JPS62239548A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62239548A JPS62239548A JP8302286A JP8302286A JPS62239548A JP S62239548 A JPS62239548 A JP S62239548A JP 8302286 A JP8302286 A JP 8302286A JP 8302286 A JP8302286 A JP 8302286A JP S62239548 A JPS62239548 A JP S62239548A
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Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産挙上のネ１１用分Ｖｆ〕
木光明は、集積Ｊ路特に、アルミ系（アルミ合金な含む
）の多層配線技術の平坦化技術に関する。
）の多層配線技術の平坦化技術に関する。
アルミ配線−Ｈの１８間絶縁噂の形成法とし７て、減圧
ａ ｖ Ｄｌｌ＋用い、しかも平坦化を目的にスピンオ
ングラスを形成すること、かつ、スピンオングラスの溶
液中に含まれるエタノール、水ｈｔ、下層のアルミ配線
な酸化しないような条件で、スピンオングラスをガラス
化することを特徴とする。
ａ ｖ Ｄｌｌ＋用い、しかも平坦化を目的にスピンオ
ングラスを形成すること、かつ、スピンオングラスの溶
液中に含まれるエタノール、水ｈｔ、下層のアルミ配線
な酸化しないような条件で、スピンオングラスをガラス
化することを特徴とする。
スピンオングラスな、アルミ配線１０層１ｈ１ 絶縁・
Ｉｌｌの平坦化嘆とじ工使うことは、試みられているそ
の実施例＆ｍ２図に示す。半導体基板上２０１に形成さ
れた。第１アルミ配線層２０２、その上に層間絶縁噂と
して、ＯＶＤ法によろＰＳＧ噂２０３を形成する。この
場合ｐ ｓ Ｇ１１ｆｌ ２０５の嗅厚と（、で、５０
００乃至１ｏｏｏｏｉの場合ｈ’−多い。次に、第１ア
ルミ配線部の凸部緩和による平坦化処理と１−で、シリ
コン濃度５％種度のエタノール希釈シ巧ノールを主成分
とするスピンオングラスジ、スピンコード形成［１、希
釈成分のエタノールと一部分か蒸発させろ目的で、空気
中もしくは、酸素な含む不完全な窒素雰囲気中で、１０
０乃至３５０℃以下でべ一り乾燥させ、続いて拡散炉中
で３５０℃以上５００℃未満の窒素雰囲気でガラス化を
行なっていた。そして平坦化されたスピンコードうス噂
２ｏ４ トｒｘ ル。
Ｉｌｌの平坦化嘆とじ工使うことは、試みられているそ
の実施例＆ｍ２図に示す。半導体基板上２０１に形成さ
れた。第１アルミ配線層２０２、その上に層間絶縁噂と
して、ＯＶＤ法によろＰＳＧ噂２０３を形成する。この
場合ｐ ｓ Ｇ１１ｆｌ ２０５の嗅厚と（、で、５０
００乃至１ｏｏｏｏｉの場合ｈ’−多い。次に、第１ア
ルミ配線部の凸部緩和による平坦化処理と１−で、シリ
コン濃度５％種度のエタノール希釈シ巧ノールを主成分
とするスピンオングラスジ、スピンコード形成［１、希
釈成分のエタノールと一部分か蒸発させろ目的で、空気
中もしくは、酸素な含む不完全な窒素雰囲気中で、１０
０乃至３５０℃以下でべ一り乾燥させ、続いて拡散炉中
で３５０℃以上５００℃未満の窒素雰囲気でガラス化を
行なっていた。そして平坦化されたスピンコードうス噂
２ｏ４ トｒｘ ル。
１−７かし、この方法で、スピンオングラスを形成する
と、次のような不０４合ｈ；生じる。つ市り、スピンオ
ングラスを塗布老成する状態では、シうノー／Ｌ、 （
Ｓｉ （ＯＨ）４ ） ｆあり、カッ、ｘ タ／ −ル
（ＯｚＨｓＯＨ）の希釈されてかり、スピンコード乾燥
過穆でＯＨ基もしくけ、水ｈｔ発生する。そのため、従
来のように空気中でのベーク並びに酸素を含む窒素中で
の７ニールでは、下層に形成され比アルミ配線２０２の
表面ｈ；酸化され、アルミナＩＩＩ ２０５ ｈ＝成長
する。よって１次工程で上記アルミ配線と、コンタクト
をとろうとしｔ時このアルミナＩｌｌ！ ２０５ ｈＳ
、バリアーとなり、充分なオーミック接続で縫ない場合
ｈ″−あっｔｏ 〔発明ｈ″−−解決うとする問題点〕 そこで１本発明ではスピンオングラスの秀れ之平坦化効
果を生かし、上層に形成されるアルミ配線とも良好なオ
ーミンク接続を達成する方法である。
と、次のような不０４合ｈ；生じる。つ市り、スピンオ
ングラスを塗布老成する状態では、シうノー／Ｌ、 （
Ｓｉ （ＯＨ）４ ） ｆあり、カッ、ｘ タ／ −ル
（ＯｚＨｓＯＨ）の希釈されてかり、スピンコード乾燥
過穆でＯＨ基もしくけ、水ｈｔ発生する。そのため、従
来のように空気中でのベーク並びに酸素を含む窒素中で
の７ニールでは、下層に形成され比アルミ配線２０２の
表面ｈ；酸化され、アルミナＩＩＩ ２０５ ｈ＝成長
する。よって１次工程で上記アルミ配線と、コンタクト
をとろうとしｔ時このアルミナＩｌｌ！ ２０５ ｈＳ
、バリアーとなり、充分なオーミック接続で縫ない場合
