JPS62255936A - ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型フオトレジスト組成物Info
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- JPS62255936A JPS62255936A JP9955586A JP9955586A JPS62255936A JP S62255936 A JPS62255936 A JP S62255936A JP 9955586 A JP9955586 A JP 9955586A JP 9955586 A JP9955586 A JP 9955586A JP S62255936 A JPS62255936 A JP S62255936A
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 17
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 20
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 4
- KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 1,2-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)C=CC2=C1 KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 claims abstract description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 3
- 229940105324 1,2-naphthoquinone Drugs 0.000 claims abstract 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims description 13
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 12
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229940100630 metacresol Drugs 0.000 claims description 11
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- REFJWTPEDVJJIY-UHFFFAOYSA-N Quercetin Chemical compound C=1C(O)=CC(O)=C(C(C=2O)=O)C=1OC=2C1=CC=C(O)C(O)=C1 REFJWTPEDVJJIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 claims description 6
- ZVOLCUVKHLEPEV-UHFFFAOYSA-N Quercetagetin Natural products C1=C(O)C(O)=CC=C1C1=C(O)C(=O)C2=C(O)C(O)=C(O)C=C2O1 ZVOLCUVKHLEPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HWTZYBCRDDUBJY-UHFFFAOYSA-N Rhynchosin Natural products C1=C(O)C(O)=CC=C1C1=C(O)C(=O)C2=CC(O)=C(O)C=C2O1 HWTZYBCRDDUBJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MWDZOUNAPSSOEL-UHFFFAOYSA-N kaempferol Natural products OC1=C(C(=O)c2cc(O)cc(O)c2O1)c3ccc(O)cc3 MWDZOUNAPSSOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 3
- 229960001285 quercetin Drugs 0.000 claims description 3
- 235000005875 quercetin Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 4
