及び２４Ａはスポット７４に導かれて収束され、Ｘ線を
発生させて排気室２２の排気された内部を介してマスク
９４に導ぎ、Ｘａのパターンをウェーハ５８に導く。そ
の後、べ０−・コネクタ１１４及び１１６第３図に示す
位置に排気室２２を戻すように制御され、前述の方法に
より次の位置にウェーハ５８を移動し、整列させる。
次に、第５図、第５Ａ図、第６図、第７図及び第７Ａ図
を参照し、マスク９４の底部とウェーハ５８のレジスト
層面との間のウェーハ・ギャップ監視機構に対するエア
・ベアリング、シール及びマスクを説明しよう。この構
造の一実施例は第５図及び第５ Ａ、図に示されており
、その側面に取り付ｔＪられたシリコン膜１２４を右す
るマスク支持リング１２２を備えている。マスク９４の
パターン１２５はマスク支持リング１２２の開口１２６
上に伸延するシリコン膜１２４の部分に形成されている
。第４図に示し、ここで詳細に説明するように、マスク
支持リング１２２は、ガスを注入又し；１俳気づ′るこ
とができる。一定の入出力路と整列してマスク支持リン
グ１２２の底部に挿入可能である。
を参照し、マスク９４の底部とウェーハ５８のレジスト
層面との間のウェーハ・ギャップ監視機構に対するエア
・ベアリング、シール及びマスクを説明しよう。この構
造の一実施例は第５図及び第５ Ａ、図に示されており
、その側面に取り付ｔＪられたシリコン膜１２４を右す
るマスク支持リング１２２を備えている。マスク９４の
パターン１２５はマスク支持リング１２２の開口１２６
上に伸延するシリコン膜１２４の部分に形成されている
。第４図に示し、ここで詳細に説明するように、マスク
支持リング１２２は、ガスを注入又し；１俳気づ′るこ
とができる。一定の入出力路と整列してマスク支持リン
グ１２２の底部に挿入可能である。
排気室２２の入出力路はマスク支持リング１２２に伸延
している。マスク支持リング１２２は、第５図及び第５
Ａ図に示すように、マスク支持リング１２２の中心から
の２つの内部経路である真空路１２８及び１３０と、ヘ
リウム圧力経路１３２と、空気又は窒素圧力の経路１３
４とを備えている。真空路１２８と１３０との間、又は
真空路１３０とヘリウム圧力パス１３２との間の距離よ
りもヘリウム圧力経路１３２と経路１３４との間の距離
の方がかなり艮い。真空ポンプは排気室２２の底部近傍
の真空路１２８及び１３０の出口側に取り付けてもよく
、また空気又は窒素をその入口から排気室２２の底部近
傍の経路まで経路１３４を介し、ポンプにより排気して
もよい。
している。マスク支持リング１２２は、第５図及び第５
Ａ図に示すように、マスク支持リング１２２の中心から
の２つの内部経路である真空路１２８及び１３０と、ヘ
リウム圧力経路１３２と、空気又は窒素圧力の経路１３
４とを備えている。真空路１２８と１３０との間、又は
真空路１３０とヘリウム圧力パス１３２との間の距離よ
りもヘリウム圧力経路１３２と経路１３４との間の距離
の方がかなり艮い。真空ポンプは排気室２２の底部近傍
の真空路１２８及び１３０の出口側に取り付けてもよく
、また空気又は窒素をその入口から排気室２２の底部近
傍の経路まで経路１３４を介し、ポンプにより排気して
もよい。
マスク支持リング１２２及びシリコンｌｌＡ１２４の底
部には複数のリング１４０．１４２及び１４４がある。
部には複数のリング１４０．１４２及び１４４がある。
リング１３８は真空路１２８に結合され、リング１４０
は真空路１３０に結合されている。従って、リング１３
８又は１４０の領域に存在するガスは真空経路１２８及
び１３０を介して排気される。同様、の方法により、リ
ング１４２はヘリウム圧力経路１３２及びリング１４４
に結合され、他のリング１３６．１３８及び１４０より
かなり広く、経路１３４に結合されている。
は真空路１３０に結合されている。従って、リング１３
８又は１４０の領域に存在するガスは真空経路１２８及
び１３０を介して排気される。同様、の方法により、リ
ング１４２はヘリウム圧力経路１３２及びリング１４４
に結合され、他のリング１３６．１３８及び１４０より
かなり広く、経路１３４に結合されている。
３つの予備アライメント・ノツチ１４６はマスク支持リ
ング１２２の側部に配置され、対応するソレノイド１４
７と共に排気室２２の底部の領域内にマスク支持リング
１２２を予備整列するのに用いられる。これは、第１Ａ
図に示すように、ロボット２８がマスクのスタックから
第４図に示す位置に、マスク支持リング１２２とシリコ
ン膜１２４とを備えているマスク９４を移動する時間中
に実行される。マスク９４が予備アライメント・ノツチ
１４６に伸延するソレノイド１４７のアームにより配置
されると、マスク９４は真空路１４９により所定の位置
に保￥１される。
ング１２２の側部に配置され、対応するソレノイド１４
７と共に排気室２２の底部の領域内にマスク支持リング
１２２を予備整列するのに用いられる。これは、第１Ａ
図に示すように、ロボット２８がマスクのスタックから
第４図に示す位置に、マスク支持リング１２２とシリコ
ン膜１２４とを備えているマスク９４を移動する時間中
に実行される。マスク９４が予備アライメント・ノツチ
１４６に伸延するソレノイド１４７のアームにより配置
されると、マスク９４は真空路１４９により所定の位置
に保￥１される。
ここで、第６図を参照して、マスク支持リング１２２及
びシリコン膜１２４が真空垂直ポジショナに対して真空
シールエア・ベアリング及びマスクの動きをする方法を
説明しよう。先ず、排気室２２の内部は例えば数Ｔｏｒ
ｒ以下の相対圧力下にあり、排気室２２の外側は約７６
０ Ｔｏｒｒｒ７）標準気圧下にあることを１！！解す
べきである。更に、シリコン膜１２４のパターン１２５
とウェーハ５８の上端との間の距離は約３０ミクロとな
るように厳密に制御されなければならない。更に、ウェ
ーハ５８は排気室２２の排気した内部の圧力に影響を与
えることなく、マスク支持リング１２２及びシリコン：
漠１２４に関連して容易に移動可能でなりればならない
。
びシリコン膜１２４が真空垂直ポジショナに対して真空
シールエア・ベアリング及びマスクの動きをする方法を
説明しよう。先ず、排気室２２の内部は例えば数Ｔｏｒ
ｒ以下の相対圧力下にあり、排気室２２の外側は約７６
０ Ｔｏｒｒｒ７）標準気圧下にあることを１！！解す
べきである。更に、シリコン膜１２４のパターン１２５
とウェーハ５８の上端との間の距離は約３０ミクロとな
るように厳密に制御されなければならない。更に、ウェ
ーハ５８は排気室２２の排気した内部の圧力に影響を与
えることなく、マスク支持リング１２２及びシリコン：
漠１２４に関連して容易に移動可能でなりればならない
。
真空路１２８及び１３０に真空ポンプを接続することに
より、また経路１３６′により排気室２２の内部に真空
路１２８を接続することにより、排気室２２内の低圧真
空は、第６図に線１４８及び１５０により示すように、
保持される。２以上のチャネル、例えば真空路１２８及
び１３０を使用することにより、排気室２２内の圧力を
比較的に低い値、例えば数Ｔｏｒｒ以下に保持すること
ができる。このような真空シールは、パリアン・マイク
ロシール−システム（Ｖａｒｉａｎ旧ｃｒｏｓｅａｌ
Ｓｙｓｔｅｍ）のウェーハ・トランスポート及びハンド
リング機構で以前用いられていたものである。しかし、
更にシリコン膜１２４とウェーハ５８の上端との間の距
離を正確な値で保持し、かつセールの両側の相対的な移
動を可能にするこのような構造を利用することができる
ときは、付加的な他の構造を省略することができる。
より、また経路１３６′により排気室２２の内部に真空
路１２８を接続することにより、排気室２２内の低圧真
空は、第６図に線１４８及び１５０により示すように、
保持される。２以上のチャネル、例えば真空路１２８及
び１３０を使用することにより、排気室２２内の圧力を
比較的に低い値、例えば数Ｔｏｒｒ以下に保持すること
ができる。このような真空シールは、パリアン・マイク
ロシール−システム（Ｖａｒｉａｎ旧ｃｒｏｓｅａｌ
Ｓｙｓｔｅｍ）のウェーハ・トランスポート及びハンド
リング機構で以前用いられていたものである。しかし、
更にシリコン膜１２４とウェーハ５８の上端との間の距
離を正確な値で保持し、かつセールの両側の相対的な移
動を可能にするこのような構造を利用することができる
ときは、付加的な他の構造を省略することができる。
これらの付加的な特徴を得るために、ヘリウム圧力経路
１３２が用いられる。ヘリウムはヘリウム圧力経路１３
２を介して供給され、また空気、又は窒素は経路１３４
を介して供給される。ヘリウム圧力経路１３２及びバス
１３４を介してヘリウム、空気、又は窒素の圧力を調整
することにより、高いレベル圧力を第６図に示すにうに
、点１５２に６１ｃ率することができる。点１５２の高
圧は、池の部分で、例えば露光を行なう重要な領域にお
【′Ｊるシリコン膜１２４下の点１５４で比較的に低い
１１気圧に関連して、シリコン膜１２４とウェーハ５８
の上端との間の距離を正確に保持する。この距離はヘリ
ウム圧力経路１３２及び１３４を通過するヘリウム及び
空気の圧力を変更することにより、変更してもよい。更
に、点１５２での高圧はエア・ベアリングとして作用し
、シリコン膜１２４とウェーハ５８との間で摩擦なしの
自由移動を可能にする。このような肋伯にし係わらず、
真空路１２８及び１３０での真空は排気室２２内と、シ
リコン膜１２４の両側でも維持されている。更に、シリ
コン膜１２４の両側での排気された一定の圧力によりシ
リコン膜１２４が歪むのを防止している。
１３２が用いられる。ヘリウムはヘリウム圧力経路１３
２を介して供給され、また空気、又は窒素は経路１３４
を介して供給される。ヘリウム圧力経路１３２及びバス
１３４を介してヘリウム、空気、又は窒素の圧力を調整
することにより、高いレベル圧力を第６図に示すにうに
、点１５２に６１ｃ率することができる。点１５２の高
圧は、池の部分で、例えば露光を行なう重要な領域にお
【′Ｊるシリコン膜１２４下の点１５４で比較的に低い
１１気圧に関連して、シリコン膜１２４とウェーハ５８
の上端との間の距離を正確に保持する。この距離はヘリ
ウム圧力経路１３２及び１３４を通過するヘリウム及び
空気の圧力を変更することにより、変更してもよい。更
に、点１５２での高圧はエア・ベアリングとして作用し
、シリコン膜１２４とウェーハ５８との間で摩擦なしの
自由移動を可能にする。このような肋伯にし係わらず、
真空路１２８及び１３０での真空は排気室２２内と、シ
リコン膜１２４の両側でも維持されている。更に、シリ
コン膜１２４の両側での排気された一定の圧力によりシ
リコン膜１２４が歪むのを防止している。
第７図及び第７Ａ図を参照すると、第５図、第５図及び
第６図に関連して説明する伯の実施例を示す。この実施
例では、第５図のリング１４４がシリコン膜１２４を介
する一連の小さな孔１５６により置換されている。更に
、３つのギャップ・センサ１５８がシリコン膜１２４と
ウェーハ５８との間のギレツブ距離を検知するために備
えられている。このようなギＶツブ・セン１す１５８は
、シリコン膜１２４とウェーハ５８との間が平行なアラ
イメントを得るために各センナに対して同一の背圧を探
し出すウルトラステップ１０００フオトリソグラフイ・
システムで用いられているものでもよい。
第６図に関連して説明する伯の実施例を示す。この実施
例では、第５図のリング１４４がシリコン膜１２４を介
する一連の小さな孔１５６により置換されている。更に
、３つのギャップ・センサ１５８がシリコン膜１２４と
ウェーハ５８との間のギレツブ距離を検知するために備
えられている。このようなギＶツブ・セン１す１５８は
、シリコン膜１２４とウェーハ５８との間が平行なアラ
イメントを得るために各センナに対して同一の背圧を探
し出すウルトラステップ１０００フオトリソグラフイ・
システムで用いられているものでもよい。
第８図及び第９図をここで参照すると、ターゲット２６
を保持している真空チＡ７ツク７８と、排気室２２の上
端のプレート８ｏとの間の真空シール及びエア・ベアリ
ングが示されている。ターゲット２６は、複数の真空支
持体１６０により真空チャック７８の凹型中心に対して
しっかりと保持されており、真空支持体１６０はそれぞ
れ排気ボート１６２をその中心に有する真空ポンプ（図
示なし）に接続している。
を保持している真空チＡ７ツク７８と、排気室２２の上
端のプレート８ｏとの間の真空シール及びエア・ベアリ
ングが示されている。ターゲット２６は、複数の真空支
持体１６０により真空チャック７８の凹型中心に対して
しっかりと保持されており、真空支持体１６０はそれぞ
れ排気ボート１６２をその中心に有する真空ポンプ（図
示なし）に接続している。
ターゲット２６をステッパ・モータ８２及び／又は線形
移動装置８４により移動しようとするときは、真空チＶ
ツク７８の凹んでいない周辺がプレー１−８０ヒを摺動
することになる。第６図に関連して説明したものと同様
のエア・ベアリング及びシールは、真空チャック７８の
周辺でり［気室２２内からの真空の損失を防止すると餞
に、プレート８０に関連する真空チャック７８の摩隙の
ない自由な移動を可能にしている。しかし、この実施例
では、一本の真空路１６４及び一本の空気路１６６のみ
を用いている。真空路１６４及び空気路１６６はそれぞ
れ真空チャック７８の底部でリング１６８及び１７０に
接続されている。空気路１６６に対する空気圧、及び真
空路１６４の真空にＪ：り第６図に関連して説明したエ
ア・ベアリング及びシールが形成される。実際に、更に
正確な方法で真空を得と共に、距離を調節するためには
、第６図に示ηように、複数の真空路１６４及びリング
１６８と、複数の空気路１６６及び複数のリング１７０
を用いることが望ましい。
移動装置８４により移動しようとするときは、真空チＶ
ツク７８の凹んでいない周辺がプレー１−８０ヒを摺動
することになる。第６図に関連して説明したものと同様
のエア・ベアリング及びシールは、真空チャック７８の
周辺でり［気室２２内からの真空の損失を防止すると餞
に、プレート８０に関連する真空チャック７８の摩隙の
ない自由な移動を可能にしている。しかし、この実施例
では、一本の真空路１６４及び一本の空気路１６６のみ
を用いている。真空路１６４及び空気路１６６はそれぞ
れ真空チャック７８の底部でリング１６８及び１７０に
接続されている。空気路１６６に対する空気圧、及び真
空路１６４の真空にＪ：り第６図に関連して説明したエ
ア・ベアリング及びシールが形成される。実際に、更に
正確な方法で真空を得と共に、距離を調節するためには
、第６図に示ηように、複数の真空路１６４及びリング
１６８と、複数の空気路１６６及び複数のリング１７０
を用いることが望ましい。
ここで、第１０図、第１１図、第１２図、第１３図、及
び第１４Ａ図〜第１４Ｃ図を参照してレーザ装置１２を
説明しよう。第１０図は、−木のレーザ・ビーム２４を
レー量ア装置１２により発生し、続いてビーム分割器を
介して伝送し、二つのレーザ・ビーム２４及び２４Ａを
形成し、これらを２つの縦孔４４及び４６を介して伝送
し、２つのミラー４８及び５０により反射し、収束レン
