JPS62230852A - 室温以上の温度にて硬化しうる有機ポリシロキサン組成物のための錫触媒系 - Google Patents
室温以上の温度にて硬化しうる有機ポリシロキサン組成物のための錫触媒系Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/56—Organo-metallic compounds, i.e. organic compounds containing a metal-to-carbon bond
- C08K5/57—Organo-tin compounds
-
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-
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- C08K5/58—Organo-tin compounds containing sulfur
-
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- Y10S528/901—Room temperature curable silicon-containing polymer
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の属する技術分野]
本発明は、室温以上の温度にてシリコーンエラストマま
で硬化しうるベースと、有機錫化合物の種類から選択さ
れる硬化触媒とを含有する有機ポリシロキサン組成物に
関するものである。
で硬化しうるベースと、有機錫化合物の種類から選択さ
れる硬化触媒とを含有する有機ポリシロキサン組成物に
関するものである。
[従来の技術]
1パック若しくは2パツク(−成分若しくは二成分組成
物としても知られる)のポリ有機シロキサン組成物、特
にRTV組成物(室温にて加硫しうる組成物)を架橋さ
せるための触媒として、多くの錫化合物が既に提案され
ている。
物としても知られる)のポリ有機シロキサン組成物、特
にRTV組成物(室温にて加硫しうる組成物)を架橋さ
せるための触媒として、多くの錫化合物が既に提案され
ている。
最も広く使用されている化合物は、たとえばトリブチル
錫モノオレエートのような錫カルボキシレート、錫2−
エチルヘキサノエート、或いはたとえばジブチル錫ジラ
ウレート及びジブチル錫ジアセテートのようなジアルキ
ル錫ジカルボキシレートである[ノルによる論文、[シ
リコーン類の化学及び工学」、第337頁、アカデミツ
ク、プレス社(1968) 、第2版]。
錫モノオレエートのような錫カルボキシレート、錫2−
エチルヘキサノエート、或いはたとえばジブチル錫ジラ
ウレート及びジブチル錫ジアセテートのようなジアルキ
ル錫ジカルボキシレートである[ノルによる論文、[シ
リコーン類の化学及び工学」、第337頁、アカデミツ
ク、プレス社(1968) 、第2版]。
米国特許第3.186.963号によれば、提案される
錫触媒は錫塩(特にジブチル錫ジラウレート)とエチル
ポリシリケートとの反応生成物である。
錫触媒は錫塩(特にジブチル錫ジラウレート)とエチル
ポリシリケートとの反応生成物である。
米国特許第3.862.919号によれば、提案される
錫触媒はジアルキルジアルコキシシランと錫カルボキシ
レートとの反応生成物である。
錫触媒はジアルキルジアルコキシシランと錫カルボキシ
レートとの反応生成物である。
ベルギー特許第842,305号によれば、提案される
触媒はアルキルシリケート若しくはアルキルトリアルコ
キシシランとジブチル錫ジアセテートとの反応生成物で
ある。
触媒はアルキルシリケート若しくはアルキルトリアルコ
キシシランとジブチル錫ジアセテートとの反応生成物で
ある。
米国特許第3.708.467号公報には、成る種の錫
塩と特定のチタンキレート化合物との混合物よりなる二
成分組成物としての触媒系が記載されている。
塩と特定のチタンキレート化合物との混合物よりなる二
成分組成物としての触媒系が記載されている。
最後に、ヨーロッパ特許出願筒147,323@並びに
米国特許第、II、 517.337号及び米国特許第
4.554,310号各公報には、中性の二成分組成物
(米国特許第4,517,337号及び米国特許第4、
554.310号)或いは一成分及び二成分組成物(ヨ
ーロッパ特許出願筒147.323号)を架橋ざぜるた
めのジ有機錫ビス(β−ジケトネート)の使用が記載さ
れている。
米国特許第、II、 517.337号及び米国特許第
4.554,310号各公報には、中性の二成分組成物
(米国特許第4,517,337号及び米国特許第4、
554.310号)或いは一成分及び二成分組成物(ヨ
ーロッパ特許出願筒147.323号)を架橋ざぜるた
めのジ有機錫ビス(β−ジケトネート)の使用が記載さ
れている。
ヨーロッパ特許出願筒147.323号は一成分及び二
成分組成物の両者につき使用しうる錫触媒の探索におい
て相当の進歩を達成しうるようにしたが、ジ右機錫ビス
(β−シク゛1〜ネート)化合物は特に二成分組成物の
場合若干遅いコア硬化時間を示すことが明らかとなった
。
成分組成物の両者につき使用しうる錫触媒の探索におい
て相当の進歩を達成しうるようにしたが、ジ右機錫ビス
(β−シク゛1〜ネート)化合物は特に二成分組成物の
場合若干遅いコア硬化時間を示すことが明らかとなった
。
一般に、単一成分組成物の場合、遭遇する本質的問題は
組成物の貯蔵安定性及び物理化学的性質(押出性、注型
性、硬化時間など)の保持の問題並びに架橋材料による
これらの同じ性質(機械特性、硬度、伸び率、引裂強ざ
、付着性など)の保持の問題である。
組成物の貯蔵安定性及び物理化学的性質(押出性、注型
性、硬化時間など)の保持の問題並びに架橋材料による
これらの同じ性質(機械特性、硬度、伸び率、引裂強ざ
、付着性など)の保持の問題である。
専門家は、湿潤空気中で表面にて極めて急速に架橋する
が、同時にできるだけ完全なコア硬化を確保すると共に
少使用量にて活性でありかつ錫の存在下で固有の架橋材
料の分解反応を最小化するような触媒を求めている。
が、同時にできるだけ完全なコア硬化を確保すると共に
少使用量にて活性でありかつ錫の存在下で固有の架橋材
料の分解反応を最小化するような触媒を求めている。
得られる架橋材料に関する限り、単一成分組成物の場合
と同様に二成分組成物の場合にも同じ問題が存在し、さ
らに処理時間(すなわち組成物を硬化させることなく混
合後に使用しうる時間)はその使用を可能にするよう充
分長くすべきであるが、製造してから24時間以内に処
理しうる成形物品を製造するよう充分短くぜねばならな
い。
と同様に二成分組成物の場合にも同じ問題が存在し、さ
らに処理時間(すなわち組成物を硬化させることなく混
合後に使用しうる時間)はその使用を可能にするよう充
分長くすべきであるが、製造してから24時間以内に処
理しうる成形物品を製造するよう充分短くぜねばならな
い。
したがって、この触媒は、触媒混合物の利用時間と成形
物品を処理しうる時間との間の満足しうる妥協点を得る
ことができねばならない。さらに、この触媒は、貯蔵時
間に応じて変化しないような展延時間を触媒混合物に付
与せねばならない。
物品を処理しうる時間との間の満足しうる妥協点を得る
ことができねばならない。さらに、この触媒は、貯蔵時
間に応じて変化しないような展延時間を触媒混合物に付
与せねばならない。
ざらに、架橋材料の引張り特性、特に硬さ及び引裂強さ
は貯蔵に対し安定性を保持せねばならない。
は貯蔵に対し安定性を保持せねばならない。
[発明の目的]
本発明の1つの目的は、−成分及び二成分の有機ポリシ
ロキザンエラストマ組成物の工業生産を合理化するため
、−成分及び二成分のエラストマ組成物の両者を架橋す
るのに使用しうる触媒系を提案することである。
ロキザンエラストマ組成物の工業生産を合理化するため
、−成分及び二成分のエラストマ組成物の両者を架橋す
るのに使用しうる触媒系を提案することである。
本発明の他の目的は、両種類のエラストマ組成物の貯蔵
、使用及び架橋につき共通の拘束を同時に解消すると共
に、これらにより提起される特定の問題に解答を与え、
しかもいずれにも有害な二次的作用を持ち込まないよう
な上記種類の触媒系を提案することにおる。
、使用及び架橋につき共通の拘束を同時に解消すると共
に、これらにより提起される特定の問題に解答を与え、
しかもいずれにも有害な二次的作用を持ち込まないよう
な上記種類の触媒系を提案することにおる。
[発明の要点]
これら及びその他の目的は、一方では室温以上の温度に
てシリコーンエラストマまで硬化しうるベースと、他方
では有機錫誘導体の種類に属する硬化触媒とからなる有
はポリシロキサン組成物に関する本発明によって達成さ
れ、前記触媒はジ有機錫ビス(β−ジケトネート)をβ
−ジケトナト基を含有しない原子価IVの錫の有機誘導
体と混合することにより得られる。前記誘導体は少なく
とも1個の錫原子を有し、その各原子はSn−C結合を
介し結合された2個の有機基を有し、残余の2個の原子
価はSn−o若しくはSn−3結合を介して結合させた
有機若しくは無機の基、酸素若しくはハロゲン原子及び
ヒドロキシル基よりなる群から選択される基によって満
たされる。
てシリコーンエラストマまで硬化しうるベースと、他方
では有機錫誘導体の種類に属する硬化触媒とからなる有
はポリシロキサン組成物に関する本発明によって達成さ
れ、前記触媒はジ有機錫ビス(β−ジケトネート)をβ
−ジケトナト基を含有しない原子価IVの錫の有機誘導
体と混合することにより得られる。前記誘導体は少なく
とも1個の錫原子を有し、その各原子はSn−C結合を
介し結合された2個の有機基を有し、残余の2個の原子
価はSn−o若しくはSn−3結合を介して結合させた
有機若しくは無機の基、酸素若しくはハロゲン原子及び
ヒドロキシル基よりなる群から選択される基によって満
たされる。
好適なジ有機錫ビス(β−ジケトネート)は式:に相当
するキレ−1・化合物である。
するキレ−1・化合物である。
上記式中、記号R1及びR2は同−若しくは異なるもの
であってC1−C12有機基を示す。
であってC1−C12有機基を示す。
特に、これらの有機基は次のものを包含する:直鎖若し
くは分枝鎖のC1−C12−アルキル基、たとえばメチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブ
チル、5eC−ブチル、t−ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル、ヘプチル、2−エチルヘキシル、オクチル、デシル
、ドデシル、クロルメチル又は2,5−ジクロルエチル
基、 直鎖若しくは分枝鎖のC2−C8アルケニル基、たとえ
ばビニル、アリル、メタリル、2−ブテニル、2−ペン
テニル、 3−;i1クチニル又は5−フルオロ−2−ペンテニル
基、 直鎖若しくは分枝鎖のC4−Caシクロアルキル基、た
とえばシクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロ
ヘキシル、 シクロオクチル、3,4−ジクロルシクロヘキシル又は
2.6−ジブロモシクロヘプチル基、ハロゲン化された
又はハロゲン化されてない単環式C5−C+oアリール
基、たとえばフェニル、トリル、キシリル、クメニル、
クロルフェニル、ジクロルフェニル、トリクロルフェニ
ル、ジフルオロフェニル若しくはトリフルオロメチルフ
ェニル基、 ハロゲン化された又はハロゲン化されてない単環式C7
−C12アリールアルキル基、たとえばベンジル、フェ
ニルエチル、フェニルプロピル若しくはトリフルオロメ
チルフェニルエチル基、直鎖若しくは分枝鎖のC1−C
5アルコキシ基、たとえばメトキシ、エトキシ、プロポ
キシ、ブトキシ、ペントキシ、クロルメトキシ、ジクロ
ルエトキシ若しくはジクロルペントキシ基、及び C1−Ceアシルオキシ基、たとえばアセトキシ、プロ
パノイルオキシ、ブタノイルオキシ、ペンタノイルオキ
シ若しくはヘキサノイルオキシ基。
くは分枝鎖のC1−C12−アルキル基、たとえばメチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブ
チル、5eC−ブチル、t−ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル、ヘプチル、2−エチルヘキシル、オクチル、デシル
、ドデシル、クロルメチル又は2,5−ジクロルエチル
基、 直鎖若しくは分枝鎖のC2−C8アルケニル基、たとえ
ばビニル、アリル、メタリル、2−ブテニル、2−ペン
テニル、 3−;i1クチニル又は5−フルオロ−2−ペンテニル
基、 直鎖若しくは分枝鎖のC4−Caシクロアルキル基、た
とえばシクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロ
ヘキシル、 シクロオクチル、3,4−ジクロルシクロヘキシル又は
2.6−ジブロモシクロヘプチル基、ハロゲン化された
又はハロゲン化されてない単環式C5−C+oアリール
基、たとえばフェニル、トリル、キシリル、クメニル、
クロルフェニル、ジクロルフェニル、トリクロルフェニ
ル、ジフルオロフェニル若しくはトリフルオロメチルフ
ェニル基、 ハロゲン化された又はハロゲン化されてない単環式C7
−C12アリールアルキル基、たとえばベンジル、フェ
ニルエチル、フェニルプロピル若しくはトリフルオロメ
チルフェニルエチル基、直鎖若しくは分枝鎖のC1−C
5アルコキシ基、たとえばメトキシ、エトキシ、プロポ
キシ、ブトキシ、ペントキシ、クロルメトキシ、ジクロ
ルエトキシ若しくはジクロルペントキシ基、及び C1−Ceアシルオキシ基、たとえばアセトキシ、プロ
パノイルオキシ、ブタノイルオキシ、ペンタノイルオキ
シ若しくはヘキサノイルオキシ基。
記号R3及びR5は同−若しくは異なるものであってR
1及びR2と同じ意味を有し、すなわちC1−C12有
機基であり、ざらにハロゲン原子、C2−04アルキル
部分を有するシアノアルキル基、或いはC1−C5アル
コキシ部分を有するシアノアルコキシ基を示すこともで
きる。
1及びR2と同じ意味を有し、すなわちC1−C12有
機基であり、ざらにハロゲン原子、C2−04アルキル
部分を有するシアノアルキル基、或いはC1−C5アル
コキシ部分を有するシアノアルコキシ基を示すこともで
きる。
シアノアルキル基の例としてはシアンエチル、シアノプ
ロピル及びシアノブチル基を挙げることができ、かつシ
アノアルコキシ基としてはシアノエトキシ及びシアノプ
ロポキシ基を挙げることができる。
ロピル及びシアノブチル基を挙げることができ、かつシ
アノアルコキシ基としてはシアノエトキシ及びシアノプ
ロポキシ基を挙げることができる。
記号R4は水素原子又はハロゲン化され若しくはハロゲ
ン化されてないC1−C8炭化水素基を示す。
ン化されてないC1−C8炭化水素基を示す。
この基は特にハロゲン化された又はハロゲン化されてな
いアルキル基、たとえばメチル、エチル、プロピル、ブ
チル、ヘキシル及びAクヂル基、並びにハロゲン化され
た又はハロゲン化されてない単環式アリール基、たとえ
ばフェニル、トリル、クロルフェニル及びジクロルフェ
ニル基を包含する。
いアルキル基、たとえばメチル、エチル、プロピル、ブ
チル、ヘキシル及びAクヂル基、並びにハロゲン化され
た又はハロゲン化されてない単環式アリール基、たとえ
ばフェニル、トリル、クロルフェニル及びジクロルフェ
ニル基を包含する。
ざらに、R5と結合した場合、R4はクロ゛ル、二1〜
口若しくはシアン基によって置換され又は置換されてな
い環式C5−C12ハロゲン基を示す。
口若しくはシアン基によって置換され又は置換されてな
い環式C5−C12ハロゲン基を示す。
これらの環を例示するため式:
のちのを挙げることができる。
ジ右機錫ビス(β−ジケ1〜ネート)は、化学文献に記
載された有機錫誘導体である。
載された有機錫誘導体である。
これらの各種製造方法は、特に米国特許第3、055.
