JPS62267724A - 液晶表示素子の配向方法 - Google Patents
液晶表示素子の配向方法Info
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- JPS62267724A JPS62267724A JP10966186A JP10966186A JPS62267724A JP S62267724 A JPS62267724 A JP S62267724A JP 10966186 A JP10966186 A JP 10966186A JP 10966186 A JP10966186 A JP 10966186A JP S62267724 A JPS62267724 A JP S62267724A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は液晶表示素子の配向方法に関する=(従来の技
術) 液晶表示素子としては、ネマティック液晶を906ねじ
った構造をもつTN型が広く用いられている。 TN型
液晶表示素子は以前と比べてずいぶん進歩したが、最近
は液晶表示素子の大面積のものが求められており、TN
型ではコントラストや視角等の面で限界がある。そこで
近年、液晶分子のねじれを90°以上にしたSBE方式
やスーパーツイスト方式等の方法が試みられている。
術) 液晶表示素子としては、ネマティック液晶を906ねじ
った構造をもつTN型が広く用いられている。 TN型
液晶表示素子は以前と比べてずいぶん進歩したが、最近
は液晶表示素子の大面積のものが求められており、TN
型ではコントラストや視角等の面で限界がある。そこで
近年、液晶分子のねじれを90°以上にしたSBE方式
やスーパーツイスト方式等の方法が試みられている。
従来のTN型では、液晶分子の初期配向はほぼ水平であ
り、プレチルト角(基板と液晶分子の長軸とのなす角)
は1′″〜3°である。この液晶分子の配向は、基板に
ポリイミド膜を生成し、その上をラビングすることによ
って容易に安定、均一に得ることができる。
り、プレチルト角(基板と液晶分子の長軸とのなす角)
は1′″〜3°である。この液晶分子の配向は、基板に
ポリイミド膜を生成し、その上をラビングすることによ
って容易に安定、均一に得ることができる。
これに対し5IIE方式等では、より高いプレチルト角
が必要とされる。このプレチルト角を有する配向は、
TN型のようにラビングで簡単に得られてはおらず、現
在では特公昭54−12067号公報に記載されている
ようなSIOの斜方蒸着が主に行われている。
が必要とされる。このプレチルト角を有する配向は、
TN型のようにラビングで簡単に得られてはおらず、現
在では特公昭54−12067号公報に記載されている
ようなSIOの斜方蒸着が主に行われている。
(発明が解決しようとする問題点)
この斜方蒸着によって得られる配向は均一で、プレチル
ト角の制御も可能である。しかしながら。
ト角の制御も可能である。しかしながら。
斜方蒸着を行うためには、蒸着装置が必要であり、一度
に蒸着できる。′!iも限られる。即ち斜方蒸着は。
に蒸着できる。′!iも限られる。即ち斜方蒸着は。
コストが高く、大量生産に向いていないという欠点があ
る。
る。
本発明は、特別な装置を必藤とせず、容易りつ安価にプ
レチルト角を有する配向を得る〔発明の構成〕 (問題点を解決するための手段) 本発明は、透明1ttti基板にポリアミド酸を塗布し
て焼成を行いポリイミド−ポリアミド酸混成膜を設けた
り、或いはポリアミック酸を塗布して溶媒を蒸発乾燥し
、ポリアミック酸膜を設けて苛性ソーダでケン化した後
、垂直配向剤で処理を行いその上をラビングしている。
レチルト角を有する配向を得る〔発明の構成〕 (問題点を解決するための手段) 本発明は、透明1ttti基板にポリアミド酸を塗布し
て焼成を行いポリイミド−ポリアミド酸混成膜を設けた
り、或いはポリアミック酸を塗布して溶媒を蒸発乾燥し
、ポリアミック酸膜を設けて苛性ソーダでケン化した後
、垂直配向剤で処理を行いその上をラビングしている。
(作 用)
液晶分子の配列様式を説明する考えに表面張力によるも
のがある。基板の臨界表面張力と、液晶張力との大小関
係より、液晶分子を平行配向させる性質のある表面と、
垂直配向させる性質のある表面とがあることが知られて
いる。
のがある。基板の臨界表面張力と、液晶張力との大小関
係より、液晶分子を平行配向させる性質のある表面と、
垂直配向させる性質のある表面とがあることが知られて
いる。
更に基板面が平滑でない場合(溝等がある場合)には液
晶の弾性自由エネルギーを考慮する必要がある。液晶が
何らの歪みも易ζいとき、この自由エネルギーが最小に
なり、配列が安定に形成されるからである。
晶の弾性自由エネルギーを考慮する必要がある。液晶が
何らの歪みも易ζいとき、この自由エネルギーが最小に
なり、配列が安定に形成されるからである。
本発明におけるポリイミド−ポリアミド酸混成膜及びポ
リアミック酸膜は平行配向性をもち、垂直配向処理剤と
して用いたクロム錯体、有機シランは垂直配向性をもつ
。
リアミック酸膜は平行配向性をもち、垂直配向処理剤と
して用いたクロム錯体、有機シランは垂直配向性をもつ
。
更に本発明では、ポリイミド−ポリアミド酸混成膜は焼
成温度の調節により、ポリアミックM膜は苛性ソーダで
の処理によって、表面をやや活性な状態にしておきそこ
に垂直配向処理剤が結合するようにしたところに特徴が
ある。二九によって平行配向性と垂直配向性が共存する
ことになる。
成温度の調節により、ポリアミックM膜は苛性ソーダで
の処理によって、表面をやや活性な状態にしておきそこ
に垂直配向処理剤が結合するようにしたところに特徴が
ある。二九によって平行配向性と垂直配向性が共存する
ことになる。
これらの膜の上をラビングすると、基板表面上に溝#4
造ができる。この表面上での液晶の弾性自由エネルギー
と、上記の平行配向性と垂直配向性との関係より、高い
プレチルト角を有する液晶の傾斜配向が得られろと考え
られる。
造ができる。この表面上での液晶の弾性自由エネルギー
と、上記の平行配向性と垂直配向性との関係より、高い
プレチルト角を有する液晶の傾斜配向が得られろと考え
られる。
(実施例)
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
なお同一部分は同一符号であられす。
第1図は本発明を適用する液晶表示素子の一例を示す断
面図である。同図において、透明電極0)が形成された
2枚の基板■、■間には、シール剤に)により液晶■が
挟持されている。また基板■。
面図である。同図において、透明電極0)が形成された
2枚の基板■、■間には、シール剤に)により液晶■が
挟持されている。また基板■。
■上には、液晶■の分子を、プレチルト角を持たせて配
向させるための液晶配向層0が形成されている。
向させるための液晶配向層0が形成されている。
次に本発明の一実施例を第2図を用いて説明する。同図
において、液晶配向層(61)であるポリイミド−ポリ
アミド酸混成膜は、基板■、■上にポリアミド酸を塗布
した後、焼成することによって得られる。なお焼成条件
は、150℃〜200℃のうちのある温度、@えば18
0℃±5℃で約1時間である。また液晶配向層(62)
は、液晶配向層(61)が形成された基板■、■を垂直
配向処理剤例えば直鎖のアルキル基又はハロゲン化アル
キル基を有する一塩基性クロム錯体で処理することによ
って形成される。即ち例えば次の化学式 cnF、 n+z 毫 で示されるような一塩基性クロム錯体の水溶液に。
において、液晶配向層(61)であるポリイミド−ポリ
アミド酸混成膜は、基板■、■上にポリアミド酸を塗布
した後、焼成することによって得られる。なお焼成条件
は、150℃〜200℃のうちのある温度、@えば18
0℃±5℃で約1時間である。また液晶配向層(62)
は、液晶配向層(61)が形成された基板■、■を垂直
配向処理剤例えば直鎖のアルキル基又はハロゲン化アル
キル基を有する一塩基性クロム錯体で処理することによ
って形成される。即ち例えば次の化学式 cnF、 n+z 毫 で示されるような一塩基性クロム錯体の水溶液に。
液晶配向層(6,)が形成された基板■、■を浸し、加
熱乾燥させることによって得られる。こうして液晶配向
層0を形成した基板■、■を、第2図の矢印■で示され
るようにホモジニアスにラビングし、液晶セルを構成す
る。この液晶セルでは、液晶分子が基板に対して一定方
向に傾いた状態で配向する0例えばポリアミド酸の焼成
温度180℃±5℃、(1)の水溶液のクロム濃度的0
.0023%の条件で得られたプレチルト角は約11m
である。なおこの場合、垂直配向処理剤は有機シラン等
であってもよい。
熱乾燥させることによって得られる。こうして液晶配向
層0を形成した基板■、■を、第2図の矢印■で示され
るようにホモジニアスにラビングし、液晶セルを構成す
る。この液晶セルでは、液晶分子が基板に対して一定方
向に傾いた状態で配向する0例えばポリアミド酸の焼成
温度180℃±5℃、(1)の水溶液のクロム濃度的0
.0023%の条件で得られたプレチルト角は約11m
である。なおこの場合、垂直配向処理剤は有機シラン等
であってもよい。
更に本発明の他の実施例を第2図を用いて説明する。同
図において、液晶配向層(61)であるポリアミック酸
膜は、基板■、(3)上にポリアミック酸を塗布して溶
媒を蒸発乾燥した後、苛性ソーダで処理することによっ
て得られる。なお蒸発乾燥の条件は、50℃〜100℃
のある温度、例えば70℃で5分である。また液晶配向
層(62)は、液晶配向層(61)が形成された基板■
