JPS62260054A - 化合物薄膜蒸着装置 - Google Patents
化合物薄膜蒸着装置Info
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- JPS62260054A JPS62260054A JP10215386A JP10215386A JPS62260054A JP S62260054 A JPS62260054 A JP S62260054A JP 10215386 A JP10215386 A JP 10215386A JP 10215386 A JP10215386 A JP 10215386A JP S62260054 A JPS62260054 A JP S62260054A
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- Japan
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- crucible
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- vacuum chamber
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- Granted
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、化合物Ｗｉ膜熱蒸着装置特にクラスタイオ
ンビーム蒸着法により高品質の化合物薄膜を蒸着形成す
る装置に関するものである。
ンビーム蒸着法により高品質の化合物薄膜を蒸着形成す
る装置に関するものである。
従来、この種の装置として第２図に示すものがあった（
（邑電子通信学会電子装置研究会資料ＥＤ７９−４４、
Ｐ、１〜Ｐ、８１９７９年７月２７日〕。
（邑電子通信学会電子装置研究会資料ＥＤ７９−４４、
Ｐ、１〜Ｐ、８１９７９年７月２７日〕。
第２図は従来の化合物薄膜蒸着装置を模式的に示す概念
図である。
図である。
図において（１）は真空槽（９）を所定の真空度に保持
する真空排気装置、（２）は例えば酔素等の常温ガスが
充填されているガ、スボンベ、（３）は反応性ガスを真
空槽（９）Ｋ導入するためのリークパルプ、（４）はノ
ズル（４０を有する密閉型るつぼで、内部には基板（８
）に蒸着すべき物質α＠、例えば亜鉛等が装填されてい
る。（５）はるつぼ加熱用フィラメント、α力はイオン
化用フィラメントで２０００℃位に熱せられ、ここから
放出される電子α９は電子引き出し電極α印により加速
され、物質蒸気のクラスタ（＋３１を衝撃してその一部
をイオン化する。（７）はイオン化されたクラスタイオ
ンα２を加速し、イオン化されていない中性クラスタ０
国と共に基板（８）に衝突させる加速電極、Ｉおよび２
１＋は熱シールド板である。なおのけ基板に蒸着すべき
物質の蒸気を真空槽（９）内に噴出して、物質α■のク
ラスタを発生する蒸気発生源で、上記密閉型るつぼ（４
）及びるつぼ加熱＃１フィラメント（５）よりなる。■
はクラスタをイオン化するイオン化手段で、イオン化用
フィラメント（１７）及びグリッドα騰よりなる。
する真空排気装置、（２）は例えば酔素等の常温ガスが
充填されているガ、スボンベ、（３）は反応性ガスを真
空槽（９）Ｋ導入するためのリークパルプ、（４）はノ
ズル（４０を有する密閉型るつぼで、内部には基板（８
）に蒸着すべき物質α＠、例えば亜鉛等が装填されてい
る。（５）はるつぼ加熱用フィラメント、α力はイオン
化用フィラメントで２０００℃位に熱せられ、ここから
放出される電子α９は電子引き出し電極α印により加速
され、物質蒸気のクラスタ（＋３１を衝撃してその一部
をイオン化する。（７）はイオン化されたクラスタイオ
ンα２を加速し、イオン化されていない中性クラスタ０
国と共に基板（８）に衝突させる加速電極、Ｉおよび２
１＋は熱シールド板である。なおのけ基板に蒸着すべき
物質の蒸気を真空槽（９）内に噴出して、物質α■のク
ラスタを発生する蒸気発生源で、上記密閉型るつぼ（４
）及びるつぼ加熱＃１フィラメント（５）よりなる。■
はクラスタをイオン化するイオン化手段で、イオン化用
フィラメント（１７）及びグリッドα騰よりなる。
次忙動作について説明する。真空排気装［（１）によっ
て真空槽（９）内が１０−’Ｔｏｒｒ台の真空度になる
まで排気した後、リークパルプ（３）を開いて反応性ガ
ス（ここでは酸素）を導入する。次いで、るつぼ（４）
内の蒸気圧が数Ｔｏｒｒ になる温度（物質α〔がＺ
ｎの場合５００′Ｃ位）まで、るつぼ加熱用フィラメン
ト（５）から放出される電子をるつぼ（４）に衝撃する
ことによって加熱すると、物質（１１は蒸気化してノズ
ル穴ｆ４Ｇから真空中に噴射する。
て真空槽（９）内が１０−’Ｔｏｒｒ台の真空度になる
まで排気した後、リークパルプ（３）を開いて反応性ガ
ス（ここでは酸素）を導入する。次いで、るつぼ（４）
内の蒸気圧が数Ｔｏｒｒ になる温度（物質α〔がＺ
ｎの場合５００′Ｃ位）まで、るつぼ加熱用フィラメン
ト（５）から放出される電子をるつぼ（４）に衝撃する
ことによって加熱すると、物質（１１は蒸気化してノズ
ル穴ｆ４Ｇから真空中に噴射する。
この噴射する物質蒸気はノズル穴＋４Ｑｌま通過する際
に凝縮し、クラスタ（１３１と呼ばれる塊状集団が形成
される。このクラスタ０３状の物質蒸気は、次いで、イ