845号及び米国持着第4,517,337号並びにヨ
ーロッパ特許出願箱147,323号、R,C,メーロ
トラ、R,ポーラ及びり、P、ガウルによるアカデミツ
ク・プレス社から1978年に出版された[金属β−ジ
ケ1〜ネート及び関連誘導体」と言う論文、並びにR,
C,ボラ−による同じくアカデック・プレス社から19
70年に出版された「有機錫化合物の化学」と言う論文
に見られ、これら刊行物を参考のためここに引用する。
845号及び米国持着第4,517,337号並びにヨ
ーロッパ特許出願箱147,323号、R,C,メーロ
トラ、R,ポーラ及びり、P、ガウルによるアカデミツ
ク・プレス社から1978年に出版された[金属β−ジ
ケ1〜ネート及び関連誘導体」と言う論文、並びにR,
C,ボラ−による同じくアカデック・プレス社から19
70年に出版された「有機錫化合物の化学」と言う論文
に見られ、これら刊行物を参考のためここに引用する。
これら誘導体の具体例としては式:
つものが提案される。
β−ジケトナト基を含有せずかつジ有機錫ヒス(β−ジ
ケトネー1・)と組合わせる原子価IVの錫A2SnR
2、R2SnO、AR2SnO8nR2A 。
ケトネー1・)と組合わせる原子価IVの錫A2SnR
2、R2SnO、AR2SnO8nR2A 。
の化合物よりなる群から選択することができる。
記号R6は同−若しくは異なるものであって直鎖若しく
は分枝鎖のC1−C20炭化水素基を示す。
は分枝鎖のC1−C20炭化水素基を示す。
特に、これらの炭化水素基は次のものを包含する:
ハロゲン化された又はハロゲン化されてない直鎖若しく
は分枝鎖のCl−020アルキル基、たとえばメチル、
エチル、プロピル、インプロピル、ブチル、イソブチル
、ペンチル、ヘキシル、2−エチル−ヘキシル、オクチ
ル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、テトラデ
シル、ペンタデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、エ
イコシル、クロルメチル、3,3.3−トリフルオロプ
ロピル及び4,5−ジクロルペンチル基、 C2−Cl[1アルケニル基、たとえばビニル、アリル
、2−ブテニル、4〜オクテニル、ウンデセニル、ペン
タデセニル及び式: %式% 直鎖若しくは分枝鎖のC4−C+oシクロアルキル基、
たとえばシクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシ
ル、メチルシクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、
シクロオクチ、クロルシクロヘキシル及びトリフルオロ
メチルシクロヘキシル基、 直鎖若しくは分枝鎖のC4−C20炭化水素基である)
のモノカルボキシレート基、式R8Oシクロアルケニル
基、たとえばシクロペンテニル、シクロへキセニル、シ
クロオクテニル、2,3−ジフルオロ−1−シクロへキ
セニル、メチル−2−シクロヘキセニル及びブチル−2
−シクロへキセニル基、 ハロゲン化された又はハロゲン化されてない単環式C6
−Cl3アリール基、たとえばフェニル、トリル、キシ
リル、エチルフェニル、プロピルフェニル、2,3−ジ
エチルフェニル、クロルフェニル、ジクロルフェニル、
トリクロルフェニル、ペンタフルオロフェニル、トリフ
ルオロメチルフェニル及び4,5−ジクロルへキシルフ
ェニル基、並びに ハロゲン化された又はハロゲン化されてない単環式C7
−015アリールアルキル基、たとえばベンジル、フェ
ニルエチル、フェニルプロピル、フェニルブチル、トリ
ルエチル、キシリルブチル、2.4.5−トリクロルフ
ェニルエチル及びペンタフルオロフェニルエチル基。
は分枝鎖のCl−020アルキル基、たとえばメチル、
エチル、プロピル、インプロピル、ブチル、イソブチル
、ペンチル、ヘキシル、2−エチル−ヘキシル、オクチ
ル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、テトラデ
シル、ペンタデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、エ
イコシル、クロルメチル、3,3.3−トリフルオロプ
ロピル及び4,5−ジクロルペンチル基、 C2−Cl[1アルケニル基、たとえばビニル、アリル
、2−ブテニル、4〜オクテニル、ウンデセニル、ペン
タデセニル及び式: %式% 直鎖若しくは分枝鎖のC4−C+oシクロアルキル基、
たとえばシクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシ
ル、メチルシクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、
シクロオクチ、クロルシクロヘキシル及びトリフルオロ
メチルシクロヘキシル基、 直鎖若しくは分枝鎖のC4−C20炭化水素基である)
のモノカルボキシレート基、式R8Oシクロアルケニル
基、たとえばシクロペンテニル、シクロへキセニル、シ
クロオクテニル、2,3−ジフルオロ−1−シクロへキ
セニル、メチル−2−シクロヘキセニル及びブチル−2
−シクロへキセニル基、 ハロゲン化された又はハロゲン化されてない単環式C6
−Cl3アリール基、たとえばフェニル、トリル、キシ
リル、エチルフェニル、プロピルフェニル、2,3−ジ
エチルフェニル、クロルフェニル、ジクロルフェニル、
トリクロルフェニル、ペンタフルオロフェニル、トリフ
ルオロメチルフェニル及び4,5−ジクロルへキシルフ
ェニル基、並びに ハロゲン化された又はハロゲン化されてない単環式C7
−015アリールアルキル基、たとえばベンジル、フェ
ニルエチル、フェニルプロピル、フェニルブチル、トリ
ルエチル、キシリルブチル、2.4.5−トリクロルフ
ェニルエチル及びペンタフルオロフェニルエチル基。
記@Aは同−若しくは異なるものであって有機及び(又
は)無機の基、有機珪素基又はジ有機ポリシロキザン連
鎖を示し、どれらは全てsn−。
は)無機の基、有機珪素基又はジ有機ポリシロキザン連
鎖を示し、どれらは全てsn−。
若しくはSn−3結合を介し錫原子の結合され、さらに
ハロゲン原子又はヒドロキシル基を示す。
ハロゲン原子又はヒドロキシル基を示す。
特に、これらの記号は次のものを示す:(1)式R7C
20炭化水素基である)のモノカルボキシレート基、式
R8O (ここで記号R7は直鎖若しくは分枝鎖のC1
−C20炭化水素塁を示し、これは記号R6により示さ
れるものと同一とすることかて′ぎる)のモノカルポキ
シレ−1・基。
20炭化水素基である)のモノカルボキシレート基、式
R8O (ここで記号R7は直鎖若しくは分枝鎖のC1
−C20炭化水素塁を示し、これは記号R6により示さ
れるものと同一とすることかて′ぎる)のモノカルポキ
シレ−1・基。
すなわちこれはハロゲン化された又゛はハロゲン化され
てないC1−C20アルキル基、C2−C15アルケニ
ル基、直鎖若しくは分枝鎖のC4−C20炭化水素基で
ある)のモノカルボキシレート基、式R8Oシクロアル
キル及びシクロアルケニル基、並びにハロゲン化された
又はハロゲン化されてない単環式C6−015アリール
及びアリールアルキル基。
てないC1−C20アルキル基、C2−C15アルケニ
ル基、直鎖若しくは分枝鎖のC4−C20炭化水素基で
ある)のモノカルボキシレート基、式R8Oシクロアル
キル及びシクロアルケニル基、並びにハロゲン化された
又はハロゲン化されてない単環式C6−015アリール
及びアリールアルキル基。
これらの基の例は記@R6によって示された基につき上
記したものと同一である。
記したものと同一である。
(2)2f固のR7C00Iをカップリングさせて形成
される式: のジカルボキシレート基。
される式: のジカルボキシレート基。
同一の錫原子若しくは2個の錫原子に結合されたこれら
のジカルボキシレート基は式:C00 G 1S n R’a 0O R7Co。
のジカルボキシレート基は式:C00 G 1S n R’a 0O R7Co。
SnRり
C00
G1−C20炭化水素基である)のモノカルボキシレー
ト基、式R8O−SnR987 Co。
ト基、式R8O−SnR987 Co。
[式中、記号G1は二価のC1−Cl3炭化水素基を示
す] をもたらす。特に、この二価の基は、 C1−Cl3アルキレン基、たとえばメチレン、エチレ
ン、プロピレン、ブチレン、2−エチルヘキシレン、ノ
ニシン、ドデシシン及びペンタデシシン基、 C2−Coアルケニレシン、たとえば式:%式% 単環式C6−C12アリーレン基、たとえば式:を有す
る基を包含する。
す] をもたらす。特に、この二価の基は、 C1−Cl3アルキレン基、たとえばメチレン、エチレ
ン、プロピレン、ブチレン、2−エチルヘキシレン、ノ
ニシン、ドデシシン及びペンタデシシン基、 C2−Coアルケニレシン、たとえば式:%式% 単環式C6−C12アリーレン基、たとえば式:を有す
る基を包含する。
(3)式:
%式%
[式中、記号R7及びG1は式R7C20炭化水素基で
ある)のモノカルボキシレート基、式R8O及びOO−
G1 における記号R7及びG1のOO− 意味を有づる] のジカルボキシレート基。
ある)のモノカルボキシレート基、式R8O及びOO−
G1 における記号R7及びG1のOO− 意味を有づる] のジカルボキシレート基。
(4)式R80(ここで記号R8はC1−C8炭化水素
基を示す] のアルコキシ基。特にこの基は、 C1−C(3アルキル基、たとえばメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、t−ブチ
ル、5ec−ブチル、ペンチル、2−エチルヘキシル及
びオクチル基、 単環式CB−C20炭化水素基である)のモノカルボキ
シレート基、式R8Oアリール基、たとえばフェニル、
トリル、キシリル及びクメニル基、単環式C7−C+o
アリールアルキル基、たとえばベンジル、2−フェニル
エチル、3−フェニルプロピル及びトリルエチル基を包
含づる。
基を示す] のアルコキシ基。特にこの基は、 C1−C(3アルキル基、たとえばメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、t−ブチ
ル、5ec−ブチル、ペンチル、2−エチルヘキシル及
びオクチル基、 単環式CB−C20炭化水素基である)のモノカルボキ
シレート基、式R8Oアリール基、たとえばフェニル、
トリル、キシリル及びクメニル基、単環式C7−C+o
アリールアルキル基、たとえばベンジル、2−フェニル
エチル、3−フェニルプロピル及びトリルエチル基を包
含づる。
(5)2個のR80基をカップリングさせて形成される
式: [式中、記号G2は二価のC2−C+o炭化水素基を示
す] の有機ジオキシ基。
式: [式中、記号G2は二価のC2−C+o炭化水素基を示
す] の有機ジオキシ基。
特にこの基は、
C2−C+oアルキレン基、たとえばエチレン、プロピ
レン、ブチレン、2−エチルヘキシレン、デシシン基、
並びに式: %式%) C3−C20炭化水素基である)のモノカルボキシレー
ト基、式R8Oシクロアルキレンシンたとえば式二の塁
を包含する。
レン、ブチレン、2−エチルヘキシレン、デシシン基、
並びに式: %式%) C3−C20炭化水素基である)のモノカルボキシレー
ト基、式R8Oシクロアルキレンシンたとえば式二の塁
を包含する。
(6)式:
%式%
[式中、記号R9はCl−05アルキレン基、たとえば
メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン及びペンチ
シン基又は式ニ ーCH(CI−13>−CH2−若しくは−CH2−C
H(CH3)−CH2− の基を示し、 記号R10はC2−C4アルキレン基、たとえばエチレ
ン、プロピレン若しくはブチレン基又は式: %式%) 記号R11はC1−C4アルキル基、たとえばメチル、
エチル、プロピル若しくはブチル基又は02 C5ア
シル基、たとえばアセチル、プロピオニル、ブタノイル
若しくはペンタノイル塁を示し、かつ 記号CはO又は1〜55の整数を示す]のポリエーテル
基。
メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン及びペンチ
シン基又は式ニ ーCH(CI−13>−CH2−若しくは−CH2−C
H(CH3)−CH2− の基を示し、 記号R10はC2−C4アルキレン基、たとえばエチレ
ン、プロピレン若しくはブチレン基又は式: %式%) 記号R11はC1−C4アルキル基、たとえばメチル、
エチル、プロピル若しくはブチル基又は02 C5ア
シル基、たとえばアセチル、プロピオニル、ブタノイル
若しくはペンタノイル塁を示し、かつ 記号CはO又は1〜55の整数を示す]のポリエーテル
基。
(7)式:
[式中、記号R12及びR13は同−若しくは異なるも
のであってC1−C+o炭化水素基を示し、特にこれら
の炭化水素基は、 C1−Coアルキル基、たとえばメチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、2−エチルヘキシル及び
オクチル基、 単環式C6−C20炭化水素基である)のモノカルボキ
シレート基、式R8Oアリール基、たとえばフェニル、
トリル、キシリル及びクメニル基、単環式C7−Cto
アリールアルキル基、たとえばベンジル、フェニルエチ
ル及びフェニルプロピル基を包含する] のケチミノキシ基。
のであってC1−C+o炭化水素基を示し、特にこれら
の炭化水素基は、 C1−Coアルキル基、たとえばメチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、2−エチルヘキシル及び
オクチル基、 単環式C6−C20炭化水素基である)のモノカルボキ
シレート基、式R8Oアリール基、たとえばフェニル、
トリル、キシリル及びクメニル基、単環式C7−Cto
アリールアルキル基、たとえばベンジル、フェニルエチ
ル及びフェニルプロピル基を包含する] のケチミノキシ基。
(8)式R14S(ここで記@R14はC1−C+o炭
化水素基を示す)のアルキルチオ基。特にこの基は、 C1−C+oアルキル基、たとえばメチル、エチル、プ
ロピル、ブチル、2〜エチルヘキシル、オクチル及びデ
シル基、 単環式C6−C+oアリール基礎、たとえばフェニル、
トリル、キシリル、クメニル及びメシチル基を包含する
。
化水素基を示す)のアルキルチオ基。特にこの基は、 C1−C+oアルキル基、たとえばメチル、エチル、プ
ロピル、ブチル、2〜エチルヘキシル、オクチル及びデ
シル基、 単環式C6−C+oアリール基礎、たとえばフェニル、
トリル、キシリル、クメニル及びメシチル基を包含する
。
(9)式:
[式中、記号G2は式
〇−
における記号G2の意味を有し、すなわちC2−C20
炭化水素基である)のモノカルボキシレート基、式R8
Oアルキレン基及びC5−C+oシクロアルキレン基を
包含する二価のC2−C1o炭化水素基を示す]の有機
ジチオ基。
炭化水素基である)のモノカルボキシレート基、式R8
Oアルキレン基及びC5−C+oシクロアルキレン基を
包含する二価のC2−C1o炭化水素基を示す]の有機
ジチオ基。
(10)式:
%式%
(ここで記@R15はC1−C+oアルキル基、たとえ
ばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキ
シル、オクチル、イソオクチル若しくはデシル基を示す
)のチオグリコレート基。
ばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキ
シル、オクチル、イソオクチル若しくはデシル基を示す
)のチオグリコレート基。
(11)ヒドロキシル基。
(12)ハロゲン原子、たとえば弗素、塩素若しくは臭
素原子。
素原子。
(13)硝酸、硫酸及び炭酸根。
(14)有機珪素基R73S i 00.5又は短いR
73S i O−(R72S i O−)。−ジ有機ポ
リシロキサン連鎖 [ここでR7は式R7C20炭化水素基である)のモノ
カルボキシレート基、式R8O−につき示した意味を有
し、かつR7は好ましくはメチル基である]。
73S i O−(R72S i O−)。−ジ有機ポ
リシロキサン連鎖 [ここでR7は式R7C20炭化水素基である)のモノ
カルボキシレート基、式R8O−につき示した意味を有
し、かつR7は好ましくはメチル基である]。
同−若しくは異なるものである記号QはC2−C+oア
ルキレン基、たとえばエチレン、プロピレン、ブチレン
、ペンチシン、ヘキシレン、2−エチルヘキシレン、オ
クチシン若しくはデシシン基を示す。
ルキレン基、たとえばエチレン、プロピレン、ブチレン
、ペンチシン、ヘキシレン、2−エチルヘキシレン、オ
クチシン若しくはデシシン基を示す。
本発明の好適具体例によれば、β−ジケトナト基を含有
しない原子価IVの錫の有機誘導体は式二A25rlR
62及びR62SnO を有するものから選択される。
しない原子価IVの錫の有機誘導体は式二A25rlR
62及びR62SnO を有するものから選択される。
好適基R6はアルキル基、特に好ましくはブチル、2−
エチル−キシル及びn−オクチル基である。
エチル−キシル及びn−オクチル基である。
好適基Aは上記の基(1)、(4)、(7)及び(14
)、特に基(1)である。
)、特に基(1)である。
β−ジケ1〜す1・基を含有しない好適な有機錫誘導体
はシーn−ブチル錫ジラウレーi〜、ジーn −オクヂ
ル錫ジラウレ−1・、ジーn−ブチル錫ジアセテ−1・
、ジーn−オクチル錫ジアセテ−1〜、ジ−n−ブチル
錫クジ−−エヂルヘキサノエート、ジーn−オクチル錫
ジー2−エヂルヘキサノエート、ジーn−ブチル錫ジベ
ルサテート及びジ−n−オクチル錫ジベルサテートであ
る。
はシーn−ブチル錫ジラウレーi〜、ジーn −オクヂ
ル錫ジラウレ−1・、ジーn−ブチル錫ジアセテ−1・
、ジーn−オクチル錫ジアセテ−1〜、ジ−n−ブチル
錫クジ−−エヂルヘキサノエート、ジーn−オクチル錫
ジー2−エヂルヘキサノエート、ジーn−ブチル錫ジベ
ルサテート及びジ−n−オクチル錫ジベルサテートであ
る。
式:
%式%
の化合物の具体例としては、次式に相当する化合物を挙
げることができる: A=カルボキシレート基: (CHa COO)2 S n (CHa )2、(C
