JPS62226673A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置及びその製造方法Info
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- JPS62226673A JPS62226673A JP61068722A JP6872286A JPS62226673A JP S62226673 A JPS62226673 A JP S62226673A JP 61068722 A JP61068722 A JP 61068722A JP 6872286 A JP6872286 A JP 6872286A JP S62226673 A JPS62226673 A JP S62226673A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体発光装置及びその製造方法に関する。
［従来の技術］
従来の埋込みへテロ構造を有する半導体発光表示装置は
、第４図に示す如（、ＧａＡｓ半導体層からなる活性層
３をＧａ１−エＡｔｘＡ＋ｓ （ｘ〜。、３）からなる
埋込み層６で囲んだ構造を肩している。この半導体発光
表示装置の構造を以下の第５図を参照してその製造工程
に従って説明する。第５図（４）に示す如く、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１上にｎ型伽。、、楠Ｊ Ａａクラッド層４及
びｐ ｍＧａＡｓキャッグ層５を順次連続的に結晶成長
させる。この際結晶成長法としては、液相エピタキシャ
ル成長法（ＬＰＥ法）、分子線エピタキシャル成長法（
ＭＢＥ法）、有機金属化学気相成長法（ＭＯ−ＣＶＤ法
）等が用いられる。
、第４図に示す如（、ＧａＡｓ半導体層からなる活性層
３をＧａ１−エＡｔｘＡ＋ｓ （ｘ〜。、３）からなる
埋込み層６で囲んだ構造を肩している。この半導体発光
表示装置の構造を以下の第５図を参照してその製造工程
に従って説明する。第５図（４）に示す如く、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１上にｎ型伽。、、楠Ｊ Ａａクラッド層４及
びｐ ｍＧａＡｓキャッグ層５を順次連続的に結晶成長
させる。この際結晶成長法としては、液相エピタキシャ
ル成長法（ＬＰＥ法）、分子線エピタキシャル成長法（
ＭＢＥ法）、有機金属化学気相成長法（ＭＯ−ＣＶＤ法
）等が用いられる。
次に、第５図中）に示す如く、ｐ型ＧａＡｌキャップ層
５上に所定・ぐターンの５１０２膜からなるマスク９を
載置し、これをマスクにしてｎ型Ｇ＆ ｏ 、 ７ Ａ
ｔ（３，５Ａ Ｉクラッド層２．ｐ型ＧａＡｓ活性層３
゜ｐ型Ｇａｏ、、Ａｔｏ、３Ａｓクラッド層４及びｐ型
ＧａＡｓキャップ層５にＧａＡｓ Ｊ板１に達するメサ
エッチングを施す。
５上に所定・ぐターンの５１０２膜からなるマスク９を
載置し、これをマスクにしてｎ型Ｇ＆ ｏ 、 ７ Ａ
ｔ（３，５Ａ Ｉクラッド層２．ｐ型ＧａＡｓ活性層３
゜ｐ型Ｇａｏ、、Ａｔｏ、３Ａｓクラッド層４及びｐ型
ＧａＡｓキャップ層５にＧａＡｓ Ｊ板１に達するメサ
エッチングを施す。
次に、第ｆ図（Ｃ）に示す如く、メサエッチングにて蕗
出しだＧａＡｓ基板１の主面上にｐ ｍ ＧａＡｓ活性
層３を完全に埋込み覆うようにしてＧａｏ、７Ａｔｏ、
３Ａｓ埋込層６を液相エピタキシャル成長法にて形成し
、半導体発光装置を得る。ここで、液相エピタキシャル
成長法を使用するのは、マスク９を誘電体薄膜としてキ
ャップ層５上に結晶成長が起きるのを防ぐためである。
出しだＧａＡｓ基板１の主面上にｐ ｍ ＧａＡｓ活性
層３を完全に埋込み覆うようにしてＧａｏ、７Ａｔｏ、
３Ａｓ埋込層６を液相エピタキシャル成長法にて形成し