、■を、垂直配向処理剤例えば第四級アンモニウム塩で
処理することによって形成される。即ち例えばセチルト
リメチルアンモニウムブロマイド(CTAB) [(C
I(a)>(CL)、iN (CHs )3] Br水
溶液(0,1%)に液晶配向層(61)が形成された基
板■、■を浸し水洗した後、加熱乾燥させることによっ
て得られる。こうして液晶配向層0を形成した基板■、
■は、そのラビング方向を第2図の矢印■で示されるよ
うに互いに逆向きとしてホモジニアス配向させ、液晶セ
ルを構成する。この実施例では、ポリアミック酸の乾燥
温度、垂直配向処理剤の種類や濃度等の条件を変えるこ
とによって、5@〜45@のいろいろなプレチルト角が
得られる。
図において、液晶配向層(61)であるポリアミック酸
膜は、基板■、(3)上にポリアミック酸を塗布して溶
媒を蒸発乾燥した後、苛性ソーダで処理することによっ
て得られる。なお蒸発乾燥の条件は、50℃〜100℃
のある温度、例えば70℃で5分である。また液晶配向
層(62)は、液晶配向層(61)が形成された基板■
、■を、垂直配向処理剤例えば第四級アンモニウム塩で
処理することによって形成される。即ち例えばセチルト
リメチルアンモニウムブロマイド(CTAB) [(C
I(a)>(CL)、iN (CHs )3] Br水
溶液(0,1%)に液晶配向層(61)が形成された基
板■、■を浸し水洗した後、加熱乾燥させることによっ
て得られる。こうして液晶配向層0を形成した基板■、
■は、そのラビング方向を第2図の矢印■で示されるよ
うに互いに逆向きとしてホモジニアス配向させ、液晶セ
ルを構成する。この実施例では、ポリアミック酸の乾燥
温度、垂直配向処理剤の種類や濃度等の条件を変えるこ
とによって、5@〜45@のいろいろなプレチルト角が
得られる。
以上のように本発明によれば、ポリイミド−ポリアミド
酸混成膜或いはポリアミック酸膜を形成した後の垂直配
向処理剤での処理により平行配向性と垂直配向性が共存
し、これらの配向性とそのラビングによって生じる液晶
の弾性自由エネルギーとの関係により、特別な装置を必
要とすることもなく、容易に且つ低コストで必要なプレ
チルト角を得ることができる。
酸混成膜或いはポリアミック酸膜を形成した後の垂直配
向処理剤での処理により平行配向性と垂直配向性が共存
し、これらの配向性とそのラビングによって生じる液晶
の弾性自由エネルギーとの関係により、特別な装置を必
要とすることもなく、容易に且つ低コストで必要なプレ
チルト角を得ることができる。
第1図は本発明を適用する液晶表示素子の一例を示す断
面図、第2図は本発明の一実施例を説明するために用い
る概略図である。 ■ ・・・・・・・・・透明電極 ■、■・・・・・・基板 (ハ) ・・・・・・・・・液晶 (6)、(6□)、 (62)・・・・・・液晶配向層
代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡典夫 第1図 第2図
面図、第2図は本発明の一実施例を説明するために用い
る概略図である。 ■ ・・・・・・・・・透明電極 ■、■・・・・・・基板 (ハ) ・・・・・・・・・液晶 (6)、(6□)、 (62)・・・・・・液晶配向層
代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡典夫 第1図 第2図
Claims (5)
- (1)透明電極が形成された2枚の基板間に液晶を挟持
してなる液晶表示素子の配向方法において、前記基板上
にポリイミド−ポリアミド酸混成膜或いはポリアミック
酸膜を形成した後、垂直配向処理剤で処理しラビングを
行うことを特徴とする液晶表示素子の配向方法。 - (2)前記ポリイミド−ポリアミド酸混成膜は、前記基
板にポリアミド酸を塗布した後、150℃〜200℃で
焼成することによって得られることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の液晶表示素子の配向方法。 - (3)前記ポリアミック酸膜は、前記基板にポリアミッ
ク酸を塗布して50℃〜100℃で溶媒を蒸発乾燥した
後、苛性ソーダで処理することによって得られることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の液晶表示素子の
配向方法。 - (4)前記ポリイミド−ポリアミド酸混成膜を形成した
後に使用する垂直配向処理剤は、直鎖のアルキル基又は
ハロゲン化アルキル基を有する一塩基性クロム錯体、或
いは有機シランであることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の液晶表示素子の配向方法。 - (5)前記ポリアミック酸膜を形成した後に使用する垂