Hs COO)2 S n (n −C4”o )2、
(CH3COO)2Sn(n−CaHtt)2、CCH
s (CHt )a C20炭化水素基である)のモノ
カルボキシレート基、式R8O ) t S n (C
Hs )2、(CHs (cH,)3CH(C2)Ll
) C20炭化水素基である)のモノカルボキシレー
ト基、式R8O ) 28 n (CHs )2、(”
Hs Co0)2 S ’ (CH2C6H5)2、C
CHs (CH2)s CH(CtHs )C20炭化
水素基である)のモノカルボキシレート基、式R8O
)2 S n (n −C4Hll )!、CCH5(
CHt )+ 4 COO)2 S n (n −C4
)(9)2、(CH3(CH2)3CH(C2H,)C
OO)2 Sn (n −C8H1? )2、(CH5
(CR2)7 CH=CH(CH2)? C00)2
S n (n −C4”o )2、(CHs (CHt
) l 2 COO) 2 S n (02)(s
) 2、(CH,(CH2)、oCOO)2Sn(n−
Cd(9)z、(CHs (CH2) I OC00)
2 S n (n −Cs HI ? ) t、英国
特許第1,289,900号公報に記載されたジアルキ
ル錫ベルサテート。
げることができる: A=カルボキシレート基: (CHa COO)2 S n (CHa )2、(C
Hs COO)2 S n (n −C4”o )2、
(CH3COO)2Sn(n−CaHtt)2、CCH
s (CHt )a C20炭化水素基である)のモノ
カルボキシレート基、式R8O ) t S n (C
Hs )2、(CHs (cH,)3CH(C2)Ll
) C20炭化水素基である)のモノカルボキシレー
ト基、式R8O ) 28 n (CHs )2、(”
Hs Co0)2 S ’ (CH2C6H5)2、C
CHs (CH2)s CH(CtHs )C20炭化
水素基である)のモノカルボキシレート基、式R8O
)2 S n (n −C4Hll )!、CCH5(
CHt )+ 4 COO)2 S n (n −C4
)(9)2、(CH3(CH2)3CH(C2H,)C
OO)2 Sn (n −C8H1? )2、(CH5
(CR2)7 CH=CH(CH2)? C00)2
S n (n −C4”o )2、(CHs (CHt
) l 2 COO) 2 S n (02)(s
) 2、(CH,(CH2)、oCOO)2Sn(n−
Cd(9)z、(CHs (CH2) I OC00)
2 S n (n −Cs HI ? ) t、英国
特許第1,289,900号公報に記載されたジアルキ
ル錫ベルサテート。
CH−C20炭化水素基である)のモノカルボキシレー
ト基、式R8O−8n (n −C4H1l )2c、
、 H,、Co。
ト基、式R8O−8n (n −C4H1l )2c、
、 H,、Co。
(C,H,,0CO−CH=CH−C20炭化水素基で
ある)のモノカルボキシレート基、式R8O)、SnA
=アルコキシ基:(CH8O)、 Sn < n −C
,H,)t 。
ある)のモノカルボキシレート基、式R8O)、SnA
=アルコキシ基:(CH8O)、 Sn < n −C
,H,)t 。
(C4klo O) t S n (n −C4H9)
t(Ct $ O) 2 S n (n−”4 ”o
) t(n −C4残)2 ((CHs )2 CHO)2 S n (Cab )
((CH80)2Sn(C,Hs)(CHs)(CH
,(CH,)、CH(C,H,)CH,1n−C,H,
) )〕2S A=ポリエーテル基: (CH,)2S n (0CH2CH20CH,)2(
C2H5)2 S n C0CH2−CH(CH3)O
CH3)。
t(Ct $ O) 2 S n (n−”4 ”o
) t(n −C4残)2 ((CHs )2 CHO)2 S n (Cab )
((CH80)2Sn(C,Hs)(CHs)(CH
,(CH,)、CH(C,H,)CH,1n−C,H,
) )〕2S A=ポリエーテル基: (CH,)2S n (0CH2CH20CH,)2(
C2H5)2 S n C0CH2−CH(CH3)O
CH3)。
(C4HQ )zsn [:0(CH2)3 (OCH
2CH2)aOc、H,) (QC,、H,)(C,H
1? )2 S n [:0 (CH2)、 (OCH
2CH2CH(CH,))30COCH8)(OCOC
H,)△−ケチミノキシ基: (Ca HI 7 ) 2 S n(oN==c −(
CHs ) C2J ) 2(n −C4Ho)2 S
n CON=C(CHs )2 )2(CH5)2S
n [0N=C(CH5) (C6Ha ))2(n
−C4H,)2Sn coN=c(cH8)2 ) (
QC,H,)A=フルキルチオ基: (CHs )t S n (S CHs )2(CHs
) 2 S n (S C4HQ )2(Ca Hs
) 2 S n (S Ca )(5)2八−有機ジ
チオ基: (CaH+70COCH2−8)、Sn (C4H9)
2A=じドロキシル基: (”s H?)2 S n (OH) N0xA=ハロ
ゲン原子: (C2H,)、SnF。
2CH2)aOc、H,) (QC,、H,)(C,H
1? )2 S n [:0 (CH2)、 (OCH
2CH2CH(CH,))30COCH8)(OCOC
H,)△−ケチミノキシ基: (Ca HI 7 ) 2 S n(oN==c −(
CHs ) C2J ) 2(n −C4Ho)2 S
n CON=C(CHs )2 )2(CH5)2S
n [0N=C(CH5) (C6Ha ))2(n
−C4H,)2Sn coN=c(cH8)2 ) (
QC,H,)A=フルキルチオ基: (CHs )t S n (S CHs )2(CHs
) 2 S n (S C4HQ )2(Ca Hs
) 2 S n (S Ca )(5)2八−有機ジ
チオ基: (CaH+70COCH2−8)、Sn (C4H9)
2A=じドロキシル基: (”s H?)2 S n (OH) N0xA=ハロ
ゲン原子: (C2H,)、SnF。
(tertio−C4搗)2SnC12(1so−C,
H,)28nBr2 (CH2=CH)2S n Cl 。
H,)28nBr2 (CH2=CH)2S n Cl 。
(CH8CC+=CH−CH2)2SnC+。
(C4H9) (C6H5) S n Cl 2CsH
s (CH,=CH)SnC12A=硝酸、1及匣^ (CH3) 2 S n (NOs ) 2(CHl)
2 S n S 04 (C,He )tsn (CO3)2 式: %式% 式 (Ct k )2 S n Ol(CHa )2 S
n 01(((C4H,)2SnO−C,H,0(C4
HQ )28cl (C,H,)2Sn −0−8n
(C4HQ )2’コ。H5)、SnO1 n −0−S n (C4Ha ) t ’(Q Ca
Hs )コ! のものを挙げることができる。 ・ これら有機錫誘導体の製造は公知であり、特にR,C,
ボラ−によるアカデミツク・プレス社から1970年に
出版された「有機錫化合物の化学」と言う上記の論文、
アルバートに、ソーヤ−による編集のマーセル、デツカ
−社から1972年に出版された「有機錫化合物」と言
う3巻の文献、並びにA、セイフエルス及びR,B、キ
ングによるエルセビール・サイエンティフィック・パブ
リッシング・カンパニー社から出版された「有機金属化
学レビュー、アニュアル・サーベー:珪素−ゲルマ二1
クムー錫−鉛」と題する総合的文献に見られる。
s (CH,=CH)SnC12A=硝酸、1及匣^ (CH3) 2 S n (NOs ) 2(CHl)
2 S n S 04 (C,He )tsn (CO3)2 式: %式% 式 (Ct k )2 S n Ol(CHa )2 S
n 01(((C4H,)2SnO−C,H,0(C4
HQ )28cl (C,H,)2Sn −0−8n
(C4HQ )2’コ。H5)、SnO1 n −0−S n (C4Ha ) t ’(Q Ca
Hs )コ! のものを挙げることができる。 ・ これら有機錫誘導体の製造は公知であり、特にR,C,
ボラ−によるアカデミツク・プレス社から1970年に
出版された「有機錫化合物の化学」と言う上記の論文、
アルバートに、ソーヤ−による編集のマーセル、デツカ
−社から1972年に出版された「有機錫化合物」と言
う3巻の文献、並びにA、セイフエルス及びR,B、キ
ングによるエルセビール・サイエンティフィック・パブ
リッシング・カンパニー社から出版された「有機金属化
学レビュー、アニュアル・サーベー:珪素−ゲルマ二1
クムー錫−鉛」と題する総合的文献に見られる。
ジ有機錫ビス(β−ジケトネート)(以下、キレ−1〜
誘導体と呼ぶ)とβ−ジケトナ1〜基を含有しない有機
錫誘導体く以下、非キレート化誘導体と呼ぶ)との混合
物の製造は、単にこれら化合物の一方を他方に混入する
ことにより室温で行なうことができる。これは好ましく
は水分の不存在下で行なわれる。全体を数分間撹拌して
液体物質を均質化させる。この方法は、錫誘導体の両者
が液体である場合に用いられる。
誘導体と呼ぶ)とβ−ジケトナ1〜基を含有しない有機
錫誘導体く以下、非キレート化誘導体と呼ぶ)との混合
物の製造は、単にこれら化合物の一方を他方に混入する
ことにより室温で行なうことができる。これは好ましく
は水分の不存在下で行なわれる。全体を数分間撹拌して
液体物質を均質化させる。この方法は、錫誘導体の両者
が液体である場合に用いられる。
一方が固体でありかつ他方が液体である2種の誘導体を
用いる場合には、約40〜80℃まで僅かに加熱して固
体誘導体を溶解させる必要がある。
用いる場合には、約40〜80℃まで僅かに加熱して固
体誘導体を溶解させる必要がある。
2種の固体誘導体を使用する場合は、少なくとも2種の
錫誘導体の一方の溶融温度まで加熱する必要がある。
錫誘導体の一方の溶融温度まで加熱する必要がある。
混合物の1部を構成する量は、両錫誘導体の組合せ物に
対する重量%とじて0.1〜99.9%、好ましくは1
〜99%のキレート化誘導体と99.9〜0.1%、好
ましくは99〜1%、ざらに好ましくは90〜10%の
非キレート化誘導体とである。
対する重量%とじて0.1〜99.9%、好ましくは1
〜99%のキレート化誘導体と99.9〜0.1%、好
ましくは99〜1%、ざらに好ましくは90〜10%の
非キレート化誘導体とである。
得られる触媒混合物は、密閉容器内で室温にて貯蔵する
場合安定である。これを用いて有機ポリシロキ1ノ゛ン
ベースを室温以上の温度にてシリコーンエラストマまで
硬化させることができ又は促進することができる。
場合安定である。これを用いて有機ポリシロキ1ノ゛ン
ベースを室温以上の温度にてシリコーンエラストマまで
硬化させることができ又は促進することができる。
これらのベースは周知されており、かつしばしばカルボ
ン酸の金属誘導体により触媒した後にシール、1發水性
被覆、成形品、被覆生成物を製造するため或いは極めて
広範な種類の材料を接着しかつ組立てるため或いは有機
及び無機繊維を被覆するためなどに使用される。
ン酸の金属誘導体により触媒した後にシール、1發水性
被覆、成形品、被覆生成物を製造するため或いは極めて
広範な種類の材料を接着しかつ組立てるため或いは有機
及び無機繊維を被覆するためなどに使用される。
これらのベースは単一成分型とすることができ、すなわ
ち水分の不存在下で貯蔵安定性でありかつ水分の存在下
、特に周囲の空気により或いは使用する際のベース内で
発生する水により供給される水分の存在下で硬化するこ
とができる。
ち水分の不存在下で貯蔵安定性でありかつ水分の存在下
、特に周囲の空気により或いは使用する際のベース内で
発生する水により供給される水分の存在下で硬化するこ
とができる。
この種のベースは次のものを混合して作成することがで
きる: AI 、 25°Cにて700〜1 、000.000
mPaの粘度を有し、式T2SiO(ここで記@下は同
−若しくは異なるしので必って、1〜10個の炭素原子
を有し、ハロゲン原子若しくはシアン基により置換され
若しくは置換されてない炭化水素基を示す)のジ有機シ
ロキシ反復単位の配列よりなるα、ω−ジヒドロキシジ
有機ポリシロキサン重合体100部:31、珪素原子に
結合された1分子当り2個より多い加水分解しうる基を
有する有機珪素化合物から選択される架橋剤0.5〜2
0部;C1,無機充填剤0〜250部:及び [)1.付着促進剤0〜20部。 ゛25℃ニア
、 700〜1,000.OOOmPa(7)粘度、好
マシクは25℃にて1 、000〜700.000mP
aの粘度を有するα。
きる: AI 、 25°Cにて700〜1 、000.000
mPaの粘度を有し、式T2SiO(ここで記@下は同
−若しくは異なるしので必って、1〜10個の炭素原子
を有し、ハロゲン原子若しくはシアン基により置換され
若しくは置換されてない炭化水素基を示す)のジ有機シ
ロキシ反復単位の配列よりなるα、ω−ジヒドロキシジ
有機ポリシロキサン重合体100部:31、珪素原子に
結合された1分子当り2個より多い加水分解しうる基を
有する有機珪素化合物から選択される架橋剤0.5〜2
0部;C1,無機充填剤0〜250部:及び [)1.付着促進剤0〜20部。 ゛25℃ニア
、 700〜1,000.OOOmPa(7)粘度、好
マシクは25℃にて1 、000〜700.000mP
aの粘度を有するα。
ω−ジヒドロキシジ有機ポリシロキサン重合体は、主と
して上記式T2SiOのジ有機シロキシ反復単位よりな
りかつ連鎖の各末端がヒドロキシル基で保護された線状
重合体である。しかしながら、式−「3iQ1.5のモ
ノ有機シロキシ反復単位及び(又は)式SiO2のシロ
キシ反復単位の存在も、ジ有機シロキシ反復単位の個数
に対し2%を越えない比率で含んでもよい。
して上記式T2SiOのジ有機シロキシ反復単位よりな
りかつ連鎖の各末端がヒドロキシル基で保護された線状
重合体である。しかしながら、式−「3iQ1.5のモ
ノ有機シロキシ反復単位及び(又は)式SiO2のシロ
キシ反復単位の存在も、ジ有機シロキシ反復単位の個数
に対し2%を越えない比率で含んでもよい。
1〜10個の炭素原子を有し、ハロゲン原子若しくはシ
アノ基で置換され若しくは置換されてない記号Tで示さ
れる炭化水素基は次のものを包含する: 1〜10個の炭素原子を有するアルキル及びハロアルキ
ル基、たとえばメチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、2−エチルヘキシル
、オクチル、デシル、3,3゜3−トリフルオロプロピ
ル、4,4.4−トリフルオロブチル及び3,3,4,
4.4−ペンタフルオロブチル基、 1〜10個の炭素原子を有するシクロアルキル及びハロ
シクロアルキル基、たとえばシクロペンチル、シクロヘ
キシル、メチルシクロヘキシル、プロピルシクロヘキシ
ル、2,3−ジフルオロシクロブチル及び3,4−ジフ
ルオロ−5−メチルシクロヘプチル基、 2〜4個の原子を有するアルケニル基、たとえばビニル
、アリル及び2−ブテニル基、6〜10個の炭素原子を
有する単環式アリール及びハロアリール基、たとえばフ
ェニル、i〜リル、キシリル、タロルフェニル、ジクロ
ルフェニル及びトリクロルフェニル基、並びに アルキル結合が2〜3個の炭素原子を有するシアノアル
キル基、たとえばβ−シアノエチル及びγ−シアノプロ
ピル基。メチル、フェニル、ビニル及び3,3.3−1
−リフルオロプロピル基が好適な基である。
アノ基で置換され若しくは置換されてない記号Tで示さ
れる炭化水素基は次のものを包含する: 1〜10個の炭素原子を有するアルキル及びハロアルキ
ル基、たとえばメチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、2−エチルヘキシル
、オクチル、デシル、3,3゜3−トリフルオロプロピ
ル、4,4.4−トリフルオロブチル及び3,3,4,
4.4−ペンタフルオロブチル基、 1〜10個の炭素原子を有するシクロアルキル及びハロ
シクロアルキル基、たとえばシクロペンチル、シクロヘ
キシル、メチルシクロヘキシル、プロピルシクロヘキシ
ル、2,3−ジフルオロシクロブチル及び3,4−ジフ
ルオロ−5−メチルシクロヘプチル基、 2〜4個の原子を有するアルケニル基、たとえばビニル
、アリル及び2−ブテニル基、6〜10個の炭素原子を
有する単環式アリール及びハロアリール基、たとえばフ
ェニル、i〜リル、キシリル、タロルフェニル、ジクロ
ルフェニル及びトリクロルフェニル基、並びに アルキル結合が2〜3個の炭素原子を有するシアノアル
キル基、たとえばβ−シアノエチル及びγ−シアノプロ
ピル基。メチル、フェニル、ビニル及び3,3.3−1
−リフルオロプロピル基が好適な基である。
式T2SiQによって示される反復単位の具体例として
式: %式% のちのを挙げることができる。
式: %式% のちのを挙げることができる。
使用される小合体(A1)は、互いに分子量が異なりか
つ又は珪素原子に結合された基の性質が異なるα、ω−
ジじドロキシジ有機ポリシロキサン重合体よりなる混合
物としうることを了解すべぎである。
つ又は珪素原子に結合された基の性質が異なるα、ω−
ジじドロキシジ有機ポリシロキサン重合体よりなる混合
物としうることを了解すべぎである。
これらα、ω−ジヒドロキシジ有機ポリシロキサン重合
体(A1)は市販されている。さらに、これらは現在周
知の方法を用いて容易に製造することもできる。
体(A1)は市販されている。さらに、これらは現在周
知の方法を用いて容易に製造することもできる。
架橋剤(B1)は、α、ω−ジヒドロキシジ有機ポリシ
ロキサン重合体(A1)の100部当り0.5〜20部
、好ましくは1〜18部の割合で使用される。これらは
、珪素原子に結合された1分子当り2個より多い加水分
解しうる基を有する有機珪素化合物である。
ロキサン重合体(A1)の100部当り0.5〜20部
、好ましくは1〜18部の割合で使用される。これらは
、珪素原子に結合された1分子当り2個より多い加水分
解しうる基を有する有機珪素化合物である。
適する加水分解しうる基の例としてはN−置換アミノ、
N−置換アミド、N、N−ジ置換アミノキシ、ケチミノ
キシ、アルジミノキシ、アルコキシ、アルコキシアルキ
レンオキシ、エノキシ及びアシルオキシ基を挙げること
がでる。
N−置換アミド、N、N−ジ置換アミノキシ、ケチミノ
キシ、アルジミノキシ、アルコキシ、アルコキシアルキ
