JPS62265139A - レ−ザ−ガラスのエツジクラツデイング法 - Google Patents
レ−ザ−ガラスのエツジクラツデイング法Info
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- JPS62265139A JPS62265139A JP10657986A JP10657986A JPS62265139A JP S62265139 A JPS62265139 A JP S62265139A JP 10657986 A JP10657986 A JP 10657986A JP 10657986 A JP10657986 A JP 10657986A JP S62265139 A JPS62265139 A JP S62265139A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
- H01S3/0612—Non-homogeneous structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/02—Other methods of shaping glass by casting molten glass, e.g. injection moulding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S3/16—Solid materials
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-
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- H01S3/025—Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
レーザーガラス、特に核融合用レーザーガラスにおいて
は、レーザーガラス側面の反射によって生ずる奇生発振
が問題となるため、レーデ−ガラス側面には反射を防止
し、不要光を吸収するエツジクラツディングが必要とな
る。本発明はそうしたレーザーガラスのエツジクラップ
イン法に関する。
は、レーザーガラス側面の反射によって生ずる奇生発振
が問題となるため、レーデ−ガラス側面には反射を防止
し、不要光を吸収するエツジクラツディングが必要とな
る。本発明はそうしたレーザーガラスのエツジクラップ
イン法に関する。
[従来の技術] ”
従来、レーザーガラスの周囲にこのクラツディング用の
ガラスを施す方法としては、先ずレーザーガラスを鋳込
み成形した後徐冷し、さらに必要形状に明石加工後研磨
1ノでからこの成形加工したレーザーガラスを、周囲に
空隙を残してモールド内に設置し、この空隙部にクラツ
ディング用ガラスを鋳込むことにより、エツジクラツデ
ィングを行っていた。
ガラスを施す方法としては、先ずレーザーガラスを鋳込
み成形した後徐冷し、さらに必要形状に明石加工後研磨
1ノでからこの成形加工したレーザーガラスを、周囲に
空隙を残してモールド内に設置し、この空隙部にクラツ
ディング用ガラスを鋳込むことにより、エツジクラツデ
ィングを行っていた。
[発明が解決しようとする問題点]
このように従来の方法では、クラツディングする萌に、
徐冷、切断、加工、研磨など多くの工程を要し、レーザ
ーガラスのコストを著るしく高いものにしていたばかり
でなく、切断、加工研磨のための装置も準備しなければ
ならなかった。
徐冷、切断、加工、研磨など多くの工程を要し、レーザ
ーガラスのコストを著るしく高いものにしていたばかり
でなく、切断、加工研磨のための装置も準備しなければ
ならなかった。
さらに従来の方法は量産に適していない。レーザーガラ
スは連続溶融方法を採用することにより、量産化が可能
となるが、エツジクラツディングの工程でa産生できな
くなるという欠点があった。
スは連続溶融方法を採用することにより、量産化が可能
となるが、エツジクラツディングの工程でa産生できな
くなるという欠点があった。
すなわち、レーザーガラスの方は量産化により、短期間
に数多く製造することは出来るが、エツジクラツディン
グの段階で極めて長い111@を要することになるので
ある。
に数多く製造することは出来るが、エツジクラツディン
グの段階で極めて長い111@を要することになるので
ある。
また、従来の方法では必要形状に切断加工するため、こ
の工程で20〜30%の加工ロスが生じていた。
の工程で20〜30%の加工ロスが生じていた。
本発明は、上記従来の欠点を解消するためになされたも
のであり、第1の目的は、レーザーガラスにエツジクラ
ツディングを行う前に従来は必要な工程を省略すること
により、コストダウンをはかることにあり、第2の目的
はエツジクラツディング工程の量産化をはかり、工程時
間の短縮を可能とすることにあり、第3の目的はレーザ
ーガラスを必要な形状に加工する際に生ずるロスをなく
すことにある。
のであり、第1の目的は、レーザーガラスにエツジクラ
