KR880013274A - 엑스레이 석판인쇄장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

엑스레이 석판인쇄장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 엑스레이 석판인쇄장치의 부분절개 사시도. 제 2 도는 본 발명의 엑스레이 석판 인쇄장치의 엑스레이 근원 부분과 웨이페 처리의 정면도 제 3 도는 본 발명의 장치의 엑스레이 근원의부분 단면을 표시한 상세 측면도.

Claims (19)

  1. 소망되는 출력 빔에 비하여 좁고 낮은 레이저빔을 마련하기 위한 제이저빔 발전기와: 한쪽 방향으로 제1거리 및 직각 방향으로 제2거리의 레이저 빔 에너지 증폭용 통로(190)를 갖는 표면 여기 레이저 증폭기(188)와, 전기한 제2거리는 실질적으로 전기한 제1거리보다 크고, 제2레이저빔 조사(調査)수단(232 내지306)에 의하여 특정지워지는 전기한 통로(190)의 한 부분 (제12도의 좌측부분)에 연하여 전기한 증폭기(188)를 개재하는 전기한 발전기(172)에 의해서 발생한 전기한 레이저 빔을 조사하는 제1 레이저 빔 조사수단(174내지 186,196 내지 230)과, 빔 확장기 수단의(232 및 262)을 포함하고 빔(24)의 싸이즈를 전기한 빔(24)의 한 개의 축에 연하여 전기한 제1거리 보다 그리고 또 다른 축에 연하는 전기한 제1 및 제2거리 보다 더 크지 않도록 확장하며, 전기한 제2 조사수단(232 내지 306)은 전기한 통로(19)의 제2부분(제12도의 우측부분)에 연한 전기한증폭기(188)를 개재하여 확장된 레이저 빔(24)과 제조사 수단(240,244,246,256,258,260,270 및 272)을 포함하는 전기한 제2 조사수단(232 내지 306)과, 전기항 통로(190)의 전기한 제1부분 제12도의 좌측부분을 교차하지 않는, 소망되는 출력빔에 비하여 좁고 낮은 에너지 레이저를 마련하는 레이저 빔 발진기(172)를 포함하는 고에너지 레이저 빔 발생기.
  2. 청구범위 제1항에 있어서, 전기한 빔 확장기수단(3232및 262)은 변형 빔 확장기(234,236및 238및264,266및 268)를 포함하는 것을 특징으로 하는 고에너지 레이저 빔 발생기.
  3. 청구범위 제1 또는 제 2항에서, 전기한 제2 조사수단(232 내지 236)은 전기한 또 다른 축에 연하여 확장된 같은 싸이즈로 전기한 제1축에 연한 전기한 증폭기(188) 통로 (190)를 여기하는 전기한 빔(24)을 확장하는 제2빔 확장기 수단(280)을 포함하는 전기한 제2 조사수단(232 내지 2306)을 특징으로 하는 고에너지 레이저 빔 발생기.
  4. 제1항 또는 제3항에서, 전기한 제1빔 확장기 수단(232 및 262) 및 전기한 제2빔 확장기 수단(280)은 각각 변형 빔 확장기(234,236,및238,264,266 및 268 및 282,284 및 286)를 포함하는 것을 특징으로 하는 고에너지 레이저빔 발생기.
  5. 청구범위 제1항 내지 제3항에서, 전기한 제1빔 확장수단(232 및262) 및 전기한 제2빔 확장기수단(280)은 각각 다수의 삼각형 프리즘(234,236 및 238,264,266 및 268 및 282,284 및 286)을 포함하는 것을 특징으로 하는 고에너지 레이저빔 발생기
  6. 청구범위 최초 레이저 빔(24)을 마련하는 레이저 발진기(172)와, 두 개의 주표면을 갖는 유리판자(190)속으로 광에너지가 여가되고 전기한 두 표면을 일정한 높이와 일정한 수직 폭 그리고 전기한 일정보다 큰 전기한 두 표면 사이의 단면을 갖는 표면 여가 레이저빔 증폭기(188)와, 전기한 작은 칫수로 전기한 높이를 적응시키는 방향으로 또 확장 레이저빔(C)을 얻기 위하여 전기한 높이보다 더 크고 전기한 폭보다 더 작은 칫수로 전기한 폭을 적응시키는 방향으로 전기한 제1 증폭 레이저 빔(A 및 B)을 확장하는 수단(232 및 262)에 의하여 특징지워지고, 제1 증폭 레이저 빔(A 및 B)에 얻기 위한 전기한 판지(190)의 주표면들 사이의 제1통로(제12도의 좌측부분)을 통하여 전기한 발진기(172)에서 마련된 전기한 레이저빔(24)을 조사하는 제1 조사수단(174 내지 286,296 내지 230)과 전기한 고광력레이저빔(24,24A)을 얻기위하여 전기한 판자(190)의 주표면들 사이의 전기한 제1통로(제12도의 좌측부분)으로부터 멀리 떨어진 제2통로(12도의 우측부분)를 통하여 전기한 확장레이저 빔을 조사하는 제2 조사수단(270 내지 276)을 포함하는 고광력 레이저빔(24)을 발생하는 레이저 빔 발생기(12).