- -1 naph thoquinone diazide Chemical class 0.000 abstract description 4
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 abstract 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 1
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N phenyl-(2,3,4,5-tetrahydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1O LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035807 sensation Effects 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- NZJMPGDMLIPDBR-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;hydroxide;hydrate Chemical compound O.[OH-].C[N+](C)(C)C NZJMPGDMLIPDBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は幅射線に感光するポジ型フォトレジスト組成物
に関するものであり、詳しくは、特定の有機ケイ素化合
物とメタクレゾールまたはパラゾールとフェノールとの
混合物とアルデヒドとを縮合させる事によって得られる
ノボラック樹脂と、ナフトキノンジアジド系ｉ ｉ ％
１１を含むポジ型フォトレジスト組成物に関するもので
ある。
に関するものであり、詳しくは、特定の有機ケイ素化合
物とメタクレゾールまたはパラゾールとフェノールとの
混合物とアルデヒドとを縮合させる事によって得られる
ノボラック樹脂と、ナフトキノンジアジド系ｉ ｉ ％
１１を含むポジ型フォトレジスト組成物に関するもので
ある。
半導体ｉａ”１回路の高集積化は年々加速度的に進み、
現在ではいわゆるＬＳＩがらＭｉＬ Ｓ ｘの時代へと
移行しつつある。それに伴いより微細なパターンのフォ
トリングラフイー技術が要求される様になって来た。こ
の様な請求に対応してナフトキノンジアジド系ポジ型フ
ォトレジストがフォトリソグラフィーにおいて多用され
る様になった。
現在ではいわゆるＬＳＩがらＭｉＬ Ｓ ｘの時代へと
移行しつつある。それに伴いより微細なパターンのフォ
トリングラフイー技術が要求される様になって来た。こ
の様な請求に対応してナフトキノンジアジド系ポジ型フ
ォトレジストがフォトリソグラフィーにおいて多用され
る様になった。
しかしながら、バインダー樹脂としてクレゾールノボラ
ック樹脂、ビニルフェノール重合体などを用いた従来の
ナフトキノンジアジド系ポジ型フォトレジストにおいて
はドライエツチング耐性が必ずしも十分ではない。
ック樹脂、ビニルフェノール重合体などを用いた従来の
ナフトキノンジアジド系ポジ型フォトレジストにおいて
はドライエツチング耐性が必ずしも十分ではない。
また、リンゲラフィバターンの微細化に伴いレジストの
解像力も一μｍから１μｍさらにはサブミクロンのパタ
ーン形式が可能なものが要求されている。
解像力も一μｍから１μｍさらにはサブミクロンのパタ
ーン形式が可能なものが要求されている。
さらに超ＬＳＩの上部のように凹凸の庫しいｋ 面Ｋ
ｉμレベルもしくはサブミクロンのパターンを描く技術
として非晶光性の樹脂を塗布して表面を平担化した後、
上層にさらにレジストを塗布しバターニングを行ない、
このパターンをマスクとして酸素リアクティブイオンエ
ツチングで下Ｊ麹の非感光性樹脂をエツチングして全体
のレジストレリーフパターンを形成するいわゆる多１・
ｊレジストの技法が開発されたが、上層に用いるレジス
トは酸＃リアクティブイオンエツチングに対して充分な
耐性が要求され、従来提案されていたものはシリコーン
系の樹脂で電子ビームもしくは遠紫外領域にのみ感肛を
もつものであり、現在汎用されている水銀の１輝線（＃
Ｊ！ｎｍ）に感度を持つものは無いというのが実情であ
った。
ｉμレベルもしくはサブミクロンのパターンを描く技術
として非晶光性の樹脂を塗布して表面を平担化した後、