ズ５２及び５４を介し、ミラー６６及び６８により反射
する様子を示している。２つのレーザ・ビーム２４及び
２４Ａを用いた叩出は、プラズマを生成するためにレー
ザに必要とするパワーが非常に大きいので、通常のミラ
ー及び収束装置によりビームを処理すると、特殊な誘電
体の被覆をしてし部品の寿命を短縮する結果となるため
である。排気室２２に印加する２つのレーザ・ビーム２
４及び２４△の強度をそれぞれ約５０バーセン１〜低減
させることにより、通常の部品材７３でもそれらの通常
の有効庁命で用いることができる。レーザ・ビームが通
過する部品月利のいくつかは交換に非常に費用が掛かる
ので、このことは特に重要である。
び第１４Ａ図〜第１４Ｃ図を参照してレーザ装置１２を
説明しよう。第１０図は、−木のレーザ・ビーム２４を
レー量ア装置１２により発生し、続いてビーム分割器を
介して伝送し、二つのレーザ・ビーム２４及び２４Ａを
形成し、これらを２つの縦孔４４及び４６を介して伝送
し、２つのミラー４８及び５０により反射し、収束レン
ズ５２及び５４を介し、ミラー６６及び６８により反射
する様子を示している。２つのレーザ・ビーム２４及び
２４Ａを用いた叩出は、プラズマを生成するためにレー
ザに必要とするパワーが非常に大きいので、通常のミラ
ー及び収束装置によりビームを処理すると、特殊な誘電
体の被覆をしてし部品の寿命を短縮する結果となるため
である。排気室２２に印加する２つのレーザ・ビーム２
４及び２４△の強度をそれぞれ約５０バーセン１〜低減
させることにより、通常の部品材７３でもそれらの通常
の有効庁命で用いることができる。レーザ・ビームが通
過する部品月利のいくつかは交換に非常に費用が掛かる
ので、このことは特に重要である。
第１１図は２つのレーザ・ビーム２４及び２４Ａを発生
する方法をｍ要約に示すものであり、第１２図は３つの
それぞれがレーザ増幅器を通過するレーザ・ビーム２４
の形状及び位置を示す。第１３図は第１１図で説明する
主要な部品のそれぞれの位置決めを表わす３次元の配置
図であり、第１４Ａ図、第１４８図、第１４Ｃ図はそれ
ぞれ第１３図に示１３次元構造の平面図、正面図及び側
面図である。以下、第１１図に関連して詳細に、また時
々第１２図を参照して個々の部品を説明をしよう。第１
３図及び第１４Ａ図〜第１４Ｃ図に部品の参照番号を付
記したが、特に説明はしない。
する方法をｍ要約に示すものであり、第１２図は３つの
それぞれがレーザ増幅器を通過するレーザ・ビーム２４
の形状及び位置を示す。第１３図は第１１図で説明する
主要な部品のそれぞれの位置決めを表わす３次元の配置
図であり、第１４Ａ図、第１４８図、第１４Ｃ図はそれ
ぞれ第１３図に示１３次元構造の平面図、正面図及び側
面図である。以下、第１１図に関連して詳細に、また時
々第１２図を参照して個々の部品を説明をしよう。第１
３図及び第１４Ａ図〜第１４Ｃ図に部品の参照番号を付
記したが、特に説明はしない。
第１１図において、通常のレーザ発撮器１７２は開口１
７２を介して細いレーザ・ビーム２４を発射する。シー
１ア・ビーム２４は約２倍にビーム２４の太さを増加さ
せる空間フィルタを介してミラー１７６及び１７８によ
り反射される。第１１図に説明した参照番号は第１３図
、第１４Ａ図、第１４Ｂ図及び第１４Ｃ図の参照番号に
よることに注意すべきである。しかし、第１３図、第１
４Ａ図、第１４Ｂ図及び第１４Ｃ図ではこれらの図を明
確にするために重要でない部品を省略しである。
７２を介して細いレーザ・ビーム２４を発射する。シー
１ア・ビーム２４は約２倍にビーム２４の太さを増加さ
せる空間フィルタを介してミラー１７６及び１７８によ
り反射される。第１１図に説明した参照番号は第１３図
、第１４Ａ図、第１４Ｂ図及び第１４Ｃ図の参照番号に
よることに注意すべきである。しかし、第１３図、第１
４Ａ図、第１４Ｂ図及び第１４Ｃ図ではこれらの図を明
確にするために重要でない部品を省略しである。
空間フィルタ１８０のレープ・ビーム２４は再びミラー
１８２．１８４及び１８６により反射され、レーザ・ビ
ーム増幅器１８８に人力さ札る。
１８２．１８４及び１８６により反射され、レーザ・ビ
ーム増幅器１８８に人力さ札る。
レーザ・ビーム増幅器１８８は一対のフラッシュ・ラン
プ要素１９２及び１９４により囲まれ、ガラスをネオジ
ムによりドープしＩζスラブからなる。
プ要素１９２及び１９４により囲まれ、ガラスをネオジ
ムによりドープしＩζスラブからなる。
レーザ・ビーム増幅器１８８はウィリアムＳマーチン（
Ｗｉｌｌａｎ＋ Ｓ、 Ｈａｒｔｉｎ）の名により、［
多用内部反射面ボンブト・レーザ（ＨＬＩＩｔｉｐｌＱ
ＩｎｔｅｒｎａｌＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｆａｃｅ
Ｐｕｍｐｅｄ Ｌａ５ｅｒ） Ｊと題して米国？ｉ訂第
３．６３３，１２１に説明されている形式と同一である
。一般に、レーザ・ビーム２４はレーザ・ビーム増幅器
１８８に大川され、フラッシュ・ランプ要素１９２及び
１９４を励起することによりガラスに蓄積されたエネル
ギを取り出す。
Ｗｉｌｌａｎ＋ Ｓ、 Ｈａｒｔｉｎ）の名により、［
多用内部反射面ボンブト・レーザ（ＨＬＩＩｔｉｐｌＱ
ＩｎｔｅｒｎａｌＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｆａｃｅ
Ｐｕｍｐｅｄ Ｌａ５ｅｒ） Ｊと題して米国？ｉ訂第
３．６３３，１２１に説明されている形式と同一である
。一般に、レーザ・ビーム２４はレーザ・ビーム増幅器
１８８に大川され、フラッシュ・ランプ要素１９２及び
１９４を励起することによりガラスに蓄積されたエネル
ギを取り出す。
従って、レー１ｊ・ビーム増幅器１８８の出力端のレー
デ・ビーム２４は入射されたレーザ・ビーム２はりもか
なりパワーが増強されている。
デ・ビーム２４は入射されたレーザ・ビーム２はりもか
なりパワーが増強されている。
次に、レーザ・ビーム２４は前に通過したと同一の経路
によりレーデ・ビーム増幅器１８８を介してミラー１９
６及び１９８により反（ト）される。
によりレーデ・ビーム増幅器１８８を介してミラー１９
６及び１９８により反（ト）される。
レーザ・ビーム２４が第２経路上のレーザ・ビーム増幅
器１８８を通過するときは、第１２図にビーム八により
示すように、形成され、位置決めされている。
器１８８を通過するときは、第１２図にビーム八により
示すように、形成され、位置決めされている。
次に、レーザ・ビーム２４はミラー２００．２０２及び
２０４ににり反射され、空間フィルタ２０６に進入し、
空間フィルタ２０６は約１．６の係数によりレーザ゛・
ビーム２４の太さを全方向に拡大する。その後、レーザ
・ビーム２４はシャッタ・アッセンブリ２１２を介して
ミラー２０８及び２１０により反射される。シ＼１ツタ
・アッセンブリ２１２は第１の線形偏波器（Ｄｏｌａｒ
ｉ７ｅｒ ） ２１４、ポッケルス・セル２１６、及び
第１の線形偏波器２１４に対して９０’回転されている
第２の線形漏波器２１８からなる。ポッケルス・セル２
１６は制御装置２ｏの信号によりルリ御され、周知のよ
うに付勢されたときに入射されたビームの偏光を９０°
変化させる。従って、ポッケルス・セル２１６が付勢さ
れると、レープ・ビーム２４はシャッタ・アッセンブリ
２１２を介して通過し続け、ポッケルス・セル２１６が
付勢されなかったときは、レーザ・ビーム２４は線形偏
波器２１８により遮断される。シャッタ・アッセンブリ
２１２は双方向に同一に動作するので、ポッケルス・セ
ル２１６が付勢されなかったときは、発聚器１７２内で
発生したビームが遮断されると同じように、反射された
ビームが遮断されることに注意すべきである。従って、
制御装置２０により付勢されたポッケルス・セル２１６
の付勢１言号は、発娠器１７２が発生したレーザ・ビー
ム２４の１又は複数のパルスのみを通過させ、反射され
たビームをブロックするように時間制御された非常に短
いパルスでなければならない。
２０４ににり反射され、空間フィルタ２０６に進入し、
空間フィルタ２０６は約１．６の係数によりレーザ゛・
ビーム２４の太さを全方向に拡大する。その後、レーザ
・ビーム２４はシャッタ・アッセンブリ２１２を介して
ミラー２０８及び２１０により反射される。シ＼１ツタ
・アッセンブリ２１２は第１の線形偏波器（Ｄｏｌａｒ
ｉ７ｅｒ ） ２１４、ポッケルス・セル２１６、及び
第１の線形偏波器２１４に対して９０’回転されている
第２の線形漏波器２１８からなる。ポッケルス・セル２
１６は制御装置２ｏの信号によりルリ御され、周知のよ
うに付勢されたときに入射されたビームの偏光を９０°
変化させる。従って、ポッケルス・セル２１６が付勢さ
れると、レープ・ビーム２４はシャッタ・アッセンブリ
２１２を介して通過し続け、ポッケルス・セル２１６が
付勢されなかったときは、レーザ・ビーム２４は線形偏
波器２１８により遮断される。シャッタ・アッセンブリ
２１２は双方向に同一に動作するので、ポッケルス・セ
ル２１６が付勢されなかったときは、発聚器１７２内で
発生したビームが遮断されると同じように、反射された
ビームが遮断されることに注意すべきである。従って、
制御装置２０により付勢されたポッケルス・セル２１６
の付勢１言号は、発娠器１７２が発生したレーザ・ビー
ム２４の１又は複数のパルスのみを通過させ、反射され
たビームをブロックするように時間制御された非常に短
いパルスでなければならない。
次に、ミラー２２０，２２２及び２２４はレーザ・ビー
ム増幅器１８８を介してレーザ・ビーム２４を２回通過
させ、ミラー２２６及び２２８は増幅したレーザ・ビー
ム２４をレーザ・ビーム増幅器１８８を通過する同一の
経路に戻す。２回目にレーデ・ビーム増幅器１８８が励
起されると、レーザ・ビーム２４は第１２図に示すよう
に、ビーム８として位置決めされると共に、形成される
。
ム増幅器１８８を介してレーザ・ビーム２４を２回通過
させ、ミラー２２６及び２２８は増幅したレーザ・ビー
ム２４をレーザ・ビーム増幅器１８８を通過する同一の
経路に戻す。２回目にレーデ・ビーム増幅器１８８が励
起されると、レーザ・ビーム２４は第１２図に示すよう
に、ビーム８として位置決めされると共に、形成される
。
ビームＢは空間フィルタ２０６による乗算のために、ビ
ームＡの約１．６倍になっていることに注意すべきであ
る。更に、ミラー２２２及び２２４は、レーザ・ビーム
増幅器１８８を介する２回目の通過の際に、１回目の通
過の際に発生したときと異なる経路に沿ってレーザ・ビ
ーム２４を導く。
ームＡの約１．６倍になっていることに注意すべきであ
る。更に、ミラー２２２及び２２４は、レーザ・ビーム
増幅器１８８を介する２回目の通過の際に、１回目の通
過の際に発生したときと異なる経路に沿ってレーザ・ビ
ーム２４を導く。
レーザ・ビーム増幅器１８８の出力はアナモフィック（
ａｎａｍｏｒｏｈｉｃ）ビーム・エキスパンダ２３２に
導かれる。７ナモフイツク・ビーム・エキスパンダ２３
２は、第１面が三角形をなし、この第１面に対して垂直
な第２面が方形をなす３つのプリズムからなる。３つの
プリズムのそれぞれは１方向のみにビームを拡張するよ
うに作用をする。
ａｎａｍｏｒｏｈｉｃ）ビーム・エキスパンダ２３２に
導かれる。７ナモフイツク・ビーム・エキスパンダ２３
２は、第１面が三角形をなし、この第１面に対して垂直
な第２面が方形をなす３つのプリズムからなる。３つの
プリズムのそれぞれは１方向のみにビームを拡張するよ
うに作用をする。
この場合に、アナモフィック・ビーム・エキスパンダ２
３２の３つのプリズム２３４．２３６及び２３８はＸ方
向にのみレーザ・ビームを拡張する。
３２の３つのプリズム２３４．２３６及び２３８はＸ方
向にのみレーザ・ビームを拡張する。
その後、アナモフィック・ビーム・エキスパンダ２３２
のレーザ・ビーム２４は、レーザ・ビーム２４の大きざ
を変更することがない空間フィルタ２４２を介してミラ
ー２４０により導かれる。
のレーザ・ビーム２４は、レーザ・ビーム２４の大きざ
を変更することがない空間フィルタ２４２を介してミラ
ー２４０により導かれる。
次に、レーザ・ビーム２４はミラー２４４及び２４６を
介して第２のシャッタ２４８に導かれる。
介して第２のシャッタ２４８に導かれる。
シャッタ２４８は偏波器２５０、ポッケルス・セル２５
２及び偏波器２５４を備えている。ポッケルス・セル２
５２０）偏波器２５４及びシャッタ２４８はシャッタ・
アッセンブリ２１２に関連して先に説明したと同様の方
法により動作する。反射された全てのビームを停止させ
るためには、シャッタを介していくらか光が漏れるので
、装置内では一対のシャッタを用いることがｔｉｔまし
い。
２及び偏波器２５４を備えている。ポッケルス・セル２
５２０）偏波器２５４及びシャッタ２４８はシャッタ・
アッセンブリ２１２に関連して先に説明したと同様の方
法により動作する。反射された全てのビームを停止させ
るためには、シャッタを介していくらか光が漏れるので
、装置内では一対のシャッタを用いることがｔｉｔまし
い。
次に、レーザ・ビーム２４は、ミラー２５６．２５８及
び２６０を介してプリズム２６４．２６６及び２６８を
備えている第２のアナモフィック・ビーム・エキスパン
ダ２６２に導かれる。アナモフィック・ビーム・エキス
パンダ２６２′ｃもＸ方向にのみレーザ・ビーム２４を
拡張する。レーザ・ビーム２４は、アナモフィック・ビ
ーム・エキスパンダ２６２からミラー２７０及σ２７２
を介して第３の経路のレーザ・ビーム増幅器１８８に導
かれ、ミラー２７４及び２７６はレーザ・ビームＩ！１
幅器１８８を介してレーザ・ビーム２４に戻す。この第
３回１］の通過において、レーザ・ビーム２４は第１２
図でビームＣとして示され、Ｘ方向に大きく拡張された
ことが示されているが、Ｙ方向の太さがビームＢの形状
であったときと同様である。更に、ミラーはスラブ１９
０に沿って異なる位置にビームＣを位置決めＪるので、
ビームはその位置でスラブ１９０のエネルギを取り出す
ことができる。空間フィルタ１８０．２０６．２４２０
）アナモフィック・ビーム・エキスパンダ２３２．２６
２及σスラブ１９０の断面の大きさとが全て選択されて
いるので、レーザ・ビーム２４はＹ方向でスラブ１９０
の７寸法より太くならないように拡張されるが、Ｘ方向
で７寸法よりかなり大ぎくなるように拡張可能なことに
注意すべきである。この形式の拡張によりスラブ１９０
が蓄積しているエネルギを可能な限りレーザ・ビーム２
４に吸収させる。
び２６０を介してプリズム２６４．２６６及び２６８を
備えている第２のアナモフィック・ビーム・エキスパン
ダ２６２に導かれる。アナモフィック・ビーム・エキス
パンダ２６２′ｃもＸ方向にのみレーザ・ビーム２４を
拡張する。レーザ・ビーム２４は、アナモフィック・ビ
ーム・エキスパンダ２６２からミラー２７０及σ２７２
を介して第３の経路のレーザ・ビーム増幅器１８８に導
かれ、ミラー２７４及び２７６はレーザ・ビームＩ！１
幅器１８８を介してレーザ・ビーム２４に戻す。この第
３回１］の通過において、レーザ・ビーム２４は第１２
図でビームＣとして示され、Ｘ方向に大きく拡張された