レンオキシ、エノキシ及びアシルオキシ基を挙げること
がでる。
好ましくは、架橋剤は一般式:
%式%
に相当し、上記式中
記号Yはハロゲン原子若しくはシアン基により置換され
た又は置換されてないC1−C+o炭化水素基を示し、 記号Zは同−若しくは異なるものであって式:[式中、
記号Z1は同−若しくは異なるものであってC1−01
5炭化水素基を示し、記@Z2は同−若しくは異なるも
のであってC1−C8炭化水素基を示し、かつ記@E1
はC4−C8アルキシン基を示す] のちのから選択される加水分解しうる基を示し、記号W
は同−若しくは異なるものであって式Z30及びZ30
E20 (ここで記@Z3はC1−C4アルキル基を示
しかつ記号E2はC2−C4アルキレン基を示す)のア
ルコキシ基を示し、記号fはO若しくは1を示し、 記号qは0.1又は2を示す。
た又は置換されてないC1−C+o炭化水素基を示し、 記号Zは同−若しくは異なるものであって式:[式中、
記号Z1は同−若しくは異なるものであってC1−01
5炭化水素基を示し、記@Z2は同−若しくは異なるも
のであってC1−C8炭化水素基を示し、かつ記@E1
はC4−C8アルキシン基を示す] のちのから選択される加水分解しうる基を示し、記号W
は同−若しくは異なるものであって式Z30及びZ30
E20 (ここで記@Z3はC1−C4アルキル基を示
しかつ記号E2はC2−C4アルキレン基を示す)のア
ルコキシ基を示し、記号fはO若しくは1を示し、 記号qは0.1又は2を示す。
記号Yは式T2SiQの前記反復単位における記号Tと
同じ意味を有することができ、すなわち王につき示した
例はYについても適用することができる。
同じ意味を有することができ、すなわち王につき示した
例はYについても適用することができる。
記号Z1は次のものを包含するCI −C15炭化水素
基を示す: C1−Cl3アルキル基、たとえばメチル、エチル、プ
ロピル、2−エチルヘキシル、オクチル、デシル、ドデ
シル若しくはペンタデシル基、C3−Ctoシクロアル
キル基、たとえばシクロペンチル、シクロヘキシル、メ
チルシクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、プロピ
ルシクロヘキシル及びシクロヘプチル基、 単環式C6−C+oアリール基、たどえばフェニル、1
〜リル若しくはキシニル基、及びC2−Cl3アルケニ
ル基、たとえばオクテニル、ウンデセニル若しくはテト
ラデセニル基。
基を示す: C1−Cl3アルキル基、たとえばメチル、エチル、プ
ロピル、2−エチルヘキシル、オクチル、デシル、ドデ
シル若しくはペンタデシル基、C3−Ctoシクロアル
キル基、たとえばシクロペンチル、シクロヘキシル、メ
チルシクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、プロピ
ルシクロヘキシル及びシクロヘプチル基、 単環式C6−C+oアリール基、たどえばフェニル、1
〜リル若しくはキシニル基、及びC2−Cl3アルケニ
ル基、たとえばオクテニル、ウンデセニル若しくはテト
ラデセニル基。
記@Z2は特に次のものを包含するC1−C。
炭化水素基を示す:
C1−C8アルキル基、たとえばメチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、2−エチル
ヘキシル若しくはオクチル基、C3−CBシクロアルキ
ル基、たとえばシクロペンチル、シクロヘキシル若しく
はメチルシクロヘキシル基、及び 単環式Ce−Ceアリール基、たとえばフェニル、トリ
ル若しくはキシリル基。
ピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、2−エチル
ヘキシル若しくはオクチル基、C3−CBシクロアルキ
ル基、たとえばシクロペンチル、シクロヘキシル若しく
はメチルシクロヘキシル基、及び 単環式Ce−Ceアリール基、たとえばフェニル、トリ
ル若しくはキシリル基。
記号Z3はC1−04アルキル基、たとえばメチル、エ
チル、プロピル若しくはブチル基を示す。
チル、プロピル若しくはブチル基を示す。
記号E1は式:(CH2)4、(CH2)5、(CI−
12)e、(CH2)7、−CH2−CH(C2H5)
(CH2>3−及び−CH2−CH2、−CH(CH3
)CH2CH2−に相当しうるC4−Csアルキレン基
を示す。
12)e、(CH2)7、−CH2−CH(C2H5)
(CH2>3−及び−CH2−CH2、−CH(CH3
)CH2CH2−に相当しうるC4−Csアルキレン基
を示す。
記号E2は式: (CH2>2、−CH(CI−13>
−CH2−CH(C)−13)CH2CH2−及び−C
I−1(CI−13> −CH(CH3)−に相当しう
るC2−C4アルキレン基を示す。
−CH2−CH(C)−13)CH2CH2−及び−C
I−1(CI−13> −CH(CH3)−に相当しう
るC2−C4アルキレン基を示す。
式YfSiWgZ4−f−0の架橋剤B1は市販の単一
成分有機ポリシロキサン組成物を製造する際に使用され
、かつ化学文献における多くの論文に記載されている。
成分有機ポリシロキサン組成物を製造する際に使用され
、かつ化学文献における多くの論文に記載されている。
例として下記のものが挙げられる:
(1)CI=Oの場合の前記式にしたがう式Y「5iZ
4−fに相当するシラン類、及び(2)次のものを記載
している特許: Z=21−COO−: CH35i(OCOCH3)、 、C,H,5i(O
COCHs)s 、CH,= CH8i (OCOC
H3)5、C6H,S i (OCOCH3)s、CH
3S i (OCOCH(C2H5) (CH2)s
−CH5)a 、CFs CH2CH2S i (0
COC6H5)s 、CH3S i (OCOC6Hs
)3 、CHs S i (OCOCHs )20
COCH(C2H5) (CH2)、CHa、CH1C
OO8i(OCOCH(C2H,+)(CH2)、CH
3)3フランス特許第1.198.749号、第1、2
20.348号、第2.464.288号。
4−fに相当するシラン類、及び(2)次のものを記載
している特許: Z=21−COO−: CH35i(OCOCH3)、 、C,H,5i(O
COCHs)s 、CH,= CH8i (OCOC
H3)5、C6H,S i (OCOCH3)s、CH
3S i (OCOCH(C2H5) (CH2)s
−CH5)a 、CFs CH2CH2S i (0
COC6H5)s 、CH3S i (OCOC6Hs
)3 、CHs S i (OCOCHs )20
COCH(C2H5) (CH2)、CHa、CH1C
OO8i(OCOCH(C2H,+)(CH2)、CH
3)3フランス特許第1.198.749号、第1、2
20.348号、第2.464.288号。
CH3S i C0N=C(CH3)2 )s、CHs
S i (0N=C(CH3)C2H5’Js、CH
2= CH8i (ON= C(CHs )C2H5)
3、Ca Hs S i (0N=C(CH3)2 ”
)s 、CH35i(ON=C(C2Hs ) (CH
2)s CH3)3、CH,S i(0N=C(CH3
)CH2CH(C2H5) (CH2)3CHa 〕2
、(CHs )2 C=NO8i (ON=C(CH3
)C2H5)3 、フランス特許第1.314.64
9号、第1.371.250号、第2.074.144
号。
S i (0N=C(CH3)C2H5’Js、CH
2= CH8i (ON= C(CHs )C2H5)
3、Ca Hs S i (0N=C(CH3)2 ”
)s 、CH35i(ON=C(C2Hs ) (CH
2)s CH3)3、CH,S i(0N=C(CH3
)CH2CH(C2H5) (CH2)3CHa 〕2
、(CHs )2 C=NO8i (ON=C(CH3
)C2H5)3 、フランス特許第1.314.64
9号、第1.371.250号、第2.074.144
号。
CH3S i (N(CH8)COCHl)sCI(s
S I(N(C6H5) COCH3)3CF3CH
2CHzS i (N(C6Hs )COCHs )s
CH2= CH−S I CN (CHs ) COC
a Hs )sフランス特許第i、 423.477号
、第2、201.326号。
S I(N(C6H5) COCH3)3CF3CH
2CHzS i (N(C6Hs )COCHs )s
CH2= CH−S I CN (CHs ) COC
a Hs )sフランス特許第i、 423.477号
、第2、201.326号。
Z=ZINH
CH3Si−(NHn−C4H0)3
C6H5Si(NHiso、 C4Hg)3CH2=C
H8i (NHi s o、C4HQ )3フランス特
許第1.248.826号、第1、510.778号、
第2.201.327号。
H8i (NHi s o、C4HQ )3フランス特
許第1.248.826号、第1、510.778号、
第2.201.327号。
Z 、=ZI NH及び (Z2 )2C=NO−CH
2”CHS i (NHn −C4HGl )2 (O
N= (C2H5) CH3)例として挙げれば次の通
りである: (1) gが1若しくは2を示す式Y (
S iWgZ4イ、に相当するウラン類: z=z’co。
2”CHS i (NHn −C4HGl )2 (O
N= (C2H5) CH3)例として挙げれば次の通
りである: (1) gが1若しくは2を示す式Y (
S iWgZ4イ、に相当するウラン類: z=z’co。
W= Z3 Q及びZ30E20−
CHs S i (OCH3) (ococn、 )2
CH2=CH8i (OCH2CH20CH3)(QC
OCHs)2(CHs)3CO8i (OCOCH3)
3W=z30及びZ30E20− CHsS i (QC2Hs )(ON=C(CHs)
t )2CH3Si (OCH2CHzOCH3)(O
N=C(CH3)2 )2CHs S i (OCH2
CH20CH3)2 (ON=C(CHs ) C2H
5)W=Z30 CH3Si (OCHs)(N(CHa)COCH3)
2CH3S+ (OC2H5)(N(CHs)CoCo
H512CH5Si (OC2H5)2(N(CH8)
COC6H5)Z = ZI Nu及び ZICOO w=za。
CH2=CH8i (OCH2CH20CH3)(QC
OCHs)2(CHs)3CO8i (OCOCH3)
3W=z30及びZ30E20− CHsS i (QC2Hs )(ON=C(CHs)
t )2CH3Si (OCH2CHzOCH3)(O
N=C(CH3)2 )2CHs S i (OCH2
CH20CH3)2 (ON=C(CHs ) C2H
5)W=Z30 CH3Si (OCHs)(N(CHa)COCH3)
2CH3S+ (OC2H5)(N(CHs)CoCo
H512CH5Si (OC2H5)2(N(CH8)
COC6H5)Z = ZI Nu及び ZICOO w=za。
(C2H50)2 S i (OCOCH3) CNH
CH(CHs )z )これらの混合シラン類は、特に
フランス特許第1、423.477@に対する第1追加
特許第90.695号、並びにフランス特許第1,43
9,025号、第1,541,542号、第1,541
,543号及び第2,067.636号に記載されてい
る。
CH(CHs )z )これらの混合シラン類は、特に
フランス特許第1、423.477@に対する第1追加
特許第90.695号、並びにフランス特許第1,43
9,025号、第1,541,542号、第1,541
,543号及び第2,067.636号に記載されてい
る。
無機充填剤(C1)は、α、ω−ジヒドロキシジ有機ポ
リシロキサン重合体(A1)の100部当り0〜250
部、好ましくは5〜200部の割合で使用される。
リシロキサン重合体(A1)の100部当り0〜250
部、好ましくは5〜200部の割合で使用される。
これら充填剤は、平均粒径が0.11Jm未満である極
めて微細な物質の形態とすることができる。これらの充
填剤は発熱性シリカ及び沈降シリカを包含し、ぞのBE
T比表面積は一般に40m 2 /!Itより大である
。
めて微細な物質の形態とすることができる。これらの充
填剤は発熱性シリカ及び沈降シリカを包含し、ぞのBE
T比表面積は一般に40m 2 /!Itより大である
。
ざらに、これらの充填剤は平均粒径が0.1μmより大
きい比較的粗大な物質の形態とすることもできる。この
種の充填剤の例としては磨砕石英、珪藻土シリカ、炭酸
カルシウム、焼成粘土、ルチル型二酸化チタン、鉄、亜
鉛、クロム、ジルコニウム及びマグネシウムの酸化物、
種々の形態のアルミナ(水和されたもの又はされてない
もの)、窒化硼素、リトポン、メタ硼酸バリウム、硫酸
バリウム及びバロチニを挙げることができ、その比表面
積は一般に30m 2 /g未満である。
きい比較的粗大な物質の形態とすることもできる。この
種の充填剤の例としては磨砕石英、珪藻土シリカ、炭酸
カルシウム、焼成粘土、ルチル型二酸化チタン、鉄、亜
鉛、クロム、ジルコニウム及びマグネシウムの酸化物、
種々の形態のアルミナ(水和されたもの又はされてない
もの)、窒化硼素、リトポン、メタ硼酸バリウム、硫酸
バリウム及びバロチニを挙げることができ、その比表面
積は一般に30m 2 /g未満である。
これら充填剤(C1)の表面は改質されていてもよく、
その際この目的に一般に使用される各種の有機珪素化合
物で処理される。たとえば、これらの有機珪素化合物は
有機クロルシラン類、ジ有機シクロポリシロキサン類、
ヘキサ有機ジシロキサン類、ヘキサ有機ジシラザン類又
はジ有機シクロポリシラザン類(フランス特許第1.1
26.884号、第1,136,885号、第1,23
6,503号、英国特許第1.024,234号)とす
ることができる。多くの場合、処理された充填剤は有機
珪素化合物として3〜30重量%を含有する。
その際この目的に一般に使用される各種の有機珪素化合
物で処理される。たとえば、これらの有機珪素化合物は
有機クロルシラン類、ジ有機シクロポリシロキサン類、
ヘキサ有機ジシロキサン類、ヘキサ有機ジシラザン類又
はジ有機シクロポリシラザン類(フランス特許第1.1
26.884号、第1,136,885号、第1,23
6,503号、英国特許第1.024,234号)とす
ることができる。多くの場合、処理された充填剤は有機
珪素化合物として3〜30重量%を含有する。
充填剤(C1)は種々異なる粒子寸法分布を有する数種
の充填剤の混合物で構成することもできる。たとえば、
これらは40m 2 /gより大きいET比表面積を有
する微細なシリカ30〜70%と、30m 2 /g未
満の比表面積を有する粗大なシリカ70〜30%とで構
成することができる。
の充填剤の混合物で構成することもできる。たとえば、
これらは40m 2 /gより大きいET比表面積を有
する微細なシリカ30〜70%と、30m 2 /g未
満の比表面積を有する粗大なシリカ70〜30%とで構
成することができる。
付着促進剤(Dl)もα、ω−ジヒドロキシジ有機ポリ
シロキサン油(A1)の100部当り0〜20部、好ま
しくは0.2〜15部の割合で使用することができる。
シロキサン油(A1)の100部当り0〜20部、好ま
しくは0.2〜15部の割合で使用することができる。
この物質は好ましくは有機珪素化合物から選択され、(
1)アミン、ウレイド、イソシアナト、エポキシ、アル
ケニル、イソシアヌレート、ヒダントイル及びメトカプ
トエステル基よりなる群から選択される基によって置換
された有機基と、(2)珪素原子に結合された加水分解
しうる基とを同時に有するものである。
1)アミン、ウレイド、イソシアナト、エポキシ、アル
ケニル、イソシアヌレート、ヒダントイル及びメトカプ
トエステル基よりなる群から選択される基によって置換
された有機基と、(2)珪素原子に結合された加水分解
しうる基とを同時に有するものである。
例として次式に相当する有機珪素化合物を挙げることか
できる(これらを記載している特許をも併記する): ヨーロッパ特許出該第74. OOI号NI(、CI(
2CH2NI(−CH2CH(CH,)C00(CH2
)3Si(OCH3)!ドイツ特許出願第5.304.
182号((CHs )3 Co )2 S r (0
COCHa )2米国特許第4.356.119号 CHC00(CH2)、5i(OCH3)3曽 CH−C20炭化水素基である)のモノカルボキシレー
ト基、式R8O (CH2)3S i (0COCHs )3米国特許第4 .273.698号ヨーロッパ特許出願筒31.996
号(C2H50)3S i (CH2)3NHCO −CH=CH−COOH米国特許 第4.466.739号米国特許第4,115,356
号D=(CH2)3S i (OCHs )s(C2H
50)3 S i (CH2)3 NH2(CH30)
3S i (CH2)3 N H−CH2CH2NH2米国特訂持着、517,001
号他の単一成分ベースは次のものを混合して製造するこ
とかできる:(A2 ) :25℃にて700〜1.0
00.000mPaの粘度を有するα、ω−ジヒドロキ
シジ有機ポリシロキサン重合体100部、及び (B1 ) :式:MiSiW4 h [式中、記号Mは直鎖若しくは分枝鎖のC1−C1o炭
化水素基を示し、 記@Wは同−若しくは異なるものであって式Z30及び
Z30E20 (ここで記号Z3はC1−04アルキル
基を示しかつ記号EはC2−04アルキレン基を示ず)
のアルコキシ若しくはポリアルコキシ基を示し、 記@hはO若しくは1を示す] のポリアルコキシシラン0.5〜20部、(C2) :
無機充填剤:0〜250部、及び(D2 ) 1、水性媒体中で5未満のDKbを有する第1若しくは
第2有機アミン類、1分子当り(+>5i−C結合を介
して珪素原子に結合されかつ少なくとも1個のアミン基
により置換された少なくとも1個の0l−C15有機基
と(ii)少なくとも1個の0l−C5アルコキシ若し
くはC3−Ceアルコキシアルケノキシ基とを含有する
アミノ有機シラン類及びアミノ有機ポリシロキサン類、
2、有機オキシ基及び(又は)β−ジケトナト基を有す
る有機チタン及びジルコニウム誘導体よりなる群から選
択される化合物0.5〜15部。
できる(これらを記載している特許をも併記する): ヨーロッパ特許出該第74. OOI号NI(、CI(
2CH2NI(−CH2CH(CH,)C00(CH2
)3Si(OCH3)!ドイツ特許出願第5.304.