直配向処理剤は、第四級アンモニウム塩であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の液晶表示素子の配
向方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10966186A JPS62267724A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 液晶表示素子の配向方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10966186A JPS62267724A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 液晶表示素子の配向方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62267724A true JPS62267724A (ja) | 1987-11-20 |
Family
ID=14515952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10966186A Pending JPS62267724A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 液晶表示素子の配向方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62267724A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03107923A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
GB2274922A (en) * | 1993-01-21 | 1994-08-10 | Sharp Kk | Liquid crystal projector |
US5596435A (en) * | 1993-04-23 | 1997-01-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
US5629056A (en) * | 1992-09-01 | 1997-05-13 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display panel and process for producing the same |
JP2005510750A (ja) * | 2001-11-20 | 2005-04-21 | ヒューレット・パッカード・カンパニー | 液晶素子及び組成物 |
JP2016117861A (ja) * | 2014-12-23 | 2016-06-30 | Jsr株式会社 | 重合体組成物、樹脂膜、液晶配向剤、液晶配向膜、液晶配向膜の製造方法及び液晶表示素子 |
-
1986
- 1986-05-15 JP JP10966186A patent/JPS62267724A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03107923A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
US5629056A (en) * | 1992-09-01 | 1997-05-13 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display panel and process for producing the same |
GB2274922A (en) * | 1993-01-21 | 1994-08-10 | Sharp Kk | Liquid crystal projector |
GB2274922B (en) * | 1993-01-21 | 1996-10-23 | Sharp Kk | Liquid crystal projector |
US5596435A (en) * | 1993-04-23 | 1997-01-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
JP2005510750A (ja) * | 2001-11-20 | 2005-04-21 | ヒューレット・パッカード・カンパニー | 液晶素子及び組成物 |
JP2016117861A (ja) * | 2014-12-23 | 2016-06-30 | Jsr株式会社 | 重合体組成物、樹脂膜、液晶配向剤、液晶配向膜、液晶配向膜の製造方法及び液晶表示素子 |
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