ことが示されているが、Ｙ方向の太さがビームＢの形状
であったときと同様である。更に、ミラーはスラブ１９
０に沿って異なる位置にビームＣを位置決めＪるので、
ビームはその位置でスラブ１９０のエネルギを取り出す
ことができる。空間フィルタ１８０．２０６．２４２０
）アナモフィック・ビーム・エキスパンダ２３２．２６
２及σスラブ１９０の断面の大きさとが全て選択されて
いるので、レーザ・ビーム２４はＹ方向でスラブ１９０
の７寸法より太くならないように拡張されるが、Ｘ方向
で７寸法よりかなり大ぎくなるように拡張可能なことに
注意すべきである。この形式の拡張によりスラブ１９０
が蓄積しているエネルギを可能な限りレーザ・ビーム２
４に吸収させる。
レーザ・ビーム２４は、第３回目の通過を完了し、レー
ザ・ビーム増幅器１８８から出）１されると、再び全体
として円形の断面となるように、プリズム２７８を介し
てＹ方向にレー腎ｆ・ビーム２４を拡張するプリズム２
８２．２８４及び２８６からなる第３の７ナモフイツク
・ビーム・エキスパンダ２８０に導かれる。レー１１・
ビーム２４は、アナモフィック・ビーム・エキスパンダ
２８０からアイソレータ２８８を通過し、ミラー２９０
．２９２及び２９４を介してビーム分割器２９６に導か
れる。ビーム分割器２９６はレーデ・ビーム２４を全体
として等しい強度の独立した２つのレーザ・ビーム２４
及び２４Δに分割する。ビーム分割器２９６のレーザ・
ビーム２４のうちの一つは、先に述べたようにミラー２
９８及び３００により１ｉｆｔ １７１４４を介して収
束レンズ５２に、更にターゲラ１〜２６に導かれる。ビ
ーム分割器２９６のレー１ｆ・ビーム２４Δは、ミラー
３０２．３０４及び３０６及び収束レンズ５４を介し、
花崗岩スラブ３８の開口４６を利用してターゲット２６
に導°かれる。
ザ・ビーム増幅器１８８から出）１されると、再び全体
として円形の断面となるように、プリズム２７８を介し
てＹ方向にレー腎ｆ・ビーム２４を拡張するプリズム２
８２．２８４及び２８６からなる第３の７ナモフイツク
・ビーム・エキスパンダ２８０に導かれる。レー１１・
ビーム２４は、アナモフィック・ビーム・エキスパンダ
２８０からアイソレータ２８８を通過し、ミラー２９０
．２９２及び２９４を介してビーム分割器２９６に導か
れる。ビーム分割器２９６はレーデ・ビーム２４を全体
として等しい強度の独立した２つのレーザ・ビーム２４
及び２４Δに分割する。ビーム分割器２９６のレーザ・
ビーム２４のうちの一つは、先に述べたようにミラー２
９８及び３００により１ｉｆｔ １７１４４を介して収
束レンズ５２に、更にターゲラ１〜２６に導かれる。ビ
ーム分割器２９６のレー１ｆ・ビーム２４Δは、ミラー
３０２．３０４及び３０６及び収束レンズ５４を介し、
花崗岩スラブ３８の開口４６を利用してターゲット２６
に導°かれる。
レーザ装置１２の動作は以下のことを考慮して設計され
ている。畠いビーク・パワーのレーＩｆ・パルスを適当
４ｇターゲットに収束する手段により軟Ｘ線の強力４１
パルスを発生させることは、軟Ｘ線リソグラフィの分野
において商業的に非常に有用なものである。前記米国特
許第４．．１８４．０７８号に説明したように、パルス
化したネオジミウム・レーザルよ本発明に用いるのに適
している。
ている。畠いビーク・パワーのレーＩｆ・パルスを適当
４ｇターゲットに収束する手段により軟Ｘ線の強力４１
パルスを発生させることは、軟Ｘ線リソグラフィの分野
において商業的に非常に有用なものである。前記米国特
許第４．．１８４．０７８号に説明したように、パルス
化したネオジミウム・レーザルよ本発明に用いるのに適
している。
このような応用でネオジミウム・レーザが充分な強度の
パルスを発生するように構築するときは、パルス化して
、典型的なものとしてＱスイッチ・ネオジミウム発Ｇ器
と関連して通常、１段以上の増幅が採用される。小規模
の装置において都合よく達成可能どするこのようなパル
スの増幅度は、典型的なものとして、増幅系に従属して
用いる光学系の表面が永久的な１４１を受けることなく
、レーザ・パルスの強さに耐える能力により、制限され
る。このことは、レーザ・ビーム・トランスポートの９
１率を改善するために多層誘電体の光学的な被覆を採用
したときに、特に成Ｘ７する。増幅度を損傷の見地から
許容し得るものに１１７１１限することにより、増幅媒
体は典型的なものではレーザ・パルスが通過した後で未
だかなりの増幅余裕がある。
パルスを発生するように構築するときは、パルス化して
、典型的なものとしてＱスイッチ・ネオジミウム発Ｇ器
と関連して通常、１段以上の増幅が採用される。小規模
の装置において都合よく達成可能どするこのようなパル
スの増幅度は、典型的なものとして、増幅系に従属して
用いる光学系の表面が永久的な１４１を受けることなく
、レーザ・パルスの強さに耐える能力により、制限され
る。このことは、レーザ・ビーム・トランスポートの９
１率を改善するために多層誘電体の光学的な被覆を採用
したときに、特に成Ｘ７する。増幅度を損傷の見地から
許容し得るものに１１７１１限することにより、増幅媒
体は典型的なものではレーザ・パルスが通過した後で未
だかなりの増幅余裕がある。
残っているこのような増幅度は、ネオジミウムにおける
励起レーデ状態の放射減衰のＩζめに、短時間で消滅す
る未刊用レーデ・ポンプ・エネルギを表わす。換言すれ
ば、未だ利用していない利用可能エネルギは低減したシ
ステム・エネルギに対応する。
励起レーデ状態の放射減衰のＩζめに、短時間で消滅す
る未刊用レーデ・ポンプ・エネルギを表わす。換言すれ
ば、未だ利用していない利用可能エネルギは低減したシ
ステム・エネルギに対応する。
この問題を最少化するための１解決方法は、レンズ及び
／又はプリズムを使用することにより増幅直後のレーザ
・ビームの断面積を拡大するごとである。このような解
決方法は、米国カルフォルニア州すバモア、ローレンス
・リバモア国立研究所（Ｌａｗｒｅｃｃ ｔｉｖｃｒｍ
ｏｒｅ Ｈａ口ｏｎａｌ ＬａｂＯｌ’ａｊＯｒｙ）に
設置された大パルス・ネオジミウム・システムのＮＯＶ
へシステムで用いられており、単純なレー七ア・パルス
の経路に増幅器が蓄積したエネルギから最大可能部分を
取り出し可能にさＵている。
／又はプリズムを使用することにより増幅直後のレーザ
・ビームの断面積を拡大するごとである。このような解
決方法は、米国カルフォルニア州すバモア、ローレンス
・リバモア国立研究所（Ｌａｗｒｅｃｃ ｔｉｖｃｒｍ
ｏｒｅ Ｈａ口ｏｎａｌ ＬａｂＯｌ’ａｊＯｒｙ）に
設置された大パルス・ネオジミウム・システムのＮＯＶ
へシステムで用いられており、単純なレー七ア・パルス
の経路に増幅器が蓄積したエネルギから最大可能部分を
取り出し可能にさＵている。
このような解決方法はレーＩＪ″装置の光学的な部品を
収容するために捉供されるスペースをかなり犠牲にする
しのである。［！ｌｌら、本質的に全ての出力部品は増
幅器の断面積よりも大きくなる。典型的なしのとして、
ソー＋９級の光部品はその断面積より急）＊に増加する
ので、この解決方法ではスペース及び部品のコストが急
速に増加する。
収容するために捉供されるスペースをかなり犠牲にする
しのである。［！ｌｌら、本質的に全ての出力部品は増
幅器の断面積よりも大きくなる。典型的なしのとして、
ソー＋９級の光部品はその断面積より急）＊に増加する
ので、この解決方法ではスペース及び部品のコストが急
速に増加する。
軟Ｘ線リソグラフィの応用では、適当なフォトレジスト
にマスク・パターンを露光するために必“玖とするＸ′
ｆＡを全て１パルスによってフォトレジストに照射する
必殻（まない。ナーゲル（Ｎａａｃｌ）他は、隘復パル
スのＮｄ：ＹへＧレーザ（光学応１０（八ｐｐｌｉｃｄ
０ｐｔｉｃｓ） ２３． １ ４ ２Ｂ （１
９８／Ｉ ） ）を用いて多重パルスＸ線リソグラ
フィ露光を開示している。この作業で用いたレーザ装置
は１０１１ｚのパルス繰返速度を有するが、低エネルギ
のレーザ・パルスを使用しているために、ＰＢＳフォト
レジストに２０分の露光時間が必要である。各レーザ・
パルスは増幅器のエネルギ蓄積時間に比較して長い時間
隔によって離されている。従って、このような装置は効
率が悪い。
にマスク・パターンを露光するために必“玖とするＸ′
ｆＡを全て１パルスによってフォトレジストに照射する
必殻（まない。ナーゲル（Ｎａａｃｌ）他は、隘復パル
スのＮｄ：ＹへＧレーザ（光学応１０（八ｐｐｌｉｃｄ
０ｐｔｉｃｓ） ２３． １ ４ ２Ｂ （１
９８／Ｉ ） ）を用いて多重パルスＸ線リソグラ
フィ露光を開示している。この作業で用いたレーザ装置
は１０１１ｚのパルス繰返速度を有するが、低エネルギ
のレーザ・パルスを使用しているために、ＰＢＳフォト
レジストに２０分の露光時間が必要である。各レーザ・
パルスは増幅器のエネルギ蓄積時間に比較して長い時間
隔によって離されている。従って、このような装置は効
率が悪い。
最近の光ステップ及び繰返りソグラフイ機械では、満足
すべきフォトレジスト露光を達成するために紫外線を照
（ト）するのに必要とする時間は、典型的なものとして
数百ミリ秒又はその程度である。
すべきフォトレジスト露光を達成するために紫外線を照
（ト）するのに必要とする時間は、典型的なものとして
数百ミリ秒又はその程度である。
従って、Ｘ線ステップ及び繰返りソグラフイ機域は、総
合的な露光時間が数百ミリ秒以下程度である限り、精細
な線を作成するりソグラフイに使用するのに魅力的なも
のである。このために、レーザ装置１２の動作において
、リソグラフイク装置の効率を最大にするためには、発
振器１７２が一連のレーザ・パルスを数百ミリ秒以下の
時間窓内に発生しなければならない。
合的な露光時間が数百ミリ秒以下程度である限り、精細
な線を作成するりソグラフイに使用するのに魅力的なも
のである。このために、レーザ装置１２の動作において
、リソグラフイク装置の効率を最大にするためには、発
振器１７２が一連のレーザ・パルスを数百ミリ秒以下の
時間窓内に発生しなければならない。
Ｘ線発（ｔ′：及びシー１１装置効率の最適化は、いく
つかの要素を考慮することが必要である。多段パルスレ
ーザ増幅装置から得たエネルギの大きな部分を高い強度
のものに収束可能にざぜるｌζめには、す（型的なもの
として、１以上の空間フィルタをレーザ装置に備えるこ
とになる。空間フィルタは、典型的なものどして、それ
ぞれ固有の焦点長の総和により分離されている一対の正
のレンズからなり、かつ小さなピンホールが共通焦点に
位置決めされている。（例えば、ハント（ｌｌｔｌｎｔ
）他、光学応用よｌ、２０５３ （１９７８）を参照す
べきである）。Ｘ線発生用に設計された高ピーク・パワ
ー装置では、共通焦点近傍のレーザ彊さは非常に高いの
で、空気の絶縁破壊によりフィルタを介する伝送損失を
発生させる。従って、本発明における空間フィルタは、
典型的なものとして、排気されている。しかし、レー噂
ア・エネルギのある部分はピンホールの側面に衝突し、
プラズマを発生させ、ピンホール内で膨張する。このよ
うなプラズマが形成されるど、プラズマが消滅するまで
、ピンホール内を不透明にさせる。その消滅時間は、一
連のレーザ増幅器を介して連続的なパルスの伝搬を可能
にする速度を限定する。ピンホールの壁から高熱物質が
５０，０００ｃｍ／ｓの平均速度（１０００絶対湿度に
対応１゛る）を右するとぎは、典型的なものとして、直
径が２００ミクロンのピンホールを清？ｆ７にするのに
最小２００−４００ｎｓを必要とすることになる。これ
がパルス間隔の下限を設定する。
つかの要素を考慮することが必要である。多段パルスレ
ーザ増幅装置から得たエネルギの大きな部分を高い強度
のものに収束可能にざぜるｌζめには、す（型的なもの
として、１以上の空間フィルタをレーザ装置に備えるこ
とになる。空間フィルタは、典型的なものどして、それ
ぞれ固有の焦点長の総和により分離されている一対の正
のレンズからなり、かつ小さなピンホールが共通焦点に
位置決めされている。（例えば、ハント（ｌｌｔｌｎｔ
）他、光学応用よｌ、２０５３ （１９７８）を参照す
べきである）。Ｘ線発生用に設計された高ピーク・パワ
ー装置では、共通焦点近傍のレーザ彊さは非常に高いの
で、空気の絶縁破壊によりフィルタを介する伝送損失を
発生させる。従って、本発明における空間フィルタは、
典型的なものとして、排気されている。しかし、レー噂
ア・エネルギのある部分はピンホールの側面に衝突し、
プラズマを発生させ、ピンホール内で膨張する。このよ
うなプラズマが形成されるど、プラズマが消滅するまで
、ピンホール内を不透明にさせる。その消滅時間は、一
連のレーザ増幅器を介して連続的なパルスの伝搬を可能
にする速度を限定する。ピンホールの壁から高熱物質が
５０，０００ｃｍ／ｓの平均速度（１０００絶対湿度に
対応１゛る）を右するとぎは、典型的なものとして、直
径が２００ミクロンのピンホールを清？ｆ７にするのに
最小２００−４００ｎｓを必要とすることになる。これ
がパルス間隔の下限を設定する。
この下限はレーザ・ターゲットの表面に形成されたＸ線
放射プラズマが消滅するのに必要どする時間と両立する
ので、次のレーザ・パルスによる新しいＸ線放射プラズ
マの形成を妨害しないようにする。固形物の表面に収束
したレーザ・パルスにより高熱のプラズマを形成するの
に伴い、通常、固形物の表面に小さなりレータを発生さ
せる。このようなりレータに収束された次のレーザ・パ
ルスは、１９８４年１１月１１日に出願された米国特許
出願第６６９，４４０号に説明されたようにＸ線発生の
増加を示す。
放射プラズマが消滅するのに必要どする時間と両立する
ので、次のレーザ・パルスによる新しいＸ線放射プラズ
マの形成を妨害しないようにする。固形物の表面に収束
したレーザ・パルスにより高熱のプラズマを形成するの
に伴い、通常、固形物の表面に小さなりレータを発生さ
せる。このようなりレータに収束された次のレーザ・パ
ルスは、１９８４年１１月１１日に出願された米国特許
出願第６６９，４４０号に説明されたようにＸ線発生の
増加を示す。
パルス・ポンプ式のネオジミウムのＪ：うにフラッシュ
・ランプ駆動レーザ装置において、電源供供給の電気エ
ネルギからレーザ・エネルギの蓄積ｌ＼の総合的な最適
変換は、フラッシュ・ランプの電流パルスが増幅媒体の
特性レーザ・１ネルギ蓄偵時間と同一時間のとぎに１ｎ
られる。これが最大望１率のパルス間隔についての上限
を設定する。
・ランプ駆動レーザ装置において、電源供供給の電気エ
ネルギからレーザ・エネルギの蓄積ｌ＼の総合的な最適
変換は、フラッシュ・ランプの電流パルスが増幅媒体の
特性レーザ・１ネルギ蓄偵時間と同一時間のとぎに１ｎ
られる。これが最大望１率のパルス間隔についての上限
を設定する。
ここで、第１６図に示すように接続した第１５図、第１
６Ａ図及び第１６Ｂ図を参照して、本発明の制１２１１
装置２０を説明しよう。制御装置２０の核心は一対の中
央処理装置（ＣＰＵ）３０８及び３１０である。、ＣＰ
Ｕ３０８はバロ・アルド・カル’７ オ／Ｌ／ ニア
（Ｐａ１ｏ Ａｌｔｏ Ｃａ１ｆｏｒｎｉａ ＞のヒユ
