JPS62245680A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
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- JPS62245680A JPS62245680A JP8930586A JP8930586A JPS62245680A JP S62245680 A JPS62245680 A JP S62245680A JP 8930586 A JP8930586 A JP 8930586A JP 8930586 A JP8930586 A JP 8930586A JP S62245680 A JPS62245680 A JP S62245680A
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- layer
- semiconductor layer
- gaas
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/7727—Velocity modulation transistors, i.e. VMT
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高速の電子移動度を有し、かつ負性微分抵抗
の機能をも有する電界効果トランジスタ（以下負性微分
抵抗電界効果トランジスタと記す）に関するものである
。
の機能をも有する電界効果トランジスタ（以下負性微分
抵抗電界効果トランジスタと記す）に関するものである
。
（従来の技術）
従来、電界効果型のトランジスタにおいて負性微分抵抗
を発現させる技術として、アイ・イー・イー・イー・エ
レクトロン・デバイス・レターズ（ＩＥＥＥ。
を発現させる技術として、アイ・イー・イー・イー・エ
レクトロン・デバイス・レターズ（ＩＥＥＥ。
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔｅｒｓ）誌
１９８３年ＥＤＬ４巻３３４頁に記載されているような
技術が知られている。これは第３図に示す素子構造にお
いてソース電極３１とドレイン電極３２間の電子走行チ
ャンネル３３内の電子を加速させて電子温度を上昇させ
、これによって電子を電子走行チャンネル３３がら熱的
に溢れさせ、半導体層３４を通して半導体層３５へ熱的
に拡散させ、ソース電極３１とドレイン電極３２間で電
流に寄与する電子数を少なくせしめ、この結果、負性微
分抵抗を得んとするものである。
１９８３年ＥＤＬ４巻３３４頁に記載されているような
技術が知られている。これは第３図に示す素子構造にお
いてソース電極３１とドレイン電極３２間の電子走行チ
ャンネル３３内の電子を加速させて電子温度を上昇させ
、これによって電子を電子走行チャンネル３３がら熱的
に溢れさせ、半導体層３４を通して半導体層３５へ熱的
に拡散させ、ソース電極３１とドレイン電極３２間で電
流に寄与する電子数を少なくせしめ、この結果、負性微
分抵抗を得んとするものである。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記記載の技術による負性微分抵抗を示
す電界効果トランジスタは、電界によって加速された電
子（ホットエレクトロン）の熱的拡散過程を利用するた
め、応答速度が低いという欠点を有する。本発明の目的
は、高速の電子移動度を有する電界効果トランジスタに
おいて、負性微分抵抗の機能をも有する素子構造を提供
することにある。
す電界効果トランジスタは、電界によって加速された電
子（ホットエレクトロン）の熱的拡散過程を利用するた
め、応答速度が低いという欠点を有する。本発明の目的
は、高速の電子移動度を有する電界効果トランジスタに
おいて、負性微分抵抗の機能をも有する素子構造を提供
することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、第１の半導体層上に順次積層された第２、第
３、第４の半導体層を少なくとも含む半導体積層構造と