上層にさらにレジストを塗布しバターニングを行ない、
このパターンをマスクとして酸素リアクティブイオンエ
ツチングで下Ｊ麹の非感光性樹脂をエツチングして全体
のレジストレリーフパターンを形成するいわゆる多１・
ｊレジストの技法が開発されたが、上層に用いるレジス
トは酸＃リアクティブイオンエツチングに対して充分な
耐性が要求され、従来提案されていたものはシリコーン
系の樹脂で電子ビームもしくは遠紫外領域にのみ感肛を
もつものであり、現在汎用されている水銀の１輝線（＃
Ｊ！ｎｍ）に感度を持つものは無いというのが実情であ
った。
本発明者等はこれらの点に鑑み鋭意検討を進めた結果、
ナフトキノンジアジド系品光剤と特定の４］゛機ケイ素
化合物を縮合成分として含むノボラック樹脂とを組合せ
る事によってドライエツチング耐性特に酸素リアクティ
ブイオンエツチング耐性にすぐれかつ解像力の高いポジ
型フォトレジスト組成物が得られる事を知得し、本発明
を完成するに到った。
ナフトキノンジアジド系品光剤と特定の４］゛機ケイ素
化合物を縮合成分として含むノボラック樹脂とを組合せ
る事によってドライエツチング耐性特に酸素リアクティ
ブイオンエツチング耐性にすぐれかつ解像力の高いポジ
型フォトレジスト組成物が得られる事を知得し、本発明
を完成するに到った。
すなわち本発明の要旨は、
（、） ナフトキノンジアジド系感光剤、及び（ｂ）
メタクレゾール、パラクレゾールの少なくとも一方
と、フェノールと、 一般式 Ｒ６Ｒ？ （Ｒ１〜Ｈ３はアルキル基又はアリール基を示し、Ｒ′
〜Ｒ７は水素、アルキル基又はフェニル基を示す。） で表わされるＭ＠ケイ素化合物との混合物と、アルデヒ
ド類とを縮合させる事によって得られるノボラック樹脂 を含有する事を特徴とするポジ製フォトレジスト組成物
に存する。
メタクレゾール、パラクレゾールの少なくとも一方
と、フェノールと、 一般式 Ｒ６Ｒ？ （Ｒ１〜Ｈ３はアルキル基又はアリール基を示し、Ｒ′
〜Ｒ７は水素、アルキル基又はフェニル基を示す。） で表わされるＭ＠ケイ素化合物との混合物と、アルデヒ
ド類とを縮合させる事によって得られるノボラック樹脂 を含有する事を特徴とするポジ製フォトレジスト組成物
に存する。
次に本発明の詳細な説明する。
ナフトキノンジアジド系感光剤としては、ｌ、−一ナフ
トキノンジアジドー５−スルホン酸とフェノール性水酸
基を有する化合物とのエステルが用いられ、ポジ型フォ
トレジストとして適度の現像特性を示すものであれば、
すべて用いうるが、フェノール性水酸基を有する化合物
としては、例えば、ユ、Ｊ、ＩＩ−トリヒドロキシベン
ゾフェノン、コ、３．φ、ＩＩ′−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン、ケルセチン等が好適に用いられる。フェ
ノール性水酸基を有する化合物の水酸＆ハ、コ、、７．
４＜−トリヒドロキシベンゾフェノンの場合、その水酸
基のＳＯ秀以上、コ、Ｊ 、 ｌ 、 ｌＩ’ −テト
ラヒドロキシベンゾフェノンの場合、その水酸基の７０
多以上、またケルセチンの場合、その水酸基の６０％以
上が／、！−ナフトキノンジアジドー５−スルホン１哀
のエステルとなっているｌ、−一ナフトキノンジアジド
系感光剤が好適に用いられる。フェノール性水酸基のエ
ステル化率が低い場合は一般に未露光部レジスト膜の残
膜率が低下する。
トキノンジアジドー５−スルホン酸とフェノール性水酸
基を有する化合物とのエステルが用いられ、ポジ型フォ
トレジストとして適度の現像特性を示すものであれば、
すべて用いうるが、フェノール性水酸基を有する化合物
としては、例えば、ユ、Ｊ、ＩＩ−トリヒドロキシベン
ゾフェノン、コ、３．φ、ＩＩ′−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン、ケルセチン等が好適に用いられる。フェ
ノール性水酸基を有する化合物の水酸＆ハ、コ、、７．
４＜−トリヒドロキシベンゾフェノンの場合、その水酸
基のＳＯ秀以上、コ、Ｊ 、 ｌ 、 ｌＩ’ −テト
ラヒドロキシベンゾフェノンの場合、その水酸基の７０
多以上、またケルセチンの場合、その水酸基の６０％以
上が／、！−ナフトキノンジアジドー５−スルホン１哀
のエステルとなっているｌ、−一ナフトキノンジアジド
系感光剤が好適に用いられる。フェノール性水酸基のエ
ステル化率が低い場合は一般に未露光部レジスト膜の残
膜率が低下する。
該ノボラック樹脂としては、特定の有機ケイ素化合物と
少なくともメタクレゾールまたはパラクレゾールの一方