ーレット・パラカード（ｌｌｅｗｌ員ｔ Ｐａｃｋａｒ
＋１ ）により製造されたｌ−１１） ３０ （’ｌミ
ニ］ンビコータでよく、全般的にウェーハ処叩装置１８
をｎ１ｌｌ ｌ１ｆｌｌ ＝Ｊるために用いられる。ｃ
ｒ−’ ｕ ３１０はゼンデックス（ｌｅｎｄｃｘ）
により製造された８０８８マイクロブ［１ｔ？ツ１）又
はそれと同ｓ３のものでよく、全般的に制御装置２０内
の残りの装置及びタイミングを１−制御する。ＣＰＵ３
０８は一対のバス３１２及び３１４に接続される。バス
３１２は、ステップ・モータ３１６、レーザ干渉計３１
８、ギャップ調整機構３２０及びステージ・モーション
装置３２２のようなＣＰＵ３０８の種々の部分を相位接
続する。バス３１４はＣＰＵ３０８及びＣＰＵ３１゜を
接続するので、これらは互いに通信することができる。
６Ａ図及び第１６Ｂ図を参照して、本発明の制１２１１
装置２０を説明しよう。制御装置２０の核心は一対の中
央処理装置（ＣＰＵ）３０８及び３１０である。、ＣＰ
Ｕ３０８はバロ・アルド・カル’７ オ／Ｌ／ ニア
（Ｐａ１ｏ Ａｌｔｏ Ｃａ１ｆｏｒｎｉａ ＞のヒユ
ーレット・パラカード（ｌｌｅｗｌ員ｔ Ｐａｃｋａｒ
＋１ ）により製造されたｌ−１１） ３０ （’ｌミ
ニ］ンビコータでよく、全般的にウェーハ処叩装置１８
をｎ１ｌｌ ｌ１ｆｌｌ ＝Ｊるために用いられる。ｃ
ｒ−’ ｕ ３１０はゼンデックス（ｌｅｎｄｃｘ）
により製造された８０８８マイクロブ［１ｔ？ツ１）又
はそれと同ｓ３のものでよく、全般的に制御装置２０内
の残りの装置及びタイミングを１−制御する。ＣＰＵ３
０８は一対のバス３１２及び３１４に接続される。バス
３１２は、ステップ・モータ３１６、レーザ干渉計３１
８、ギャップ調整機構３２０及びステージ・モーション
装置３２２のようなＣＰＵ３０８の種々の部分を相位接
続する。バス３１４はＣＰＵ３０８及びＣＰＵ３１゜を
接続するので、これらは互いに通信することができる。
更に、プリンタ３２４フＡトマルヂブライヤ管（ＰＭＴ
）３２６及びアシイメン１へ機構３２８もバス３１４に
接続される。
）３２６及びアシイメン１へ機構３２８もバス３１４に
接続される。
ＣＰＵ３０８
ＣＰＵ３１０から命令を受は取り、又は情報を供給する
バス３３０に接続される。これらにはスラブ・レーザ３
３２．１ティリティ−３３４、発振器３３６、ローダ３
３８、ターゲット３４０、診断３４２０）異１力制御回
路３４４、ディスプレイ３４６及びキーボード３４８を
備えている。
バス３３０に接続される。これらにはスラブ・レーザ３
３２．１ティリティ−３３４、発振器３３６、ローダ３
３８、ターゲット３４０、診断３４２０）異１力制御回
路３４４、ディスプレイ３４６及びキーボード３４８を
備えている。
第１６Ａ図及び第１６Ｂ図を参照すると、第１５図の制
御装置２０の更に詳羽１１にブロックが示されている。
御装置２０の更に詳羽１１にブロックが示されている。
第１６Ａ図及び第１６Ｂ図を第１６図に示す方法により
一緒に配置する必要があることに注意すべきである。第
１６Ａ図では、第１５図のバス３１２及び３１４をバス
３１２が存在する一本のバス３１４に統合しである。
一緒に配置する必要があることに注意すべきである。第
１６Ａ図では、第１５図のバス３１２及び３１４をバス
３１２が存在する一本のバス３１４に統合しである。
ＣＰＵ３０８はバス３１４に接続され、ＣＰＵ３１０及
びバス３１４の左側の種々のブロックに種々の信号を供
給している。これらのブロックにはバス３１４にウェー
ハ位置及び誤り信号を供給するレーザ干渉計３１８が含
まれている。アライメン］−回路３２８はＸモーション
・アライメント１１３２８へ及びＹモーション・アライ
メント装５３２８Ｂとして示されており、それぞれ行き
光信号及び許容誤差信号を受は取り、現在位置信号を供
給する。最後に、ＰＭＴ装置はバス３１４を介するＣＰ
Ｕ３０８から供給される設定ゲイン及び設定閾値信号に
応答する。
びバス３１４の左側の種々のブロックに種々の信号を供
給している。これらのブロックにはバス３１４にウェー
ハ位置及び誤り信号を供給するレーザ干渉計３１８が含
まれている。アライメン］−回路３２８はＸモーション
・アライメント１１３２８へ及びＹモーション・アライ
メント装５３２８Ｂとして示されており、それぞれ行き
光信号及び許容誤差信号を受は取り、現在位置信号を供
給する。最後に、ＰＭＴ装置はバス３１４を介するＣＰ
Ｕ３０８から供給される設定ゲイン及び設定閾値信号に
応答する。
バス３１２はバス３１４を３２ビツト・インタフェース
回路３５０に接続し、これよりタイミング信号をチップ
・チルト３２０Ｃ、クロス・マスク３２０Ａ及σ対東配
置器３２０Ｂとして示すギヤツブ調整回路に供給する。
回路３５０に接続し、これよりタイミング信号をチップ
・チルト３２０Ｃ、クロス・マスク３２０Ａ及σ対東配
置器３２０Ｂとして示すギヤツブ調整回路に供給する。
更に、タイミング信号はステップ・モータ３１６、シャ
ッタ３２２Ａ。
ッタ３２２Ａ。
及びウェーハ・ロード３２２Ｂに供給され、シャッタ３
２２Ａ、及びウェーハ・ロード３２２Ｂは第１５図に示
すステージ・モーション装置３２２の一部を形成してい
る。
２２Ａ、及びウェーハ・ロード３２２Ｂは第１５図に示
すステージ・モーション装置３２２の一部を形成してい
る。
ＣＰＵ３１０はＣＰＵ３０８の信号に応答すると共に、
バス３１４を介してＣＰ Ｕ ３０ ”８に信号を供給
する。更に、ＣＰＬＪ３１０は照射準備完了信号を発掘
器３３６に供給し、発成器３３６の照射完了信号に応答
する。発掘器３３６は発振器１７２に関連する電子回路
でよい。更に、ＣＰＬＪ３１０はロード・マスク及びア
ンロード・マスク信号をＯ−ダー３３８に供給し、ロー
ダ−３３８からのマスク準備完了信号に応答する。最後
に、ＣＰＵ３０８ィセットへ信号及びローダ−３３８か
ら外部位置へ信号に応答する。
バス３１４を介してＣＰ Ｕ ３０ ”８に信号を供給
する。更に、ＣＰＬＪ３１０は照射準備完了信号を発掘
器３３６に供給し、発成器３３６の照射完了信号に応答
する。発掘器３３６は発振器１７２に関連する電子回路
でよい。更に、ＣＰＬＪ３１０はロード・マスク及びア
ンロード・マスク信号をＯ−ダー３３８に供給し、ロー
ダ−３３８からのマスク準備完了信号に応答する。最後
に、ＣＰＵ３０８ィセットへ信号及びローダ−３３８か
ら外部位置へ信号に応答する。
ＣＰＬＪ３１０は制ｔ１１装置２０内の種々の回路、即
ち発振器３３６、ローダ−３３８、スラブ増幅回路３３
２Ａ、異物制御回路３４４、ポッケルス・セル回路３３
２Ｂ、診断回路３４２０）グリコール及び水制御回路３
３４Ｂ、 ｒＡ空制御回囮３３４Ｅ、ターゲット・Ｏ−
ド回路３４０Ａ、収束回路３４０Ｂ、ターゲット位置回
路３４０Ｃ１蒸留水回路３３４Δ、ヘリウム回路３３４
Ｄ１グリコール及び水制御回路３３４Ｂ及び空気インタ
ーロックｉ、＋＋ ａｌ１回路３３４Ｃのそれぞれにシ
ステム・イニシャライズ信号を供給している。システム
・イニシＶライス信号の発生により、前記の各回路はイ
ニシヤライズされてその目的機能を実行する。
ち発振器３３６、ローダ−３３８、スラブ増幅回路３３
２Ａ、異物制御回路３４４、ポッケルス・セル回路３３
２Ｂ、診断回路３４２０）グリコール及び水制御回路３
３４Ｂ、 ｒＡ空制御回囮３３４Ｅ、ターゲット・Ｏ−
ド回路３４０Ａ、収束回路３４０Ｂ、ターゲット位置回
路３４０Ｃ１蒸留水回路３３４Δ、ヘリウム回路３３４
Ｄ１グリコール及び水制御回路３３４Ｂ及び空気インタ
ーロックｉ、＋＋ ａｌ１回路３３４Ｃのそれぞれにシ
ステム・イニシャライズ信号を供給している。システム
・イニシＶライス信号の発生により、前記の各回路はイ
ニシヤライズされてその目的機能を実行する。
システム・イニシＶライズ信号は以下、第１７Ａ図及び
第１７Ｂ図に関連して説明するＸ線リソグラフィ装置１
０のイニシＶライズ中に供給される。
第１７Ｂ図に関連して説明するＸ線リソグラフィ装置１
０のイニシＶライズ中に供給される。
発振器３３６はＣＰＵ３１０からの照射準備完了信号と
、蒸留回路３３４△から蒸留水温度状態信号、ヘリウム
回路３３４１）からヘリウム状態信号及Ｔｊ収束回路３
４０Ｂのターゲット状態信号のような種々のステータス
信号に応答する。これらの信号が全て正しいとさは、発
掘器３３６は、照年１準１ｆｆｉ完了信号に応答して先
に説明したレーザ・パルス列を発生し、ＣＰＵ３０８ を送出する。更に、照射完了信号は異物制御回路３４４
、ターゲット位置回路３４０Ｃ及びターゲット・ロード
回路３４０Ａにも供給する。レーデ・ビーム２４及び２
４Ａを制御するノこめに、発振器３３６は当該装置内の
複数の信号を授受する。
、蒸留回路３３４△から蒸留水温度状態信号、ヘリウム
回路３３４１）からヘリウム状態信号及Ｔｊ収束回路３
４０Ｂのターゲット状態信号のような種々のステータス
信号に応答する。これらの信号が全て正しいとさは、発
掘器３３６は、照年１準１ｆｆｉ完了信号に応答して先
に説明したレーザ・パルス列を発生し、ＣＰＵ３０８ を送出する。更に、照射完了信号は異物制御回路３４４
、ターゲット位置回路３４０Ｃ及びターゲット・ロード
回路３４０Ａにも供給する。レーデ・ビーム２４及び２
４Ａを制御するノこめに、発振器３３６は当該装置内の
複数の信号を授受する。
発振器３３６ににり供給された信号には、Ｑスイッチ・
オン／オフ信号、インターロック・リレー信号、開始信
号、Ｑスイッチ電圧設定、ＰＦＮ電圧設定、シマー（ｓ
ｉｎｖ＋ｅｒ） トリガ信号、Ｑスイッチ電圧点弧信号
、ランプφトリガ信号、ポッケルス・セル・トリガ信号
及び増幅器ヂャージ開始信号が含まれている。発振器３
３６は主電源インターロック信号、ドア・インターロッ
ク信号、り一マル・インターロック信号、Ｑスイッチ電
圧監視信号、Ｑスイッチ・モニタ１信号及びＱスイッチ
・モニタ２１８号及びＰＦＭ電圧モニタ信号に応答する
。
オン／オフ信号、インターロック・リレー信号、開始信
号、Ｑスイッチ電圧設定、ＰＦＮ電圧設定、シマー（ｓ
ｉｎｖ＋ｅｒ） トリガ信号、Ｑスイッチ電圧点弧信号
、ランプφトリガ信号、ポッケルス・セル・トリガ信号
及び増幅器ヂャージ開始信号が含まれている。発振器３
３６は主電源インターロック信号、ドア・インターロッ
ク信号、り一マル・インターロック信号、Ｑスイッチ電
圧監視信号、Ｑスイッチ・モニタ１信号及びＱスイッチ
・モニタ２１８号及びＰＦＭ電圧モニタ信号に応答する
。
第１６１３図を参照すると、スラブ増幅回路３３２Ａは
グリコール及び水流状態信号、グリコール及び水温状態
信号、更に真空系状態信号、Ｄ１水水温状態信号ＤＩ水
温状態信号、及びポッケルス・セル回路３３２Ｂからの
ポッケルス・セル状態信号に応答する。スラブ増幅回路
３３２Ａは更に外部トリガ信号及び外部コントローラ電
圧信号を含む外部信号に応答する。スラブ増幅回路３３
２Ａが出力する他の信号には、ＡＴ電圧信号、１−Ｉ
Ｖ低下ｒａ信号、ランプ点灯失敗信号及びドア・インタ
ーロック信号が含まれる。スラブ増幅回路３３２Δは、
ランプ・アップ信号、ランプ・ダウン信号、トリガ禁止
信号及びレーザ・エネルギ・オフ信号を含め、第１１図
に示ずレーザ・ビーム増幅器１８８のフラッシュ・ラン
プを点灯するための制御信号を供給する。更に、スラブ
増幅回路３３２ＡからＨＶオン及びト１ｖオフ信号を供
給する。
グリコール及び水流状態信号、グリコール及び水温状態
信号、更に真空系状態信号、Ｄ１水水温状態信号ＤＩ水
温状態信号、及びポッケルス・セル回路３３２Ｂからの
ポッケルス・セル状態信号に応答する。スラブ増幅回路
３３２Ａは更に外部トリガ信号及び外部コントローラ電
圧信号を含む外部信号に応答する。スラブ増幅回路３３
２Ａが出力する他の信号には、ＡＴ電圧信号、１−Ｉ
Ｖ低下ｒａ信号、ランプ点灯失敗信号及びドア・インタ
ーロック信号が含まれる。スラブ増幅回路３３２Δは、
ランプ・アップ信号、ランプ・ダウン信号、トリガ禁止
信号及びレーザ・エネルギ・オフ信号を含め、第１１図
に示ずレーザ・ビーム増幅器１８８のフラッシュ・ラン
プを点灯するための制御信号を供給する。更に、スラブ
増幅回路３３２ＡからＨＶオン及びト１ｖオフ信号を供
給する。
ポッケルス・セル回路３３２ＢはＣＰＵ３１０からのシ
ステム・イニシャライズ信号に応答し、また発掘器３３
６から供給されるポッケルス・セル・トリガ信号に応答
してスラブ増幅回路３３２Ａにポッケルス・セル状態信
号を供給する。更に、ポッケルス・セル回路３３２Ｂは
、第１１図に示すポッケルス・セル２１６及び２５２に
関連する回路からポッケルス・セル電圧降下信号、ポッ
ケルス・セル状態信号を入力している。
ステム・イニシャライズ信号に応答し、また発掘器３３
６から供給されるポッケルス・セル・トリガ信号に応答
してスラブ増幅回路３３２Ａにポッケルス・セル状態信
号を供給する。更に、ポッケルス・セル回路３３２Ｂは
、第１１図に示すポッケルス・セル２１６及び２５２に
関連する回路からポッケルス・セル電圧降下信号、ポッ
ケルス・セル状態信号を入力している。
診断回路３４２はシステム・イニシャライズ信号、レー
ザ出力ダイオード、Ｘ線出力ダイオード、発振器出力ダ
イオード及びＰＣトリが信号に応答してウェーブ・プレ
ート調整信号を供給する。
ザ出力ダイオード、Ｘ線出力ダイオード、発振器出力ダ
イオード及びＰＣトリが信号に応答してウェーブ・プレ
ート調整信号を供給する。
真空ｉｌｌ ６０回路３３４Ｆはシステム・イニシャラ
イズ信号及び露光タンク圧力信号空間フィルタ圧力信号
、ポンプ・エンクロージャ・インターロック信号及びド
ア・インターロック信号に応答して、スラブ増幅回路３
３２Ａに真空システム状態信号を供給する。更に、真空
制御回路３３４Ｅはバルブ開閉信号及びポンプ・オン・
オフ信号を供給する。
イズ信号及び露光タンク圧力信号空間フィルタ圧力信号
、ポンプ・エンクロージャ・インターロック信号及びド
ア・インターロック信号に応答して、スラブ増幅回路３
３２Ａに真空システム状態信号を供給する。更に、真空
制御回路３３４Ｅはバルブ開閉信号及びポンプ・オン・
オフ信号を供給する。
ターゲット・ロード回路３４０Ａはシステム・イニシャ
ライズ信号及び発振器３３６の照射完了信号に応答する
。更に、ターゲット・ロード回路３４０Ａはターゲット
存在検知信号、マガジン・ダウン・ローダ検知信号及び
マガジン・アップ位置検知信号に応答して、ターゲット
・マガジン・ロード信号及びターゲット・マガジン・ア
ンロード信号を供給する。
ライズ信号及び発振器３３６の照射完了信号に応答する
。更に、ターゲット・ロード回路３４０Ａはターゲット
存在検知信号、マガジン・ダウン・ローダ検知信号及び
マガジン・アップ位置検知信号に応答して、ターゲット
・マガジン・ロード信号及びターゲット・マガジン・ア
ンロード信号を供給する。
収束回路３４０ＢはＣＰＵ３１０からのシステム・イニ
シャライズ信号、及びターゲット・ロード回路３４０Ｃ
からのターゲット準備完了信号に応答する。更に、収束
回路３４０Ｂは２位置ターゲット信号に応答して、ター
ゲラ１〜信号のＺ位置信号及びターゲット状態信号を供
給する。
シャライズ信号、及びターゲット・ロード回路３４０Ｃ