182号((CHs )3 Co )2 S r (0
COCHa )2米国特許第4.356.119号 CHC00(CH2)、5i(OCH3)3曽 CH−C20炭化水素基である)のモノカルボキシレー
ト基、式R8O (CH2)3S i (0COCHs )3米国特許第4 .273.698号ヨーロッパ特許出願筒31.996
号(C2H50)3S i (CH2)3NHCO −CH=CH−COOH米国特許 第4.466.739号米国特許第4,115,356
号D=(CH2)3S i (OCHs )s(C2H
50)3 S i (CH2)3 NH2(CH30)
3S i (CH2)3 N H−CH2CH2NH2米国特訂持着、517,001
号他の単一成分ベースは次のものを混合して製造するこ
とかできる:(A2 ) :25℃にて700〜1.0
00.000mPaの粘度を有するα、ω−ジヒドロキ
シジ有機ポリシロキサン重合体100部、及び (B1 ) :式:MiSiW4 h [式中、記号Mは直鎖若しくは分枝鎖のC1−C1o炭
化水素基を示し、 記@Wは同−若しくは異なるものであって式Z30及び
Z30E20 (ここで記号Z3はC1−04アルキル
基を示しかつ記号EはC2−04アルキレン基を示ず)
のアルコキシ若しくはポリアルコキシ基を示し、 記@hはO若しくは1を示す] のポリアルコキシシラン0.5〜20部、(C2) :
無機充填剤:0〜250部、及び(D2 ) 1、水性媒体中で5未満のDKbを有する第1若しくは
第2有機アミン類、1分子当り(+>5i−C結合を介
して珪素原子に結合されかつ少なくとも1個のアミン基
により置換された少なくとも1個の0l−C15有機基
と(ii)少なくとも1個の0l−C5アルコキシ若し
くはC3−Ceアルコキシアルケノキシ基とを含有する
アミノ有機シラン類及びアミノ有機ポリシロキサン類、
2、有機オキシ基及び(又は)β−ジケトナト基を有す
る有機チタン及びジルコニウム誘導体よりなる群から選
択される化合物0.5〜15部。
α、ω−ジヒドロキシジ有機ポリシロキサン重合体(A
2)は前記α、ω−ジヒドロキシジ有機ポリシロキサン
重合体(A1)に類似している。
2)は前記α、ω−ジヒドロキシジ有機ポリシロキサン
重合体(A1)に類似している。
使用される重合体は好ましくは25°Cにて1 、00
0〜500、000mPaの粘度を有するものであって
、珪素原子に結合された基の少なくとも80%はメチル
基である。
0〜500、000mPaの粘度を有するものであって
、珪素原子に結合された基の少なくとも80%はメチル
基である。
この重合体100部当り0.5〜20部、好ましくは1
〜18部の上記式MtISiW、 hを有するポリア
ルコキシシランが使用される。この式における記@Mは
直鎖若しくは分枝鎖のC1−C+o炭化水素基を示し、
この基は特に次のものを包含する: C1−05アルキル基、たとえばメチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、t−ブチル
、n−ペンチル、イソペンチル及び3,3.3−トリフ
ルオロプロピル基、C2−C4アルケニル基、たとえば
ビニル、アリル若しくは2−ブテニル基、 C3−Coシクロアルキル基、たとえばシクロペンチル
、シクロヘキシル若しくはメチルシクロヘキシル基、及
び 単環式C6−C+oアリール基、たとえばフェニル、ト
リル、キシリル若しくはシクロフェニル基。
〜18部の上記式MtISiW、 hを有するポリア
ルコキシシランが使用される。この式における記@Mは
直鎖若しくは分枝鎖のC1−C+o炭化水素基を示し、
この基は特に次のものを包含する: C1−05アルキル基、たとえばメチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、t−ブチル
、n−ペンチル、イソペンチル及び3,3.3−トリフ
ルオロプロピル基、C2−C4アルケニル基、たとえば
ビニル、アリル若しくは2−ブテニル基、 C3−Coシクロアルキル基、たとえばシクロペンチル
、シクロヘキシル若しくはメチルシクロヘキシル基、及
び 単環式C6−C+oアリール基、たとえばフェニル、ト
リル、キシリル若しくはシクロフェニル基。
同−若しくは異なるものである記号Wは、上記式(Y)
fSiWg(Z)4−f−0における記号Wの意味を有
する。したがって、これらは式Z30及びZ3oE20
(ここで記号Z3はC1−C4アルキル基、たとえばメ
チル、エチル、プロピル若しくはブチル基を示し、かつ
記@E2はC2−C4アルキレン基を示し式: %式% は=CH(CH3)CH(CH3)−に対応することが
できる)のアルコキシ若しくはポリアルコキシ基を示す
。
fSiWg(Z)4−f−0における記号Wの意味を有
する。したがって、これらは式Z30及びZ3oE20
(ここで記号Z3はC1−C4アルキル基、たとえばメ
チル、エチル、プロピル若しくはブチル基を示し、かつ
記@E2はC2−C4アルキレン基を示し式: %式% は=CH(CH3)CH(CH3)−に対応することが
できる)のアルコキシ若しくはポリアルコキシ基を示す
。
式(B 2)M hS jW4 Bのポリアルコキシシ
ラン類の具体例としては、次の式のものを挙げることか
できる: S i (0CRs )4 CH3S i (0CH3)3 CH3S i (0CH2CH20CH3)3CI3
S l (OCH2CH20C12 ””a )s S
+ (OC12 CH2OCHs )4CH2=CH
8i (OCH,C)120CH8)。
ラン類の具体例としては、次の式のものを挙げることか
できる: S i (0CRs )4 CH3S i (0CH3)3 CH3S i (0CH2CH20CH3)3CI3
S l (OCH2CH20C12 ””a )s S
+ (OC12 CH2OCHs )4CH2=CH
8i (OCH,C)120CH8)。
C6I5 S i (OCH3)3
C6I5 S i (0CH2CH20CH3)3S
i (OCH3)2 C0CH(CH3)CH20CR
s )2CH2=CH8i (OCH3)3 CH2=CH81(OCH2CH20CH2CH3)3
CH2=CH−CH2S + (OCH3)3CH2=
C(CHs ) CH2S i (OCH3)3CH2
=CH−8i(OCH3)2(OCH(CH3)CH2
0CH3〕無機充填剤(C2)は上記無機充填剤(C1
〉と同様である。
i (OCH3)2 C0CH(CH3)CH20CR
s )2CH2=CH8i (OCH3)3 CH2=CH81(OCH2CH20CH2CH3)3
CH2=CH−CH2S + (OCH3)3CH2=
C(CHs ) CH2S i (OCH3)3CH2
=CH−8i(OCH3)2(OCH(CH3)CH2
0CH3〕無機充填剤(C2)は上記無機充填剤(C1
〉と同様である。
化合物(D2)はα、ω−ジヒドロキシジ有機ポリシロ
キサン重合体(A2〉の100部当り0.5〜15部、
好ましくは0.8〜13部の割合で使用される。上記し
たように、これらは水性媒体中で5未満のI)Kbを有
する第1若しくは第2有機アミンよりなる群から選択す
ることができる。この種のアミン類は脂肪族、脂環式、
複素環式又はアリール脂肪族とすることができる。
キサン重合体(A2〉の100部当り0.5〜15部、
好ましくは0.8〜13部の割合で使用される。上記し
たように、これらは水性媒体中で5未満のI)Kbを有
する第1若しくは第2有機アミンよりなる群から選択す
ることができる。この種のアミン類は脂肪族、脂環式、
複素環式又はアリール脂肪族とすることができる。
脂肪族アミンの具体例としてはn−ブチルアミン、アミ
ルアミン、式: %式% のアミン類、n−ヘキシルアミン、n−デシルアミン、
ラウリルアミン、ヘキサデシルアミン、n−オクチルア
ミン、ジイソプロピルアミン、ジ−n−ブチルアミン、
ジイソブチルアミン、ジ−n−ヘキシルアミン、エチレ
ンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジア
ミン及び式:%式% のポリアミン類を挙げることができる。
ルアミン、式: %式% のアミン類、n−ヘキシルアミン、n−デシルアミン、
ラウリルアミン、ヘキサデシルアミン、n−オクチルア
ミン、ジイソプロピルアミン、ジ−n−ブチルアミン、
ジイソブチルアミン、ジ−n−ヘキシルアミン、エチレ
ンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジア
ミン及び式:%式% のポリアミン類を挙げることができる。
脂環式アミン類の具体例としてはシクロペンチルアミン
、シクロヘキシルアミン及び式:のアミン類を挙げるこ
とができる。
、シクロヘキシルアミン及び式:のアミン類を挙げるこ
とができる。
複素環式アミン類の具体例としてはピペリジン、ピロリ
ジン、ピペラジン及び式: のアミン類を挙げることができる。
ジン、ピペラジン及び式: のアミン類を挙げることができる。
アリール脂肪族アミン類の具体例としてはベンジルアミ
ン及びフェニルエチルアミンを挙げることができる。
ン及びフェニルエチルアミンを挙げることができる。
これら有機アミン類は全て公知であり、これらを製造す
る方法も公知でおる。さらに、これらの多くは工業規模
で市販されている。
る方法も公知でおる。さらに、これらの多くは工業規模
で市販されている。
化合物(D2)はさらに、1分子当り(i)SiC結合
を介し珪素原子に結合されかつ少なくとも1個のアミン
基によって置換された少なくとも1個のCl−Cl3有
機基と、(ii)少なくとも1個のC1C5アルコキシ
若しくはC3−Ceアルコキシアルキレンオキシ基とを
有するアミノ有機シラン類及びアミノ有機ポリシロキサ
ン類から選択することもできる。
を介し珪素原子に結合されかつ少なくとも1個のアミン
基によって置換された少なくとも1個のCl−Cl3有
機基と、(ii)少なくとも1個のC1C5アルコキシ
若しくはC3−Ceアルコキシアルキレンオキシ基とを
有するアミノ有機シラン類及びアミノ有機ポリシロキサ
ン類から選択することもできる。
有機アミノシラン類の具体例としては下記する式のもの
を挙げることができ、ここで少なくとも1個のアミン基
により置換された有機基は炭化水素基である: H2N (CH2)3 S i (0CH2CH20C
HJH2N(CH2)3 S i (OCRs )sH
zN(CH2)3Si(OC2Hs)sH2N(CH2
)、 S i (ocH3)3H2NCH2C−H(C
H3) CH2CH2S ICHs (OCH3)2H
2NCH2S r (OCHs )sHN(n−C4H
g)CH2Si(OCHs)3H2N (CH2)2
NH(CH2)3 S + (QCHs )3H2N(
CH2)2NH(CH2)3Si(OCH2CH20C
H3)sCH3NH(CH2)2NH(CH2)3Si
(OCH3)3H(NHCH2CH2)2NH(CH2
)s S i (OCH3)3H2N(CH2)2NH
(CH2)3S l (OCH3)20CH(CH3)
CH20CH3 H2N (CHs )3S r (OCH2CH20C
H2CH3)sH2N(CH2)2NH(CH2)3
S i CH=CH2(OCH3)2 ゛ これらシラン類の製造は、特に米国特許第2.75
4,311号、第2,832,754号、第2.930
.809号及び第2,971,864号に見られる。
を挙げることができ、ここで少なくとも1個のアミン基
により置換された有機基は炭化水素基である: H2N (CH2)3 S i (0CH2CH20C
HJH2N(CH2)3 S i (OCRs )sH
zN(CH2)3Si(OC2Hs)sH2N(CH2
)、 S i (ocH3)3H2NCH2C−H(C
H3) CH2CH2S ICHs (OCH3)2H
2NCH2S r (OCHs )sHN(n−C4H
g)CH2Si(OCHs)3H2N (CH2)2
NH(CH2)3 S + (QCHs )3H2N(
CH2)2NH(CH2)3Si(OCH2CH20C
H3)sCH3NH(CH2)2NH(CH2)3Si
(OCH3)3H(NHCH2CH2)2NH(CH2
)s S i (OCH3)3H2N(CH2)2NH
(CH2)3S l (OCH3)20CH(CH3)
CH20CH3 H2N (CHs )3S r (OCH2CH20C
H2CH3)sH2N(CH2)2NH(CH2)3
S i CH=CH2(OCH3)2 ゛ これらシラン類の製造は、特に米国特許第2.75
4,311号、第2,832,754号、第2.930
.809号及び第2,971,864号に見られる。
有機アミノシラン類の具体例としては下記する式のもの
を挙げることができ、ここで少なくとも1個のアミノ基
により置換された有機基はエーテル結合若しくはチオエ
ーテル結合を有する炭化水素基である: H2N(CH2)30(CHz)3Si(OCHzCH
zOCH3)3H2N(CH2)30(CH2)3Si
(OCH3)3C2H5NH(CH2)30 (CH2
)3 S i (0CH3)3H2N−CH2−CH(
CH3) CH20(CH2) 3 S i C6H
5(OCH3)2H2N −CH2CH2NH(CH2
)30 (CH2)3 S i (OCH3)3HzN
(CHzhS(CHz)3si (OCH2CH20C
H3)3H2N(CH2)2S(CH2)3Si(OC
H3)3H(NHCH2CH2)2S(CH2)35i
CH3(OCH3hこれらシラン類の製造は特に米国特
許第3、341.563号、第3,551,375号、
第3,598,853号及び第3.488,373号に
見られる。
を挙げることができ、ここで少なくとも1個のアミノ基
により置換された有機基はエーテル結合若しくはチオエ
ーテル結合を有する炭化水素基である: H2N(CH2)30(CHz)3Si(OCHzCH
zOCH3)3H2N(CH2)30(CH2)3Si
(OCH3)3C2H5NH(CH2)30 (CH2
)3 S i (0CH3)3H2N−CH2−CH(
CH3) CH20(CH2) 3 S i C6H
5(OCH3)2H2N −CH2CH2NH(CH2
)30 (CH2)3 S i (OCH3)3HzN
(CHzhS(CHz)3si (OCH2CH20C
H3)3H2N(CH2)2S(CH2)3Si(OC
H3)3H(NHCH2CH2)2S(CH2)35i
CH3(OCH3hこれらシラン類の製造は特に米国特
許第3、341.563号、第3,551,375号、
第3,598,853号及び第3.488,373号に
見られる。
使用しうるアミノ有機ポリシロキサン類は、上記アミノ
有機シラン類、より詳細にはトリアルコキシアミノ有機
シラン類、たとえば式:%式%) のちのと、上記重合体(A1)及び(A2)の種類に属
するジヒドロキシジ有機ポリシロキサン小合体との綜合
によって製造することができる。
有機シラン類、より詳細にはトリアルコキシアミノ有機
シラン類、たとえば式:%式%) のちのと、上記重合体(A1)及び(A2)の種類に属
するジヒドロキシジ有機ポリシロキサン小合体との綜合
によって製造することができる。
この方法によって製造されるアミン有機ポリシロキサン
類は特に米国特許第3.686.375号、ヨーロッパ
特許出願筒50.453号並びにフランス特許第1.3
81,590@、第1,385,693号及び第2,2
28,814号に見られる。
類は特に米国特許第3.686.375号、ヨーロッパ
特許出願筒50.453号並びにフランス特許第1.3
81,590@、第1,385,693号及び第2,2
28,814号に見られる。
これら重合体の具体例としては、式:
%式%)
[式中、n=2〜60である]
のものを挙げることができる。
ざらに、化合物(D2)は珪素原子に結合された有機オ
キシ基及び(又は)β−ジケトナト基を有する有機チタ
ン及びジルコニウム誘導体から選択することもできる。
キシ基及び(又は)β−ジケトナト基を有する有機チタ
ン及びジルコニウム誘導体から選択することもできる。
有機チタン誘導体の具体例としては次式のものを挙げる
ことができる: (n−C4H(10)4T’1 (C2H,0)4Ti (CH,)2CHO4T 1 (n−C3H70)4Ti (n−C6H170)4Tl (CH3CH20CH2CH20)4 T I(CH3
0CH2CH20)4 T rこれらの有機チタン誘導
体は特にフランス特許第1.330.625号、第2.
121.289号及び第2、121.631号に見られ
る。
ことができる: (n−C4H(10)4T’1 (C2H,0)4Ti (CH,)2CHO4T 1 (n−C3H70)4Ti (n−C6H170)4Tl (CH3CH20CH2CH20)4 T I(CH3
0CH2CH20)4 T rこれらの有機チタン誘導
体は特にフランス特許第1.330.625号、第2.
121.289号及び第2、121.631号に見られ
る。
右)類ジルコニウム誘導体の具体例としては、次式のら
のを挙げることができる: (C2HsO)4Zr (n−C3H70)4Zr (n−C4HoO)+Z’ (CHs 0CH2CH20)4 Z r(n −C7
HI30 )4 Zr。
のを挙げることができる: (C2HsO)4Zr (n−C3H70)4Zr (n−C4HoO)+Z’ (CHs 0CH2CH20)4 Z r(n −C7
HI30 )4 Zr。
他の単一成分ベースはざらに次のものを混合して製造す
ることもできる: (A3 ) :式: %式% [式中、記号Tは同−若しくは異なるものであって1〜
10個の炭素原子を有し、ハロゲン原子若しくはシアン
基により置換され若しくは置換されてない炭化水素基を
示し、記QMは同−若しくは異なるものであって直鎖若
しくは分枝鎖のC1−C1o炭化水素基を示し、記号W
は同−若しくは異なるものであって式Z30若しくは2
30E20− (ここで記号Z3はC2−C4アルキル
基を示し、記号E2はC2−C4アルキレン基を示す)
のアルコキシ若しくはポリアルコキシ基を示し、記号り
はO若しくは1を示し、かつ記号pは25℃にて700
〜1,000,000mPaの粘度を与えるのに充分な
数値を有する数を示す] 示す] のジ有機ポリシロキサン重合体100部、(B3 )
:式MhS!W4 H(ここで記号W、M及びhはジ有
機ポリシロキサン重合体(A3)の記号W、M及びhの
意味を有する)のポリアルコキシシラン0〜15部、 (C3) :無機充填剤0〜250部、及び(D3 )
:次のものよりなる群から選択される化合物0〜20
部: 1、水性媒体中で5未満のpKbを有する第1若しくは
第2有機アミン類、アミン有機シラン類、アミン有機ポ
リシロキサン類及びグアニジノ有機シラン類であって、
1分子当り (i)Si−C結合を介し珪素原子に結合されかつ少な
くとも1個のアミノ基若しくはグアニジノ基により置換
された少なくとも1個のC1−Cl3有機基と (11)少なくとも1個の0l−C5アルコキシ基若し
くはC3−Ceアルコキシアルキレンオキシ基との両者
を有するもの、又は 2、有機オキシ基及び(又は)β−(ジケトナト)基を
有する有機チタン及びジルコニウム誘導体。