ｈ″−あっｔｏ 〔発明ｈ″−−解決うとする問題点〕 そこで１本発明ではスピンオングラスの秀れ之平坦化効
果を生かし、上層に形成されるアルミ配線とも良好なオ
ーミンク接続を達成する方法である。
アルミ配線を酸化させないような熱処理力法のゆ肘。
第１図は本発明の実施例を示す。従来例と同様に、半導
体基板−ヒ１０１に形成された第１アルミ配線層１０２
（本実施例では、アルミ配線として１％のシリコンを含
むアルミシリコン合金を使用）に減圧ＣＶＤ法により、
［５ｉしたシリケートガラスを、 ６ｏｏｏｃＡ形成後
、シリコン濃度５チのシラノール・エタノール希釈スピ
ンコードグラス８＃、スピンコード形成【２次。次に、
完全に窒業ガス置換されたベーク炉中で、１００℃で３
０分乾燥し、エタノール分を完全除去後、さちに、同じ
く完全窒素雰囲気中で、３００℃１時間のベークを行な
い、さらに水素を含む窒素雰囲気中の拡散炉の中で、４
５０℃３Ｑ分アニーリングを行ない、スピンオングラス
膜１０４をガラス死処１行なった。次に、ド丹イエヴチ
ングにより、第１アルミ上にコンタクトホール１０５を
形成し、スパッタリング装置でボ１アルミ配線１０２上
にでき几自然酸化膜をスパヴタエッチング除去後、筆２
アルミ配線を形成した。
体基板−ヒ１０１に形成された第１アルミ配線層１０２
（本実施例では、アルミ配線として１％のシリコンを含
むアルミシリコン合金を使用）に減圧ＣＶＤ法により、
［５ｉしたシリケートガラスを、 ６ｏｏｏｃＡ形成後
、シリコン濃度５チのシラノール・エタノール希釈スピ
ンコードグラス８＃、スピンコード形成【２次。次に、
完全に窒業ガス置換されたベーク炉中で、１００℃で３
０分乾燥し、エタノール分を完全除去後、さちに、同じ
く完全窒素雰囲気中で、３００℃１時間のベークを行な
い、さらに水素を含む窒素雰囲気中の拡散炉の中で、４
５０℃３Ｑ分アニーリングを行ない、スピンオングラス
膜１０４をガラス死処１行なった。次に、ド丹イエヴチ
ングにより、第１アルミ上にコンタクトホール１０５を
形成し、スパッタリング装置でボ１アルミ配線１０２上
にでき几自然酸化膜をスパヴタエッチング除去後、筆２
アルミ配線を形成した。
次（で１本発明の効果を第３図のグラフをもって説明す
る。横軸にアニール温ｒを示し、アニールとしてけ３５
０℃〜５００℃の範囲で行なった。（Ａ）は本発明の筆
１アルミ・ボ２アルミ配線間の２ミクロン角のコ・／タ
クトホール１ヶ当りの抵抗値ヲ示している。この温度範
囲で全く変らず、２ＱｍΩである。これに対し、（Ｂｌ
けベークを従来通り、空気中で行ないアニールのみ本実
施例のよって、水素還元雰囲気で行なつ定場合、又、（
Ｃ）に従来の方法でベータ、アニールとも行なった例で
ある。図から明らかのようにベーク及びアニール雰囲気
によって、アルミとアルミ間のコ・７タクト抵抗が亮〈
なり、しかも場合によっては、接続ｈ；とれない。
る。横軸にアニール温ｒを示し、アニールとしてけ３５
０℃〜５００℃の範囲で行なった。（Ａ）は本発明の筆
１アルミ・ボ２アルミ配線間の２ミクロン角のコ・／タ
クトホール１ヶ当りの抵抗値ヲ示している。この温度範
囲で全く変らず、２ＱｍΩである。これに対し、（Ｂｌ
けベークを従来通り、空気中で行ないアニールのみ本実
施例のよって、水素還元雰囲気で行なつ定場合、又、（
Ｃ）に従来の方法でベータ、アニールとも行なった例で
ある。図から明らかのようにベーク及びアニール雰囲気
によって、アルミとアルミ間のコ・７タクト抵抗が亮〈
なり、しかも場合によっては、接続ｈ；とれない。
これは、従来例で述べたように、シ巧ノール及びエタノ
ールから発生する一〇Ｈ基もしくは、水り１第１アルミ
配線の表面を強く酸化させるためと考えられる。これを
防ぐ友め、本発明が非常に効果的であることは、！３図
より明らかである。
ールから発生する一〇Ｈ基もしくは、水り１第１アルミ
配線の表面を強く酸化させるためと考えられる。これを
防ぐ友め、本発明が非常に効果的であることは、！３図
より明らかである。
筆１図（ｒｔ、Ｉ、 （ｂ）は、本発明の実施例による
≠導体装置の製造工程１ＰＩＩＷＩ図。 濱２図（ａｌ 、 （ｂｌ 、 、 （ＣＩは、従来例
による半導体装置の製造工種ｌ！Ｆ＋面図であり、２０
５けアルミナ喚である。 第３図は、木イら明と従来例のコンタクト抵抗を示した
グラフである。 以 上 出頓人 セイコーエプソン株式会社 ７；−ルン象崖 （”ｃ） 「Σ べ ′？〈
≠導体装置の製造工程１ＰＩＩＷＩ図。 濱２図（ａｌ 、 （ｂｌ 、 、 （ＣＩは、従来例
による半導体装置の製造工種ｌ！Ｆ＋面図であり、２０
５けアルミナ喚である。 第３図は、木イら明と従来例のコンタクト抵抗を示した
グラフである。 以 上 出頓人 セイコーエプソン株式会社 ７；−ルン象崖 （”ｃ） 「Σ べ ′？〈
Claims (1)
- アルミ系配線上に、層間絶縁膜として、減圧ＣＶＤ法に
より４０００Å以上１００００Å以下のＳｉＯ＿２膜を
形成すること、シリカ塗布膜をスピンコート形成するこ