からのターゲット準備完了信号に応答する。更に、収束
回路３４０Ｂは２位置ターゲット信号に応答して、ター
ゲラ１〜信号のＺ位置信号及びターゲット状態信号を供
給する。
ターゲット位置回路３４０Ｃはシステム・イニシャライ
ズ信号及び照射完了信号に応答して、ターゲット機構に
Ｘ位置増加信号及びＹ位置増加信号を供給する。
ズ信号及び照射完了信号に応答して、ターゲット機構に
Ｘ位置増加信号及びＹ位置増加信号を供給する。
蒸留水回路３３４Δはシステム・イニシャライズ（５号
、発振志潟度検知信号、発振器流れ信号、スラブ増幅蒸
潟度検知信号及びスラブ増幅器流れ検知１３号に応答す
る。蒸留水回路３３４△は先に説Ｉｌｌ Ｌ、た蒸留水
湿度状態と（；；月及び蒸留水流れ信号を供給する。
、発振志潟度検知信号、発振器流れ信号、スラブ増幅蒸
潟度検知信号及びスラブ増幅器流れ検知１３号に応答す
る。蒸留水回路３３４△は先に説Ｉｌｌ Ｌ、た蒸留水
湿度状態と（；；月及び蒸留水流れ信号を供給する。
ヘリウム回路３３４Ｄはシステム・イニシャライズ信号
、人力バルブ検知信号及びヘリウム出力圧力検知信号に
応答する。ヘリウム回路３３４Ｄは発振器３３６に対し
てヘリウム・システム状態信号を供給し、またヘリウム
圧力を制御するために入力バルブ開閉信号及びヘリウム
・ポンプ系オン・オフ信号を供給する。
、人力バルブ検知信号及びヘリウム出力圧力検知信号に
応答する。ヘリウム回路３３４Ｄは発振器３３６に対し
てヘリウム・システム状態信号を供給し、またヘリウム
圧力を制御するために入力バルブ開閉信号及びヘリウム
・ポンプ系オン・オフ信号を供給する。
空気インターロック制御回路３３４Ｃはシステム・イニ
シャライズ信号、カセット・アウト・マスク信号、カセ
ット、イン・マスク信号、イン・プレース・マスク１信
号及び外部ドア開閉状！ｉ！？１信号に応答する。空気
インターロック制御回路３３４Ｃはステッパ出力アンロ
ード信号、ステッパ出力口−ド信号、ステッパ入力アン
ロード信号、ステッパ入力ロード信号を供給する。更に
、空気インターロック制′＠回路３３４Ｃは内側ドア開
閉信号、外側開閉信号、ポンプ出力エントリー信号を供
給する。
シャライズ信号、カセット・アウト・マスク信号、カセ
ット、イン・マスク信号、イン・プレース・マスク１信
号及び外部ドア開閉状！ｉ！？１信号に応答する。空気
インターロック制御回路３３４Ｃはステッパ出力アンロ
ード信号、ステッパ出力口−ド信号、ステッパ入力アン
ロード信号、ステッパ入力ロード信号を供給する。更に
、空気インターロック制′＠回路３３４Ｃは内側ドア開
閉信号、外側開閉信号、ポンプ出力エントリー信号を供
給する。
グリコール及び水制御回路３３４ＢはＣＰＵ３１０から
のシステム・イニシシライズＩｌハ号、漏れ検出信号１
、漏れ検出信号２０）一対の発振器流れ検知信号、一対
のスラブ増幅器流れ検知信号に応答して、グリフール及
び水流状態信号、水流状態信号をスラブ増幅回路３３２
△に供給する。
のシステム・イニシシライズＩｌハ号、漏れ検出信号１
、漏れ検出信号２０）一対の発振器流れ検知信号、一対
のスラブ増幅器流れ検知信号に応答して、グリフール及
び水流状態信号、水流状態信号をスラブ増幅回路３３２
△に供給する。
置物制御回路３４４はシステム・イニシャライズ）ｉ号
、照射完了信号と共に、異物シールド信号及びポッケル
ス・セル・トリガ信号に応答して、微粒子の異物を阻１
トするためにターゲットを介してｘｉ透過膜７７を移動
させるシールド前進信号を供給する。
、照射完了信号と共に、異物シールド信号及びポッケル
ス・セル・トリガ信号に応答して、微粒子の異物を阻１
トするためにターゲットを介してｘｉ透過膜７７を移動
させるシールド前進信号を供給する。
１］−ト制御マスク回路３３８［３はＣＰＵ３１０から
のシステム・イニシャライズ信号及びマスク・ロード信
号に応答する。更に、ロードル＋１１２０マスク回路３
３８Ｂはマスク移動機構から供給されるカセット設定１
信号及びマスク検知信号に応答する。ロード制御マスク
回路３３８ＢはＣＰＵ３１０にカセットへ信号及び外部
位置へ信号を供給し、川に電１１ン・オフ信号、マスク
・スロット要求信号、ヂへフックにマスク設定１５号、
及びチャックからマスク取り外し信号を供給する。
のシステム・イニシャライズ信号及びマスク・ロード信
号に応答する。更に、ロードル＋１１２０マスク回路３
３８Ｂはマスク移動機構から供給されるカセット設定１
信号及びマスク検知信号に応答する。ロード制御マスク
回路３３８ＢはＣＰＵ３１０にカセットへ信号及び外部
位置へ信号を供給し、川に電１１ン・オフ信号、マスク
・スロット要求信号、ヂへフックにマスク設定１５号、
及びチャックからマスク取り外し信号を供給する。
第１６八図及び第１６８図を同時に参照すると明らかと
なるように、当該装置のＩｌ１部はＣＰＩＪ３１０及び
一定の時点で一定の墨染を生起させるように一定の信号
を供給するプログラムにより実行される。一旦開始され
ると、他のことは種々の制御回路のそれぞれに基づいて
順次自動的に発生し、Ｘ線リソグラフィ装置１ｏを介し
て互いに又は一定の１〜ランスデユ一号と通信をする。
なるように、当該装置のＩｌ１部はＣＰＩＪ３１０及び
一定の時点で一定の墨染を生起させるように一定の信号
を供給するプログラムにより実行される。一旦開始され
ると、他のことは種々の制御回路のそれぞれに基づいて
順次自動的に発生し、Ｘ線リソグラフィ装置１ｏを介し
て互いに又は一定の１〜ランスデユ一号と通信をする。
装置の全体でＣＰＩＪ３１０によるブＯグラム制郊の例
を第１７Ａ図、第１７８図、第′１８図、第１９図、第
２０図及び第２１図に示１゜第１７Ａ図及び第１７Ｂ図
を参照して、初期化プログラマブルを説明しよう。
を第１７Ａ図、第１７８図、第′１８図、第１９図、第
２０図及び第２１図に示１゜第１７Ａ図及び第１７Ｂ図
を参照して、初期化プログラマブルを説明しよう。
先ず、ブロック３６０により、全てのパワーがオンにな
ったかを判断する。判断がノーのときは、ブロック３６
２によりエラー・メツセージを印刷してパワーが印加さ
れていす、プログラムを打切りにすることを示す。ブロ
ック３６０において、パワーがオンとなっていることを
判断したどきは、ウェーハ処ｌ１１１；置１８のチ１７
ツク６０′ｃあるｘｙステージの位置をディジタル化す
る。
ったかを判断する。判断がノーのときは、ブロック３６
２によりエラー・メツセージを印刷してパワーが印加さ
れていす、プログラムを打切りにすることを示す。ブロ
ック３６０において、パワーがオンとなっていることを
判断したどきは、ウェーハ処ｌ１１１；置１８のチ１７
ツク６０′ｃあるｘｙステージの位置をディジタル化す
る。
次に、ブロック３６６により、全てのスアツバ・モータ
をホーム・ポジションに復帰させ、ブロック３６８に示
すように、モータ・エラーがあるか否かの判断をする。
をホーム・ポジションに復帰させ、ブロック３６８に示
すように、モータ・エラーがあるか否かの判断をする。
イエスのときは、エラー・メツセージを印刷してプログ
ラムを打切りにする。
ラムを打切りにする。
−Ｅ−タ・エラーがないどきは、ブロック３７２により
、レーザ安全インターロックをディジタル化し、ブロッ
ク３７４によりディジタル化したレーザ安全インターロ
ックが正しいか否かの判断をする。ノーのときは、ブロ
ック３７６によりプリンタがエラー・メツセージと、推
奨するオペレータ操作を印刷する。次に、ブ【−１ツク
３７８により、オペレータが打切りを命令したか否かを
判断する。
、レーザ安全インターロックをディジタル化し、ブロッ
ク３７４によりディジタル化したレーザ安全インターロ
ックが正しいか否かの判断をする。ノーのときは、ブロ
ック３７６によりプリンタがエラー・メツセージと、推
奨するオペレータ操作を印刷する。次に、ブ【−１ツク
３７８により、オペレータが打切りを命令したか否かを
判断する。
イエスのときは、ブロック３８０により打切り処理が実
行される。ブロック３８７にＪ′３いてオペレータが１
ｉｓ奨された正しい操作を実行したときは、ブロック３
７２に戻ってレーｔｙ・インターロックを再びディジク
ル化し、ブロック３７４に示１再ヂエツクを実行する。
行される。ブロック３８７にＪ′３いてオペレータが１
ｉｓ奨された正しい操作を実行したときは、ブロック３
７２に戻ってレーｔｙ・インターロックを再びディジク
ル化し、ブロック３７４に示１再ヂエツクを実行する。
ブロック３７４においてレーザ・インターロックが正し
いと判断されたときは、ブロック３８２により蒸留水を
放出し、オペレークにそのことを示すメツセージを印刷
する。次に、ブロック３８４により蒸留水の停止をし、
ブロック３８６ににリレー奮ア窒索を放出し、オペレー
タにその操作を示すメツセージを印刷する。次に、ブロ
ック３８８によりレーザ窒素を停止する。
いと判断されたときは、ブロック３８２により蒸留水を
放出し、オペレークにそのことを示すメツセージを印刷
する。次に、ブロック３８４により蒸留水の停止をし、
ブロック３８６ににリレー奮ア窒索を放出し、オペレー
タにその操作を示すメツセージを印刷する。次に、ブロ
ック３８８によりレーザ窒素を停止する。
次に、ブロック３９０によりグリコール冷ＩＪ］をオン
にし、このことを示Ｊ−メツセージをオペレータに送出
する。次に、ブロック３９２により、グリコール・イン
タラブドを付勢し、ブ［１ツク３９４により全てのシャ
ッタを閉じる。その後、ブロック３９６に示すように、
シャッタは閉じられたかについての判断をする。ノーの
どきは、ブロック３９８により、エラー・メツセージを
印刷し、打切り処理を実行する。ブロック３９６により
シャッタが１１１しられていたときは、ブロック４００
に示す、ように、レー瞥ア発振器は１／２電力によりオ
ンとなり、ブロック４０２によりこのことを示ずメツセ
ージをオペレータに送出する。次に、ブロック４０４に
より、スラブ増幅器は１／２電力によりオンと４１す、
またブ［コック４０６によりこのことを示すメツセージ
をオペレータに送出する。
にし、このことを示Ｊ−メツセージをオペレータに送出
する。次に、ブロック３９２により、グリコール・イン
タラブドを付勢し、ブ［１ツク３９４により全てのシャ
ッタを閉じる。その後、ブロック３９６に示すように、
シャッタは閉じられたかについての判断をする。ノーの
どきは、ブロック３９８により、エラー・メツセージを
印刷し、打切り処理を実行する。ブロック３９６により
シャッタが１１１しられていたときは、ブロック４００
に示す、ように、レー瞥ア発振器は１／２電力によりオ
ンとなり、ブロック４０２によりこのことを示ずメツセ
ージをオペレータに送出する。次に、ブロック４０４に
より、スラブ増幅器は１／２電力によりオンと４１す、
またブ［コック４０６によりこのことを示すメツセージ
をオペレータに送出する。
次に、ブロック４０８により、）Ｏラグ・アームを作動
させる。「フロッグ・アーム」とは第１Ａ図に示す材料
取汲い独Ｖ！１１４、ロボット２８及びアーム及びプラ
ットフォーム機構３ｏに与えた名称である。先に説明し
たように、ロボット２８のアーム及びプラットフォーム
機構３０はＸ線リソグラフィ装置１０内のマスク、ター
ゲット及びウェーハを移１ＩＩＪ］させる。次に、ブロ
ック４１０により、フロッグ・アーム誤りがあるかにつ
いての’ｒｌｌ Ｉ＋をり゛る。イエスのときは、エラ
ー・メツセージを印刷し、打切り処理を実行する。
させる。「フロッグ・アーム」とは第１Ａ図に示す材料
取汲い独Ｖ！１１４、ロボット２８及びアーム及びプラ
ットフォーム機構３ｏに与えた名称である。先に説明し
たように、ロボット２８のアーム及びプラットフォーム
機構３０はＸ線リソグラフィ装置１０内のマスク、ター
ゲット及びウェーハを移１ＩＩＪ］させる。次に、ブロ
ック４１０により、フロッグ・アーム誤りがあるかにつ
いての’ｒｌｌ Ｉ＋をり゛る。イエスのときは、エラ
ー・メツセージを印刷し、打切り処理を実行する。
ブロック４１０によりフロッグ・アームが正しく作動し
ていると判断したときは、ブロック４１４により２つの
ＳＭ ［Ｆボート・エレベータを上昇させる。ＳＭＩＦ
ポート・エレベータは、フロッグ・アームにロードする
位置にポートに存在する項目を移りｊさせるエレベータ
を備えており、第１図に示すＳＭＩＦコンテナー３４を
挿入する。
ていると判断したときは、ブロック４１４により２つの
ＳＭ ［Ｆボート・エレベータを上昇させる。ＳＭＩＦ
ポート・エレベータは、フロッグ・アームにロードする
位置にポートに存在する項目を移りｊさせるエレベータ
を備えており、第１図に示すＳＭＩＦコンテナー３４を
挿入する。
次に、第１７Ｂ図のブロック４１６が継続し、ＳＭ Ｉ
Ｆポート・エレベータは上部位置にあるか否かを判断
をする。ノーのときは、ブロック４１８により、エラー
・メツセージを印刷し、ブロック４２０によりオペレー
タに続けるのか、打切りにするのかの督促をする。ブロ
ック４２２によりオペレータが打切りを決定したときは
、ブロック４２４は打切りを表示する。ブロック４２２
においてオペレータが継続を希望する決定をしたときは
、ブロック４２６により各ＳＭＩＦボー１〜のステータ
スを記憶し、ブロック４２８により継続となる。ブロッ
ク４２８により、ターゲット・マガジン・ステータスを
調べ、次のブロック４３０によりターゲットが存在する
か否かを判断をする。
Ｆポート・エレベータは上部位置にあるか否かを判断
をする。ノーのときは、ブロック４１８により、エラー
・メツセージを印刷し、ブロック４２０によりオペレー
タに続けるのか、打切りにするのかの督促をする。ブロ
ック４２２によりオペレータが打切りを決定したときは
、ブロック４２４は打切りを表示する。ブロック４２２
においてオペレータが継続を希望する決定をしたときは
、ブロック４２６により各ＳＭＩＦボー１〜のステータ
スを記憶し、ブロック４２８により継続となる。ブロッ
ク４２８により、ターゲット・マガジン・ステータスを
調べ、次のブロック４３０によりターゲットが存在する
か否かを判断をする。
ブロック４３０によりターゲットが存在しないことが判
断されたときは、ブロック４３２によりＳＭ （Ｆポー
トにターゲットをロード１−るようにオペレータを督促
する。次に、ブロック４３４により、ターゲットはロー
ドの準備ができているか否かを１１断をする。ノーのと
きは、ターゲット、は［１−ドの準備を完了したと判断
されるまで、ブロック４３４の開始に戻る。ターゲット
がロードの準備を完了となると、ブロック４３６により
、フロッグ・アームはターゲットをＳＭ Ｉ Ｆポート
からス１〜レージ・トレーにロードし、ブロック４３０
に復帰する。この時点で、ターゲットは存在すると１′
１１断する。
断されたときは、ブロック４３２によりＳＭ （Ｆポー
トにターゲットをロード１−るようにオペレータを督促
する。次に、ブロック４３４により、ターゲットはロー
ドの準備ができているか否かを１１断をする。ノーのと
きは、ターゲット、は［１−ドの準備を完了したと判断
されるまで、ブロック４３４の開始に戻る。ターゲット
がロードの準備を完了となると、ブロック４３６により
