JPS62266874A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS62266874A JPS62266874A JP11125586A JP11125586A JPS62266874A JP S62266874 A JPS62266874 A JP S62266874A JP 11125586 A JP11125586 A JP 11125586A JP 11125586 A JP11125586 A JP 11125586A JP S62266874 A JPS62266874 A JP S62266874A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material
- H01L29/365—Planar doping, e.g. atomic-plane doping, delta-doping
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は、２次元電子ガスをチャネルとするヘテロ接
合電界効果トランジスタ装置にかかり、その電子供給層
を、ノンドープの半導体層内のヘテロ接合界面からの距
離が６ｎｍ以下の位置にトナー不純物をアトミックプレ
ーンドーピングした構造とすることにより、 ２次元電子ガスの密度増大と安定性向上とを実現し、該
半導体装置の特性を向上するものである。
合電界効果トランジスタ装置にかかり、その電子供給層
を、ノンドープの半導体層内のヘテロ接合界面からの距
離が６ｎｍ以下の位置にトナー不純物をアトミックプレ
ーンドーピングした構造とすることにより、 ２次元電子ガスの密度増大と安定性向上とを実現し、該
半導体装置の特性を向上するものである。
（産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置、特に選択ドーピング・ヘテロ接合
電界効果トランジスタの改善に関する。
電界効果トランジスタの改善に関する。
選択ドーピング・ヘテロ接合電界効果トランジスタは高
速デバイスとして強い期待が寄せられているが、そのチ
ャネル電流、伝達コンダクタンスｇ１等の特性の向上が
要望されている。
速デバイスとして強い期待が寄せられているが、そのチ
ャネル電流、伝達コンダクタンスｇ１等の特性の向上が
要望されている。
選択ドーピング・ペテロ接合電界効果トランジスタは空
間分離ドーピングとキャリアの界面量子化によってキャ
リア移動度の増大を実現しているが、その−従来例の模
式側断面図を第４図に示す。
間分離ドーピングとキャリアの界面量子化によってキャ
リア移動度の増大を実現しているが、その−従来例の模
式側断面図を第４図に示す。
すなわちこの従来例では、半絶縁性砒化ガリウム（Ｇａ
Ａｓ）基板１１上に、ノンドープのｉ型ＧａＡｓ層１２
、これより電子親和力が小さく例えば濃度２ＸｌＯ”Ｃ
ｌ１１−１程度にドナー不純物がドープされたｎ型砒化
アルミニウムガリウム（ＡＩＸＧａｔ−ｘ＾ｓ）屓１３
、ｎ型ＧａＡｓ層１４が設けられ、このｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ電子供給層１３からｉ形ＧａＡｓ層１２へ遷移した電
子によってヘテロ接合界面近傍に２次元電子ガス１２ｅ
が形成される。
Ａｓ）基板１１上に、ノンドープのｉ型ＧａＡｓ層１２
、これより電子親和力が小さく例えば濃度２ＸｌＯ”Ｃ
ｌ１１−１程度にドナー不純物がドープされたｎ型砒化
アルミニウムガリウム（ＡＩＸＧａｔ−ｘ＾ｓ）屓１３
、ｎ型ＧａＡｓ層１４が設けられ、このｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ電子供給層１３からｉ形ＧａＡｓ層１２へ遷移した電
子によってヘテロ接合界面近傍に２次元電子ガス１２ｅ
が形成される。
この半導体基体上にソース、ドレイン電極１５とゲート
電極１６を設け、ゲート電極１６によるショットキ空乏
層で２次元電子ガス１２ｅの面密度Ｎｓを制御してトラ
ンジスタ動作が行われるが、２次元電子ガス１２ｅは不
純物散乱による移動度低下が殆どなく、格子散乱が減少
する例えば７７に程度以下の低温において最も高い移動
度が得られる。
電極１６を設け、ゲート電極１６によるショットキ空乏
層で２次元電子ガス１２ｅの面密度Ｎｓを制御してトラ
ンジスタ動作が行われるが、２次元電子ガス１２ｅは不
純物散乱による移動度低下が殆どなく、格子散乱が減少
する例えば７７に程度以下の低温において最も高い移動
度が得られる。
この構造において、ｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層１３と
ｉ形ＧａＡｓチャネル層１２との伝導帯のエネルギー準
位差が少ない場合には２次元電子ガス１２ｅの面密度Ｎ
ｓが小さくなるために、通常伝導帯の準位差−を０．２
４ｅＶ程度以上、従ってｎ型へ１．Ｇａ、−、Ａｓ電子
供給層１３のＡＩ組成比Ｘを０．３程度以上とすること
が望ましいが、他方においてこのＡＩ組成比Ｘが０．２
５程度より大きいときには、ドープしたＳｉ等のドナー
準位が急激に深くなってドーピング濃度ｎｏを増加して
も高いキャリア濃度が得られず、加えて結晶性が劣化す
るために、 ドーピング濃度ｎＤ＝２ Ｘ １０１ Ｉ
ＩＣ「２程度が上限であり、このとき２次元電子ガス１
２ｅの面密度Ｎ５＝９．０Ｘ１０”ａｍ−’、電子移動
度μ、ｌ嬌３ Ｘ １０’Ｃ１１２／Ｖ、３程度となっ
ている。
ｉ形ＧａＡｓチャネル層１２との伝導帯のエネルギー準
位差が少ない場合には２次元電子ガス１２ｅの面密度Ｎ
ｓが小さくなるために、通常伝導帯の準位差−を０．２
４ｅＶ程度以上、従ってｎ型へ１．Ｇａ、−、Ａｓ電子
供給層１３のＡＩ組成比Ｘを０．３程度以上とすること
が望ましいが、他方においてこのＡＩ組成比Ｘが０．２
５程度より大きいときには、ドープしたＳｉ等のドナー
準位が急激に深くなってドーピング濃度ｎｏを増加して
も高いキャリア濃度が得られず、加えて結晶性が劣化す
るために、 ドーピング濃度ｎＤ＝２ Ｘ １０１ Ｉ
ＩＣ「２程度が上限であり、このとき２次元電子ガス１
２ｅの面密度Ｎ５＝９．０Ｘ１０”ａｍ−’、電子移動
度μ、ｌ嬌３ Ｘ １０’Ｃ１１２／Ｖ、３程度となっ
ている。
この半導体基体の各半導体層は通常分子線エピタキシャ
ル成長方法（ＭＢＥ法）によって形成し、ｎ型ＡｌＧａ
Ａｓ電子供給層１３にはシリコン（Ｓｊ）を一様にドー
ピングしているが、そのｉ型ＧａＡｓ層１２とのヘテロ
接合界面近傍をノンドープとしてＡ ｌＧａＡｓスペー
サ層を設け、２次元電子ガス１２ｅに対するクーロン散
乱を防止する場合がある。この構造では２次元電子ガス
１２ｅの面密度ＮｓがＡｌＧａＡｓスペーサ層の厚さΔ
ｔに依存し、Δｔ＝０のときに前記最大値が得られ、Δ
ｔが増加すれば面密度Ｎｓは減少する。
ル成長方法（ＭＢＥ法）によって形成し、ｎ型ＡｌＧａ
Ａｓ電子供給層１３にはシリコン（Ｓｊ）を一様にドー
ピングしているが、そのｉ型ＧａＡｓ層１２とのヘテロ
接合界面近傍をノンドープとしてＡ ｌＧａＡｓスペー
サ層を設け、２次元電子ガス１２ｅに対するクーロン散
乱を防止する場合がある。この構造では２次元電子ガス
１２ｅの面密度ＮｓがＡｌＧａＡｓスペーサ層の厚さΔ
ｔに依存し、Δｔ＝０のときに前記最大値が得られ、Δ
ｔが増加すれば面密度Ｎｓは減少する。
なお先に述べた深いドナー準位は、２００に程度以下で
赤外線が入射すれば電子が伝導帯に励起され、光照射を
停止しても伝導電子がドナー準位に落ちないＰＰＣ（ｐ
ｅｒｓｉｓｔｅｎｔ ｐｈｏｔｏ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖ
ｉｔｙ）等の現象を示してＤＸセンターと呼ばれるが、
これにより低温における２次元電子ガス面密度Ｎｓの低
下、従って伝達コンダクタンスｇ、の低下が現れ、また
光の入射などにより２次元電子ガス面密度Ｎｓ、闇値電
圧■い等が変動する現象が現れ、更に低周波雑音の原因
ともなっている。
赤外線が入射すれば電子が伝導帯に励起され、光照射を
停止しても伝導電子がドナー準位に落ちないＰＰＣ（ｐ
ｅｒｓｉｓｔｅｎｔ ｐｈｏｔｏ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖ
ｉｔｙ）等の現象を示してＤＸセンターと呼ばれるが、
これにより低温における２次元電子ガス面密度Ｎｓの低
下、従って伝達コンダクタンスｇ、の低下が現れ、また
光の入射などにより２次元電子ガス面密度Ｎｓ、闇値電
圧■い等が変動する現象が現れ、更に低周波雑音の原因
ともなっている。
上述の如くヘテロ接合電界効果トランジスタは高い電子