  7. 청구범위 제6항에서, 전기한 제1 조사수단(174 내지 186,196 내지 230)은 섯터수단(212)을 포함하는 레이저 빔 발생기.
  8. 청구범위 제6항 또는 제7항에서, 전기한 제2 조사수단(270 내지276)은 섯터수단(252)을 포함하는 레이저 빔 발생기.
  9. 청구범위 제6항,제7항 또는 제8항에서, 전기한 고광력레이저빔(24,24A)을 얻기 위하여 전기한 높이보다 더 큰 칫수로 전기한 높이를 적응시키는 전기한 방향에서 전기한 확장된 레이저빔(C)을 확장하는 제2수단(280)을 더 포함하는 전기한 발생기로 특징지어지는 레이저 빔 발생기.
  10. 청구범위 제9항에서, 전기한 제1 확장수단(232 내지 262)과 전기한 제2 확장수단(280)은 각각 변형 빔 확장기를 포함하는 레이저 빔 발생기.
  11. 청구범위 제6,7 및 제8항에서, 전기한 확장수단(232 내지 262)은 변형 빔 확장기를 포함하는 레이저 빔 확장기를 포함하는 레이저 빔 발생기.
  12. 청구범위 제6항 내지 제11항중의 어느 하나에서, 사용되는 레이저빔이 실제로 대칭적인 방법으로 확장되는 제1 및 제2빔 확장수단(180 내지 206)을 포함하는 전기한 제1 조사수단(174 내지 186,196 내지230)과, 전기한 높이보다 작은칫수의 제1 확장레이저 빔을 얻기 위하여 레이저빔(24)을 전기한 제1확장수단(180)에 제공하는 전기한 발진기(172)를 마련하는 수단(174,176,178)과, 최초증폭레이저 빔(A)을 얻기 위하여 전기한 제1통로(제12도의 좌측)의 제1부분에 연하여 전기한 판자(190)를 통하여 전기한 제1화장레이저 빔(A)을 조사하는 수단(182,184,186,196,198)과, 전기한 높이와 실질적으로 동일한 칫수의 제2 화장레이저를 얻기 위하여 전기한 제2빔 확장수단(206)을 통하여 전기한 최초 증폭레이저 빔(A)을 마현하는 수단(200내지 204)과, 전기한 제1 증폭레이저 빔(B)을 얻기 위하여 전기한 제1통로(제12도의 좌측)의 전기한 제2부분과 다른 제2부분에 연하여 전기한 판자(190)를 통하여 전기한 제2 확장레이저 빔을 조사하는 수단(208,210,222 내지 228)을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 빔 발생기.
  13. 청구범위 제12항에서, 전기한 제 1 및 제 2 빔 확장 수단은(180 내지 206) 공간 필터를 포함하는 레이저 빔 발생기.
  14. 청구범위 제12항 또는 제13항에서, 전기한 제 1통로(제12도의 좌측)의 전기한 제1 및 제2부분은 서로 인접하며 전기한 판자(190)의 길이와 동일한 레이저 빔 발생기.