、フロッグ・アームはターゲットをＳＭ Ｉ Ｆポート
からス１〜レージ・トレーにロードし、ブロック４３０
に復帰する。この時点で、ターゲットは存在すると１′
１１断する。
続いてブ１］ツク４３８により、マスク・マガジン・ス
テータスを調べ、ブロック４３０ｆ、： 、につてマス
クが存在するか否かを判断をする。マスクが存在しない
ときは、ブロック４４２により、ＳＭＩＦポートにマス
クをロードするようにオペレータを′督促する。更に、
このメツセージ【よオペレータがどのくらいマスクをロ
ードすべきかをη１らＵ、次にブロック４４４により、
マスクはシステムにロードする準備を完了しているか否
かの判断をする。このような状態になるまで、処理はブ
ロック４４４に留まる。マスクがシステムにロードする
早漏を完了すると、ブロック４４６ににす、ＳＭＩＦボ
ートから一番上のマスクを取るようにフロッグ・アーム
に指示する。次に、ブロック４４８によりマスクＩＤを
トレーから読み出し、ブロック４５０により、フロッグ
・アームはマスクをストレージ・トレーに蓄積し、ＩＤ
読み出しについて位置を記録する。次に、ブロック４５
２ににす、最少のマスクを蓄積したか盃かの判断をする
。ノーのとぎは、ブロック４４６に復帰し、スｌ〜レー
ジ・トレーに線 （ｌ＞のマスク及びマスクＩＤ数と関
連して記録された位置を蓄積するまで、ブロック４４６
．４４８．４５０及び４５２を反復する。Ｑ＜ｒ２のマ
スクを蓄積すると、ブ［１ツク４４０に復帰する。
テータスを調べ、ブロック４３０ｆ、： 、につてマス
クが存在するか否かを判断をする。マスクが存在しない
ときは、ブロック４４２により、ＳＭＩＦポートにマス
クをロードするようにオペレータを′督促する。更に、
このメツセージ【よオペレータがどのくらいマスクをロ
ードすべきかをη１らＵ、次にブロック４４４により、
マスクはシステムにロードする準備を完了しているか否
かの判断をする。このような状態になるまで、処理はブ
ロック４４４に留まる。マスクがシステムにロードする
早漏を完了すると、ブロック４４６ににす、ＳＭＩＦボ
ートから一番上のマスクを取るようにフロッグ・アーム
に指示する。次に、ブロック４４８によりマスクＩＤを
トレーから読み出し、ブロック４５０により、フロッグ
・アームはマスクをストレージ・トレーに蓄積し、ＩＤ
読み出しについて位置を記録する。次に、ブロック４５
２ににす、最少のマスクを蓄積したか盃かの判断をする
。ノーのとぎは、ブロック４４６に復帰し、スｌ〜レー
ジ・トレーに線 （ｌ＞のマスク及びマスクＩＤ数と関
連して記録された位置を蓄積するまで、ブロック４４６
．４４８．４５０及び４５２を反復する。Ｑ＜ｒ２のマ
スクを蓄積すると、ブ［１ツク４４０に復帰する。
ブロック４４０によってマスクが存在すると判断したと
き髪よ、ブロック４５２により、システムが初＋１１Ｊ
化されたというメツセージをオペレータに送り、ブロッ
ク４５６によってメイン・メニューを表示する。次に、
第１８図に示すメイン・オぺレーティング・プログラム
として点Ａから初期化プログラムが継続する。
き髪よ、ブロック４５２により、システムが初＋１１Ｊ
化されたというメツセージをオペレータに送り、ブロッ
ク４５６によってメイン・メニューを表示する。次に、
第１８図に示すメイン・オぺレーティング・プログラム
として点Ａから初期化プログラムが継続する。
ここで第１８図を参照すると、メイン・オペレーティン
グ・プログラムのフローチャートが示されている。この
フローチャートは表示されたメイン・メニューと関連し
て用いられ、ここで便宜上、メイン・オペレーティング
・プログラム八とレベル付けしである。一般に、オペレ
ータがメイン・メニューから選択するまで、メイン・オ
ペレーティング・プログラムＡ即ちシステム・オペレー
ティング・プログラムを連続して反復する。この場合は
他のプログラム１３〜Ｌのうちの一つに分岐する。選択
したこのプログラムを実行したときは、プログラムＡに
復帰し、プログラムは次のオペレータ・コマンドを待機
する。
グ・プログラムのフローチャートが示されている。この
フローチャートは表示されたメイン・メニューと関連し
て用いられ、ここで便宜上、メイン・オペレーティング
・プログラム八とレベル付けしである。一般に、オペレ
ータがメイン・メニューから選択するまで、メイン・オ
ペレーティング・プログラムＡ即ちシステム・オペレー
ティング・プログラムを連続して反復する。この場合は
他のプログラム１３〜Ｌのうちの一つに分岐する。選択
したこのプログラムを実行したときは、プログラムＡに
復帰し、プログラムは次のオペレータ・コマンドを待機
する。
先ず、ブロック４５８により、ユーザ・インターフェイ
スを開始し、ブロック４６０によりスクリーンをクリア
する。次に、ブロック４６２によりニーＩ７’・メニュ
ーを表示する。更に、ブロック４６４により、ユーザ・
メニューに従って機能要求を入力したか否かを判断する
。ノーのときは、ブロック４６６によりエラー条件の全
てを調べ、ブロック４６８によりエラーの存在が判断さ
れたときは、エラー条件を印刷し、打切りとなる。ブロ
ック４６８における判断によりエラーがなかったときは
、ブロック４６４に戻り、機能要求又はエラー報告があ
るまで待機する。
スを開始し、ブロック４６０によりスクリーンをクリア
する。次に、ブロック４６２によりニーＩ７’・メニュ
ーを表示する。更に、ブロック４６４により、ユーザ・
メニューに従って機能要求を入力したか否かを判断する
。ノーのときは、ブロック４６６によりエラー条件の全
てを調べ、ブロック４６８によりエラーの存在が判断さ
れたときは、エラー条件を印刷し、打切りとなる。ブロ
ック４６８における判断によりエラーがなかったときは
、ブロック４６４に戻り、機能要求又はエラー報告があ
るまで待機する。
ブロック４６４により機能要求が検出されると、ブロッ
ク４７２〜４９２（偶数のみ）が継続する。
ク４７２〜４９２（偶数のみ）が継続する。
ブロック４７２〜４９２（偶数のみ）のそれぞれは要求
可能な種々の機能をそれぞれ表わしている。
可能な種々の機能をそれぞれ表わしている。
ブロック４７２〜４９２（偶数のみ）のうちの一つにお
いて機能のうちの一つが存在すると判断されると、各プ
ログラムＢ−１への分岐が発生する。
いて機能のうちの一つが存在すると判断されると、各プ
ログラムＢ−１への分岐が発生する。
次の機能はブロック４７２〜４９２（偶数のみ）により
選択可能な以下のプログラムに対応する。
選択可能な以下のプログラムに対応する。
１０′／り 機 能 プログラム番号
４７２ マシン・データをロード Ｂ４７４
ターゲットをロード Ｃ４７６マシンにマスク
を０−ド Ｄ４７８ マスクをロード
Ｅ４８０ ウェーハを処Ｌ！［’
Ｆ４８２ データを印刷 ０４８４
データを変更 ト１４８６ ステ
ータスを読み込む １４８８ ステータスを変
更 、」４９０ 診 Ｉ
Ｉｉ Ｋ２Ｏ２メニュー終
了 しマシン・データをロード、ターゲ
ットをロード及びマシンにマスクをロードの命令をそれ
ぞれ表わすプログラムＢ、Ｃ及びＤの例を、以下第１９
図、第２０図及び第２１図に示す。他のプログラムにつ
いては第１９図は、第２０図及び第２１図に示す線に従
い、かつプログラムＥ〜１−の付加説明に従って展開層
ることができる。
ターゲットをロード Ｃ４７６マシンにマスク
を０−ド Ｄ４７８ マスクをロード
Ｅ４８０ ウェーハを処Ｌ！［’
Ｆ４８２ データを印刷 ０４８４
データを変更 ト１４８６ ステ
ータスを読み込む １４８８ ステータスを変
更 、」４９０ 診 Ｉ
Ｉｉ Ｋ２Ｏ２メニュー終
了 しマシン・データをロード、ターゲ
ットをロード及びマシンにマスクをロードの命令をそれ
ぞれ表わすプログラムＢ、Ｃ及びＤの例を、以下第１９
図、第２０図及び第２１図に示す。他のプログラムにつ
いては第１９図は、第２０図及び第２１図に示す線に従
い、かつプログラムＥ〜１−の付加説明に従って展開層
ることができる。
第１９図を参照すると、マシン・データをロードのプロ
グラムＢが示されている。最初に、ブロック４９４によ
り、ＣＰＬＪ３１０に接続されているディスクのファイ
ルからマシン・データをロードする。ブロック４９６に
より、マシン変数はエラー及びステータス・チェックに
より決定された情報に基づいて更新される。最後に、オ
ペレータの便宜のために現在のマシン動作変数を表示、
印刷する。次に、第１８図に示１メイン・オペレーティ
ング・プログラムＡに戻る。
グラムＢが示されている。最初に、ブロック４９４によ
り、ＣＰＬＪ３１０に接続されているディスクのファイ
ルからマシン・データをロードする。ブロック４９６に
より、マシン変数はエラー及びステータス・チェックに
より決定された情報に基づいて更新される。最後に、オ
ペレータの便宜のために現在のマシン動作変数を表示、
印刷する。次に、第１８図に示１メイン・オペレーティ
ング・プログラムＡに戻る。
第２０図を参照すると、ターゲラ１〜のロードにＩ１１
連するプログラムＣを示す。最初に、ブロック５００に
より、ターゲット・メモリに空ぎがあるか否かの判断を
する。ノーのときは、メツセージ［ターゲット・メモリ
は一杯］を表示し、メイン・オペレーティング・プログ
ラム八に戻る。
連するプログラムＣを示す。最初に、ブロック５００に
より、ターゲット・メモリに空ぎがあるか否かの判断を
する。ノーのときは、メツセージ［ターゲット・メモリ
は一杯］を表示し、メイン・オペレーティング・プログ
ラム八に戻る。
ブロック５００により、ターゲット・メモリに空きがあ
ると判断したときは、ブロック５０４により、前面のＳ
Ｍ Ｉ Ｆボートにターゲットが有るか否かの判断をす
る。ノーのときは、ブロック５ｏ６により側面のＳＭＩ
Ｆボートにターゲットがあるか否かの判断をする。ブロ
ック５０４及び５０６の判断が共にノーであったときは
、オペレータはＳＭ Ｉ Ｆボートにターゲットをロー
ドするように、督促され、ブロック５１０により、ター
ゲットは準備を完了しているかの判断をする。ノーのと
きは、準備完了状態であると判断されるまで、ブロック
５１０に戻る。この時点ではクリア信号が出力されてブ
ロック５０４に戻る。ブロック５０６により、ターゲッ
トが側面のＳＭ Ｉ Ｆボートにあると判断されたとき
は、ブロック５１２によって側面のＳＭ Ｉ Ｆボート
を入力ポートと決定される。ブロック５０４により、タ
ーゲットが前面のＳＭＩＦボートであると判断されたと
きは、ブロック５１４により前面のＳＭ Ｉ Ｆボート
は入力ポートと定められる。
ると判断したときは、ブロック５０４により、前面のＳ
Ｍ Ｉ Ｆボートにターゲットが有るか否かの判断をす
る。ノーのときは、ブロック５ｏ６により側面のＳＭＩ
Ｆボートにターゲットがあるか否かの判断をする。ブロ
ック５０４及び５０６の判断が共にノーであったときは
、オペレータはＳＭ Ｉ Ｆボートにターゲットをロー
ドするように、督促され、ブロック５１０により、ター
ゲットは準備を完了しているかの判断をする。ノーのと
きは、準備完了状態であると判断されるまで、ブロック
５１０に戻る。この時点ではクリア信号が出力されてブ
ロック５０４に戻る。ブロック５０６により、ターゲッ
トが側面のＳＭ Ｉ Ｆボートにあると判断されたとき
は、ブロック５１２によって側面のＳＭ Ｉ Ｆボート
を入力ポートと決定される。ブロック５０４により、タ
ーゲットが前面のＳＭＩＦボートであると判断されたと
きは、ブロック５１４により前面のＳＭ Ｉ Ｆボート
は入力ポートと定められる。
いずれの場合もブロック５１６を継続し、Ｚ、即ち垂直
方向にＳＭ Ｉ Ｆプレートの高さまで移動するように
、７０ツグ・アームに命令する。次に、ブロック５１８
により、ブロック５１２又は５１４により定められた指
定の入力ポートに回転するようにフロッグ・アームに命
令する。次に、ブロック５２９において、フロッグ・ア
ームを指定された入力ポートにおいてＳＭＩＦプレート
に届くように伸ばし、ブロック５２２により７０ツグ・
アームはＳＭＩＦポート・エレベータを下げる。
方向にＳＭ Ｉ Ｆプレートの高さまで移動するように
、７０ツグ・アームに命令する。次に、ブロック５１８
により、ブロック５１２又は５１４により定められた指
定の入力ポートに回転するようにフロッグ・アームに命
令する。次に、ブロック５２９において、フロッグ・ア
ームを指定された入力ポートにおいてＳＭＩＦプレート
に届くように伸ばし、ブロック５２２により７０ツグ・
アームはＳＭＩＦポート・エレベータを下げる。
次に、ブロック５２４により、フロッグ・アームを引っ
込め、ブロック５２６によりＳＭＩＦボート・エレベー
タは降下したか否かの判断をする。
込め、ブロック５２６によりＳＭＩＦボート・エレベー
タは降下したか否かの判断をする。
ノーのときは、ブロック５２８により示すようにエラー
・メツセージを印刷し、ブロック５３０により示すよう
に、打切りとなる。ブロック５２６により、ＳＭ Ｉ
Ｆボート・エレベータが下降していると判断したときは
、ブロック５３２により、一番上のターゲットを配置す
る。次に、ブロック５３４により、フロッグ・アームを
移動してこのターゲットを利用するために必要とするＺ
距離を計算し、ブロック５３６により７０ツグ・アーム
を（計算した高さ）−（小クリアランス）に移動させる
。次に、ブロック５３８により、フロッグ・アームをタ
ーゲット・トレーに伸ばし、ブロック５４０によりクリ
アランス量までフロッグ・アームを移動させる。
・メツセージを印刷し、ブロック５３０により示すよう
に、打切りとなる。ブロック５２６により、ＳＭ Ｉ
Ｆボート・エレベータが下降していると判断したときは
、ブロック５３２により、一番上のターゲットを配置す
る。次に、ブロック５３４により、フロッグ・アームを
移動してこのターゲットを利用するために必要とするＺ
距離を計算し、ブロック５３６により７０ツグ・アーム
を（計算した高さ）−（小クリアランス）に移動させる
。次に、ブロック５３８により、フロッグ・アームをタ
ーゲット・トレーに伸ばし、ブロック５４０によりクリ
アランス量までフロッグ・アームを移動させる。
次に、ブロック５４２により、真空をＡンすることによ
り、フロッグ・アームを下げてターゲットを取ることが
できるようにする。次に、ブロック５４６により、７０
ツグ・アームを蓄積領域に回転させ、ブロック５４８に
より７０ツグ・アームを蓄積領域に伸ばす。次に、ブロ
ック５５０によりターゲットを蓄積できるように真空チ
ャックをオフにし、ブロック５５２によりフロッグ・ア
ームを下げ、ターゲットをクリアし、ブロック５５４に
よりフロッグ・アームを通路を出るように中央に戻す。
り、フロッグ・アームを下げてターゲットを取ることが
できるようにする。次に、ブロック５４６により、７０
ツグ・アームを蓄積領域に回転させ、ブロック５４８に
より７０ツグ・アームを蓄積領域に伸ばす。次に、ブロ
ック５５０によりターゲットを蓄積できるように真空チ
ャックをオフにし、ブロック５５２によりフロッグ・ア
ームを下げ、ターゲットをクリアし、ブロック５５４に
よりフロッグ・アームを通路を出るように中央に戻す。