、その」三方に設置された金属電極を備え、第４の半導
体層がｎ型にドープされ、第３の半導体層は第４の半導
体層よりも狭い禁制帯幅を有しかつ層厚が電子の平均自
由行程程度であり、第１の半導体層は第２の半導体層よ
りも狭く、第３の半導体層よりも広い禁制帯幅を有し、
かつ層厚が電子の平均自由行程程度であり、かつ第３の
半導体層よりも厚く、かつ不純物がドープされている負
性微分抵抗電界効果トランジスタである。
３、第４の半導体層を少なくとも含む半導体積層構造と
、その」三方に設置された金属電極を備え、第４の半導
体層がｎ型にドープされ、第３の半導体層は第４の半導
体層よりも狭い禁制帯幅を有しかつ層厚が電子の平均自
由行程程度であり、第１の半導体層は第２の半導体層よ
りも狭く、第３の半導体層よりも広い禁制帯幅を有し、
かつ層厚が電子の平均自由行程程度であり、かつ第３の
半導体層よりも厚く、かつ不純物がドープされている負
性微分抵抗電界効果トランジスタである。
：、＋Ｒ，。
（３）う
（作用）
以下、図面を用いて本発明による負性微分抵抗電界効果
トランジスタの作用を説明する。まず本発明による負性
微分抵抗電界効果トランジスタのゲート電極付近のエネ
ルギーバンド構造を、ゲート電極に電位が加えられてい
ない場合について第２図（ａ）に示す。ここで横軸方向
は積層方向であり、縦軸はエネルギーである。第２図の
２２の領域の２６（Φ）は、電子を隣接する半導体層２
３に供給して正に帯電した不純物を表わす。半導体層２
３．２５は、層厚が電子の平均自由行程程度（数１０人
〜数１００人）であるため、これは量子井戸であり、こ
れに供給された電子はこの量子井戸の量子準位２７に蓄
積され、半導体層２３．２５の積層面に平行な方向に拡
がり、２次元的電子気体を形成する。ゲート電極２１に
電位が加えられていないとき、半導体層２５の量子準位
は半導体層２３の量子準位よりも高エネルギー側にある
ように半導体層２５の伝導バンド端を半導体層２５の組
成により設定しであるので、電子は半導体層２３に局在
し半導体層２５にはほとんど存在しない。また本構造に
おいては電子は不純物位置から隔離され、それによる散
乱を受けないため、半導体層２３の積層面に平行な方向
には電子は高速の移動度を有する。次にゲート電極２１
に負電位を加えるとゲート電極付近のエネルギーバンド
構造は第２図（ｂ）のようになる。このとき各半導体層
には電界が積層方向に加わるが、電界によって半導体層
２３．２５における量子準位２７はそれぞれ低エネルギ
ー側へ移動する。本構造では半導体層２５の層厚を半導
体層２３の層厚よりも大きくしているため、量子準位の
低エネルギー側への移動量は半導体層２３よりも半導体
層２５の方が大きい。このため電界によって半導体層２
５の量子準位のエネルギーは半導体層２３の量子準位の
エネルギーよりも低くなり、電子は半導体層２４を量子
力学的にトンネル効果で通り抜けて半導体層２５の量子
準位に蓄積される。半導体層２５は不純物がドープされ
ているため、この半導体層内では不純物散乱により電子
の移動度は低減し、これにより半導体積層面に平行な方
向の電流が小さくなるため負性微分抵抗が発現される。
トランジスタの作用を説明する。まず本発明による負性
微分抵抗電界効果トランジスタのゲート電極付近のエネ
ルギーバンド構造を、ゲート電極に電位が加えられてい
ない場合について第２図（ａ）に示す。ここで横軸方向
は積層方向であり、縦軸はエネルギーである。第２図の
２２の領域の２６（Φ）は、電子を隣接する半導体層２
３に供給して正に帯電した不純物を表わす。半導体層２
３．２５は、層厚が電子の平均自由行程程度（数１０人
〜数１００人）であるため、これは量子井戸であり、こ
れに供給された電子はこの量子井戸の量子準位２７に蓄
積され、半導体層２３．２５の積層面に平行な方向に拡
がり、２次元的電子気体を形成する。ゲート電極２１に
電位が加えられていないとき、半導体層２５の量子準位
は半導体層２３の量子準位よりも高エネルギー側にある
ように半導体層２５の伝導バンド端を半導体層２５の組
成により設定しであるので、電子は半導体層２３に局在