ることもできる: (A3 ) :式: %式% [式中、記号Tは同−若しくは異なるものであって1〜
10個の炭素原子を有し、ハロゲン原子若しくはシアン
基により置換され若しくは置換されてない炭化水素基を
示し、記QMは同−若しくは異なるものであって直鎖若
しくは分枝鎖のC1−C1o炭化水素基を示し、記号W
は同−若しくは異なるものであって式Z30若しくは2
30E20− (ここで記号Z3はC2−C4アルキル
基を示し、記号E2はC2−C4アルキレン基を示す)
のアルコキシ若しくはポリアルコキシ基を示し、記号り
はO若しくは1を示し、かつ記号pは25℃にて700
〜1,000,000mPaの粘度を与えるのに充分な
数値を有する数を示す] 示す] のジ有機ポリシロキサン重合体100部、(B3 )
:式MhS!W4 H(ここで記号W、M及びhはジ有
機ポリシロキサン重合体(A3)の記号W、M及びhの
意味を有する)のポリアルコキシシラン0〜15部、 (C3) :無機充填剤0〜250部、及び(D3 )
:次のものよりなる群から選択される化合物0〜20
部: 1、水性媒体中で5未満のpKbを有する第1若しくは
第2有機アミン類、アミン有機シラン類、アミン有機ポ
リシロキサン類及びグアニジノ有機シラン類であって、
1分子当り (i)Si−C結合を介し珪素原子に結合されかつ少な
くとも1個のアミノ基若しくはグアニジノ基により置換
された少なくとも1個のC1−Cl3有機基と (11)少なくとも1個の0l−C5アルコキシ基若し
くはC3−Ceアルコキシアルキレンオキシ基との両者
を有するもの、又は 2、有機オキシ基及び(又は)β−(ジケトナト)基を
有する有機チタン及びジルコニウム誘導体。
ジ有機ポリシロキサン重合体(A3)は、式:%式%)
のα、ω−ジヒドロキシジ有機有機ポリシロンサン重合
体MhSiW4−hのポリアルコキシシラン(B3)と
をα、ω−ジヒドロキシジ有機ポリシロキザン重合体1
モル当り少なくとも2モルのポリアルコキシシランの割
合で接触させることにより製造される。
体MhSiW4−hのポリアルコキシシラン(B3)と
をα、ω−ジヒドロキシジ有機ポリシロキザン重合体1
モル当り少なくとも2モルのポリアルコキシシランの割
合で接触させることにより製造される。
反応は有機アミン(米国特許第3,542,901号)
、有機チタン誘導体(米国特許第4,111,890号
)又はN、N−二置換ヒドロキシルアミン(フランス特
許第2.508.467号)の存在下で行なうことがで
きる。
、有機チタン誘導体(米国特許第4,111,890号
)又はN、N−二置換ヒドロキシルアミン(フランス特
許第2.508.467号)の存在下で行なうことがで
きる。
重合体(A3)の式における記号Tは上記重合体(A1
)における反復単位の式T2 S i Oの記号Tと同
じ意味を有する。重合体(A3)の式及びポリアルコキ
シシラン(B3)の式に属する記号M、W、Z3及びB
2は、それぞれ上記ポリアルコキシシラン(B2)の式
における記号M、W。
)における反復単位の式T2 S i Oの記号Tと同
じ意味を有する。重合体(A3)の式及びポリアルコキ
シシラン(B3)の式に属する記号M、W、Z3及びB
2は、それぞれ上記ポリアルコキシシラン(B2)の式
における記号M、W。
Z3及びB2の意味を有する。
したがって、(B2)における記号で示された各基につ
ぎ既に示した例が、(A3)及び(B3)における記号
によって示される基についても当はまる。
ぎ既に示した例が、(A3)及び(B3)における記号
によって示される基についても当はまる。
例として、ジ有機ポリシロキサン重合体(A3)はその
連鎖の各末端を式: %式%(15 の単位によって封鎖することができる。
連鎖の各末端を式: %式%(15 の単位によって封鎖することができる。
連鎖中の反復単位は、たとえば次式に対応する:(CH
3)2 S i。
3)2 S i。
CH3(CH2−CH) S i。
(C6H5)2 S i。
CH3(CF3 CH2CH2) S iO重合体(A
3)100部当り0〜15部、好ましくは0.5〜13
部の割合で使用されるポリアルコキシシラン(B3)は
ポリシロキサン(B2)と同様である。すなわち、(B
2)に対する例として挙げた式を、ポリアルコキシシラ
ン(B3)についても適用することができる。
3)100部当り0〜15部、好ましくは0.5〜13
部の割合で使用されるポリアルコキシシラン(B3)は
ポリシロキサン(B2)と同様である。すなわち、(B
2)に対する例として挙げた式を、ポリアルコキシシラ
ン(B3)についても適用することができる。
無機充填剤(C3)は、上記充填剤(C1)と同一であ
る。これらは、重合体(A3 ) 100部当り0〜
250部、好ましくは5〜200部の割合で使用される
。
る。これらは、重合体(A3 ) 100部当り0〜
250部、好ましくは5〜200部の割合で使用される
。
化合物(B3)は、重合体(A3 ) 100部当り
0〜20部、好ましくは2〜18部の割合で使用される
。これらは特に、第1及び第2有機アミン類、アミノ有
機シラン類、アミノ有機ポリシロキサン類並びに有機チ
タン及びジルコニウム誘導体を包含し、これら化合物は
上記化合物(B2)と同様であり、その結果化合物(B
2)の場合に示した説明をこの化合物(B3)について
も適用することができる。ざらに、化合物(B3)はグ
アニジノ有機シラン類及びグアニジノ有機ポリシロキサ
ン類をも包含し、これらはたとえば米国特許第4、18
0.642号公報に記載されている。
0〜20部、好ましくは2〜18部の割合で使用される
。これらは特に、第1及び第2有機アミン類、アミノ有
機シラン類、アミノ有機ポリシロキサン類並びに有機チ
タン及びジルコニウム誘導体を包含し、これら化合物は
上記化合物(B2)と同様であり、その結果化合物(B
2)の場合に示した説明をこの化合物(B3)について
も適用することができる。ざらに、化合物(B3)はグ
アニジノ有機シラン類及びグアニジノ有機ポリシロキサ
ン類をも包含し、これらはたとえば米国特許第4、18
0.642号公報に記載されている。
これらグアニジノ有機シラン類及びシロキサン類の具体
例としては次式のものを挙げることができる: 上記した5種の単一成分ベースは全て、キレート化誘導
体と非キレート化誘導体との混合により得られる本発明
にしたがう有機錫誘導体の添加によって触媒される。成
分ベース100部当りに使用される有機錫誘導体の量は
0.0001〜5部、好ましくは0.001〜44.5
部の程度でおる。
例としては次式のものを挙げることができる: 上記した5種の単一成分ベースは全て、キレート化誘導
体と非キレート化誘導体との混合により得られる本発明
にしたがう有機錫誘導体の添加によって触媒される。成
分ベース100部当りに使用される有機錫誘導体の量は
0.0001〜5部、好ましくは0.001〜44.5
部の程度でおる。
単一成分ベースの他に、有機錫誘導体を混入すると直ち
に硬化する二成分ベースも使用することができる。錫触
媒を混入した後、これらは2つの別々のフラクションと
して包装され、これらフラクションの一方はたとえばチ
タン触媒のみ、或いは架橋剤と混合したチタン触媒を含
有する。
に硬化する二成分ベースも使用することができる。錫触
媒を混入した後、これらは2つの別々のフラクションと
して包装され、これらフラクションの一方はたとえばチ
タン触媒のみ、或いは架橋剤と混合したチタン触媒を含
有する。
これらのベースは次のものを混合して製造される:
(A4 ) :25℃にて700〜1 、000.00
0mPaの粘度を有するα、ω−ジヒドロキシジ有機ポ
リシロキサン重合体100部、 (B4 ) : (i)式: (R17) k(OR16)4 、(ここで記号Rは同
−若しくは異なるものであってC1−C8アルキル基、
C3−Ceアルコキシアルキレン基を示し、記号R17
はC1−C+o炭化水素基を示しかつ記号には0若しく
は1を示す)のシラン、又は(ii)式Si (OR1
6)4 (ここで記号R16は(1)に示した意味を
有する)のシランの部分加水分解による生成物 1〜20部、及び (C4):無機充填剤0〜150部。
0mPaの粘度を有するα、ω−ジヒドロキシジ有機ポ
リシロキサン重合体100部、 (B4 ) : (i)式: (R17) k(OR16)4 、(ここで記号Rは同
−若しくは異なるものであってC1−C8アルキル基、
C3−Ceアルコキシアルキレン基を示し、記号R17
はC1−C+o炭化水素基を示しかつ記号には0若しく
は1を示す)のシラン、又は(ii)式Si (OR1
6)4 (ここで記号R16は(1)に示した意味を
有する)のシランの部分加水分解による生成物 1〜20部、及び (C4):無機充填剤0〜150部。
α、ω−ジヒドロキシジ有機ポリシロキサン重合体(A
4)は、単一成分ベースの製造に関し上記したα、ω−
ジヒドロキシジ有機ポリシロキサン重合体(A1)と同
様である。
4)は、単一成分ベースの製造に関し上記したα、ω−
ジヒドロキシジ有機ポリシロキサン重合体(A1)と同
様である。
重合体(A4)は25℃にて700〜1.000.00
0mPa。
0mPa。
好ましくは25℃にて1 、000〜800.000m
Paの粘度を有し、珪素原子に結合された有機基は好ま
しくはメチル、エチル、プロピル、ビニル若しくはフェ
ニル基である。少なくとも80%のメチル基を有する共
重合体が一般に選択される。
Paの粘度を有し、珪素原子に結合された有機基は好ま
しくはメチル、エチル、プロピル、ビニル若しくはフェ
ニル基である。少なくとも80%のメチル基を有する共
重合体が一般に選択される。
式RvSi(OR16) のシラン(B4)4−に
は、重合体(A4 ) 100部当り1〜20部、好
ましくは2〜15部の割合で使用される。
ましくは2〜15部の割合で使用される。
記@R16は次のものを示す:
Cl−Coアルキル基、たとえばメチル、エチル、プロ
ピル、ブチル、ペンチル若しくは2−エチルヘキシル基
、又は C3−C6アルコキシアルキレン基、たとえば式: %式% 記号R17はC1−C10炭化水素基を示し、これは次
のものを包含する: C1−C1oアルキル基、たとえばメチル、エチル、プ
ロピル、ブチル、ペンチル、2−エチルヘキシル、オク
チル若しくはデシル基、 ビニル若しくはアリル阜、 C3−Coシクロアルキル基、たとえばシクロペンチル
若しくはシクロヘキシル基、及び単環式C6−08アリ
ール基、たとえばフェニル、トリル若しくはキシリル基
。
ピル、ブチル、ペンチル若しくは2−エチルヘキシル基
、又は C3−C6アルコキシアルキレン基、たとえば式: %式% 記号R17はC1−C10炭化水素基を示し、これは次
のものを包含する: C1−C1oアルキル基、たとえばメチル、エチル、プ
ロピル、ブチル、ペンチル、2−エチルヘキシル、オク
チル若しくはデシル基、 ビニル若しくはアリル阜、 C3−Coシクロアルキル基、たとえばシクロペンチル
若しくはシクロヘキシル基、及び単環式C6−08アリ
ール基、たとえばフェニル、トリル若しくはキシリル基
。
式5i(OR16)4のシランの部分加水分解生成物は
、主として式(R160)2 S i Oの反復単位で
構成され、残余の反復単位は式(R160)3%式% アルキルポリシリケートと一般に呼ばれるこれらの部分
加水分解生成物は通常の炭化水素溶剤、たとえばトルエ
ン、キシレン、シクロヘキサン若しくはメチルシクロヘ
キサンに溶解することができ、特に一般的に使用される
化合物は40%のシリカ含有量を有するエチルポリシリ
ケート40であり、この数値はOC2R5基を全部加水
分解した後に得られる。
、主として式(R160)2 S i Oの反復単位で
構成され、残余の反復単位は式(R160)3%式% アルキルポリシリケートと一般に呼ばれるこれらの部分
加水分解生成物は通常の炭化水素溶剤、たとえばトルエ
ン、キシレン、シクロヘキサン若しくはメチルシクロヘ
キサンに溶解することができ、特に一般的に使用される
化合物は40%のシリカ含有量を有するエチルポリシリ
ケート40であり、この数値はOC2R5基を全部加水
分解した後に得られる。
式RVS ! (OR16) (Dシラン’IA
(Du体4−に 例としては次式のものを示すことができる:CH3S
i (OCH3)3 CH3S i (OC2R5)3 C2R5S i (OCH3)3 CH2=CH8i (OCH3)3 CH2−CH3i (OCH2CH20CH3)3C6
R5S i (OCH3)3 CH3S i (OCH3)2 COCH(CR3)
CH20CH3)S i (OCH3)4 Si(OC2H5)4 S 1(On−C3H7)4 S i(On−C4Hg )4 充填剤(C4)は、重合体(A4)100部当り0〜1
50部、好ましくは5〜120部の割合で使用される。
(Du体4−に 例としては次式のものを示すことができる:CH3S
i (OCH3)3 CH3S i (OC2R5)3 C2R5S i (OCH3)3 CH2=CH8i (OCH3)3 CH2−CH3i (OCH2CH20CH3)3C6
R5S i (OCH3)3 CH3S i (OCH3)2 COCH(CR3)
CH20CH3)S i (OCH3)4 Si(OC2H5)4 S 1(On−C3H7)4 S i(On−C4Hg )4 充填剤(C4)は、重合体(A4)100部当り0〜1
50部、好ましくは5〜120部の割合で使用される。
これらは、単一成分ベースの製造に際し使用される既に
説明した(C1)の充填剤と同一である。
説明した(C1)の充填剤と同一である。
上記したように、二成分ベースは、キレート化誘導体と
非キレート化誘導体との混合により製造される有機錫誘
導体を添加して触媒される。使用mは、二成分ベースi
20炭化水素基である)のモノカルボキシレート基、式
R8O部当り0.01〜10部、好ましくは0,1〜8
部の範囲でおる。
非キレート化誘導体との混合により製造される有機錫誘
導体を添加して触媒される。使用mは、二成分ベースi
20炭化水素基である)のモノカルボキシレート基、式
R8O部当り0.01〜10部、好ましくは0,1〜8
部の範囲でおる。
−成分及び二成分ベースの主成分、すなわち(1)連鎖
の末端がヒドロキシル基及び(又は)アルコキシ基によ
って保護されたジ有機ポリシロキリン重合体(A1)〜
(A4)と、(2)加水分解しうる基を有する有機珪素
架橋剤(B1)〜(B4)と、(3)無機充填剤(C1
)〜(C4)と、(4)付着促進剤(Dl)並びに化合
物(B2)及び(B3)との他に、他の成分も導入する
ことができる。
の末端がヒドロキシル基及び(又は)アルコキシ基によ
って保護されたジ有機ポリシロキリン重合体(A1)〜
(A4)と、(2)加水分解しうる基を有する有機珪素
架橋剤(B1)〜(B4)と、(3)無機充填剤(C1
)〜(C4)と、(4)付着促進剤(Dl)並びに化合
物(B2)及び(B3)との他に、他の成分も導入する
ことができる。
これらの成分は有機珪素化合物、主として本発明による
組成物(ベースと錫触媒との混合により製造される)の
物理特性及び(又は)これら組成物から誘導されるシリ
コーンエラストマの機械的性質を改変しうる重合体を包
含する。
組成物(ベースと錫触媒との混合により製造される)の
物理特性及び(又は)これら組成物から誘導されるシリ
コーンエラストマの機械的性質を改変しうる重合体を包
含する。
これらの化合物は周知されており、たとえば次のものを
包含する: 25℃にて少なくとも10mPaの粘度を有し、珪素原
子に結合された有機基がメチル、ビニル若しくはフェニ
ル基から選択され、好ましくはこれら基の少なくとも8
0%がメチル基でありかつ3%以下がビニル基であるα
、ω−ビス(トリ有機シロキシ)ジ有機ポリシロキサン
重合体(25℃にて10mPa 〜1,500mPaの
粘度を有するα、ω−ビス(トリメチルシロキシ)−ジ
メチルポリシロキサン油が好適に使用さる)、 珪素原子に結合された0゜1〜8%のヒドロキシル基を
有し、0.01〜0.15の(Cl 3 ) a −3
iOo、5 /(C113) 2 SiOの比と0.1
〜1.5のCHa Si01.5 /(CHa ) 2
SiOの比とを与えるように分布した式(Cfl 3
) 3 Si00.5 、(Ctl 3 ) 2−3
iO及びCfl3 Si01,5の反復単位よりなる液
体の分枝鎖メチルポリシロキサン重合体。
包含する: 25℃にて少なくとも10mPaの粘度を有し、珪素原
子に結合された有機基がメチル、ビニル若しくはフェニ
ル基から選択され、好ましくはこれら基の少なくとも8
0%がメチル基でありかつ3%以下がビニル基であるα
、ω−ビス(トリ有機シロキシ)ジ有機ポリシロキサン
重合体(25℃にて10mPa 〜1,500mPaの
粘度を有するα、ω−ビス(トリメチルシロキシ)−ジ
メチルポリシロキサン油が好適に使用さる)、 珪素原子に結合された0゜1〜8%のヒドロキシル基を
有し、0.01〜0.15の(Cl 3 ) a −3
iOo、5 /(C113) 2 SiOの比と0.1
〜1.5のCHa Si01.5 /(CHa ) 2
SiOの比とを与えるように分布した式(Cfl 3
) 3 Si00.5 、(Ctl 3 ) 2−3
iO及びCfl3 Si01,5の反復単位よりなる液
体の分枝鎖メチルポリシロキサン重合体。
−25℃にて10〜300mPaの粘度を有するα、ω
−ジ(ヒドロキシ)ジメチルポリシロキサン油及び25
℃にて200〜1 、000mPaの粘度を有するα、
ω−シ(ヒドロキシ)メヂルフェニルボリシロキリン油
、並びに ジフェニルシランジオール及び1,1,3,3−デ1〜
ラメチルジシロキサンジオール。
−ジ(ヒドロキシ)ジメチルポリシロキサン油及び25
℃にて200〜1 、000mPaの粘度を有するα、
ω−シ(ヒドロキシ)メヂルフェニルボリシロキリン油
、並びに ジフェニルシランジオール及び1,1,3,3−デ1〜
ラメチルジシロキサンジオール。
上記α、ω−ビス(トリ有機シロキシ)ジ有機ポリシロ
キサン重合体は、ベースの各成分に対し不活11であり
かつジ有機ポリシロキサン重合体(A1)〜(A4)と
少なくとも混和しうる有機化合物で完全に又は部分的に
置換することができる。これら有機化合物の具体例とし
ては、ベンゼンを長鎖のオレフィン類、特にプロピレン
重合によって生成される12個の炭素原子を有するオレ
フィン類でアルキル化して得られるポリアルキルベンゼ
ン類を挙げることができる。この種の有機化合物は、た
とえばフランス特許第2,392,476号及び第2.
446.849号に見られる。
キサン重合体は、ベースの各成分に対し不活11であり
かつジ有機ポリシロキサン重合体(A1)〜(A4)と
少なくとも混和しうる有機化合物で完全に又は部分的に
置換することができる。これら有機化合物の具体例とし
ては、ベンゼンを長鎖のオレフィン類、特にプロピレン
重合によって生成される12個の炭素原子を有するオレ
フィン類でアルキル化して得られるポリアルキルベンゼ
ン類を挙げることができる。この種の有機化合物は、た
とえばフランス特許第2,392,476号及び第2.
446.849号に見られる。
上記有機珪素化合物のそれぞれは、ジ有機ポリシロキサ
ン類(A1)〜(A” > 100部当り1〜100
部、好ましくは3〜75部の割合で使用することができ
る。
ン類(A1)〜(A” > 100部当り1〜100
部、好ましくは3〜75部の割合で使用することができ
る。
有機珪素化合物でない成分、たとえば熱安定化剤−’b
6人することができる。これらの化合物は珪素エラス
l〜マの耐熱性を向上さ「る。これらはカルボン酸JW
%希土類酸化物及び水酸化物、特にセリウムの酸化物
及び水酸化物、並びに発熱性二酸化チタン及び各種の酸
化鉄から選択することができる。ジ有機ポリシロキサン
類(A1)〜(A4)100部当りo、i〜15部、好
ましくは0.15〜12部の熱安定化剤を使用するのが
有利である。
6人することができる。これらの化合物は珪素エラス
l〜マの耐熱性を向上さ「る。これらはカルボン酸JW
%希土類酸化物及び水酸化物、特にセリウムの酸化物
及び水酸化物、並びに発熱性二酸化チタン及び各種の酸
化鉄から選択することができる。ジ有機ポリシロキサン
類(A1)〜(A4)100部当りo、i〜15部、好
ましくは0.15〜12部の熱安定化剤を使用するのが
有利である。
本発明による組成物を製造するには、単一成分組成物の
場合、所望に応じて上記のアジュバント及び添加剤を添
加しうる各種の主成分を水分の不存在下かつ熱を加え又
は加えずに緊密混合しうる装置を使用する必要がある。
場合、所望に応じて上記のアジュバント及び添加剤を添
加しうる各種の主成分を水分の不存在下かつ熱を加え又
は加えずに緊密混合しうる装置を使用する必要がある。
これら成分を全て任意の添加順序で装置に添加すること
ができる。たとえば、先ず最初にジ有はポリシDキ1ナ
ン重合体(A1)〜(A3)と充填剤(C1)〜(B3
)とを混合し、次いでff1l剤(B1)〜(B3)と
化合物(Dl)〜(B3)と有機錫誘導体とを得られた
ペーストに添加することかできる。
ができる。たとえば、先ず最初にジ有はポリシDキ1ナ
ン重合体(A1)〜(A3)と充填剤(C1)〜(B3
)とを混合し、次いでff1l剤(B1)〜(B3)と
化合物(Dl)〜(B3)と有機錫誘導体とを得られた
ペーストに添加することかできる。
さらに、重合体(A1)〜(A3)と架橋剤(B1)〜
(B3)と化合物(Dl)〜(B3)とを混合し、次い
で充填剤(C1)〜(B3)と有機錫誘導体とを添加す
ることもできる。これらの操作に際し、混合物は50〜
180℃の範囲の温度まで大気圧下若しくは減圧下で加
熱して、たとえば水及び低分子量重合体のような揮発性
物質の除去を促進することもできる。
(B3)と化合物(Dl)〜(B3)とを混合し、次い
で充填剤(C1)〜(B3)と有機錫誘導体とを添加す
ることもできる。これらの操作に際し、混合物は50〜
180℃の範囲の温度まで大気圧下若しくは減圧下で加
熱して、たとえば水及び低分子量重合体のような揮発性
物質の除去を促進することもできる。
このようにして製造された組成物は、そのままで或いは
有機希釈剤における分散物として使用することができる
。これらの希釈剤は、好ましくは慣用の市販の製品であ
って次のものから選択される: ハロゲン化された又はハロゲン化されてない脂肪族、脂
環式若しくは芳香族炭化水素類、たとえばn−へブタン
、n−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、テトラ
リン、デカリン、ペルクロルエチレン、トリクロルエタ
ン、テトラクロルエタン、クロルベンゼン又はオルトジ
クロルベンゼン、 脂肪族及び脂環式ケトン類、たとえばメチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン又はイ
ンホロン、並びに エーテル類、たとえば酢酸エチル、酢酸ブチル及び酢酸
エトキシエチル。
有機希釈剤における分散物として使用することができる
。これらの希釈剤は、好ましくは慣用の市販の製品であ
って次のものから選択される: ハロゲン化された又はハロゲン化されてない脂肪族、脂
環式若しくは芳香族炭化水素類、たとえばn−へブタン
、n−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、テトラ
リン、デカリン、ペルクロルエチレン、トリクロルエタ
ン、テトラクロルエタン、クロルベンゼン又はオルトジ
クロルベンゼン、 脂肪族及び脂環式ケトン類、たとえばメチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン又はイ
ンホロン、並びに エーテル類、たとえば酢酸エチル、酢酸ブチル及び酢酸
エトキシエチル。
導入する希釈剤の量は、支持体上に容易に展延する安定
な分散物を生成するのに充分とせねばならない。これら
の量は主として初期の有機ポリシロキサン組成物の性質
及び粘度に依存する。したがって、これらの性質は広範
囲で変化することができる。しかしなかな、15〜85
重量%の希釈剤を含有する分散物を製造することが推奨
される。
な分散物を生成するのに充分とせねばならない。これら
の量は主として初期の有機ポリシロキサン組成物の性質
及び粘度に依存する。したがって、これらの性質は広範
囲で変化することができる。しかしなかな、15〜85
重量%の希釈剤を含有する分散物を製造することが推奨
される。
そのまま(すなわち未希釈)で或いは希釈剤中の分散物
として使用される本発明による単一成分組成物は水の不
存在下で貯蔵安定性でありかつ室温以上の温度にて(分
散物の場合には溶剤の除去後)水の存在下に硬化してエ
ラストマを形成する。
として使用される本発明による単一成分組成物は水の不
存在下で貯蔵安定性でありかつ室温以上の温度にて(分
散物の場合には溶剤の除去後)水の存在下に硬化してエ
ラストマを形成する。
組成物をそのまま固体支持体上へ湿った雰囲気中で付着
させた後、エラストマへの硬化過程が開始して付着物質
の外側から内部まで進行することが見られる。表面皮層
が最初に形成され、これに次いで深くまで架橋する。
させた後、エラストマへの硬化過程が開始して付着物質
の外側から内部まで進行することが見られる。表面皮層
が最初に形成され、これに次いで深くまで架橋する。
表面がもはや接触しても粘着性でなくなった際に12察
される完全な皮層形成は1分〜55分の範囲としうる時
間を必要とし、この時間は組成物を包囲する雰囲気中の
相対湿度及びこれらが架橋する容易さに依存する。
される完全な皮層形成は1分〜55分の範囲としうる時
間を必要とし、この時間は組成物を包囲する雰囲気中の
相対湿度及びこれらが架橋する容易さに依存する。
ざらに、形成したエラストマを離型させかつ取り扱いう
るのに充分とせねばならない付着層の深部硬化にはずっ
と長い時間を必要とする。事実、この時間は、非粘着性
の感触の形成に関する上記因子だけでなく、一般に0.
5重量〜数cmの範囲である付着層の厚さにも依存する
。この長時間は、10分間〜20時間持続することがあ
る。
るのに充分とせねばならない付着層の深部硬化にはずっ
と長い時間を必要とする。事実、この時間は、非粘着性
の感触の形成に関する上記因子だけでなく、一般に0.
5重量〜数cmの範囲である付着層の厚さにも依存する
。この長時間は、10分間〜20時間持続することがあ
る。
単一成分組成物は、たとえば建築工業におけるシール、
極めて広範な種類の材料(金属、プラスチック、天然及
び合成ゴム、木材、厚紙、陶磁器、レンガ、セラミック
、ガラス、石、コンクリート、石材成分)の組立て、導
電材の絶縁、電子回路の被覆、並びに合成樹脂若しくは
発泡剤で作成された物品の製造に使用する金型の作成な
ど多くの用途に使用することができる。
極めて広範な種類の材料(金属、プラスチック、天然及
び合成ゴム、木材、厚紙、陶磁器、レンガ、セラミック
、ガラス、石、コンクリート、石材成分)の組立て、導
電材の絶縁、電子回路の被覆、並びに合成樹脂若しくは
発泡剤で作成された物品の製造に使用する金型の作成な
ど多くの用途に使用することができる。
希釈剤中のこれら組成物の上記分散物は無機、合成、有
機、金属性、織物若しくは不織布などの製品及び薄層の
物品を含浸するため、或いは金属、プラスチック若しく
はセルロース系物質よりなるシートを被覆するために使
用することができる。
機、金属性、織物若しくは不織布などの製品及び薄層の
物品を含浸するため、或いは金属、プラスチック若しく
はセルロース系物質よりなるシートを被覆するために使
用することができる。
付着は、たとえば浸漬により或いは噴霧によって行なう
ことができる。後者の場合、厚さ5〜300卯の均一被
覆が得られるような塗料スプレーガンが使用される。分
散物を噴霧した後、希釈剤を蒸発させかつ遊離した組成
物をゴム状フィルムまで硬化させる。
ことができる。後者の場合、厚さ5〜300卯の均一被
覆が得られるような塗料スプレーガンが使用される。分
散物を噴霧した後、希釈剤を蒸発させかつ遊離した組成
物をゴム状フィルムまで硬化させる。
本発明による二成分組成物の製造も、各成分を適当な装
置部材で混合して行なわれる。均質組成、物を得るには
、先ず最初に重合体(A4)を充填剤(C4)と混合し
、次いでこの組合せ物を少なくとも30分間にわたり8
0℃より高い温度で加熱して、充填剤が油により完全に
濡らされるよう確保するのが好ましい。他の成分、すな
わち架橋剤(B4)と有機錫誘導体と必要に応じ各種の
添加物及びアジュバント並びに水を次いで得られた混合
物に添加し、好ましくはこれを80℃以下の温度、たと
えば周囲温度の程度まで加熱する。
置部材で混合して行なわれる。均質組成、物を得るには
、先ず最初に重合体(A4)を充填剤(C4)と混合し
、次いでこの組合せ物を少なくとも30分間にわたり8
0℃より高い温度で加熱して、充填剤が油により完全に
濡らされるよう確保するのが好ましい。他の成分、すな
わち架橋剤(B4)と有機錫誘導体と必要に応じ各種の
添加物及びアジュバント並びに水を次いで得られた混合
物に添加し、好ましくはこれを80℃以下の温度、たと
えば周囲温度の程度まで加熱する。
この種の組成物は貯蔵安定性でなく、したがってたとえ
ば40分間以内に迅速に使用せねばならない。
ば40分間以内に迅速に使用せねばならない。
各種の添加物及びアジュバントは、単一成分組成物中に
導入するものと同じでおる。ここでも、25℃にて少な
くとも10mPaの粘度を有し、珪素原子に結合された
有機基がメチル、ビニル及びフェニル基から選択される
α・、ω−ビス(トリ有機シロキシ)ジ有機ポリシロキ
サン重合体につき特記せねばならない。好ましくは25
℃にて20mPa〜1 、000mPaの粘度を有する
α、ω−ビス(トリメヂ゛ルシロキシ)ジメチルポリシ
ロキサン油が好適に使用される。
導入するものと同じでおる。ここでも、25℃にて少な
くとも10mPaの粘度を有し、珪素原子に結合された
有機基がメチル、ビニル及びフェニル基から選択される
α・、ω−ビス(トリ有機シロキシ)ジ有機ポリシロキ
サン重合体につき特記せねばならない。好ましくは25
℃にて20mPa〜1 、000mPaの粘度を有する
α、ω−ビス(トリメヂ゛ルシロキシ)ジメチルポリシ
ロキサン油が好適に使用される。
たとえば、2cmより大きい厚さを有する厚い層として
使用される二成分組成物の硬化を促進するには、重合体
(A4 ) 100部当り1部を越えない割合で水を
導入することが推奨される。
使用される二成分組成物の硬化を促進するには、重合体
(A4 ) 100部当り1部を越えない割合で水を
導入することが推奨される。
充分量の水が既に充填剤(C4)中に存在すれば、この
水添加は不必要である。混入を一層容易にするには、好
ましくは水をたとえば上記α、ω−ビス(トリ有機シロ
キシ)ジ有機ポリシロキサン油と充填剤(C4)とより
なるペーストにおける分散物の形態で添加する。
水添加は不必要である。混入を一層容易にするには、好
ましくは水をたとえば上記α、ω−ビス(トリ有機シロ
キシ)ジ有機ポリシロキサン油と充填剤(C4)とより
なるペーストにおける分散物の形態で添加する。
したがって、包装及び貯蔵には、二成分組成物は全部の
主成分、すなわち重合体(A4)と架橋剤(B4)と充
填剤(C4)と有機錫誘導体とを含有することはできな
い。工業規模の場合、これらは両者が貯蔵に際し安定で
あるような二成分として製造せねばならない。
主成分、すなわち重合体(A4)と架橋剤(B4)と充
填剤(C4)と有機錫誘導体とを含有することはできな
い。工業規模の場合、これらは両者が貯蔵に際し安定で
あるような二成分として製造せねばならない。
貯蔵に際し安定である第1成分はたとえば成分(A4)
、(B4)及び(C4)で構成することができる。好ま
しくは、これは重合体(A4)を充填剤(C4)と混練
して製造される均質混合物へ架橋剤(B4)を添加する
ことにより製造される。
、(B4)及び(C4)で構成することができる。好ま
しくは、これは重合体(A4)を充填剤(C4)と混練
して製造される均質混合物へ架橋剤(B4)を添加する
ことにより製造される。
次いで、第2成分は有機錫誘導体で構成される。
二成分組成物を配合する他の方法は次のように選択する
ことができる:たとえば、重合体(A4)と充填剤(C
4)とを含有する第1成分、及び架橋剤(B4)と有機
錫誘導体を含有する第2成分で構成することができる。
ことができる:たとえば、重合体(A4)と充填剤(C
4)とを含有する第1成分、及び架橋剤(B4)と有機
錫誘導体を含有する第2成分で構成することができる。
多くの用途において、両成分はこれらを混合した際に2
5°Cにてたとえば10,000〜800,000mP
aの範囲の粘度を有する組成物が容易に形成されるよう
に充分流動性とするのが好ましい。
5°Cにてたとえば10,000〜800,000mP
aの範囲の粘度を有する組成物が容易に形成されるよう
に充分流動性とするのが好ましい。
2種の成分を混合した後に少なくとも40分間、好まし
くは少なくとも80分間にわたり充分流動性を保つこれ
らの組成物は、特に珪素エラストマで作成された金型の
製造に使用することかできる。
くは少なくとも80分間にわたり充分流動性を保つこれ
らの組成物は、特に珪素エラストマで作成された金型の
製造に使用することかできる。
しかしながら、これらはたとえば電子ハードウェアの被
覆及び金属、繊維若しくはセルロース系表面の被覆のよ
うな他の用途にも使用することができる。
覆及び金属、繊維若しくはセルロース系表面の被覆のよ
うな他の用途にも使用することができる。
製造される金型は、有機重合体よりなる気泡材料又はそ
の他の材料で作成された物品を複製することを目的とす
る。これらの材料としてはポリウレタン類、ポリエステ
ル類、ポリアミド類及びポリ塩化ビニルを挙げることが
できる。しかしながら、ポリウレタン材料を製造するの
に使用される混合物の成分(特にポリイソシアネート)
による腐蝕に対し充分耐性であると言う事実に鑑み、ポ
リウレタン物品を複製するためのこれら金型を使用する
ことが推奨される。
の他の材料で作成された物品を複製することを目的とす
る。これらの材料としてはポリウレタン類、ポリエステ
ル類、ポリアミド類及びポリ塩化ビニルを挙げることが
できる。しかしながら、ポリウレタン材料を製造するの
に使用される混合物の成分(特にポリイソシアネート)
による腐蝕に対し充分耐性であると言う事実に鑑み、ポ
リウレタン物品を複製するためのこれら金型を使用する
ことが推奨される。
[発明の効果]
有機錫誘導体に基づく本発明による触媒の導入は、−成
分及び二成分組成物に対し最適使用条件を得ることを可
能にする。かくして、経時的に安定でありかつ組成物の
熟成及び貯蔵条件とは無関係であるような引張り特性を
有するエラストマを得ることが可能となる。
分及び二成分組成物に対し最適使用条件を得ることを可
能にする。かくして、経時的に安定でありかつ組成物の
熟成及び貯蔵条件とは無関係であるような引張り特性を
有するエラストマを得ることが可能となる。
[実施例]
以下、実施例により本発明をざらに説明する。
例1:
組成物P1を、次のものを混合することにより作成した
: 25°Cにて10,000mPaの粘度を有するα、ω
−ジヒドロ1キシジメチルボリシロキザン油100部、
25℃にてa20炭化水素基である)のモノカルボキシ
レート基、式R8O mpaの粘度を有するα、ω−ビ
ス(1〜リメチルシロキシ)ジメチルポリシロキサン油
70部、300m 2 /(]の比表面積を有しヘキサ
メチルジシラザンで処理された発熱性シリカ55部、5
卯の平均粒径を有する磨砕石英50部、及び25℃にて
10,000mPaの粘度を有する前記α、ω−ジヒド
ロキシジメチルポリシロキサン油9油部0部50m 2
/gの比表面積を有する発熱性シリカ5部と水5部と
から作成したペースト10部。
: 25°Cにて10,000mPaの粘度を有するα、ω
−ジヒドロ1キシジメチルボリシロキザン油100部、
25℃にてa20炭化水素基である)のモノカルボキシ
レート基、式R8O mpaの粘度を有するα、ω−ビ
ス(1〜リメチルシロキシ)ジメチルポリシロキサン油
70部、300m 2 /(]の比表面積を有しヘキサ
メチルジシラザンで処理された発熱性シリカ55部、5
卯の平均粒径を有する磨砕石英50部、及び25℃にて
10,000mPaの粘度を有する前記α、ω−ジヒド
ロキシジメチルポリシロキサン油9油部0部50m 2
/gの比表面積を有する発熱性シリカ5部と水5部と
から作成したペースト10部。
架橋系C1は、40%のシリカを含有するエチルポリシ
リケート82.5部を有機錫誘導体17.5部と室温に
て混合することにより作成した。有機錫誘導体はジ−n
−ブチル錫ジラウレート又は錫キレ−のジ−n−ジブチ
ル錫ジラウレートと錫キレート(Chl)との組合せ物
で構成した。
リケート82.5部を有機錫誘導体17.5部と室温に
て混合することにより作成した。有機錫誘導体はジ−n
−ブチル錫ジラウレート又は錫キレ−のジ−n−ジブチ
ル錫ジラウレートと錫キレート(Chl)との組合せ物
で構成した。
この組合せ物は75重量%、50重量%又は25重重量
のいずれかの置換物を含有することができる。
のいずれかの置換物を含有することができる。
組成物P1を、この組成物100部と架橋系012部と
の混合により触媒した。触媒は新たに作成したそのまま
で、或いは70℃にて66時間、185時間又は329
時間熟成させた後に使用した。
の混合により触媒した。触媒は新たに作成したそのまま
で、或いは70℃にて66時間、185時間又は329
時間熟成させた後に使用した。
次いで、触媒した組成物の展延時間を、この組成物が充
分流動状態を保ってその自重下で展延しかつしたがって
これを注ぎ入れる容器の内部空間の形状に適合する時間
を記録して決定した。
分流動状態を保ってその自重下で展延しかつしたがって
これを注ぎ入れる容器の内部空間の形状に適合する時間
を記録して決定した。
展延性を測定するのに用いた試験は次の通りである:
新たに触媒した組成物(15o )を直径4cmの円筒
状アルミニウム円盤に注ぎ入れ、5分間を越えない時間
の後、これは完全に水平な表面を持たねばならない。
状アルミニウム円盤に注ぎ入れ、5分間を越えない時間
の後、これは完全に水平な表面を持たねばならない。
室温にて数時間後、触媒した組成物をシリコーンエラス
トマに変換した。生成されたエラストマのショアA硬度
をこの触媒した組成物を作成してから24時間後に測定
した。展延時間及びショアA硬度の数値に関する結果を
下記第1表に要約する。
トマに変換した。生成されたエラストマのショアA硬度
をこの触媒した組成物を作成してから24時間後に測定
した。展延時間及びショアA硬度の数値に関する結果を
下記第1表に要約する。
展延時間は70℃における架橋系C1の熟成時間が66
1に¥間を越えると茗しく短縮されることが判明した。
1に¥間を越えると茗しく短縮されることが判明した。
しかしながら、この変化の程度は有機錫誘導体の組成に
依存する。この誘導体がジ−n−ブチル錫ジラウレート
である場合、展延時間の50%低下は70℃にて329
時間後に認められ、この誘導体が25%のジ−n−ブチ
ル錫ジラウレートと75%の錫キレート’(Chl)と
の混合物である場合には低下は著しく減衰して殆んど2
5%を越えなかった。ジ−n−ブチル錫ジラウレートが
存在しない場合、ショアA硬度は充分に硬化するには極
めて不充分であることが判明した。
依存する。この誘導体がジ−n−ブチル錫ジラウレート