次に、ブロック５５６により、未だターゲットがあるか
の判断をする。ノーのときは、ターゲットのロードを完
了したというメツセージを表示し、メイン・オペレーテ
ィング・プログラム八に戻る。
の判断をする。ノーのときは、ターゲットのロードを完
了したというメツセージを表示し、メイン・オペレーテ
ィング・プログラム八に戻る。
ブロック５５６により未だロードするターゲットがある
と判断したときは、ブロック５６０によりターゲラ］・
のスペースがあるか否かの判断をする。
と判断したときは、ブロック５６０によりターゲラ］・
のスペースがあるか否かの判断をする。
ノーのときは、ブロック５６２により、メツセージ「タ
ーゲット・メモリは一杯」を表示し、メイン・オペレー
ティング・プログラムＡに戻る。ブロック５６０で更に
メモリ・スペースがあると判断したときは、ブロック５
６４により、７０ツグ・アームを回転させて入力ポート
に戻る。ブロック５３６に戻ってブロック５３６から同
一の処理を開始し、これをブロック５５８か、又はブロ
ック５６２かに行くまで、メイン・オペレーティング・
プログラムＡに戻ることを繰り返す。
ーゲット・メモリは一杯」を表示し、メイン・オペレー
ティング・プログラムＡに戻る。ブロック５６０で更に
メモリ・スペースがあると判断したときは、ブロック５
６４により、７０ツグ・アームを回転させて入力ポート
に戻る。ブロック５３６に戻ってブロック５３６から同
一の処理を開始し、これをブロック５５８か、又はブロ
ック５６２かに行くまで、メイン・オペレーティング・
プログラムＡに戻ることを繰り返す。
ここで第２１図を参照すると、マシンにマスクをロード
するのに関連するプログラムＤが示されている。プログ
ラムＤは、ブロック５４４とブロック５４６との間にブ
ロック５６６．５６８．５７０及び５７２が付加されて
いることを除き、プログラムＣと同一である。ブロック
５６６は、ブロック５４４により中央に戻されたフロッ
グ・アームをバー・コード・リーダーに回転させ、ブロ
ック５６８によりフロッグ・アームをバー・コード・リ
ーダーに伸ばす。次に、ブロック５７０により、マスク
［’ｌ）をバー・コード・リーダーにより読み取り、ブ
ロック５７２によりマスクＩＤを蓄積位置に対応させて
記憶する。その後、先に説明したプログラムはブ［１ツ
ク５４６に行き、ここでフロッグ・アームを蓄積領域に
回転させ、マスクを記憶する。
するのに関連するプログラムＤが示されている。プログ
ラムＤは、ブロック５４４とブロック５４６との間にブ
ロック５６６．５６８．５７０及び５７２が付加されて
いることを除き、プログラムＣと同一である。ブロック
５６６は、ブロック５４４により中央に戻されたフロッ
グ・アームをバー・コード・リーダーに回転させ、ブロ
ック５６８によりフロッグ・アームをバー・コード・リ
ーダーに伸ばす。次に、ブロック５７０により、マスク
［’ｌ）をバー・コード・リーダーにより読み取り、ブ
ロック５７２によりマスクＩＤを蓄積位置に対応させて
記憶する。その後、先に説明したプログラムはブ［１ツ
ク５４６に行き、ここでフロッグ・アームを蓄積領域に
回転させ、マスクを記憶する。
第２図は本発明のＸ線すソグラフィ装同のウェーハ処理
部及びＸ線発生装置の一部の正面図、第３図は本発明の
Ｘ線リソグラフィ装置のＸ線発生装置の更に詳細な側面
図及び部分断面図、第４図は本発明のＸ線発生装置の更
に詳細な全面図及び部分断面図、 第５図及び第５Ａ図は本発明のＸ線発生〒とウェーハと
の間の第１形式のインタフェースの平面図及び断面図、 第６図は第５図及び第５Ａ図に示す本発明の詳細な説明
する１ζめの図、 第７図及び第７Ａ図はＸ線発生室とウェーハとの間のイ
ンタフェースの他の実施例を示す図、第８図はＸ線発生
プラズマを発生する際に用いられるターゲット及び関連
するターゲット移ｉ１１磯構を示す概要図、 第９図はターゲット及び本発明の真空室を仲介するため
に用いるターゲット移動機構の底面図、第１０図はレー
ザ装置及びＸ線発生プラズマを発生する際に用いられる
レーザ・ビームの通路を示す図、 第１１図は本発明のＸ線リソグラフィ装置を表わす概要
図、 第１２図は第１１図に示す増幅器を通過する接種の信号
路におけるレーザ・ビームの増幅器ガラス・スラブの形
状及び位置を示す図、 第１３図は第１１図に示すＸ線リソグラフィ装置の部品
配置を示す３次元図、 第１４Ａ図、第１４Ｂ図及び第１４Ｃ図は第１３図に示
す部品配置の平面図、正面図及び側面図、第１５図は本
発明の電気制御装置の総合ブロック図、 第１６図は第１６Ａ図及び第１６８図を一緒に配置する
方法を示す図、 第１６Ａ図及び第１６Ｂ図は本発明の詳細な電気系統の
ブロック図、 第１７Ａ図及び第１７８図は！３！！Ｊ造において本発
明を用いる前の開始手順を示すフローチャート、第１８
図は本発明の待機処理のフローチャート、第１９図は本
発明のコンピュータにデータをロードする方法を示すフ
ローチャート、 第２０図は本発明のＸ線リソグラフィ装置にターゲット
をロードする方法を示すフローチャート、第２１図は本
発明のＸ線リソグラフィ装置にマスクをロードする方法
を示すフローヂＡ１−トである。 １８・・・ウェーハ処理装置、 ２ｏ・・・制御Ｖｔ置、 ２２・・・排気室、 ２６・・・ターゲット、 ５８・・・ウェーハ、 ７０．７２・・・窓、 ７４・・・スポット７． ７８・・・真空チャック、 ８０・・・プレート、 ８２・・・スデッパ・モータ、 ８４・・・線形移動装置、 ８６・・・鉄流体カップラ、 ８８・・・シャフト、 ９０・・・ベロー装置、 ９２・・・開口、 ９４・・・マスク、 １２２・・・７スク支持リング、 １２８．１３０・・・真空路、 １３２・・・ヘリウム圧力経路、 １３４・・・経路、 ′ １３８．１４０．１４２．１４４．１７０・・・リング
、 １４７・・・ソレノイド、 １５２・・・点、 １６４・・・真空路、 １６６・・・空気路、 ３３４Ｃ・・・空気インターロック制御回路、３３４Ｄ
・・・ヘリウム回路。 代狸人 浅 村 皓
部及びＸ線発生装置の一部の正面図、第３図は本発明の
Ｘ線リソグラフィ装置のＸ線発生装置の更に詳細な側面
図及び部分断面図、第４図は本発明のＸ線発生装置の更
に詳細な全面図及び部分断面図、 第５図及び第５Ａ図は本発明のＸ線発生〒とウェーハと
の間の第１形式のインタフェースの平面図及び断面図、 第６図は第５図及び第５Ａ図に示す本発明の詳細な説明
する１ζめの図、 第７図及び第７Ａ図はＸ線発生室とウェーハとの間のイ
ンタフェースの他の実施例を示す図、第８図はＸ線発生
プラズマを発生する際に用いられるターゲット及び関連
するターゲット移ｉ１１磯構を示す概要図、 第９図はターゲット及び本発明の真空室を仲介するため
に用いるターゲット移動機構の底面図、第１０図はレー
ザ装置及びＸ線発生プラズマを発生する際に用いられる
レーザ・ビームの通路を示す図、 第１１図は本発明のＸ線リソグラフィ装置を表わす概要
図、 第１２図は第１１図に示す増幅器を通過する接種の信号
路におけるレーザ・ビームの増幅器ガラス・スラブの形
状及び位置を示す図、 第１３図は第１１図に示すＸ線リソグラフィ装置の部品
配置を示す３次元図、 第１４Ａ図、第１４Ｂ図及び第１４Ｃ図は第１３図に示
す部品配置の平面図、正面図及び側面図、第１５図は本
発明の電気制御装置の総合ブロック図、 第１６図は第１６Ａ図及び第１６８図を一緒に配置する
方法を示す図、 第１６Ａ図及び第１６Ｂ図は本発明の詳細な電気系統の
ブロック図、 第１７Ａ図及び第１７８図は！３！！Ｊ造において本発
明を用いる前の開始手順を示すフローチャート、第１８
図は本発明の待機処理のフローチャート、第１９図は本
発明のコンピュータにデータをロードする方法を示すフ
ローチャート、 第２０図は本発明のＸ線リソグラフィ装置にターゲット
をロードする方法を示すフローチャート、第２１図は本
発明のＸ線リソグラフィ装置にマスクをロードする方法
を示すフローヂＡ１−トである。 １８・・・ウェーハ処理装置、 ２ｏ・・・制御Ｖｔ置、 ２２・・・排気室、 ２６・・・ターゲット、 ５８・・・ウェーハ、 ７０．７２・・・窓、 ７４・・・スポット７． ７８・・・真空チャック、 ８０・・・プレート、 ８２・・・スデッパ・モータ、 ８４・・・線形移動装置、 ８６・・・鉄流体カップラ、 ８８・・・シャフト、 ９０・・・ベロー装置、 ９２・・・開口、 ９４・・・マスク、 １２２・・・７スク支持リング、 １２８．１３０・・・真空路、 １３２・・・ヘリウム圧力経路、 １３４・・・経路、 ′ １３８．１４０．１４２．１４４．１７０・・・リング
、 １４７・・・ソレノイド、 １５２・・・点、 １６４・・・真空路、 １６６・・・空気路、 ３３４Ｃ・・・空気インターロック制御回路、３３４Ｄ
・・・ヘリウム回路。 代狸人 浅 村 皓
Claims (30)
- （１）ターゲット手段（２６）と、レジストを被覆した
ウェーハ手段（５８）と、レーザ・ビーム（２４、２４
Ａ）を発生し、前記窓（７０、７２）を介して焦点（７
４）に向かつて収束させる手段（１２、５２、５４）と
を有するＸ線リソグラフィ装置において、更に前記排気
室はその側壁にシールされた窓（７０）７２）を有し、
その一端における第１開口（７４）及びその他端におけ
る第２開口（９２）と、前記ターゲット手段（２６）の
ターゲット面を前記焦点（７４）とを一致させるように
前記ターゲット手段（２６）を保持して移動させると共
に、前記ターゲット手段（２６）を保持して移動する間
に前記第１の開口（７４）の周辺に真空シールを形成す
る手段（７８、８２〜９０）と、前記レジストにより被
覆したウェーハ手段（５８）を保持して移動すると共に
、前記ターゲット手段（２６）を保持して移動している
間に前記第１の開口（７４）の周辺に真空シールを形成
する手段（１８）と、前記レジストにより被覆したウェ
ーハ手段（５８）を保持して移動すると共に、前記レジ
ストにより被覆したウェーハ手段（５８）を保持して移
動する間に前記第２開口（９２）の周辺に真空シールを
形成する手段（１８）と、前記レーザ・ビーム（２４、
２４Ａ）の発生、前記排気室（２２）の排気及び前記タ
ーゲットを保持して移動する手段（７８、８２〜９０）
及び前記ウェーハを保持して移動する手段（１８）の移
動を制御する手段（２０）とを備えていることを特徴と
するＸ線リソグラフィ装置。 - （２）特許請求の範囲第１項記載のＸ線リソグラフィ装
置において、更にウェーハ手段（５８）を保持して移動
する前記手段（１８）はエア・ベアリング（第５図、第
５Ａ図及び第６図）を備えていることを特徴とするＸ線
リソグラフィ装置。 - （３）特許請求の範囲第１項又は第２項記載のＸ線リソ
グラフィ装置において、更に前記ターゲット手段（２６
）を保持して移動する前記手段（７８、８２〜９０）は
エア・ベアリング及び真空シール手段（第８図、第９図
）を備えていることを特徴とするＸ線リソグラフィ装置
。 - （４）特許請求の範囲第１項記載のＸ線リソグラフィ装
置において、更に前記第１開口（７４）は第１平面（８
０）により囲まれ、前記ターゲット手段（２６）を保持
して移動する前記手段（７８、８２〜９０）は第２平面
（７８の底部）を備え、その少なくとも一部は前記第１
平面（８０）と整列されると共に、前記第１及び第２平
面（７８、８０の底部）のうちの一つは前記第１平面（
７８）と前記第２平面（８０）との間の間隙を保持する
ための圧力供給手段（ＡＩＲ及びＨＥ）に取り付けられ
た流路（１６６）を備えていることを特徴とするＸ線リ
ソグラフィ装置。 - （５）特許請求の範囲第１項記載のＸ線リソグラフィ装
置において、更に前記第１及び第２１平面（７８及び８
０の底面）は排気手段（ＶＡＣ）に取り付けられた第２
流路（１６４）を備え、前記第２流路（１６４）は前記
第１流路（１６６）と前記第１開口（７４）との間の位
置に保持されている前記間隙により配置されていること
を特徴とするＸ線リソグラフィ装置。 - （６）特許請求の範囲第５項記載のＸ線リソグラフィ装
置において、更に前記第２流路（１６４）は前記第１平
面（７８の底部）に配置された埋め込みリング（１７０
）を備えていることを特徴とするＸ線リソグラフィ装置
。 - （７）特許請求の範囲第６項記載のＸ線リソグラフィ装
置において、更に前記埋め込みリング（１７０）は前記
第１開口（７４）を取り囲むことを特徴とするＸ線リソ
グラフィ装置。 - （８）特許請求の範囲第６項記載のＸ線リソグラフィ装
置において、更に前記埋め込みリング（１７０）は前記
ターゲット手段（２６）の移動中に前記第１開口（７４
）を取り囲むことを特徴とするＸ線リソグラフィ装置。 - （９）特許請求の範囲第１項記載のＸ線リソグラフィ装
置において、更に前記第２開口（９２）は前記第１平面
（２２及び１２２の底部）により取り囲まれ、前記ウェ
ーハ手段（５８）を保持して移動する前記手段（１８）
は第２平面（５８の頂部）を有し、その少なくとも一部
は前記第１平面（２２及び１２２の底部）と整列され、
前記第１又は第２平面（２２及び１２２の底部、または
５８の頂部）は前記第１平面と第２平面（２２及び１２
２の底部、又は５８の頂部）との間の間隙（１５２）を
保持する圧力供給手段（ＡＩＲ及びＨＥ）に取り付けら
れた流路（１３２、１３４）を備えていることを特徴と
するＸ線リソグラフィ装置。 - （１０）特許請求の範囲第１項記載のＸ線リソグラフィ
装置において、更に前記第１又は第２平面（２２及び１
２２の底部、又は５８の頂部）のうらの一つは排気手段
（Ｖａｃ）に取り付けられた第２流路（１２８、１３０
）を備え、前記第２流路（１２８、１３０）は前記流路
（１３２、１３４）と前記第２流路（１２８、１３０）
との間の位置に保持している前記間隙（１５２）により
配置されていることを特徴とするＸ線リソグラフィ装置
。 - （１１）特許請求の範囲第１０項記載のＸ線リソグラフ
ィ装置において、更に前記第２流路（１２８、１３０）
は前記第１平面（１２２の底部）に配置した埋め込みリ
ング（１３８、１４０）を備えていることを特徴とする
Ｘ線リソグラフィ装置。 - （１２）特許請求の範囲第１１項記載のＸ線リソグラフ
ィ装置において、更に前記埋め込みリング（１３８、１
４０）は前記第２開口（９２）を取り囲むことを特徴と
するＸ線リソグラフィ装置。 - （１３）特許請求の範囲第１１項記載のＸ線リソグラフ
ィ装置において、更に前記埋め込みリング（１３８、１
４０）は前記ウェーハ手段（５８）の移動中に前記第２
開口（９２）を取り囲むことを特徴とするＸ線リソグラ
フィ装置。 - （１４）充分なエネルギによりターゲット（２６）にレ
ーザ・ビーム（２４、２４Ａ）を収束することにより排
気室（２２）内でＸ線（５６）を発生させるＸ線リソグ
ラフィ装置（１０）に用いると共に、前記Ｘ線リソグラ
フィ装置（１０）は更にＸ線マスクと、前記Ｘ線マスク
（９４）によりパターン化されたＸ線（５６）が照射さ
れるレジスト被覆基板（５８）とを備え、前記排気室（
２２）は少なくとも前記ターゲット（２６）のうちの一
つと、前記Ｘ線マスク（９４）と、レジスト被覆基板（
５８）とを配置した少なくとも一つの間口（７４、９２
）有し、前記シール及びエア・ベアリングは前記ターゲ
