JPS6223079Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はセラミツクトリマコンデンサに関し、
その目的とするところは、誘電体たるセラミツク
板の割れに対する信頼性を向上させると共に、ロ
ーター荷重に対する静電容量変化特性を向上させ
ることにある。

本考案との対比のために、まず、従来のこの種
セラミツクコンデンサを第１図〜第３図によつて
説明する。

図において、１は亜鉛ダイキヤスト等から形成
された円板形のロータ部材で、その底面には、略
半円形のロータ電極部１ａ、並びに（バランスを
とるために）ロータ電極部１ａと同一高さの半環
状の凸部１ｂが突出・形成されている（第２図参
照）。３は誘電体となる薄いセラミツク板で、略
小判形を呈し（第２図参照）、その片面には略半
円形のステータ電極７が銀ペースト等によつて印
刷・形成されている。４は絶縁性の合成樹脂から
なるフレームで、略コツプ状を呈し、その底部４
ｆには金属薄板よりなるホツト端子５がインサー
トモールド、圧入等の手段によつて取付けられて
おり、該ホツト端子５の一端は、フレームの内底
面４ａの細溝４ｇ（第１，３図参照）内で折曲げ
られて弾性あるいは接触部５ａとされている。
又、前記フレーム４の周壁４ｂの内周面は、第３
図示のように直線部４ｃと円弧部４ｈとが形成さ
れている。

そして、前記セラミツク板３はステータ電極７
を下向きにしてフレーム４の内底面４ａ上に載置
され、セラミツク板３の直線部３ａとフレーム４
の直線部４ｃとがはめ合い構造となつているた
め、セラミツク板３は不動状態で保持されると共
に、ステータ電極７には前記ホツト端子５の接触
部５ａが弾接して、両者５，７は電気的に導通さ
れる。このセラミツク板３上には、前記ロータ部
材１がそのロータ電極部１ａ並びに半環状の凸部
１ｂを下向きにして載置されている。

２は、金属製のシヤフトで、その頭部２ａは、
前記ロータ部材１のドライバー溝１ｃ底部に当接
され、ロータ部材１、セラミツク板３、フレーム
４を挿通してフレーム４の底部４ｆ外に突出した
他端２ｂは、金属薄板よりなるアース端子６を介
して底部４ｆ側へめられており、該シヤフト２
によつて前記ロータ部材１はフレーム４に対して
回動自在に保持されていると共に、セラミツク板
３をロータ部材１とフレーム４内底面４ａとで圧
接・挾持させている。又、ロータ部材１はシヤフ
ト２を介してアース端子６に電気的に導通してい
る。

そして、ロータ部材１をドライバー等の調整具
によつて回動させることにより、ロータ部材１の
ロータ電極部１ａと、ステータ電極７との対向面
積が変化し、容量が可変される構成となつてい
る。

ところで、上記構成においては、フレーム４は
コスト低減の要求から安価な合成樹脂材料の使用
を余儀なくされ、ために成形収縮によつて、フレ
ーム４の内底面４ａにヒケ、ソリ等が生じて、内
底面４ａはフラツト性が劣つている。又、内底面
４ａと当接するセラミツク板３側には、ステータ
電極７が印刷・形成されているため、セラミツク
板３もステータ電極７の厚み分だけ段差が生じて
いる。このため、セラミツク板３とフレーム４の
内底面４ａとの間には実用上無視出来ぬ程度のギ
ヤツプが存在している。従つて、シヤフト２の
め工程時、或いは、容量調整時のロータ部材１へ
の押圧荷重によつて、セラミツク板３が不規則に
歪み、セラミツク板３とロータ部材１との密着性
が損なわれて、容量が変化する。即ち、ロータ荷
重に対する静電容量変化特性が劣下するという欠
点を有していた。又、ロータ荷重が増大すると歪
みも増大し、且つ、歪みによつてセラミツク板３
に曲げ力が付加されるため、時としてセラミツク
板３が割れてしまうという重大欠点もあつた。

この点を解消するために、フレーム４の内底面
４ａの外周側に、フレーム４と一体の環状凸部を
形成し、セラミツク板３の外周のみを環状凸部で
支持する構成が、本願出願人によつて実願昭55−
161199号として提案された。この先願に示された
セラミツクトリマコンデンサは、セラミツク板の
割れに対する信頼性と押圧加重に対する静電容量
変化特性とを向上させる上で極めて有効である
が、環状凸部が360゜の円環であつたため、フレ
ーム４の成形収縮に伴つて環状凸部面に若干のヒ
ケ、ソリが生じた。このため、セラミツク板３を
更に薄板化していくと、押圧加重に対する割れに
対する信頼性がいま少し不足すると共に、押圧加
重に対する静電容量変化特性の安定度をより一層
安定させる上で問題が残つた。

本考案は上記の点に鑑み成され、より一層のセ
ラミツクトリマコンデンサの信頼性の向上を企つ
たもので、以下本考案を第４図及び第５図に示し
た実施例によつて説明する。なお、前述の従来例
と同一構造には同一番号を付し、その詳細は省略
する。

該実施例においては、フレーム４の内底面４ａ
の外周側に、フレーム４と一体に細幅の弧状の凸
部４ｄが略120゜間隔で３ケ所に形成してあり、
該凸部４ｄの高さは、ステータ電極７の厚さによ
つても異なるが、ステータ電極７の厚さが10〜20
μ程度であると、30〜60μ程度に設定される。
又、凸部４ｄは前記ロータ部材１の外周下部のみ
を載置するようになつていると共に、前記セラミ
ツク板３のステータ電極７とは当接しないように
なつている。又、凸部４ｄは複数個に分割されて
いるので、成形収縮による影響が殆んどなく、各
凸部４ｄとセラミツク板７との間のギヤツプ発生
は略一掃される。

従つて、セラミツク板３はその外周部を、複数
の弧状の凸部４ｄと、ロータ部材１のロータ電極
部１ａ外周並びに半環状の凸部１ｂとに圧接・挾
持されており、且つ凸部４ｄはセラミツク板３の
ステータ電極７の形成していない部分（精密研摩
を施こした面）と密接している。このため、ステ
ータ電極７の厚さ（段差）に起因したセラミツク
板３とフレーム４との間のギヤツプ発生は一掃で
きる。又、セラミツク板３はその面全体ではな
く、その外周部の複数箇所のみを、弧状の凸部４
ｄとロータ部材１の下部外周とで圧接・挾持され
ているため、セラミツク板３はその外周部のみに
圧縮力を受け、セラミツク板３には殆んど折曲げ
力が加わらないため（面全体が不規則凹凸に倣つ
て、無理に変形する力が加わらないため）セラミ
ツク板３は割れに対する信頼性が向上できて、セ
ラミツク板３を薄板化することが可能となると共
に、セラミツク板３とロータ部材１（ロータ電極
部１ａ）との密着性も向上する。又、凸部４ｄと
セラミツク板３との間にもギヤツプ発生がなく、
総じてより一層の押圧荷重に対する信頼性の向上
を企れる。

叙上のように本考案によれば、セラミツク板の
外周のみを、フレームの複数の弧状の凸部とロー
タ部材とで圧接・挾持した構成なので、セラミツ
ク板には、フレーム内底面全体の凹凸並びにステ
ータ電極の厚みに起因した折曲げ力が作用しない
上、凸部とセラミツク板との間にも微少ギヤツプ
の発生がない。従つてセラミツク板の歪みの発生
を防止できて、セラミツク板の割れに対する信頼
性を前記した先願以上に向上でき、そのより一層
の薄板化が可能となつて、小型・大容量のセラミ
ツクトリマコンデンサを提供できる。加えて、歪
がないので、ロータ部材とセラミツク板との密着
性が向上し、ロータ荷重に対する静電容量変化特
性を向上させる等、総じて、高性能、大容量の小
型セラミツクトリマコンデンサを歩留り良く製造
できて、その実用的価値は顕著である。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は従来例に係り、第１図は第３
図のＡ−Ａ線に沿つた全体の断正面図、第２図は
ロータ部材とセラミツク板の斜視図、第３図はフ
レームの上面図、第４図及び第５図は本考案の１
実施例に係るセラミツクトリマコンデンサを示
し、第４図は第５図のＢ−Ｂ線に沿つた全体の断
正面図、第５図はフレームの上面図である。 １……フレーム、１ａ……ロータ電極部、１ｂ
……半環状の凸部、２……シヤフト、３……セラ
ミツク板、４……フレーム、４ｄ……弧状の凸
部、５……ホツト端子、６……アース端子、７…
…ステータ電極。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 絶縁性のフレーム上に、片面に略半円形のステ
   ータ電極を形成したセラミツク板と、金属製のロ
   ータ部材とを積層してなるセラミツクトリマコン
   デンサにおいて、前記フレームにセラミツク板の
   外周部を支持する凸部を複数個弧状に分割し、か
   つ、前記ステータ電極が当接しないように形成
   し、前記セラミツク板を、該凸部と、前記ロータ
   部材の外周部に連続して形成された凸部との間に
   圧接・挾持することを特徴とするセラミツクトリ
   マコンデンサ。