ツディングを行う前に従来は必要な工程を省略すること
により、コストダウンをはかることにあり、第2の目的
はエツジクラツディング工程の量産化をはかり、工程時
間の短縮を可能とすることにあり、第3の目的はレーザ
ーガラスを必要な形状に加工する際に生ずるロスをなく
すことにある。
[問題点を解決するための手段]
本発明は上記目的を達成するためになされたものであり
、エツジクラツディングを施すべき部分に対応する部分
が耐火性多孔質部材で構成された型中に、該多孔質部材
の他の側面からガスを供給しつつ、レーザーガラス溶融
物を鋳込んだ後、該多孔質部材を除去又は移動して間隙
を形成させ、この間隙にクラファイングガラス溶融物を
鋳込むことにより、上記目的の達成が可能となる。
、エツジクラツディングを施すべき部分に対応する部分
が耐火性多孔質部材で構成された型中に、該多孔質部材
の他の側面からガスを供給しつつ、レーザーガラス溶融
物を鋳込んだ後、該多孔質部材を除去又は移動して間隙
を形成させ、この間隙にクラファイングガラス溶融物を
鋳込むことにより、上記目的の達成が可能となる。
ここで多孔質部材には、焼結ステンレススティール、ニ
ッケル、グラファイト、シリコンカーバイド、ニッケル
合金等の材料が使用される。また、多孔質部材に供給す
るガスは空気でも差支えないが、多孔質部材が著るしく
酸化される場合には、窒素、アルゴン、水素を5%まで
含有する窒素などの非酸化性ガスが望ましい。そして供
給されるガスの圧力はガラスの粘性、多孔質部材の気孔
率、孔の径にもよるが、1.1〜4.0気圧の範囲であ
ることが望ましい。1.1気圧以下であると、充分必要
とされる鏡面を持つガラスが得られず、4気圧を越える
と、ガスがガラス中に取り込まれて、気泡になる可能性
が強くなる。
ッケル、グラファイト、シリコンカーバイド、ニッケル
合金等の材料が使用される。また、多孔質部材に供給す
るガスは空気でも差支えないが、多孔質部材が著るしく
酸化される場合には、窒素、アルゴン、水素を5%まで
含有する窒素などの非酸化性ガスが望ましい。そして供
給されるガスの圧力はガラスの粘性、多孔質部材の気孔
率、孔の径にもよるが、1.1〜4.0気圧の範囲であ
ることが望ましい。1.1気圧以下であると、充分必要
とされる鏡面を持つガラスが得られず、4気圧を越える
と、ガスがガラス中に取り込まれて、気泡になる可能性
が強くなる。
[作 用]
このように本発明においては、多孔質体を介して供給さ
れるガスにより、レーザーガラスにエツジクラツディン
グを施すべき部分は充分必要とされる鏡面が得られ、そ
の後ただちに多孔質部材を移動又は除去してクラツディ
ングガラス溶融体を鋳込むため、従来必要とされたガラ
スの切断加工や鏡面を得るための研磨を省くことができ
る。
れるガスにより、レーザーガラスにエツジクラツディン
グを施すべき部分は充分必要とされる鏡面が得られ、そ
の後ただちに多孔質部材を移動又は除去してクラツディ
ングガラス溶融体を鋳込むため、従来必要とされたガラ
スの切断加工や鏡面を得るための研磨を省くことができ
る。
[実施例J
以下、本発明の実施例について述べる。
第1図は本発明の実施例に係わる装置の平面図を示した
ものである。本装置は回転テーブル1とその上に設置さ
れた4つの型2からなる。Aの位置にある型2aにはレ
ーザーガラス溶融物5が鋳込まれ、Bの位置にある型2
bではすでに鋳込まれたガラスが必要な温度にまで冷却
される。ここで必要な温度とはレーザーガラスの転移温
度から転移温度の10%増程度までの温度範囲にある温
度である。Cの位置にある型2Gでは、多孔質部材3及
びこれを支持している支持枠4が外側に移動して間隙が
形成され、この間隙にクラツディングガラス溶融体6が
鋳込まれる。Dの位置にある型2dでは、エツジクラツ
ディングされたレーザーガラスが徐冷に必要なだけ冷却
され、型から取り出される。上に述べた型2は回転テー
ブル1の回転に従って、それぞれの位置で上記の操作が
加え ゛られ、連続的にレーザーガラスの鋳込みと
エツジクラツディングが行われる。
ものである。本装置は回転テーブル1とその上に設置さ
れた4つの型2からなる。Aの位置にある型2aにはレ
ーザーガラス溶融物5が鋳込まれ、Bの位置にある型2
bではすでに鋳込まれたガラスが必要な温度にまで冷却
される。ここで必要な温度とはレーザーガラスの転移温
度から転移温度の10%増程度までの温度範囲にある温
度である。Cの位置にある型2Gでは、多孔質部材3及
びこれを支持している支持枠4が外側に移動して間隙が
形成され、この間隙にクラツディングガラス溶融体6が
鋳込まれる。Dの位置にある型2dでは、エツジクラツ
ディングされたレーザーガラスが徐冷に必要なだけ冷却
され、型から取り出される。上に述べた型2は回転テー
ブル1の回転に従って、それぞれの位置で上記の操作が
加え ゛られ、連続的にレーザーガラスの鋳込みと
エツジクラツディングが行われる。
第2図(a)は第1図の位置AおよびBにおける型の断
面図、第2図(b)は同じく位置CおよびDにおける型
の断面図を示す。型2の中に裏面を支持枠4で覆った多