とフェノールを含む混合物とホルムアルデヒドとを常法
に従って縮合することによって得られるノボラック樹脂
であり、ポジ型フォトレジストとして適度の現１象特性
を示すものであればすべて用いうるが、好ましくはゲル
パーメーションクロマトグラフイーにおけるスチレン換
算重量平均分子量が／、０００〜＆ ０．０００のノボ
ラック樹脂が挙げられる。
少なくともメタクレゾールまたはパラクレゾールの一方
とフェノールを含む混合物とホルムアルデヒドとを常法
に従って縮合することによって得られるノボラック樹脂
であり、ポジ型フォトレジストとして適度の現１象特性
を示すものであればすべて用いうるが、好ましくはゲル
パーメーションクロマトグラフイーにおけるスチレン換
算重量平均分子量が／、０００〜＆ ０．０００のノボ
ラック樹脂が挙げられる。
有機ケイ累化合物としてパラトリ１アルキルシリルフエ
ノールを縮合成分として用いた場合、ノボラック樹脂合
成時、触媒である酸によってトリアルキル７リル基が脱
離し、すべてフェノールとなってしまうので本発明にお
いては下記一般式で表わされる有機ケイ素化合物を使用
する必要がある。
ノールを縮合成分として用いた場合、ノボラック樹脂合
成時、触媒である酸によってトリアルキル７リル基が脱
離し、すべてフェノールとなってしまうので本発明にお
いては下記一般式で表わされる有機ケイ素化合物を使用
する必要がある。
（１１、、、Ｂ３はアルキル基又はアリール基を示し、
Ｒ４〜Ｒ７は水潰、アルキル基又はフェニル基を示す。
Ｒ４〜Ｒ７は水潰、アルキル基又はフェニル基を示す。
）
上記一般式の有機ケイ素化合物の具体例を挙げれば、メ
タトリメチルシリルフェノール、メタトリエチルシリル
フェノール、ジメチルフェニルシリルフェノール、ジフ
ェニルメチルシリルフェノール、メタトリフェニルシリ
ルフェノール等が挙げられる。
タトリメチルシリルフェノール、メタトリエチルシリル
フェノール、ジメチルフェニルシリルフェノール、ジフ
ェニルメチルシリルフェノール、メタトリフェニルシリ
ルフェノール等が挙げられる。
ノボラック樹脂中の有機ケイ累化合物の含有率が高くな
る程ドライエツチング耐性が向上するが、感度との兼合
いから１通常、メタクレゾール、メタトリプルキルシリ
ルフェノール、フェノールの比率が第１図の斜線で示す
範囲から選ばれる。
る程ドライエツチング耐性が向上するが、感度との兼合
いから１通常、メタクレゾール、メタトリプルキルシリ
ルフェノール、フェノールの比率が第１図の斜線で示す
範囲から選ばれる。
ナフトキノンジアジド系感光剤とノボラック樹脂の比率
は、通常ノボラック樹脂１００重量部に対して、感光剤
ＩＱ−ダ０重弧・部程度、好ましくはｉ、ｙ−ｔｔｏ重
量部程度混合して用いられる。
は、通常ノボラック樹脂１００重量部に対して、感光剤
ＩＱ−ダ０重弧・部程度、好ましくはｉ、ｙ−ｔｔｏ重
量部程度混合して用いられる。
上記ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド系感光剤を
エチルセロソルブアセテート等の溶媒に溶解し、シリコ
ンウェーハー等の基板上に塗布し、常法に従い露光、現
像することによって、感度、更には耐ドライエツチング
性の良好なレジストを得ることができる。
エチルセロソルブアセテート等の溶媒に溶解し、シリコ
ンウェーハー等の基板上に塗布し、常法に従い露光、現
像することによって、感度、更には耐ドライエツチング
性の良好なレジストを得ることができる。
以下に本発明の実施例を掲げ、本発明を具体的に説明す
るが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に
限定されるものではない。
るが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に
限定されるものではない。
合成例１
メタトリメチルシリルフェノール２ ！ｒ ｍｍｏｌ、
メタクレゾール！； Ｏｍｍｏｌ 、 フェノールコ
３ｍｍｏｌ 及び３クチホルムアルデヒド水溶液７０
ｍｍｏｌ の混合物を攪拌下１００″ｃＫ加熱、シュ
ウ酸へ６ｍｍｏｌ を加え１００℃〜１ｏｓｃで３時
間反応させた後減圧下水及び未反応モノマーを留去して
ｇ、３？のノボラック樹脂を得た。
メタクレゾール！； Ｏｍｍｏｌ 、 フェノールコ
３ｍｍｏｌ 及び３クチホルムアルデヒド水溶液７０
ｍｍｏｌ の混合物を攪拌下１００″ｃＫ加熱、シュ
ウ酸へ６ｍｍｏｌ を加え１００℃〜１ｏｓｃで３時