  15. 청구범위 광에너지가 여기되는 두 개의 주표면을 갖는 유리판자(190)와, 전기한 두 개의 주표면을 분리하는 일정한 높이와 이와 직각이면서 전기한 일정 높이 보다 큰 폭의 전기한 두개의 주표면 사이의 단면을 포함하고, 전기한 방법은 최초레이저 빔을 발생하는 단계를 포함되며: 증폭레이저 빔(B)을 얻기 위하여 전기한 판자(190)의 주표면 사이의 제1통로(제12도의 좌측)를 통하여 전기한 발생 최초레이저 빔을 조사하며 ; 확장레이저빔(C)을 얻기 위하여 전기한 폭보다 작고 전기한 높이에 적응하는 방향에서 전기한 증폭 레이저 빔을 확장하는 단계들에 의하여 전기한 방법이 특정지어지고 ; 전기한 고광력레이저 빔(24,24A)을 얻기 위하여 전기한 판자(190)의 주표면 사이에 전기한 제 1통로(제12도의좌측)로부터 먼 제2통로(제12도의 우측)를 통하여 전기한 확장레이저 빔을 조사하는 ; 표면여기레이저빔 증폭기(188)를 사용하는 고광력 레이저빔(24,24A)을 발생하는 방법.
  16. 청구범위 제15항에서, 전기한 발생 최초레이저 빔을 조사하는전기한 단계는 전기한 최초레이저 빔을대칭적으로 확장하는 단계를포함하는 것을 특징으로 하는 고광력레이저 빔을 발생하는 방법.
  17. 청구범위 제16항에서, 전기한 최초레이저 빔을 대칭적으로 확장하는 전기한 단계는 전기한 판자(190)의 주표면들 사이의 전기한 제1및 제2통로(제12도 속의 빔B 및 C의 통로들)와 다른 제3통로를 통하여 전기한 대칭적으로 확장된 레이저 빔을 조사하는 단계는 포함하는 것을 특징으로 하는 고광력레이저 빔을 발생하는 방법.
  18. 청구범위 제 17항에서, 전기한 제3통로를 통하여 전기한 레이저 빔을 조사하는 전기한 단계는 전기한 높이와 실제로 동일한 칫수로 전기한 빔을 대칭적으로 확장하기 위한 공간 필터(180 및 106)를 통하여 전기한 레이저 빔을 조사하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 고광력레이저빔을 발생하는 방법.
  19. 청구범위 제15항 내지 제18항중의 어느 하나에서, 전기한 확장레이저 빔(C)을 조사하는 전기한 단계는 전기한 폭과 합동하는 방향에서 적응하는 칫수와 실질적으로 같은 전기한 높이와 적응하는 방향에서 전기한 판자(190)로부터 획득한 전기한 레이저 빔을 확장하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고광력레이저 빔을 발생하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0770457B2 (ja) * 1986-10-17 1995-07-31 株式会社日立製作所 Ｘ線露光方法、及びそれに用いられるｘ線発生源
DE60130754T2 (de) * 2000-05-03 2008-01-24 Asml Holding, N.V. Apparat zur Erzeugung eines gespülten optischen Weges in einer photolithographischen Projektionsanlage sowie ein entsprechendes Verfahren
US6852988B2 (en) * 2000-11-28 2005-02-08 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Gap adjustment apparatus and gap adjustment method for adjusting gap between two objects
EP1510867A1 (en) 2003-08-29 2005-03-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7432517B2 (en) 2004-11-19 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Pulse modifier, lithographic apparatus, and device manufacturing method
US8344339B2 (en) * 2010-08-30 2013-01-01 Media Lario S.R.L. Source-collector module with GIC mirror and tin rod EUV LPP target system
US10596636B2 (en) 2015-08-03 2020-03-24 Tungaloy Corporation Coated cutting tool
WO2024018678A1 (ja) * 2022-07-22 2024-01-25 株式会社ジャムコ 紫外線照射装置、紫外線照射装置の制御方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3633126A (en) * 1969-04-17 1972-01-04 Gen Electric Multiple internal reflection face-pumped laser
JPS5764928A (en) * 1980-10-07 1982-04-20 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Carrying apparatus for photo mask or reticle
JPS57194531A (en) * 1981-05-26 1982-11-30 Toshiba Corp Electron beam transfer device
EP0105261B1 (en) * 1982-04-14 1988-07-06 Battelle Development Corporation Providing x-rays
JPS5969925A (ja) * 1982-10-15 1984-04-20 Hitachi Ltd ウエハハンドリング装置
EP0121969A3 (en) * 1983-03-15 1988-01-20 Micronix Partners Lithography system
US4549144A (en) * 1983-08-31 1985-10-22 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Reflex ring laser amplifier system
JPS6140029A (ja) * 1984-07-31 1986-02-26 Sokueishiya Kk 自動マスク・ウェーハ目合せ焼付方法
JPS6155653A (ja) * 1984-08-28 1986-03-20 Canon Inc 焼付装置

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