ットのうちの一つ、マスク、又は基板のうちの一つを保
持する手段（７８、１４７又は１８）を備えた真空シー
ル及びエア・ベアリングにおいて、前記排気室（２２）
の開口（７４、９２）から伸延する平面（８０）２２の
底部又は１２２）と、前記ターゲット（２６）を保持す
る前記手段（７８、１４７又は１８）のうぢの一つ、前
記Ｘ線マスク（９４）、又は前記平面（８０、２２の底
部又は１２２）と前記ターゲット（２６）、前記Ｘ線マ
スク（９４）若しくは前記レジスト被覆基板（５８）を
保持する手段（７８、１４７又は１８）との間の第１流
路（１３２、１３４、１６６）にガス（Ｈｅ、Ａｉｒ）
を供給することにより前記平面（８０、２２の底部、又
は１２２）から間隔を置いて配置された前記レジスト被
覆基板（５８）を維持する圧力供給手段（１３２、１３
４、１６６、３３４Ｃ、３３４Ｄ）と、前記圧力供給手
段（１３２、１３４、１６６、３３４Ｃ、３３４Ｄ）か
ら供給されたガス、及び前記開口（７４、９２）と前記
圧力供給手段（１３２、１３４、１６６）との間に配置
された第２流路（１２８、１３０、１６４）を介して排
気した前記排気室（２２）内のガスを排気する排気手段
（１２８、１３０、１６４）とを備えたことを特徴とす
る真空シール及びエア・ベアリング。 - （１５）特許請求の範囲第１４項記載の真空シール及び
エア・ベアリングにおいて、更に前記圧力供給手段（１
３２、１３４、１６６、３３４Ｃ、３３４Ｄ）は互いに
隣接し、印加される大気圧より大きな圧力下でそれぞれ
ガス有する一対の流路（１３２、１３４）を備えたこと
を特徴とする真空シール及びエア・ベアリング。 - （１６）特許請求の範囲第１５項記載の真空シール及び
エア・ベアリングにおいて、更に前記一対の流路（１３
２、１３４）はポンプ手段（３３４Ｃ）３３４Ｄ）から
圧力供給手段（１３２、１３４、１６６、３３４Ｃ、３
３４Ｄ）により形成されたスペース（１５２）に伸延す
ることを特徴とする真空シール及びエア・ベアリング。 - （１７）特許請求の範囲第１４項、第１５項又は第１６
項記載の真空シール及びエア・ベアリングにおいて、更
に前記第１流路（１６６）はポンプ手段（３３４Ｃ、３
３４Ｄ）から圧力供給手段（１３２、１３４、１６６、
３３４Ｃ、３３４Ｄ）により形成されたスペース（１５
２）に伸延することを特徴とする真空シール及びエア・
ベアリング。 - （１８）特許請求の範囲第１４項から第１７項までに記
載の真空シール及びエア・ベアリングにおいて、更に前
記保持手段（７８、１８）は平面（７８の底面又は５８
の上面）を備え、前記一対の流路（１３２、１３４）は
前記保持手段（７８、１８）の前記平面（７８の底面又
は５８の上面）と、前記排気室（２２）から伸延する平
面（２２又は１２２の底部、８０）との間に伸延するこ
とを特徴とする真空シール及びエア・ベアリング。 - （１９）特許請求の範囲第１８項記載の真空シール及び
エア・ベアリングにおいて、更に前記保持手段（７８、
１８）の前記平面（７８の底面又は５８の上面）は開口
（７４、９２）を取り囲む領域に伸延することを特徴と
する真空シール及びエア・ベアリング。 - （２０）特許請求の範囲第１８項又は第１９項記載の真
空シール及びエア・ベアリングにおいて、更に前記保持
手段（７８、１８）は前記ターゲット（２６）又はレジ
スト被覆基板（５８）を保持し、更に前記プラズマの位
置に関連して保持した前記ターゲット（２６）又はレジ
スト被覆基板（５８）のうちの一つを移動させることを
特徴とする真空シール及びエア・ベアリング。 - （２１）特許請求の範囲第１８項、第１９項又は第２０
項記載の真空シール及びエア・ベアリングにおいて、更
に前記保持手段（７８、１８）の前記平面（７８の底面
又は５８の上面）は前記保持手段（７８、１８）の移動
中に開口（７４、９２）を取り囲むのに充分な大きさの
領域に伸延していることを特徴とする真空シール及びエ
ア・ベアリング。 - （２２）特許請求の範囲第１８項から第２１項までに記
載の真空シール及びエア・ベアリングにおいて、更に前
記圧力供給手段（１３２、１３４、１６６、３３４Ｃ、
３３４Ｄ）は互いに隣接し、印加される大気圧より大き
な圧力下でそれぞれガス有する一対の流路（１３２、１
３４）を備えたことを特徴とする真空シール及びエア・
ベアリング。 - （２３）特許請求の範囲第２２項記載の真空シール及び
エア・ベアリングにおいて、更に前記一対の流路（１３
２、１３４）はポンプ手段（３３４Ｃ）３３４Ｄ）から
圧力供給手段（１３２、１３４、１６６、３３４Ｃ、３
３４Ｄ）により形成されたスペース（１５２）に伸延す
ることを特徴とする真空シール及びエア・ベアリング。 - （２４）特許請求の範囲第２２項又は第２３項記載の真
空シール及びエア・ベアリングにおいて、更に前記一対
の流路（１３２、１３４）はそれぞれ開口（７４、９２
）を取り囲むのに充分な大きさの領域に伸延している前
記平面（１２２の底面）にて囲み開口（１３８、１４０
）を備えたことを特徴とする真空シール及びエア・ベア
リング。 - （２５）特許請求の範囲第２４項記載の真空シール及び
エア・ベアリングにおいて、更に前記一対の流路（１３
２、１３４、１６６）の前記囲み開口（１３８、１４０
）は前記保持手段（１８）の移動中に前記開口（９２）
を取り囲むのに充分な大きさであることを特徴とする真
空シール及びエア・ベアリング。 - （２６）保持したターゲット上に充分なエネルギにより
レーザ・ビーム・パルス（２４、２４Ａ）を収束してＸ
線を放射するプラズマを形成することにより排気室（２
２）の内部に発生させた前記Ｘ線（５６）であつて、放
射された前記Ｘ線（５６）を保持レジスト被覆半導体基
板（５８）上のパターンの露光に用いる半導体装置の製
造方法において、前記排気室（２２）の第１開口（７４
）の周辺に真空シールを形成する間に、前記ターゲット
手段（２６）のターゲット表面（２６の底面）が収束し
た前記レーザ・ビーム・パルス（２４、２４Ａ）の焦点
（７４）と一致して前記排気室（２２）内を移動するよ
うに前記ターゲット手段（２６）を移動させるステップ
と、内部を前記排気室（２２）において第２開口（９２
）の周辺に真空シールを形成する間に、第１露光位置か
ら隣接する次の露光位置へ前記基板（５８）を移動させ
るステップとを備えたことを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - （２７）特許請求の範囲第２６項記載の半導体装置の製
造方法において、前記ターゲットを移動させる前記ステ
ップは前記排気室（２２）と前記ターゲット手段（２６
）を保持する手段（７８）との間に高圧ゾーンを発生す
るステップと、前記ゾーンと前記排気室（２２）内との
間の領域を排気するステップとを備えたことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - （２８）特許請求の範囲第２６項又は第２７項記載の半
導体装置の製造方法において、前記ターゲットを移動さ
せる前記ステップは前記排気室（２２）と前記ターゲッ
ト手段（２６）を保持する手段（７８）との間にエア・
ベアリング及びシールを形成するステップを備えたこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２９）特許請求の範囲第２６項、第２７項又は第２８
項記載の半導体装置の製造方法において、前記基板を移
動させる前記ステップは前記排気室（２２）と前記基板
（５８）を保持する手段（１８）との間に高圧ゾーン（
１５２）を発生するステップと、前記高圧ゾーン（１５
２）と前記排気室（２２）内との間の領域を排気するス
テップとを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - （３０）特許請求の範囲第２６項から第２９項までに記
載の半導体装置の製造方法において、前記基板を移動さ
せる前記ステップは前記排気室（２２）と前記基板（５
８）を保持する手段（１８）との間にエア・ベアリング
及びシールを形成するステップを備えることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
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| AT (1) | ATE99842T1 (ja) |
| DE (1) | DE3788668T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012049529A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Media Lario Srl | Ｇｉｃミラー及びスズロッドｅｕｖ・ｌｐｐターゲットシステムを備える光源集光モジュール |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0770457B2 (ja) * | 1986-10-17 | 1995-07-31 | 株式会社日立製作所 | Ｘ線露光方法、及びそれに用いられるｘ線発生源 |
| AU2001259331A1 (en) | 2000-05-03 | 2001-11-12 | Silicon Valley Group Inc | Non-contact seal using purge gas |
| US6852988B2 (en) | 2000-11-28 | 2005-02-08 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Gap adjustment apparatus and gap adjustment method for adjusting gap between two objects |
| EP1510867A1 (en) | 2003-08-29 | 2005-03-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7432517B2 (en) | 2004-11-19 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Pulse modifier, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
| JP6601692B2 (ja) | 2015-08-03 | 2019-11-06 | 株式会社タンガロイ | 被覆切削工具 |
| WO2024018678A1 (ja) * | 2022-07-22 | 2024-01-25 | 株式会社ジャムコ | 紫外線照射装置、紫外線照射装置の制御方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3633126A (en) * | 1969-04-17 | 1972-01-04 | Gen Electric | Multiple internal reflection face-pumped laser |
| JPS5764928A (en) * | 1980-10-07 | 1982-04-20 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Carrying apparatus for photo mask or reticle |
| JPS57194531A (en) * | 1981-05-26 | 1982-11-30 | Toshiba Corp | Electron beam transfer device |
| DE3278737D1 (en) * | 1982-04-14 | 1988-08-11 | Battelle Development Corp | Providing x-rays |
| JPS5969925A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-20 | Hitachi Ltd | ウエハハンドリング装置 |
| EP0121969A3 (en) * | 1983-03-15 | 1988-01-20 | Micronix Partners | Lithography system |
| US4549144A (en) * | 1983-08-31 | 1985-10-22 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Reflex ring laser amplifier system |
| JPS6140029A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | Sokueishiya Kk | 自動マスク・ウェーハ目合せ焼付方法 |
| JPS6155653A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-20 | Canon Inc | 焼付装置 |
-
1987
- 1987-04-11 KR KR1019870003480A patent/KR940000696B1/ko not_active IP Right Cessation
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012049529A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Media Lario Srl | Ｇｉｃミラー及びスズロッドｅｕｖ・ｌｐｐターゲットシステムを備える光源集光モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0482176B2 (ja) | 1992-12-25 |
| EP0242178B1 (en) | 1994-01-05 |
| DE3788668D1 (de) | 1994-02-17 |
| JPH0797679B2 (ja) | 1995-10-18 |
| EP0242178A2 (en) | 1987-10-21 |
| JPS62273727A (ja) | 1987-11-27 |
| KR940000696B1 (ko) | 1994-01-27 |
| JPS62273728A (ja) | 1987-11-27 |
| JPH0616484B2 (ja) | 1994-03-02 |
| JPS62273729A (ja) | 1987-11-27 |
| KR880013274A (ko) | 1988-11-30 |
| DE3788668T2 (de) | 1994-08-11 |
| ATE99842T1 (de) | 1994-01-15 |
| EP0242178A3 (en) | 1989-07-26 |
| JPH0482177B2 (ja) | 1992-12-25 |
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