である場合、展延時間の50%低下は70℃にて329
時間後に認められ、この誘導体が25%のジ−n−ブチ
ル錫ジラウレートと75%の錫キレート’(Chl)と
の混合物である場合には低下は著しく減衰して殆んど2
5%を越えなかった。ジ−n−ブチル錫ジラウレートが
存在しない場合、ショアA硬度は充分に硬化するには極
めて不充分であることが判明した。
例 2 :
組成物P2を、次のものを混合して作成した:25℃に
て20.000mPaの粘度を有するα、ω−ジヒドロ
キシジメチルポリシロキサン油100部、25°Cにて
500mPaの粘度を有するα、ω−ビス(i〜リメヂ
ルシロキシ)ジメチルポリシロキザン油100部、 200m 2 /qの比表面積を有しヘキサメチルジシ
ラザンで処理された発熱性シリカ50部、5卯の平均粒
径を有する磨砕石英100部、及び例1の組成物の成分
として既に使用された5%の水を含有するペース1〜1
5部。
て20.000mPaの粘度を有するα、ω−ジヒドロ
キシジメチルポリシロキサン油100部、25°Cにて
500mPaの粘度を有するα、ω−ビス(i〜リメヂ
ルシロキシ)ジメチルポリシロキザン油100部、 200m 2 /qの比表面積を有しヘキサメチルジシ
ラザンで処理された発熱性シリカ50部、5卯の平均粒
径を有する磨砕石英100部、及び例1の組成物の成分
として既に使用された5%の水を含有するペース1〜1
5部。
組成物P2はこの組成物100部を例1に使用した架橋
系C1と同様な架橋系、すなわちアルキルポリシリケー
ト82.5部と有機錫誘導体17.5部とよりなる架橋
系C22部と混合することにより触媒した。有機錫誘導
体はジ−n−ブチル錫ジラウレート、或いは50%のジ
−n−ジブチル錫ジラウレートと35%の式: の錫キレ−)(Chl)と15%の式:の錫キレ−1〜
(Ch2 >とを含有する組合せ物で<;I>成した。
系C1と同様な架橋系、すなわちアルキルポリシリケー
ト82.5部と有機錫誘導体17.5部とよりなる架橋
系C22部と混合することにより触媒した。有機錫誘導
体はジ−n−ブチル錫ジラウレート、或いは50%のジ
−n−ジブチル錫ジラウレートと35%の式: の錫キレ−)(Chl)と15%の式:の錫キレ−1〜
(Ch2 >とを含有する組合せ物で<;I>成した。
栗(n剤C2は新たに作成したそのままで、或いは75
°Cにて26I、6日、9日、10日及び121部間熟
成にかけた後に使用した。
°Cにて26I、6日、9日、10日及び121部間熟
成にかけた後に使用した。
触媒した組成物の展延時間は例1に既に示したと同様に
測定した。得られたシリコ−フェラス1〜マのショアA
硬度も、触媒した組成物を作成してから24時間後に測
定した。それらの結果を下記第展延時間は、架(金糸の
熟成時間がこの数値を越えて6日間に達すると短縮され
ることが判明した。
測定した。得られたシリコ−フェラス1〜マのショアA
硬度も、触媒した組成物を作成してから24時間後に測
定した。それらの結果を下記第展延時間は、架(金糸の
熟成時間がこの数値を越えて6日間に達すると短縮され
ることが判明した。
この低下は、ジ−n−ブチル錫ジラウレートを含有する
有機錫誘導体を使用した場合に12日間後に70%程度
の極めて著しいものとなった。ジ−n−ブチル錫ジラウ
レートと2種のジ有機錫キレートとの組合せ物を含有す
る混合誘導体を使用した場合には僅か30%であった。
有機錫誘導体を使用した場合に12日間後に70%程度
の極めて著しいものとなった。ジ−n−ブチル錫ジラウ
レートと2種のジ有機錫キレートとの組合せ物を含有す
る混合誘導体を使用した場合には僅か30%であった。
牲−λ亘:
例1に使用した組成物P1100部を、例1で使用した
架橋系C1と同様な架橋系035部で触媒した。有機錫
誘導体はジ−n−ブチル錫ジラウレート及び重量比50
150における式:のキレートCh1との組合せ物で構
成した。
架橋系C1と同様な架橋系035部で触媒した。有機錫
誘導体はジ−n−ブチル錫ジラウレート及び重量比50
150における式:のキレートCh1との組合せ物で構
成した。
触媒した組成物を厚さ2重量の層としてポリエチレン平
板の上に付着させた。大気に開放して24時間静置した
後、形成されたエラストマフィルムを離型し、かつ20
℃の温度にて異なる日数にわたり熟成させた。
板の上に付着させた。大気に開放して24時間静置した
後、形成されたエラストマフィルムを離型し、かつ20
℃の温度にて異なる日数にわたり熟成させた。
上記熟成時間にかけたフィルムのショアA硬度(SAH
)及び引張り強さくTS>(kN/mで現わす)を測定
した。それらの結果を下記第3表に要約する: エラス1〜マを室温にて60日間熟成すると、ジ−n−
ブチル錫ジラウレートのみJ:りなる有機錫誘導体を使
用した場合には引張り強さの数値における顕署な低下が
見られた。この低下は50150の重量化にお【プるジ
−n−ブチル錫ジラウレートと錫キレ−1”(Chl)
との組合せ物を用いた場合には生じなかった。
)及び引張り強さくTS>(kN/mで現わす)を測定
した。それらの結果を下記第3表に要約する: エラス1〜マを室温にて60日間熟成すると、ジ−n−
ブチル錫ジラウレートのみJ:りなる有機錫誘導体を使
用した場合には引張り強さの数値における顕署な低下が
見られた。この低下は50150の重量化にお【プるジ
−n−ブチル錫ジラウレートと錫キレ−1”(Chl)
との組合せ物を用いた場合には生じなかった。
例3:
例1に記載した架橋系C1と同様な架橋系C4を、40
%のシリカを含有するエチルポリシリケート82.5部
と有機錫誘導体17.5部とを室温で混合することによ
り作成した。この誘導体はジー「)−ブチル錫ジベルサ
テート(ベルサチン酸はカルボキシル基に対しα位置が
第三級であるC9、C1o及びC11酸類の混合物より
なる飽和の合成モノカルボン酸である)、或いは50/
50の@量比におけるこのジーn−ブチル錫ジベルサ
テートと式:のキレートCh1との組合せ物で構成した
。
%のシリカを含有するエチルポリシリケート82.5部
と有機錫誘導体17.5部とを室温で混合することによ
り作成した。この誘導体はジー「)−ブチル錫ジベルサ
テート(ベルサチン酸はカルボキシル基に対しα位置が
第三級であるC9、C1o及びC11酸類の混合物より
なる飽和の合成モノカルボン酸である)、或いは50/
50の@量比におけるこのジーn−ブチル錫ジベルサ
テートと式:のキレートCh1との組合せ物で構成した
。
例1に記載した組成物P1を次いで、この組成物100
部を架橋系045部と混合することにより触媒した。こ
の触媒した組成物の展延時間を例1に記載したと同様に
測定した。触媒された組成物を硬化させて作成したシリ
コーンエラストマのショアA硬度の測定は、空気の不存
在下で硬化させたエラストマ試料の一方の面及び包囲空
気の下で硬化させた他方の面につき測定して2回行なっ
た。
部を架橋系045部と混合することにより触媒した。こ
の触媒した組成物の展延時間を例1に記載したと同様に
測定した。触媒された組成物を硬化させて作成したシリ
コーンエラストマのショアA硬度の測定は、空気の不存
在下で硬化させたエラストマ試料の一方の面及び包囲空
気の下で硬化させた他方の面につき測定して2回行なっ
た。
この試料は、触媒された組成物を直径4cmの円筒状ア
ルミニウムフラスコ4cmの中に高さ4cmまで注型し
て作成し、注型の後にエラストマまで硬化させた。これ
を24時間後に離型させ、かつこのエラストマ試料をア
ルミニウムフラスコの底部と接触した特定面のショアA
硬度及び包囲空気に露出された面のショアA硬度を測定
するために使用した。
ルミニウムフラスコ4cmの中に高さ4cmまで注型し
て作成し、注型の後にエラストマまで硬化させた。これ
を24時間後に離型させ、かつこのエラストマ試料をア
ルミニウムフラスコの底部と接触した特定面のショアA
硬度及び包囲空気に露出された面のショアA硬度を測定
するために使用した。
さらに、例2bに記載した方法で作成した厚さ2重量の
エクス1〜マのフィルムでおる他の種類の試料を20’
Cにて熟成させた。ショアA硬度(S A H)及び引
張り強さくTS>(kN/mとして現わ′?l)を10
日、30日、60日、90日、及び150日の熟成期間
にかけた試料につき測定した。
エクス1〜マのフィルムでおる他の種類の試料を20’
Cにて熟成させた。ショアA硬度(S A H)及び引
張り強さくTS>(kN/mとして現わ′?l)を10
日、30日、60日、90日、及び150日の熟成期間
にかけた試料につき測定した。
それらの結果を第4表及び第5表に要約する:/″
7・′
それ自身のみで使用した場合ジーn−ブチル錫シベルザ
テ−1〜は許容しうるショアA硬度を有するエラストマ
を24時間後に生ぜしめないことが認められた。特に、
24時間後に硬化させた特定面は引き裂きなしの通常の
離型処理に対し耐えることができなかった。
テ−1〜は許容しうるショアA硬度を有するエラストマ
を24時間後に生ぜしめないことが認められた。特に、
24時間後に硬化させた特定面は引き裂きなしの通常の
離型処理に対し耐えることができなかった。
熟成後、60日間の終了時にジー「)−ブチル錫ジベル
ザテートだけでキレートCh1との組合せ物ににり作成
されたものよりも低いS A H及び特にTSを有する
エラストマを生成すると思われる。
ザテートだけでキレートCh1との組合せ物ににり作成
されたものよりも低いS A H及び特にTSを有する
エラストマを生成すると思われる。
例4:
次のものをニーダ−中で湿式磨砕した:25℃にて17
5 、000mPaの粘度を有するα、ω−ジ′
ヒドロキシジメチルポリシロキサン油100部、25℃
にて100mPaの粘度を有するビス(トリメチルシロ
キシ)ジメチルポリシロキサン油20部、5珈の平均粒
径を有する炭酸カルシウム60部、及び 150m 27gの比表面積を有する発熱性シリカ10
部。
5 、000mPaの粘度を有するα、ω−ジ′
ヒドロキシジメチルポリシロキサン油100部、25℃
にて100mPaの粘度を有するビス(トリメチルシロ
キシ)ジメチルポリシロキサン油20部、5珈の平均粒
径を有する炭酸カルシウム60部、及び 150m 27gの比表面積を有する発熱性シリカ10
部。
材料が均質になった際、これに式:
%式%)
のシラン5.5部と式:
(C1l 30)3Si(CH2) 3 NH−CH2
CH2NH2のシラン2.5部と有機錫誘導体0.03
5部とを混合して作成された溶液を全て添加し、前記有
機錫誘導体はジブチル錫ジラウレートを式: の錫キレート(Ch3)と50150のモル比にて混合
することにより作成した。
CH2NH2のシラン2.5部と有機錫誘導体0.03
5部とを混合して作成された溶液を全て添加し、前記有
機錫誘導体はジブチル錫ジラウレートを式: の錫キレート(Ch3)と50150のモル比にて混合
することにより作成した。
このようにして得られた単一成分組成物を密封アルミニ
ウム管内に水分の不存在下で貯蔵した。
ウム管内に水分の不存在下で貯蔵した。
ジブチル錫ジラウレートのみを有機錫誘導体として使用
しかつ使用量を同一、すなわち0.035部とした以外
は上記と同一の他の組成物を作成した。
しかつ使用量を同一、すなわち0.035部とした以外
は上記と同一の他の組成物を作成した。
この組成物も密封アルミニウム管中に包装した。
両組酸物の貯蔵安定性を検査し、この目的でこれらを含
イ1覆るチューブを100°Cまで加熱されたオーブン
内で72時間敢装した。
イ1覆るチューブを100°Cまで加熱されたオーブン
内で72時間敢装した。
これらデユープを冷却しかつその内容物をポリテ1〜ラ
フルオロエチレン平板上に開放空気中で厚さ2m111
の層として展延した(加熱にかけなかったデユープの内
容物及び室温にて1ケ月間貯蔵した内容物と共に)。付
着した層をゴム状フィルムに変換した。層を付着させて
から24時間後、エラストマフィルムを剥ぎ取り、エラ
ストマの引張り特性を室温にて7日間熟成した後に測定
した。
フルオロエチレン平板上に開放空気中で厚さ2m111
の層として展延した(加熱にかけなかったデユープの内
容物及び室温にて1ケ月間貯蔵した内容物と共に)。付
着した層をゴム状フィルムに変換した。層を付着させて
から24時間後、エラストマフィルムを剥ぎ取り、エラ
ストマの引張り特性を室温にて7日間熟成した後に測定
した。
それらの結果を下記第6表に要約する:引張り特性の数
値を検査ずれば明らかに示されるJ:うに、経時的にこ
れら性質を保持するにはシーn−ブチル錫ジラウレート
だけでなくジーn −ブチル錫ジラウレー1〜/キレー
ト(C10)触媒混合物を使用するのが有利である。
値を検査ずれば明らかに示されるJ:うに、経時的にこ
れら性質を保持するにはシーn−ブチル錫ジラウレート
だけでなくジーn −ブチル錫ジラウレー1〜/キレー
ト(C10)触媒混合物を使用するのが有利である。
手続補正書(方式)
%式%
事件の表示 昭和62年 特該第1156 号発明の
名称 室温以上の温度にて硬化しうる有機ポリシロキ
サン組成物のための錫触媒系 補正をする者 事件との関係 特許出願人名称
ローヌープ−ラン・スペシアリテ・シミーク補正命令
通知の[1付 昭和62年3月31日 、補正の対象 明細書 補正の内容 別紙の通り
名称 室温以上の温度にて硬化しうる有機ポリシロキ
サン組成物のための錫触媒系 補正をする者 事件との関係 特許出願人名称
ローヌープ−ラン・スペシアリテ・シミーク補正命令
通知の[1付 昭和62年3月31日 、補正の対象 明細書 補正の内容 別紙の通り
Claims (8)
- (1)室温以上の温度でシリコーンエラストマまで硬化
しうるベースと、有機錫化合物の種類から選択される硬
化触媒とを含有する有機ポリシロキサン組成物において
、触媒はジ有機錫ビス(β−ジケトネート)と、β−ジ
ケトナト基を含有せずかつ少なくとも1個の錫原子を有
する原子価IVの錫の有機誘導体との混合物であり、各錫
原子はSn−C結合を介して結合した2個の有機基を有
し、2つの残存する原子価はSn−O若しくはSn−S
結合を介して結合された有機若しくは無機の基から選択
される基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基及び酸素原子
によって満たされていることを特徴とする有機ポリシロ
キサン組成物。 - (2)触媒混合物が、両有機錫誘導体の合計に対し0.
1〜99.9重量%、好ましくは10〜90重量%のジ
有機錫ビス(β−ジケトネート)と99.9〜0.1重
量%、好ましくは90〜10重量%のβ−ジケトナト基
を含有しない原子価IVの錫の有機誘導体とからなること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の有機ポリシロ
キサン組成物。 - (3)ジ有機錫ビス(β−ジケトネート)が式:▲数式
、化学式、表等があります▼ [式中、R^1及びR^2は同一若しくは異なるもので
あってC_1−C_1_2有機基を示し、R^3及びR
^5は同一若しくは異なるものであってR^1及びR^
2の意味を有し、さらに水素原子、C_2−C_4アル
キル部分を有するシアノアルキル基又はC_1−C_5
アルキル部分を有するシアノアルコキシ基をも示し、 R^4は水素原子又はハロゲン化された又はハロゲン化
されてないC_1−C_8炭化水素基を示し、又は R^4はR^5と結合した場合にはクロル、ニトロ若し
くはシアノ基により置換され若しくは置換されてない炭
化水素基を示す] に相当することを特徴とする特許請求の範囲第1項又は
第2項記載の有機ポリシロキサン組成物。 - (4)R^1及びR^2がハロゲン化された又はハロゲ
ン化されてないC_1−C_1_2アルキル基を示すこ
とを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の有機ポリシ
ロキサン組成物。 - (5)ジ有機錫ビス(β−ジケトネート)が式:▲数式
、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ の化合物から選択されることを特徴とする特許請求の範
囲第4項記載の有機ポリシロキサン組成物。 - (6)β−ジケトナト基を含有しない原子価IVの錫の有
機誘導体が式: A_2SnR^6_2 R^6_2SnO、 AR^6_2SnOSnR^6_2A ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^6はハロゲン化された又はハロゲン化され
てないC_1−C_2_0炭化素水素基を示し、 Aは有機若しくは無機の基、有機珪素基又はポリジ有機
ポリシロキサン連鎖を示し、Sn−O若しくはSn−S
結合、ハロゲン原子又はヒドロキシル基によって錫原子
に結合され、QはC_2−C_1_0アルキレン基を示
す]の化合物よりなる群から選択されることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項乃至第5項のいずれかに記載の
組成物。 - (7)β−ジケトナト基を含有しない原子価IVの錫の有
機誘導体が式: A2SnR^6_2 R^6_2SnO [式中、基R^6は直鎖若しくは分枝鎖のC_1−C_
2_0アルキル基を示し、かつ基Aは式R^7COO(
ここでR^7はC_1−C_2_0炭化水素基である)
のモノカルボキシレート基、式R^8O(ここでR^8
はC_1−C_8炭化水素基を示す)のアルコキシ基、
及び 式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (ここでR^1^2及びR^1^3はC_1−C_1_
0炭化水素基を示す)のケチミノキシ基、 有機珪素基又は短いポリジ有機シロキサン連鎖よりなる
群から選択される] の化合物よりなる群から選択されることを特徴とする特
許請求の範囲第6項記載の組成物。 - (8)β−ジケトナト基を含有しない原子価4の錫の有
機誘導体がジn−ブチル錫ジラウレート、ジ−n−オク
チル錫ジラウレート、ジ−n−ブチル錫ジアセテート、
ジ−n−オクチル錫ジアセテート、ジ−n−ブチル錫ジ
−2−エチルヘキサノエート、ジ−n−オクチル錫ジ−
2−エチルヘキサノエート、ジ−n−ブチル錫ジベルサ
テート及びジ−n−オクチル錫ジベルサテートから選択
されることを特徴とする特許請求の範囲第7項記載の組
成物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8600404A FR2592657B1 (fr) | 1986-01-09 | 1986-01-09 | Systeme catalytique a l'etain pour composition organopolysiloxane durcissable des la temperature ambiante. |
FR86/00404 | 1986-01-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62230852A true JPS62230852A (ja) | 1987-10-09 |
JPH0480067B2 JPH0480067B2 (ja) | 1992-12-17 |
Family
ID=9331065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62001156A Granted JPS62230852A (ja) | 1986-01-09 | 1987-01-08 | 室温以上の温度にて硬化しうる有機ポリシロキサン組成物のための錫触媒系 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4749766A (ja) |
EP (1) | EP0235049B1 (ja) |
JP (1) | JPS62230852A (ja) |
AR (1) | AR247415A1 (ja) |
AT (1) | ATE54464T1 (ja) |
AU (1) | AU591220B2 (ja) |
BR (1) | BR8700056A (ja) |
DE (1) | DE3763596D1 (ja) |
ES (1) | ES2017518B3 (ja) |
FR (1) | FR2592657B1 (ja) |
GR (1) | GR3002511T3 (ja) |
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