孔質部材3を、所望のレーザーガラスの形状に従って配
置する。支持枠4にはガス供給管7が配設され、550
℃に加熱された1、5気圧の空気が供給する。供給され
たガスは多孔質部材3を介して鋳込まれたレーザーガラ
ス5の側面に吹き付けられ、ガラスを鏡面とするのに役
立っている。鋳込まれたレーザーガラス溶融体5が転移
温度から転移温度の10%増までの温度範囲に冷却され
た後、第2図(b)に示すように、多孔質部材3及びこ
れを支持している支持枠4は、クラツディングガラス溶
融体6が鋳込まれるに充分な間隔だけ移動して間隙部を
形成し、その部分にクラツディングガラス溶融体6が鋳
込まれることになる。
面図、第2図(b)は同じく位置CおよびDにおける型
の断面図を示す。型2の中に裏面を支持枠4で覆った多
孔質部材3を、所望のレーザーガラスの形状に従って配
置する。支持枠4にはガス供給管7が配設され、550
℃に加熱された1、5気圧の空気が供給する。供給され
たガスは多孔質部材3を介して鋳込まれたレーザーガラ
ス5の側面に吹き付けられ、ガラスを鏡面とするのに役
立っている。鋳込まれたレーザーガラス溶融体5が転移
温度から転移温度の10%増までの温度範囲に冷却され
た後、第2図(b)に示すように、多孔質部材3及びこ
れを支持している支持枠4は、クラツディングガラス溶
融体6が鋳込まれるに充分な間隔だけ移動して間隙部を
形成し、その部分にクラツディングガラス溶融体6が鋳
込まれることになる。
本実施例においては、レーザーガラスとしてホーヤ(株
)製のLHG8が使用された。このガラスを使用した場
合、型への鋳込み温度は900℃であり、クラツディン
グガラスが鋳込まれる時に520℃まで冷却された。ク
ラツディングガラス溶融体が鋳込まれる間隔としては約
15nu++程度が適当である。
)製のLHG8が使用された。このガラスを使用した場
合、型への鋳込み温度は900℃であり、クラツディン
グガラスが鋳込まれる時に520℃まで冷却された。ク
ラツディングガラス溶融体が鋳込まれる間隔としては約
15nu++程度が適当である。
クラツディングガラスとしては、該レーザーガラスに0
.5%のCuOを添加したガラスが使用され、1000
℃の温度で型がCの位置にきたとき鋳込まれた。
.5%のCuOを添加したガラスが使用され、1000
℃の温度で型がCの位置にきたとき鋳込まれた。
こうしてエツジクラツディングされたレーザーガラスは
レーザーガラスの転移点まで冷却され、徐冷炉に入れて
エツジクラツディングガラスの歪点まで冷却され、しば
らくその温度で保持した後、0.5℃/分の冷加速度で
冷却され、充分に歪が除かれた。実施例で使用された耐
熱多孔質部材は気孔率50%の焼結ステンレススティー
ルで、連続気孔の孔径は約40μmであった。
レーザーガラスの転移点まで冷却され、徐冷炉に入れて
エツジクラツディングガラスの歪点まで冷却され、しば
らくその温度で保持した後、0.5℃/分の冷加速度で
冷却され、充分に歪が除かれた。実施例で使用された耐
熱多孔質部材は気孔率50%の焼結ステンレススティー
ルで、連続気孔の孔径は約40μmであった。
[発明の効果1
本発明においては、従来エツジクラツディングを施す前
に必要とされていた徐冷工程や必要な形状にするための
切断加工、エツジクラツディングに必要な鏡面を得るた
めの研磨工程が不要となるため、大幅な工程の短縮及び
これに伴うコストダウンが可能となったほか、レーザー
ガラスの連続溶融によるm産生に対応したエツジクラツ
ディング工程が可能となるため、大幅な工程時間の短縮
に成功した。また必要な形状にするための切断加工工程
を要しないため、この切断、加工によって生ずるロスを
全くなくすことが可能となった。
に必要とされていた徐冷工程や必要な形状にするための
切断加工、エツジクラツディングに必要な鏡面を得るた
めの研磨工程が不要となるため、大幅な工程の短縮及び
これに伴うコストダウンが可能となったほか、レーザー
ガラスの連続溶融によるm産生に対応したエツジクラツ
ディング工程が可能となるため、大幅な工程時間の短縮
に成功した。また必要な形状にするための切断加工工程
を要しないため、この切断、加工によって生ずるロスを
全くなくすことが可能となった。
第1図は本発明の方法の実施例に使用された装置の平面
図、第2図は本発明の方法の実施例に使用された型の断
面図で(a)はクラツディングガラスを鋳込む前の状態
、(b)はクラツディングガラスを鋳込んだ後の状態を
示す。 1・・・回転テーブル、2a・・・Aの位置にある型、
2b・・・Bの位置にある型、2C・・・Cの位置にあ
る型、2d・・・Dの位置にある型、3・・・多孔質部
材、4・・・支持枠、5・・・レーザーガラス又はその
溶融物、6・・・クラツディングガラス又は溶融物、7
・・・ガス供給管。 出 願 人 ホーヤ株式会社
図、第2図は本発明の方法の実施例に使用された型の断
面図で(a)はクラツディングガラスを鋳込む前の状態
、(b)はクラツディングガラスを鋳込んだ後の状態を
示す。 1・・・回転テーブル、2a・・・Aの位置にある型、