し半導体層２５にはほとんど存在しない。また本構造に
おいては電子は不純物位置から隔離され、それによる散
乱を受けないため、半導体層２３の積層面に平行な方向
には電子は高速の移動度を有する。次にゲート電極２１
に負電位を加えるとゲート電極付近のエネルギーバンド
構造は第２図（ｂ）のようになる。このとき各半導体層
には電界が積層方向に加わるが、電界によって半導体層
２３．２５における量子準位２７はそれぞれ低エネルギ
ー側へ移動する。本構造では半導体層２５の層厚を半導
体層２３の層厚よりも大きくしているため、量子準位の
低エネルギー側への移動量は半導体層２３よりも半導体
層２５の方が大きい。このため電界によって半導体層２
５の量子準位のエネルギーは半導体層２３の量子準位の
エネルギーよりも低くなり、電子は半導体層２４を量子
力学的にトンネル効果で通り抜けて半導体層２５の量子
準位に蓄積される。半導体層２５は不純物がドープされ
ているため、この半導体層内では不純物散乱により電子
の移動度は低減し、これにより半導体積層面に平行な方
向の電流が小さくなるため負性微分抵抗が発現される。
このように電子の走行チャンネル（半導体層２３及び半
導体層２５）を２つ設け、その間の電子の移動を量子力
学的なトンネル効果で行わせしめることが本発明の負性
微分抵抗トランジスタの最も重要な点である。この結果
、電子のホットエレクトロン化とその熱的拡散によって
ソース電極とドレイン電極間のキャリア密度を実効的に
減少させることを利用する従来の技術による負性微分抵
抗を示す電界効果トランジスタよりも高速のスイッチン
グ応答速度を得ることができる。
導体層２５）を２つ設け、その間の電子の移動を量子力
学的なトンネル効果で行わせしめることが本発明の負性
微分抵抗トランジスタの最も重要な点である。この結果
、電子のホットエレクトロン化とその熱的拡散によって
ソース電極とドレイン電極間のキャリア密度を実効的に
減少させることを利用する従来の技術による負性微分抵
抗を示す電界効果トランジスタよりも高速のスイッチン
グ応答速度を得ることができる。
（実施例）
以下第１図の実施例により本発明による負性微分抵抗電
界効果トランジスタの構成ならびに電気的特性について
説明する。本実施例はＣｒをドープした表面が（１００
）面の半絶縁性ＧａＡｓ基板１９上に分子線エピタキシ
ー（ＭＢＥ）法と真空蒸着により作成した。
界効果トランジスタの構成ならびに電気的特性について
説明する。本実施例はＣｒをドープした表面が（１００
）面の半絶縁性ＧａＡｓ基板１９上に分子線エピタキシ
ー（ＭＢＥ）法と真空蒸着により作成した。
まず上記半絶縁性ＧａＡｓ基板１９にＭＢＥ法により順
次厚さｌｐｍのノンドープＧａＡｓバッファ層１８、厚
す２００人のＣｒドープＡＩ０．Ｉ Ｇａｏ、ｇＡｓ層
１７（第１の半導体層）、厚さ５０人のノンドープＡｌ
４）、３Ｇａｏ、７Ａｓ層１６（第２の半導体層）、厚
さ１００人のノンドープＧａＡｓ層１５（第３の半導体
層）、厚さ５００人のＳｉドープｎ型ＡｌＯ，３ＧａＯ
，７Ａｓ層１４（第４の半導体層、Ｓｉのドーピング量
は２Ｘ１０１８ｃｍ−３）及び厚さ５００人のｎ型ノン
ドープＧａＡｓ層１３を成長させたあと、その」二面に
真空蒸着によりともに厚さｌｐｍ、長さ２ｐ、ｍ、幅３
００ｐｍのゲート電極１２、ソース電極１０及びドレイ
ン電極１１を設置した。ゲート電極部１２はまずＴｉを
蒸着させ（厚さ０．７ｐｍ）、次にＰｔを蒸着させて（
厚さ０．６ｐｍ）、最後にＡｕを蒸着させて（厚さ０．
６ｐｍ、）作成した。ソース電極部１０とドレイン電極
部１１はともにまずＡｕＧｅを蒸着させ（厚さｌｐｍ）
、次にＡｕを蒸着させて（厚さｌｐｍ）作成した。
次厚さｌｐｍのノンドープＧａＡｓバッファ層１８、厚
す２００人のＣｒドープＡＩ０．Ｉ Ｇａｏ、ｇＡｓ層
１７（第１の半導体層）、厚さ５０人のノンドープＡｌ
４）、３Ｇａｏ、７Ａｓ層１６（第２の半導体層）、厚
さ１００人のノンドープＧａＡｓ層１５（第３の半導体
層）、厚さ５００人のＳｉドープｎ型ＡｌＯ，３ＧａＯ
，７Ａｓ層１４（第４の半導体層、Ｓｉのドーピング量