移動度が得られるが２次元電子ガスの面密度Ｎｓが従来
制約されており、伝達コンダクタンスｇ１、チャネル電
流等の特性向上を実現するために、この制約を越えて面
密度Ｎｓを増大することが強く要望されている。
移動度が得られるが２次元電子ガスの面密度Ｎｓが従来
制約されており、伝達コンダクタンスｇ１、チャネル電
流等の特性向上を実現するために、この制約を越えて面
密度Ｎｓを増大することが強く要望されている。
前記問題点は、ノンドープの第１の半導体層と、該第１
の半導体層より電子親和力が小さいノンドープの第２の
半導体層とが積層形成され、該第２の半導体層内の該両
半専体層のヘテロ接合界面からの距離が６面以下の位置
にドナー不純物がアトミックプレーンドーピングされて
、該ヘテロ接合界面近傍に２次元電子ガスが形成される
本発明による半導体装置により解決される。
の半導体層より電子親和力が小さいノンドープの第２の
半導体層とが積層形成され、該第２の半導体層内の該両
半専体層のヘテロ接合界面からの距離が６面以下の位置
にドナー不純物がアトミックプレーンドーピングされて
、該ヘテロ接合界面近傍に２次元電子ガスが形成される
本発明による半導体装置により解決される。
例えば第１の半導体層をＧａＡｓ、第２の半導体層を＾
１ｘＧａ＋−＋ｔＡｓ、ｘ ＝０．３とし、このＡｌＧ
ａＡｓ層内にドナー不純物としてＳｉをアトミックプレ
ーンドーピングしたときに得られる２次元電子ガスの面
密度Ｎｓ及び電子移動度μ７の例を、従来例と共に第１
図に示す。同図の横軸はアトミックプレーンドーピング
位置のヘテロ接合界面からの距離及び従来例のノンドー
プスペーサ層の厚さ （何れもΔｔとする）を示し、・
はＳｉブレーンドーピング面濃度ＮＩ、ｓ＝ ４ Ｘ
ｔｏ”ｃｍ−”、◎はＮＩ、ｓ＝ ２ ＸＩＯ”ｃｍ−
２の例、○は通常の３次元ドーピングによる従来最大値
の例である。
１ｘＧａ＋−＋ｔＡｓ、ｘ ＝０．３とし、このＡｌＧ
ａＡｓ層内にドナー不純物としてＳｉをアトミックプレ
ーンドーピングしたときに得られる２次元電子ガスの面
密度Ｎｓ及び電子移動度μ７の例を、従来例と共に第１
図に示す。同図の横軸はアトミックプレーンドーピング
位置のヘテロ接合界面からの距離及び従来例のノンドー
プスペーサ層の厚さ （何れもΔｔとする）を示し、・
はＳｉブレーンドーピング面濃度ＮＩ、ｓ＝ ４ Ｘ
ｔｏ”ｃｍ−”、◎はＮＩ、ｓ＝ ２ ＸＩＯ”ｃｍ−
２の例、○は通常の３次元ドーピングによる従来最大値
の例である。
同図に示す如くΔｔの同一値について、プレーンドーピ
ングは従来より高い２次元電子ガス面密度Ｎｓが得られ
、この面密度ＮｓはΔむが増大すれば減少するが、例え
ばプレーンドーピング面濃度Ｎ。＝ ４ Ｘ ＩＱ”ｃ
ｍ−２ではドーピング位置のヘテロ接合界面からの距離
Δｔ≦６ ｎｍの場合に、Ｎｓ＃９．ＯＸＩＯ”ａｍ−
２以上の従来得られなかった２次元電子ガス面密度が実
現する。
ングは従来より高い２次元電子ガス面密度Ｎｓが得られ
、この面密度ＮｓはΔむが増大すれば減少するが、例え
ばプレーンドーピング面濃度Ｎ。＝ ４ Ｘ ＩＱ”ｃ
ｍ−２ではドーピング位置のヘテロ接合界面からの距離
Δｔ≦６ ｎｍの場合に、Ｎｓ＃９．ＯＸＩＯ”ａｍ−
２以上の従来得られなかった２次元電子ガス面密度が実
現する。
なお電子移動度μ７は２次元電子ガス面密度Ｎｓの増加
に伴って減少傾向が現れるが、同一のゲート長、ゲート
幅においてμ、ＸＮｓに比例する伝達コンダクタンスｇ
、は後に実施例について例示する様に増大する。
に伴って減少傾向が現れるが、同一のゲート長、ゲート
幅においてμ、ＸＮｓに比例する伝達コンダクタンスｇ
、は後に実施例について例示する様に増大する。
更に本発明によれば第２図のエネルギー図に示す如く、
ヘテロ接合界面近傍の伝導帯ＥＣが高レベル（図では下
方）の位置にドナー不純物ドーピングが局限されており
、擬フエルミ準位Ｅ、が温度により変化し、或いはゲー
ト電極に電圧が印加されても、ドナーによるトラップ準
位が擬フエルミ準位Ｅ２を横切ることがなく、２次元電
子ガス面密度Ｎｓ 、闇値電圧Ｖｔｌ、の変動を生じな
い。
ヘテロ接合界面近傍の伝導帯ＥＣが高レベル（図では下
方）の位置にドナー不純物ドーピングが局限されており
、擬フエルミ準位Ｅ、が温度により変化し、或いはゲー
ト電極に電圧が印加されても、ドナーによるトラップ準
位が擬フエルミ準位Ｅ２を横切ることがなく、２次元電