間反応させた後減圧下水及び未反応モノマーを留去して
ｇ、３？のノボラック樹脂を得た。
合成例コ
メタ−リメチルシリルフェノールハ４！ｍｏｌ。
メタクレゾール０．４ ｍｏｌ及び３７％ホルムアルデ
ヒド′水溶液八グへｏｌの混合物を攪拌下ＩＯθ℃に加
熱、シュウＰ、Ｊ ’Ｉ Ｏｍｍｏｌ を加えｉｏｏ
℃〜／ ０！；Ｃで７時間反応させた後、反応混合物に
２！θｎＬ の水を加え、攪拌し、デカンテーション
した。洩った反応混合物にＴＨＦ４（０θｍＬ を加え
、攪拌し、溶解させた。この溶液をｎ−ヘキサンＪ、！
ｔ Ｌ中に滴下した。析出した固体を炉別、乾燥して１
２！？のノボラック樹脂を得た。
ヒド′水溶液八グへｏｌの混合物を攪拌下ＩＯθ℃に加
熱、シュウＰ、Ｊ ’Ｉ Ｏｍｍｏｌ を加えｉｏｏ
℃〜／ ０！；Ｃで７時間反応させた後、反応混合物に
２！θｎＬ の水を加え、攪拌し、デカンテーション
した。洩った反応混合物にＴＨＦ４（０θｍＬ を加え
、攪拌し、溶解させた。この溶液をｎ−ヘキサンＪ、！
ｔ Ｌ中に滴下した。析出した固体を炉別、乾燥して１
２！？のノボラック樹脂を得た。
このノボラック樹脂のシリコン含有率を螢光Ｘ線により
測定したところ＆、９ ｖｔ％であった。
測定したところ＆、９ ｖｔ％であった。
この結果と、’ｍｌ−ＮＭＲ測定による各プロトン比の
結果よシ、このノボラック樹脂中にはメタ−トリメチル
シリルフェノールコダ、７モル必、メタークレゾール！
０．＆モル憾、フェノールコ１．７モルチ含まれていた
。
結果よシ、このノボラック樹脂中にはメタ−トリメチル
シリルフェノールコダ、７モル必、メタークレゾール！
０．＆モル憾、フェノールコ１．７モルチ含まれていた
。
実施例１
合成例１で得たメタ−トリメチルシリルフェノールとメ
タ−クレゾールとフェノールのモル比ｌ対コ対ｌからな
るノボラック樹脂３．θ？及びコ、Ｊ、ｕ−）リヒドロ
キシペンゾフエノンの水酸基の９０％以上が、！、２−
ナフトキノンジアジドー！−スルホン酸のエステルであ
るナフトキノンジアジド系感光剤０．５？をエテルセロ
ソルブアセテ−） ？、Ｊ ｆに溶解させ、０．２μｍ
の７０ロボアフイルター（住友電工製）でＰｍした。
タ−クレゾールとフェノールのモル比ｌ対コ対ｌからな
るノボラック樹脂３．θ？及びコ、Ｊ、ｕ−）リヒドロ
キシペンゾフエノンの水酸基の９０％以上が、！、２−
ナフトキノンジアジドー！−スルホン酸のエステルであ
るナフトキノンジアジド系感光剤０．５？をエテルセロ
ソルブアセテ−） ？、Ｊ ｆに溶解させ、０．２μｍ
の７０ロボアフイルター（住友電工製）でＰｍした。
得られたＰｉをコインチシリコンウエノ１に１、！ Ｏ
ｐｍ の膜厚となるように回転塗布して試料を得た。
ｐｍ の膜厚となるように回転塗布して試料を得た。
オーブン中で９０Ｃで３０分間プリベーク後、ミカサマ
スクアライナＭＡ−１０及び凸版印刷■製ステップタブ
レットを用い露光し。
スクアライナＭＡ−１０及び凸版印刷■製ステップタブ
レットを用い露光し。
テトラメチルアンモニウムヒドロキシドコ、３ｔチ水溶
液を用い一、ｔＣで１分間浸漬法により現像した。ステ
ップタブレット各段における残膜率を測定し、感度曲線
を求め、該感度曲線で残膜率が０％となるｍ元秒数を外
挿したところ７．０秒であった。
液を用い一、ｔＣで１分間浸漬法により現像した。ステ
ップタブレット各段における残膜率を測定し、感度曲線
を求め、該感度曲線で残膜率が０％となるｍ元秒数を外
挿したところ７．０秒であった。
次に該フォトレジスト感光液を９インチシリコンウェハ
に／ ｐｒｅ の膜厚となるように回転量布掛、オー
プン中９０℃、３０分間プリベークし、ＦＰＡ−ｔＩＩ
ｔ （キャノン製ステッパー）及。
に／ ｐｒｅ の膜厚となるように回転量布掛、オー
プン中９０℃、３０分間プリベークし、ＦＰＡ−ｔＩＩ
ｔ （キャノン製ステッパー）及。
び凸版印刷■製解像段テスト用マスクを用い無光し、ｕ
、Ｊ ｇ ％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
浴液でコｓｃ、ｉ分間浸漬法により現像した。走査型電
子顕微祷（明石製作新製ｓｔｃＭＡＩＩ ）により、解
像度を調べたところＯ，Ｘｐｍ まで良好に解像して
いた。
、Ｊ ｇ ％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
浴液でコｓｃ、ｉ分間浸漬法により現像した。走査型電
子顕微祷（明石製作新製ｓｔｃＭＡＩＩ ）により、解