オン化用フィラメントαＤから放出される電子（１９に
よって部分的にイオン化されてクラスタイオン０ｚとな
り、さらに電界による加速をうけてイオン化されていな
い中性クラスタと共に基板（８）に衝突する。一方、基
板（８）付近には常温ガスが存在し、基板（８）付近で
物質蒸気と常温ガスとの反応が進行するため、反応生成
物である化合物（ここではＺｎ０）が基板（８）上に蒸
着する。
に凝縮し、クラスタ（１３１と呼ばれる塊状集団が形成
される。このクラスタ０３状の物質蒸気は、次いで、イ
オン化用フィラメントαＤから放出される電子（１９に
よって部分的にイオン化されてクラスタイオン０ｚとな
り、さらに電界による加速をうけてイオン化されていな
い中性クラスタと共に基板（８）に衝突する。一方、基
板（８）付近には常温ガスが存在し、基板（８）付近で
物質蒸気と常温ガスとの反応が進行するため、反応生成
物である化合物（ここではＺｎ０）が基板（８）上に蒸
着する。
このような従来の装置では、反応性ガス、たとえば酸素
を用いた場合は、クラスタイオンを形成する装置におい
て、高温に熱せられる部分、たとえばフィラメント（５
）およびσηが急激に消耗するという欠点があった。
を用いた場合は、クラスタイオンを形成する装置におい
て、高温に熱せられる部分、たとえばフィラメント（５
）およびσηが急激に消耗するという欠点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、フィラメントのように高温に熱せられる部
分の消耗を抑える装置を得ることを目的とする。
れたもので、フィラメントのように高温に熱せられる部
分の消耗を抑える装置を得ることを目的とする。
この発明に係る化合物薄膜蒸着装置は、熱シールド板及
び（必要に応じて）補助囲い材によりるつぼ及びるつぼ
加熱用フィラメントを真空槽の他の部分から狭いすき間
をおいて隔離し、この囲った部分を別の真空排気装置で
排気するとともに、クラスタをイオン化するイオン化手
段として電子ビーム発生装置を真空槽に取りつけたもの
である。
び（必要に応じて）補助囲い材によりるつぼ及びるつぼ
加熱用フィラメントを真空槽の他の部分から狭いすき間
をおいて隔離し、この囲った部分を別の真空排気装置で
排気するとともに、クラスタをイオン化するイオン化手
段として電子ビーム発生装置を真空槽に取りつけたもの
である。
この発明における化合物薄膜蒸着装置は、フィラメント
のように高温に熱せられる部分が反応性ガスの導入され
る部分とは別室に設けられ、しかも別の真空排気装置で
排気されているので、高い真空度に保たれている。
のように高温に熱せられる部分が反応性ガスの導入され
る部分とは別室に設けられ、しかも別の真空排気装置で
排気されているので、高い真空度に保たれている。
以下、この発明の一実施例を図について説明すス、！１
１Ｍはこの亮四の一宙施例ｆよＡ什を物薄膜蒸着装置を
模式的に示す概念図である。図において、１２４Ｊはる
つぼ（４）と狭いすき間をおき、しかもるつぼ（４）と
るつぼ加熱用フィラメントを囲むように配置された熱シ
ールド板、０９は補助囲い材、（１６’）は熱シールド
板＠と補助囲い材ａ９で囲まれた空間を排気する真空排
気装置、（６）は電子ビーム発生装置、αυは電子ビー
ム発生装置（６）により発生した電子、ｔ２３）は電子
ビーム発生装置（６）を排気する真空排気装置である。
１Ｍはこの亮四の一宙施例ｆよＡ什を物薄膜蒸着装置を
模式的に示す概念図である。図において、１２４Ｊはる
つぼ（４）と狭いすき間をおき、しかもるつぼ（４）と
るつぼ加熱用フィラメントを囲むように配置された熱シ
ールド板、０９は補助囲い材、（１６’）は熱シールド
板＠と補助囲い材ａ９で囲まれた空間を排気する真空排
気装置、（６）は電子ビーム発生装置、αυは電子ビー
ム発生装置（６）により発生した電子、ｔ２３）は電子
ビーム発生装置（６）を排気する真空排気装置である。
次に動作について説明する。蒸気発生源のより噴出した
クラスタＯＪは、電子ビーム発生装置（６）より放出さ
れた電子（１１）によって部分的にイオン化されてクラ
スタイオンα２となり、従来法と同様の作用により基板
（８）上に化合物９Ｎが蒸着される。
クラスタＯＪは、電子ビーム発生装置（６）より放出さ
れた電子（１１）によって部分的にイオン化されてクラ
スタイオンα２となり、従来法と同様の作用により基板
（８）上に化合物９Ｎが蒸着される。
このとき、るつぼ加熱フィラメント（５）の存在する空
間は、熱シールド板（２４Ｊと補助囲い材１１５１によ
り真空槽の他の部分から囲まれ、別の真空排気装置ｔｔ
ｅで排気されている。しかも、熱シールド板２４）とる
つぼ（４）の間には狭いすき間しかないので、ガスボン
ベ（２）より導入゛されたガスがるつぼ加熱フィラメン
ト（５）の存在する空間には到達しにくいので、高真空
に保たれる。一方、電子ビーム発生装置（６）も真空槽
（９）とは別室に設けられ、別の真空排気装置で排気さ
れているので、高真空に保たれる。
間は、熱シールド板（２４Ｊと補助囲い材１１５１によ
り真空槽の他の部分から囲まれ、別の真空排気装置ｔｔ
ｅで排気されている。しかも、熱シールド板２４）とる
つぼ（４）の間には狭いすき間しかないので、ガスボン
ベ（２）より導入゛されたガスがるつぼ加熱フィラメン
ト（５）の存在する空間には到達しにくいので、高真空
に保たれる。一方、電子ビーム発生装置（６）も真空槽