は２Ｘ１０１８ｃｍ−３）及び厚さ５００人のｎ型ノン
ドープＧａＡｓ層１３を成長させたあと、その」二面に
真空蒸着によりともに厚さｌｐｍ、長さ２ｐ、ｍ、幅３
００ｐｍのゲート電極１２、ソース電極１０及びドレイ
ン電極１１を設置した。ゲート電極部１２はまずＴｉを
蒸着させ（厚さ０．７ｐｍ）、次にＰｔを蒸着させて（
厚さ０．６ｐｍ）、最後にＡｕを蒸着させて（厚さ０．
６ｐｍ、）作成した。ソース電極部１０とドレイン電極
部１１はともにまずＡｕＧｅを蒸着させ（厚さｌｐｍ）
、次にＡｕを蒸着させて（厚さｌｐｍ）作成した。
ソース電極１０とゲート電極１２間の距離及びドレイン
電極１１とゲート電極１２間の距離はともに２ｐｍとし
た。ｎ型ノンドープＧａＡｓ層１３は電極が容易に形成
されるように設けたもので無くてもよい（ＧａＡｓ層１
３が無い場合は第４半導体層１４に電極を形成する）。
電極１１とゲート電極１２間の距離はともに２ｐｍとし
た。ｎ型ノンドープＧａＡｓ層１３は電極が容易に形成
されるように設けたもので無くてもよい（ＧａＡｓ層１
３が無い場合は第４半導体層１４に電極を形成する）。
上述のプロセスにより作成した本発明による負性微分抵
抗電界効果トランジスタのドレイン電極１２とソース電
極１１の間に一定の電圧０．５■を印加しておき、ゲー
ト電圧−ＶＧ［Ｖ］を印加し、ゲート電圧（ＶＧ）の変
化に対するドレイン電流（ＩＤＳ）の変化量ｇｍ ：
ａＩＤｓ／ａＶａを１１１ｍゲート幅当たりで７７にの
もとで測定すると、Ｖ＝１．０■前後でｇｍが２００ｍ
５から一８００ｍ５へ急激に変化し負性微分抵抗が観測
された。このときのスイッチング時間はｌｐｓ以下と見
積られる。従来のＧａＡｓ −ＭＥＳＦＥＴではスイッ
チング時間は最高でも数Ｌｏｏｐｓであった。また上述
のドレイン電流の急激な変化の前後でのドレイン電流の
最大値と最小値の比は約３０であった。また上述の過程
における電子移動度は７７にでの測定の結果Ｉ Ｘ １
０５ｃｍ２／Ｖから５ Ｘ １０３ｃｍ２／Ｖに変化し
ていることがわかり、ドレイン電流に寄与する電子の濃
度には変化は見られなかった。
抗電界効果トランジスタのドレイン電極１２とソース電
極１１の間に一定の電圧０．５■を印加しておき、ゲー
ト電圧−ＶＧ［Ｖ］を印加し、ゲート電圧（ＶＧ）の変
化に対するドレイン電流（ＩＤＳ）の変化量ｇｍ ：
ａＩＤｓ／ａＶａを１１１ｍゲート幅当たりで７７にの
もとで測定すると、Ｖ＝１．０■前後でｇｍが２００ｍ
５から一８００ｍ５へ急激に変化し負性微分抵抗が観測
された。このときのスイッチング時間はｌｐｓ以下と見
積られる。従来のＧａＡｓ −ＭＥＳＦＥＴではスイッ
チング時間は最高でも数Ｌｏｏｐｓであった。また上述
のドレイン電流の急激な変化の前後でのドレイン電流の
最大値と最小値の比は約３０であった。また上述の過程
における電子移動度は７７にでの測定の結果Ｉ Ｘ １
０５ｃｍ２／Ｖから５ Ｘ １０３ｃｍ２／Ｖに変化し
ていることがわかり、ドレイン電流に寄与する電子の濃
度には変化は見られなかった。
さらにゲート電圧がＯｖから−０，８■まででは負性微
分抵抗を示さず、従来の電界効果トランジスタと同じ機
能を有するが、ｌｐｍゲート幅当たりのｇｍの値として
２０ＱｍＳが得られ（７７Ｋ）、これは従来のＧａＡｓ
−ＭＥＳＦＥＴの値（通常１００ｍ８前後）を凌ぐ値
である。このことは本発明による負性微分抵抗電界へ 効果トランジスタがトランジスタ動作の点においても従
来のＧａＡｓ −ＭＢＳＦＥＴに比べて高速性及び低消
費電力性に優れることを意味する。
分抵抗を示さず、従来の電界効果トランジスタと同じ機
能を有するが、ｌｐｍゲート幅当たりのｇｍの値として
２０ＱｍＳが得られ（７７Ｋ）、これは従来のＧａＡｓ
−ＭＥＳＦＥＴの値（通常１００ｍ８前後）を凌ぐ値
である。このことは本発明による負性微分抵抗電界へ 効果トランジスタがトランジスタ動作の点においても従
来のＧａＡｓ −ＭＢＳＦＥＴに比べて高速性及び低消
費電力性に優れることを意味する。
（発明の効果）
このように本発明による負性微分抵抗電界効果トランジ
スタは、ゲート電圧の印加により高速かつ低消費電力の