2b・・・Bの位置にある型、2C・・・Cの位置にあ
る型、2d・・・Dの位置にある型、3・・・多孔質部
材、4・・・支持枠、5・・・レーザーガラス又はその
溶融物、6・・・クラツディングガラス又は溶融物、7
・・・ガス供給管。 出 願 人 ホーヤ株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 エッジクラッディングを施すべき部分に対応する部
分が耐火性多孔質部材で構成された型中に、該多孔質部
材の他の側面からガスを供給しつつ、レーザーガラスを
鋳込んだ後、該多孔質部材を移動又は除去して間隙を形
成させ、この間隙にクラッディングガラスを鋳込むこと
からなるレーザーガラスのエッジクラディング法。 2 耐火性多孔質部材が焼結ステンレススティール、ニ
ッケルグラファイト、シリコンカーバイド、ニッケル合
金の中から選ばれた材質であることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載のレーザーガラスのエッジクラッデ
ィング法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10657986A JPS62265139A (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | レ−ザ−ガラスのエツジクラツデイング法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10657986A JPS62265139A (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | レ−ザ−ガラスのエツジクラツデイング法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62265139A true JPS62265139A (ja) | 1987-11-18 |
JPH0463816B2 JPH0463816B2 (ja) | 1992-10-13 |
Family
ID=14437129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10657986A Granted JPS62265139A (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | レ−ザ−ガラスのエツジクラツデイング法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62265139A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5563743A (en) * | 1991-04-23 | 1996-10-08 | Shin-Etsu Quartz Co, Ltd. | Base body of a reflecting mirror and method for the preparation thereof |
CN102875014A (zh) * | 2012-10-26 | 2013-01-16 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 激光玻璃的键合包边方法 |
CN103698302A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-02 | 合肥知常光电科技有限公司 | 激光增益介质包边剩余反射的多角度多点测量装置及方法 |
-
1986
- 1986-05-12 JP JP10657986A patent/JPS62265139A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5563743A (en) * | 1991-04-23 | 1996-10-08 | Shin-Etsu Quartz Co, Ltd. | Base body of a reflecting mirror and method for the preparation thereof |
CN102875014A (zh) * | 2012-10-26 | 2013-01-16 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 激光玻璃的键合包边方法 |
CN103698302A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-02 | 合肥知常光电科技有限公司 | 激光增益介质包边剩余反射的多角度多点测量装置及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0463816B2 (ja) | 1992-10-13 |
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