像度を調べたところＯ，Ｘｐｍ まで良好に解像して
いた。
筐た膜面なプラズマサーモ社製プラズマエツチング装置
で酸素をエツチングガスとして用いＲＩＢ（リアクティ
ブイオンエツチング）モードでエツチングした結果、エ
ツチング速度は、マイクロポジットｌ参〇〇（シラプレ
ー社製ポジ型レジスト）のスであった。
で酸素をエツチングガスとして用いＲＩＢ（リアクティ
ブイオンエツチング）モードでエツチングした結果、エ
ツチング速度は、マイクロポジットｌ参〇〇（シラプレ
ー社製ポジ型レジスト）のスであった。
実施？Ｉｌユ
合成例コで得たメタ−トリメチルシリルフェノールとメ
タ−クレゾールとの反九６モル比り対Ｊからなるノボラ
ック檎脂ＪＯ９−とコ、Ｊ、ＩＩ、４（’−テトラヒド
ロキシベンゾフェノンの水酸基の７ｓ％が／、！−ナフ
トキノンジアジドー５−スルホン酸のエステルであるナ
フトキノンジアジド系感光剤／、Ｑ ｆをエテルセロソ
ルブアセテートｑ３？に溶解させＯ，コμｍ のフロロ
ボアフィルターでｆ濾過し、実施例１と同様にして、シ
リコンウェハーに塗布して試料を得、以下同様にして感
度曲線を求め、該感度曲線で残膜率がθ俤となる露光秒
数を外挿したところ１１秒であつた。
タ−クレゾールとの反九６モル比り対Ｊからなるノボラ
ック檎脂ＪＯ９−とコ、Ｊ、ＩＩ、４（’−テトラヒド
ロキシベンゾフェノンの水酸基の７ｓ％が／、！−ナフ
トキノンジアジドー５−スルホン酸のエステルであるナ
フトキノンジアジド系感光剤／、Ｑ ｆをエテルセロソ
ルブアセテートｑ３？に溶解させＯ，コμｍ のフロロ
ボアフィルターでｆ濾過し、実施例１と同様にして、シ
リコンウェハーに塗布して試料を得、以下同様にして感
度曲線を求め、該感度曲線で残膜率がθ俤となる露光秒
数を外挿したところ１１秒であつた。
次に、４１インチシリコンウエノ１に、マイクロポジッ
ト１ＩＩｏｏ（シラプレー社製ポジ型レジスト）を膜厚
／ ｐｒｏ になる様回転塗布ｆタ、オープン中で−
ＪＯＣで７３分ベーキングした。この上に、該レジスト
感光液を膜厚０．４μｍ になる様回転ｍ為して試料を
得た。ホットプレート上で９０℃で１分１ｉｆｊプリベ
ーク後、Ｎ０Ｒ−１！（ＨＧ３ｋ にコン表ステッパ
ー）で露光し、コ、Ｊｔ暢テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド水浴液で２ＩＣ，Ｉ分間浸火法により現像し
た。
ト１ＩＩｏｏ（シラプレー社製ポジ型レジスト）を膜厚
／ ｐｒｏ になる様回転塗布ｆタ、オープン中で−
ＪＯＣで７３分ベーキングした。この上に、該レジスト
感光液を膜厚０．４μｍ になる様回転ｍ為して試料を
得た。ホットプレート上で９０℃で１分１ｉｆｊプリベ
ーク後、Ｎ０Ｒ−１！（ＨＧ３ｋ にコン表ステッパ
ー）で露光し、コ、Ｊｔ暢テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド水浴液で２ＩＣ，Ｉ分間浸火法により現像し
た。
パターニングされた上Ｉ−レジストをマスクとして、下
に’ｔ レジストをプラズマサーモ社製プラズマエツチ
ング装置で酸搦ヲエッチングガスとして用いＲＩＥ七−
ドでエツチングしに０走食型１（子鵡信≦１（明石製作
ｍ製８１０ｋｌＡ Ｉ望）により、層像ｋをシ１べたと
ころ０．４μｍｔで良好に解狸していた。
に’ｔ レジストをプラズマサーモ社製プラズマエツチ
ング装置で酸搦ヲエッチングガスとして用いＲＩＥ七−
ドでエツチングしに０走食型１（子鵡信≦１（明石製作
ｍ製８１０ｋｌＡ Ｉ望）により、層像ｋをシ１べたと
ころ０．４μｍｔで良好に解狸していた。
本発明の組成物によれば、ドライエツチング耐性に大変
優れ、曾めて細かいパターン形成が可丁、ヒな感度を有
し、また？輝線に感度を有するものであるから超ＬＳＩ
Ｊ造の際のフォトレジストとして大変好適に用い得るも
のである。
優れ、曾めて細かいパターン形成が可丁、ヒな感度を有
し、また？輝線に感度を有するものであるから超ＬＳＩ
Ｊ造の際のフォトレジストとして大変好適に用い得るも
のである。
Ｊ ／ Ｖは本発明に用いるノボラック樹脂のフェノー
ル性モノマー組成を示す三角ｆｆ１ｋ、である。 出願人 三菱化成工業株式会社 代理人 弁理士 長谷用 − （ほか１名）
ル性モノマー組成を示す三角ｆｆ１ｋ、である。 出願人 三菱化成工業株式会社 代理人 弁理士 長谷用 − （ほか１名）
Claims (6)
- （１）（ａ）ナフトキノンジアジド系感光剤、及び（ｂ
）メタクレゾール、パラクレゾールの少なくとも一方と