子ガス面密度Ｎｓ 、闇値電圧Ｖｔｌ、の変動を生じな
い。
以下本発明を第３図に模式側断面図を示す実施例により
具体的に説明する。
具体的に説明する。
本実施例の半導体基体は、半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に
下記の各半導体層が順次積層してエピタキシャル成長さ
れている。すなわち２は厚さ例えば１−程度のノンドー
プのＧａＡｓ層であり、３は本発明による電子供給層で
、例えば厚さ約４ａｍのノンドープＡｌｏ、 ５Ｇａｏ
、 Ｊｓ層３ａと厚さ約４０ｎｍのノンドープＡｌｏ、
５Ｇａｏ、 ＩＡｓ層３ｃの間に、面濃度Ｎｏｓ＃４
ｘｌＱＩＺｃｎｉ −”のＳｉのアトミックプレーン
ドーピング３ｂを行っている。更に４はＳｉを濃度ｎｏ
”” ２ Ｘｌ０１′Ｊｃｍ−’程度に一様にドーピン
グしたｎ型ＧａＡｓ層である。
下記の各半導体層が順次積層してエピタキシャル成長さ
れている。すなわち２は厚さ例えば１−程度のノンドー
プのＧａＡｓ層であり、３は本発明による電子供給層で
、例えば厚さ約４ａｍのノンドープＡｌｏ、 ５Ｇａｏ
、 Ｊｓ層３ａと厚さ約４０ｎｍのノンドープＡｌｏ、
５Ｇａｏ、 ＩＡｓ層３ｃの間に、面濃度Ｎｏｓ＃４
ｘｌＱＩＺｃｎｉ −”のＳｉのアトミックプレーン
ドーピング３ｂを行っている。更に４はＳｉを濃度ｎｏ
”” ２ Ｘｌ０１′Ｊｃｍ−’程度に一様にドーピン
グしたｎ型ＧａＡｓ層である。
この半導体基体に生成される２次元電子ガス２ｅの面密
度はＮｓ＃１．ｌＸ１０”ｃｍ−”が得られている。
度はＮｓ＃１．ｌＸ１０”ｃｍ−”が得られている。
この半導体基体上に従来技術によってソース・ドレイン
電極５及びゲート電極６を配設したヘテロ接合電界効果
トランジスタについて、例えば伝達コンダクタンスｇ、
Ｓ＃２８３ＩＩＩＳ／ｌｌｌｌ１１が得られ、比較試料
とした一様ドーピング、Δｔ＝Ｑで２次元電子ガス面密
度Ｎｓ ＃ ９．ＯＸ １０” ｃｍ−２の半導体基体
を用いてゲート電極の構造、寸法等が等しい試料の伝達
コンダクタンスが、例えばｇ、＝ ２３５ｍ５／ｍｍで
あるのに比較して、本発明による特性向上が実証された
。
電極５及びゲート電極６を配設したヘテロ接合電界効果
トランジスタについて、例えば伝達コンダクタンスｇ、
Ｓ＃２８３ＩＩＩＳ／ｌｌｌｌ１１が得られ、比較試料
とした一様ドーピング、Δｔ＝Ｑで２次元電子ガス面密
度Ｎｓ ＃ ９．ＯＸ １０” ｃｍ−２の半導体基体
を用いてゲート電極の構造、寸法等が等しい試料の伝達
コンダクタンスが、例えばｇ、＝ ２３５ｍ５／ｍｍで
あるのに比較して、本発明による特性向上が実証された
。
以上の説明はＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系ヘテロ接合電界
効果トランジスタを対象としているが、本発明はこれに
限られるものではなく半導体材料が異なる半導体装置に
ついても、本発明により同様の効果を得ることができる
。
効果トランジスタを対象としているが、本発明はこれに
限られるものではなく半導体材料が異なる半導体装置に
ついても、本発明により同様の効果を得ることができる
。
以上説明した如く本発明によれば、ヘテロ接合電界効果
トランジスタの２次元電子ガス面密度ＮＳ、伝達コンダ
クタンスｇ、の増大、温度による特性変動の抑制などの
改善が達成され、高速デバイスとして大きい期待が寄せ
られているヘテロ接合電界効果トランジスタの進歩に大
きい効果が得られる。
トランジスタの２次元電子ガス面密度ＮＳ、伝達コンダ
クタンスｇ、の増大、温度による特性変動の抑制などの
改善が達成され、高速デバイスとして大きい期待が寄せ
られているヘテロ接合電界効果トランジスタの進歩に大
きい効果が得られる。
第１図は２次元電子ガス面密度及び電子移動度の例を示
す図、 第２図はエネルギー図、 第３図は実施例の模式側断面図、 第４図は従来例の模式側断面図である。 図において、 １は半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２はノンドープのＧａＡｓ層、 ２ｅは２次元電子ガス、 ３は本発明による電子供給層、 ３ａ及び３ｃはノンドープのＡＩＧａＡｓＪＷ。 ３ｂはＳｔアトミックブレーンドーピング、４はｎ型Ｇ
ａＡｓ層、 ５はソース、ドレイン電極、 ６はゲート電極を示す。 早 ２ 口