と不活性ガス雰囲気下で、１００℃乃至は３５０℃でベ
ーキング乾燥すること、水素を含む不活性ガス還元雰囲
気で３５０℃以上５００℃以下でアニールすることを含
む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61083022A JP2605686B2 (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61083022A JP2605686B2 (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62239548A true JPS62239548A (ja) | 1987-10-20 |
| JP2605686B2 JP2605686B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=13790611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61083022A Expired - Lifetime JP2605686B2 (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2605686B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02181927A (ja) * | 1989-01-09 | 1990-07-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5169801A (en) * | 1989-06-30 | 1992-12-08 | Nec Corporation | Method for fabricating a semiconductor device |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54871A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-06 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5498572A (en) * | 1978-01-20 | 1979-08-03 | Matsushita Electronics Corp | Surface stablization processing method for transistor |
| JPS599937A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60113444A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-19 | Hitachi Ltd | 多層配線構造 |
| JPS6135525A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-04-10 JP JP61083022A patent/JP2605686B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54871A (en) * | 1977-06-03 | 1979-01-06 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5498572A (en) * | 1978-01-20 | 1979-08-03 | Matsushita Electronics Corp | Surface stablization processing method for transistor |
| JPS599937A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60113444A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-19 | Hitachi Ltd | 多層配線構造 |
| JPS6135525A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH02181927A (ja) * | 1989-01-09 | 1990-07-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5169801A (en) * | 1989-06-30 | 1992-12-08 | Nec Corporation | Method for fabricating a semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2605686B2 (ja) | 1997-04-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |