JPS62227693A - 光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光学記録媒体に関する。

従来の技術 レーザーを用いた光学記録は、高密度の情報記録保存お
よび再生を可能とするため、近年、特に、開発が望まれ
ている。

光学記録の一例としては、光ディスクをあげる事ができ
る。

一般に光ディスクは、円形の基体に設けられた薄い記録
層に、／μｍ程度に集束したレーザー光を照射し、高密
度の情報記録を行なうものである。

記録は、照射されたレーザーエネルギーの吸収により、
その個所に生じた、記録層の、分解、蒸発、溶解等の熱
的変形によシ生成し、そして記録された情報の再生は、
レーザー光によシ、変形が起きている部分と起きていな
い部分の反射率の差を読み取る事によ〕行なわれる。

したがって、記録媒体としては、レーザー光のエネルギ
ーを効率良く吸収する必要があるため記録に使用する特
定波長のレーザー光に対する吸収が大きい事、情報の再
生を正確に行なう九め、再生に使用する特定波長のレー
ザー光に対する反射率が高い事が必要である。

この梗の光学的記録媒体としては、種々の構成のものが
知られている。

例えば、特開昭Ｊ″！−９．７０３Ｊ号公報には、基板
上にフタロシアニン系色素の単ｗＩを設けたものが開示
されている。フタロシアニン系色素は＃度が低い、分解
点が高く蒸鶏しにくい等の問題点を有し、さらに有機溶
媒に対する溶解性が著しく低く、塗布によるコーティン
グに使用することができないという問題点も有している
。

また、特開昭ｊｒ−４３３４Ｌ参号公報にはフェナレン
系色素を、特開昭５？−２−弘７２３号公報にはナフト
キノン系色素を記録層に設けたものが開示されている。

しかし、このような色素は蒸着しやすいという利点の反
面、反射率が低いという問題点を有している。反射率が
低いとレーザー光により記録された部分と未記録部分と
の反射率に関係するコントラストは低くなり、記録され
た情報の再生が困難となる。

また、特開昭５ター２４Ｌぶり２号公報、特開昭ｊター
に７０９コ号公報、特開昭ｊター２７？り５号公報には
シアニン系色素を記録層に設けたものが開示されている
。しかし、このような色素は塗布によるコーティングに
使用できるという利点を有する反面、耐光性および再生
光による劣化という問題点を有している。

発明が解決しようとする問題点 本発明は、有機溶媒に対する溶解性が高く、塗布による
コーティングも可能で、しかも、反射型が高くコントラ
ストが良好で、耐光性および再生光に対する耐性にもす
ぐれている光吸収性物質を用いた光学記録媒体を徒供す
ることを目的とするものである。

問題点を解決するための手段 本発明の要旨は、一般式（１） （式中、Ｒ１およびＲ２は水素原子、アルキル基または
置換されていても良いアリール基を表わし、ｘｅは陰イ
オンを表わす。）で表わされるポリメチン系化合物金含
有することを特徴とする光学記録媒体に存する。

本発明の前記一般式（１）で表わされるポリメチン系化
合物は、一般式（ｎ） （式中、Ｒ１およびＲ２は一般式（Ｉ）におけると同一
の意義を示す。）で表わされるピロコリン系化合物と、
グルタコンアルデヒドシアニル塩酸塩と反応することに
より製造することが出来る。

前記一般式（１）におけるＲ１およびＲ２の具体例とし
ては、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基
、ｎ−ブチル基、　ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−へグチル
基、ｎ−オクチル基等の直鎖又は分１１１に　鎖状のア
ルキル基；フェニル基ニトリル基、ｐ−エチルフェニル
基、ｐ−ｎ−ブチルフェニル基、ｐ　−ｔａｒｔ−２テ
ルフエニル基等のアルキル基置換フェニル基；ｐ−メト
キシ７エ二ル基、ｐ−エトキシフェニル基、ｐ−ｎ−ブ
トキシフェニル基、ｐ−ｎ−へキシルオキシフェニル基
、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニル基、ｐ−エトキシエ
トキシフェニル基、ｐ−エトキシエトキシエトキシフェ
ニル基等のアルコキシ置換フェニル基；ｐ−メチルアミ
ノフェニル基、ｐ−ジメチルアミノフェニル基、ｐ−ジ
メチルアミノフェニル基、ｐ−ジーｎ−ブチルアミノフ
ェニル基吟のアルキル又はジアルキルアミノフェニル基
；ナフチル基等のアリール基を挙げることが出来る。

陰イオンｘｅトシテハ、Ｉｅ、　Ｂｒｅ、　Ｏｆ’　等
Ｏハロゲン陰イオン、　ｃｔｏ４ｅ％ＢＦ４ｅ　−ｉた
けリールスルホン酸系陰イオン等が挙げられる。

本発明の一般式（１）で示されるポリメチン系化合物は
、広範囲の種々の溶媒に対し、可溶である。

例えば、クロロホルム、ジクロルメタン、ジクロルエタ
ン、ジブロムエタン、テトラクロルエタン呵の含ハロゲ
ン炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジオキサン、テ
トラヒドロフラン、ジメトキシエタン等のエーテル系溶
媒、酢酸エチル、エチルセルソルブアセテート等のエス
テル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイ
ソブチルケトｙ等のケトン系溶媒、アセトアミド、　　
Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ　−メチルピロリド
ン等のアミド系溶媒、メタノール、エタノール、メチル
セルンルフ等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン
、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒
、ジメチルスルホキシドなどの溶媒に可溶である。

本発明の記録媒体を用いた光学記録体の一例として光デ
ィスクについて説明するに、基板材料としては、ガラス
、プラスチックス等があげられる。プラスチックスは、
安全性、軽量性の点で好適である。プラスチックスとし
ては、アクリル値崩、メタクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエステ
ル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ
アミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げ
られる。

本発明の様体からなる記録層の成膜方法としては、基板
上に真空蒸着する方法、樹脂溶媒と混合して塗布する方
法、溶媒に溶解させて、塗布またｈ浸漬する方法等の公
知の方法があげられる。特に、本発明の化合物はその溶
媒に対する溶解性が良好なため塗布方式に適している。

塗布による製膜は、上記一般式ＣＩ）で示される化合物
を例えば、溶媒中に溶解し、場合によってはバインダー
とともに混合し、スピンコードすることにより得られる
。バインダーとしては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹
脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、セルロース系樹脂等を挙げ
ることができる。

その際、樹脂に対する上記一般式（１）で示される光吸
収性物質の比率は１０ｗｔ％以上が望ましい。

スピナー法による成膜の場合、回転数はＳＯθ〜ｙ００
０ｒｐｍが好ましく、スピンコードの後、場合によって
は、加熱あるいけ溶媒蒸気にあてる等の処理を行なって
もよい。凍た、ｖ、ａ体の安定性や耐光性向上のために
、−１：項酸素クエンチャ−として遷移金属キレート化
合物（たとえば、アセチルアセトナートキレート、ビス
フェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビ
スジチオ−α−ジケトン等）あるいは３級アミン系化合
物等を含有していてもよい。更に、必要に応じて他の色
素を併用することができる。他の色素としては、別のｆ
！順のスクアリリウム系色素でもよいし、トリアリール
メタン系色素、アゾ染料、シアニン系色素、インドフェ
ノール系色素など他系統の色素でもよい。

ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法
、特に、スピナー法等の塗布方法により記録層を形成す
る場合の塗布溶媒としては、ブロモホルム、ジブロモエ
タン、エチルセロソルブ、キシレン、クロロベンゼン、
シクロヘキサノン等の、沸点／２０〜／≦θ℃のものが
好適に使用される。

本発明の光学記録媒体からなる記録層は基板の両面に設
けてもよいし、片面だけに設けてもよい。

上記の様にして得られた記録体への記録は。

基体の両面または、片面に設けた記録層に／μｍ程度に
集束したレーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光
をあてる事によシ行なう。レーザー光の照射された部分
には、レーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、
溶融等の記録層の熱的変形が起こる。

記録され九情報の再生は、レーザー光により、熱的変形
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取る事により行なう。

光源としては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、Ａｒ　レーザ−、
半導体レーザー等の各種のレーザーを用いる事ができる
が、価格、大きさの点で、半導体レーザーが特に好まし
い。

半導体レーザーとしては、中心波長ｒ３ｏｎｍ。

中心波長７　Ｊ’　ＯｎＩｎ　、そしてそれよシ短波長
のレーザーを使用する事ができる。

実施例 次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明は、これ等の実施例によシ限定されるものではな
い。

実施例／ コ、３−ジメチルーピロコリン０Ｏ−５ｔおよびグルタ
コンアルデヒドシアニル塩酸塩θ、λａｔをメタノール
１Ｏｔｘｌ中に加え加熱還流する。この中に４０ｗｔ％
の過塩素酸水溶液０．Ｂａａを加え更に３分間加熱還流
した後冷却し、濾過、乾燥しで表わされる化合物を得た
。本化合物は１．２７９〜−／θ℃の融点を示し、アセ
トン中におけるλｍａｘは７　！　ＯＨｒｎであった。

本実Ｍ　例のポリメチン系化合物をメチルセルソルブに
溶解し、スピンコード（回転数１１０００ｒｐ　）によ
ジメタアクリル樹脂基板上に塗布し、膜厚りＯＯＸの薄
膜を得た。薄膜の最大吸収波長ＦｉＩ　／　Ｏｎｍであ
シ、ピークは巾広かった。

この薄膜に、中心波長ｒ　Ｊ　Ｏｎｍの半導体レーザー
光を出力４４　ｍＷで、ビーム径約／μｍ”ｔ’熱照射
た所、巾約／μｍ、ビット長駒−μ専の輪郭の極めて明
瞭な孔（ピット）が形成された。キャリアレベル／ノイ
ズレベル（０／ｌ比は、５コ（ｉＢであった。

耐光性および再生光に対する耐性も良好であつた。

実施例コ 実施例／に準じて下記構造式で表わされる化合物を得た
。

本化合物は、／り３〜／り参℃の融点を示し、アセトン
中におけるλｍｅＬＸは７！コｎｍであった。

本実施例のポリメチン系化合物を使用し、他は実施例／
と同様にしてメタアクリル樹脂基板上に製膜した。薄膜
のλｍａｗはｒ／参ｎｍであり、半導体レーザー記録時
のＣ７Ｍ比はｊ　／　（ＩＢであった。

実施−例３ ５ｐ、＃例／に準じて合成した第１表に示す種々のポリ
メチン系化合物を用い、実施例１と同様にしてメタ−ア
クリル樹脂基板上ＫＪ！！Ｉｌｌ　Ｌ、その薄膜のλｍ
＆Ｘ及び半導体レーザー記録時のＣ／　Ｎ比を測定した
。その結果を第１表に示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼…〔 I 〕 （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は水素原子、アルキル基ま
   たは置換されていても良いアリール基を表わし、Ｘ＾■
   は陰イオンを表わす。）で表わされるポリメチン系化合
   物を含有することを特徴とする光学記録媒体。