す図、 第２図はエネルギー図、 第３図は実施例の模式側断面図、 第４図は従来例の模式側断面図である。 図において、 １は半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２はノンドープのＧａＡｓ層、 ２ｅは２次元電子ガス、 ３は本発明による電子供給層、 ３ａ及び３ｃはノンドープのＡＩＧａＡｓＪＷ。 ３ｂはＳｔアトミックブレーンドーピング、４はｎ型Ｇ
ａＡｓ層、 ５はソース、ドレイン電極、 ６はゲート電極を示す。 早 ２ 口
Claims (1)
- １）ノンドープの第１の半導体層と、該第１の半導体層
より電子親和力が小さいノンドープの第２の半導体層と
が積層形成され、該第２の半導体層内の該両半導体層の
ヘテロ接合界面からの距離が６ｎｍ以下の位置にドナー
不純物がアトミックプレーンドーピングされて、該ヘテ
ロ接合界面近傍に２次元電子ガスが形成されることを特
徴とする半導体装置。２）前記第１の半導体層が砒化ガ
リウム、前記第２の半導体層が砒化アルミニウムガリウ
ムからなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11125586A JPS62266874A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11125586A JPS62266874A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62266874A true JPS62266874A (ja) | 1987-11-19 |
Family
ID=14556548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11125586A Pending JPS62266874A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62266874A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0271563A (ja) * | 1988-09-06 | 1990-03-12 | Sony Corp | 半導体装置、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びショットキーゲート型電界効果トランジスタ |
| JPH03150289A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-06-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 液相エピタキシャル成長方法 |
| US5250822A (en) * | 1991-03-26 | 1993-10-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Field effect transistor |
| US5343056A (en) * | 1991-10-29 | 1994-08-30 | Rohm Co., Ltd. | Compound semiconductor device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59119768A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS6028273A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-13 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS60117680A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高速電界効果トランジスタ |
-
1986
- 1986-05-15 JP JP11125586A patent/JPS62266874A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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