電界効果トランジスタとして機能し、しかも特定のゲー
ト電圧の前後で負性微分抵抗による高速のスイッチング
素子としても機能し、高速論理素子等への応用に活用さ
れる。
スタは、ゲート電圧の印加により高速かつ低消費電力の
電界効果トランジスタとして機能し、しかも特定のゲー
ト電圧の前後で負性微分抵抗による高速のスイッチング
素子としても機能し、高速論理素子等への応用に活用さ
れる。
第１図は本発明による負性微分抵抗電界効果トランジス
タの構造図である。第２図は本発明による負性微分抵抗
電界効果トランジスタのゲート電極付近のエネルギーバ
ンド構造をしめす図で（ａ）はゲート電極に電位が加え
られていない場合、（ｂ）はゲート電極に負電位を加え
た場合の図である。第３図は従来の電界効果型トランジ
スタの構造を示す図である。 第１図において １０ソース電極（厚さｌｐｍ、長さ２ｐｍ）１１ ドレ
イン電極（厚さｌｐｍ、長さ２ｐｍ）１２ゲート電極（
厚さｌｐｍ、長さ２ｐｍ）１３ ｎ型ノンドープＧａＡ
ｓ層（厚さ５００人）１４ Ｓｉドープｎ型ＡｌＯ，３
Ｇａｏ、７Ａｓ層（厚さ５００人）１５ノンド一プＧａ
Ａｓ層（厚さ１００人）１６ノンドープＡＩ０．３Ｇａ
０．７ＡＳ層（厚さ５０人）１７ ＣｒドープＡｌｏ、
、Ｇａｏ、ｇＡｓ層（厚さ２００人）１８ノンド一プＧ
ａＡｓバツフア層（厚さｌｌ１ｍ）１９半絶縁性ＧａＡ
ｓ基板 第２図において ２１ゲ一ト電極層 ２２ ｎ型半導体層（電子供給層） ２３量子井戸層 ２４障壁層 ２５量子井戸層 ２６イオン化した不純物 ２７電子の量子準位 第３図において ３１ソース電極 ３２ ドレイン電極 ３３電子走行チャンネル ３４半導体層 ３５半導体層 （ｎ） 第／ゾ π シーＸ値地 ／／ ドｂイレ（ヅぜ区 ！ ゲート輻し料Ｕ ／３ π型ノシドーブ６ａＡｓ層 ／４ ５ｌ−Ｆ’−）−ｎハゲＡノリ、３６シ／、ｖｋ
層と第４半橋らθす曽）／！；ノンＦ゛−ブｑａ ｉ上
層（第３千阜林層）β ノンドーフＡノρ、３１ｒａｉ
＞、ｖＡ３層（Ｘ贋イ半県劇ｐ／７ひ／”−）Ａｌｅ４
ｑａｌ−ｙＡｓ眉で期ｌ十岑林層）β ノＸ／Ｆ−ブの
、Ｌバ′ッフ１屓
タの構造図である。第２図は本発明による負性微分抵抗
電界効果トランジスタのゲート電極付近のエネルギーバ
ンド構造をしめす図で（ａ）はゲート電極に電位が加え
られていない場合、（ｂ）はゲート電極に負電位を加え
た場合の図である。第３図は従来の電界効果型トランジ
スタの構造を示す図である。 第１図において １０ソース電極（厚さｌｐｍ、長さ２ｐｍ）１１ ドレ
イン電極（厚さｌｐｍ、長さ２ｐｍ）１２ゲート電極（
厚さｌｐｍ、長さ２ｐｍ）１３ ｎ型ノンドープＧａＡ
ｓ層（厚さ５００人）１４ Ｓｉドープｎ型ＡｌＯ，３
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Ａｓ層（厚さ１００人）１６ノンドープＡＩ０．３Ｇａ
０．７ＡＳ層（厚さ５０人）１７ ＣｒドープＡｌｏ、
、Ｇａｏ、ｇＡｓ層（厚さ２００人）１８ノンド一プＧ
ａＡｓバツフア層（厚さｌｌ１ｍ）１９半絶縁性ＧａＡ
ｓ基板 第２図において ２１ゲ一ト電極層 ２２ ｎ型半導体層（電子供給層） ２３量子井戸層 ２４障壁層 ２５量子井戸層 ２６イオン化した不純物 ２７電子の量子準位 第３図において ３１ソース電極 ３２ ドレイン電極 ３３電子走行チャンネル ３４半導体層 ３５半導体層 （ｎ） 第／ゾ π シーＸ値地 ／／ ドｂイレ（ヅぜ区 ！ ゲート輻し料Ｕ ／３ π型ノシドーブ６ａＡｓ層 ／４ ５ｌ−Ｆ’−）−ｎハゲＡノリ、３６シ／、ｖｋ
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層（第３千阜林層）β ノンドーフＡノρ、３１ｒａｉ
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Claims (1)
- 第１の半導体層に順次積層された第２、第３、第４の半
導体層を少なくとも含む半導体積層構造と、その上方に
設置された金属電極を備え、第４の半導体層がｎ型にド