（９）とは別室に設けられ、別の真空排気装置で排気さ
れているので、高真空に保たれる。
以上のように、この発明によれば、フィラメントのよう
に高温に熱せられる部分が高真空に保たれるため、フィ
ラメントがガスと度応して摩耗することがなく、長期的
に安定した蒸着が行なえる効果がある。
に高温に熱せられる部分が高真空に保たれるため、フィ
ラメントがガスと度応して摩耗することがなく、長期的
に安定した蒸着が行なえる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による化合物薄膜蒸着装置
を模式的に示す概念図、第２図は従来の化合物薄膜蒸着
装置を模式的に示す概念図である。 図中、（２）はガスボンベ、（３）はリークバルブ、（
４）はるつぼ、（５）はるつぼ加熱用フイラメン） 、
（６）は電子ビーム発生装置、（力は加速電極、（８）
は基板、（９）は真空槽、（１ｚはクラスタイオン、（
１■はクラスタ、α９は補助囲い材、ｕｅは真空排気装
置、囚は蒸気発生源、１２４）は熱シールド板。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
を模式的に示す概念図、第２図は従来の化合物薄膜蒸着
装置を模式的に示す概念図である。 図中、（２）はガスボンベ、（３）はリークバルブ、（
４）はるつぼ、（５）はるつぼ加熱用フイラメン） 、
（６）は電子ビーム発生装置、（力は加速電極、（８）
は基板、（９）は真空槽、（１ｚはクラスタイオン、（
１■はクラスタ、α９は補助囲い材、ｕｅは真空排気装
置、囚は蒸気発生源、１２４）は熱シールド板。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 所定の真空度に保持された真空槽、この真空槽に設けら
れ基板に蒸着すべき物質の蒸気を上記真空槽内に噴出し
て上記物質のクラスタま発生するためのるつぼ及びるつ
ぼ加熱用フィラメントからなる蒸気発生源、上記クラス
タをイオン化するために上記真空槽に取りつけられた電
子ビーム発生装置、イオン化されたクラスタイオンを加
速してイオン化されていない中性クラスタと共に上記基
板に衝突させる加速電極、上記真空槽内に反応性ガスを
供給する装置、上記るつぼ及び上記るつぼ加熱用フィラ
メントを囲むように配置され、かつ上記るつぼと狭いす
き間をおいて配置された熱シールド板、上記熱シールド
板とともに上記るつぼと上記るつぼ加熱用フィラメント
を上記真空槽の他の部分から隔離するための補助囲い材
、上記熱シールド板と上記補助囲い材で囲われた空間を
排気する真空排気装置とを備えた化合物薄膜蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10215386A JPS62260054A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 化合物薄膜蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10215386A JPS62260054A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 化合物薄膜蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62260054A true JPS62260054A (ja) | 1987-11-12 |
| JPH0510424B2 JPH0510424B2 (ja) | 1993-02-09 |
Family
ID=14319786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10215386A Granted JPS62260054A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 化合物薄膜蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62260054A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006114241A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Ulvac Japan Ltd | 電子線発生装置、クラスターイオンビーム装置 |
-
1986
- 1986-05-06 JP JP10215386A patent/JPS62260054A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006114241A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Ulvac Japan Ltd | 電子線発生装置、クラスターイオンビーム装置 |
| JP4587766B2 (ja) * | 2004-10-12 | 2010-11-24 | 株式会社アルバック | クラスターイオンビーム装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0510424B2 (ja) | 1993-02-09 |
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