、フェノールと、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｒ＾１〜Ｒ＾３はアルキル基又はアリール基を示し、
Ｒ＾４〜Ｒ＾７は水素、アルキル基又はフェニル基を示
す。） で表わされる有機ケイ素化合物との混合物と、アルデヒ
ド類とを縮合させる事によつて得られるボラック樹脂を
含有する事を特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。 - （２）ナフトキノンジアジド系感光剤が、２，３，４−
トリヒドロキシベンゾフェノンの５０％以上の水酸基が
１，２−ナフトキノンアジド−５−スルホン酸のエステ
ルまたは、２，３，４，４，′−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンの水酸基の６０％以上が１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸のエステルまたは、ケルセ
チンの水酸基の６０％以上が１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸のエステルであるナフトキノンジ
アジド系感光剤であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のフォトレジスト組成物。 - （３）メタクレゾール、パラクレゾールの少なくとも一
方と、フェノールとメタトリアルキルシリルフェノール
との混合物とホルムアルデヒドとを縮合させる事によつ
て得られるノボラック樹脂である事を特徴とする特許請
求の範囲第１項または第２項に記載のフォトレジスト組
成物。 - （４）ノボラック樹脂のフェノール性モノマー組成が、
メタクレゾール、フェノール、メタトリアルキルシリル
フェノールの第１図に示された三角座標の斜線部分に当
てはまる組成（境界を含む）である間を特徴とする特許
請求の範囲第１項乃至第３項のいずれかに記載のフォト
レジスト組成物。 - （５）ノボラック樹脂部の重量平均分子量が１，０００
〜６００００である事を特徴とする特許請求の範囲第１
項乃至第４項のいずれかに記載のフォトレジスト組成物
。 - （６）ナフトキノンジアジド系感光剤とノボラック樹脂
の比率が、ノボラック樹脂１００重量部に対して、感光
剤１０〜４０重量部である事を特徴とする特許請求の範
囲第１項乃至第５項のいずれかに記載のフォトレジスト
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9955586A JPS62255936A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9955586A JPS62255936A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62255936A true JPS62255936A (ja) | 1987-11-07 |
Family
ID=14250404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9955586A Pending JPS62255936A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62255936A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5063134A (en) * | 1987-03-26 | 1991-11-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosensitive composition |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP9955586A patent/JPS62255936A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5063134A (en) * | 1987-03-26 | 1991-11-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosensitive composition |
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