ープされ、第３の半導体層は、第４の半導体層よりも狭
い禁制帯幅を有し、かつ層厚が電子の平均自由行程程度
であり、第２の半導体層は、第３の半導体層より広禁制
帯幅を有し、かつ層厚が電子の平均自由行程程度であり
、第１の半導体層は、第２の半導体層より狭く第３の半
導体層より広い禁制帯幅を有し、かつ層厚が電子の平均
自由行程程度であり、かつ第３の半導体層よりも厚く、
かつ不純物がドープされていることを特徴とする電界効
果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8930586A JPS62245680A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8930586A JPS62245680A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62245680A true JPS62245680A (ja) | 1987-10-26 |
Family
ID=13966951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8930586A Pending JPS62245680A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62245680A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5258632A (en) * | 1990-08-31 | 1993-11-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Velocity modulation transistor |
| US5594262A (en) * | 1994-06-06 | 1997-01-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Elevated temperature gallium arsenide field effect transistor with aluminum arsenide to aluminum gallium arsenide mole fractioned buffer layer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6154670A (ja) * | 1984-08-25 | 1986-03-18 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
-
1986
- 1986-04-17 JP JP8930586A patent/JPS62245680A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6154670A (ja) * | 1984-08-25 | 1986-03-18 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5258632A (en) * | 1990-08-31 | 1993-11-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Velocity modulation transistor |
| US5594262A (en) * | 1994-06-06 | 1997-01-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Elevated temperature gallium arsenide field effect transistor with aluminum arsenide to aluminum gallium arsenide mole fractioned buffer layer |
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