、半導体発光装置を得る。ここで、液相エピタキシャル
成長法を使用するのは、マスク９を誘電体薄膜としてキ
ャップ層５上に結晶成長が起きるのを防ぐためである。
また、注入域流を活性層３０部分にのみ集中させて発光
装置の動作電流を低減させるために Ｇａ０．、Ａｔｏ、、Ａｓ埋込層６の電気抵抗を高抵抗
とすることや、或は第５図の）に示す如く、埋込層６′
ｔ−ＧａＡｓ基板１からｐ型Ｇａｏ、、Ａｔｏ、３Ａｓ
Ｉｆｉ ６／ ａと、ｎ型Ｇａｏ、、Ａｔ、）、４８
層６’ｂを順次積層してｎｐｎ構造にすること等が行わ
れている。
装置の動作電流を低減させるために Ｇａ０．、Ａｔｏ、、Ａｓ埋込層６の電気抵抗を高抵抗
とすることや、或は第５図の）に示す如く、埋込層６′
ｔ−ＧａＡｓ基板１からｐ型Ｇａｏ、、Ａｔｏ、３Ａｓ
Ｉｆｉ ６／ ａと、ｎ型Ｇａｏ、、Ａｔ、）、４８
層６’ｂを順次積層してｎｐｎ構造にすること等が行わ
れている。
なお、第４図中７は、ＧａＡｓ基板１の裏面側に形・成
された負電極用蒸着膜であり、８は、埋込層６及びキャ
ップ層５の主面側に形成された正電極用蒸着膜である。
された負電極用蒸着膜であり、８は、埋込層６及びキャ
ップ層５の主面側に形成された正電極用蒸着膜である。
［発明が解決しようとする問題点コ
このような従来の半導体発光表示装置は次のような問題
点を有する。活性層３の側壁部がメサエッチングの際に
空気にさらされるため、活性層端部及びその近傍に生じ
る結晶欠陥や不純物の蓄積等が素子特性を悪くする。す
なわち、結晶欠陥等に付随する界面準位に関与した注入
キャリアの非発光再結合が発光効率を低下させ、更には
結晶欠陥の増殖による素子劣化が素子の長期間の信頼性
を著しく損わせていた。
点を有する。活性層３の側壁部がメサエッチングの際に
空気にさらされるため、活性層端部及びその近傍に生じ
る結晶欠陥や不純物の蓄積等が素子特性を悪くする。す
なわち、結晶欠陥等に付随する界面準位に関与した注入
キャリアの非発光再結合が発光効率を低下させ、更には
結晶欠陥の増殖による素子劣化が素子の長期間の信頼性
を著しく損わせていた。
また、従来の半導体発光表示装置の製造方法は、次のよ
うな問題点を有する。すなわち、結晶成長が２度必要で
あり、製造工程が複雑になる。更に近年膜厚制御性や膜
厚の均一性を考慮して、ＬＰＥ （Ｌｉｑｕｉｄ ｐｈ
ａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ ）法に代わる結晶成長法とし
て量産化の観点からＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａ
ｎｉｃ Ｃｈａｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｐｓｐｏａｌ
ｔｉｏｎ）法が注目されているが、これらの気相成長法
では第５図（Ｃ）及び第５図（Ｄ）に示すような選択エ
ピタキシー技術が確立されておらず第４図に示したよう
な半導体発光装置を容易に量産することができない問題
があった。
うな問題点を有する。すなわち、結晶成長が２度必要で
あり、製造工程が複雑になる。更に近年膜厚制御性や膜
厚の均一性を考慮して、ＬＰＥ （Ｌｉｑｕｉｄ ｐｈ
ａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ ）法に代わる結晶成長法とし
て量産化の観点からＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａ
ｎｉｃ Ｃｈａｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｐｓｐｏａｌ
ｔｉｏｎ）法が注目されているが、これらの気相成長法
では第５図（Ｃ）及び第５図（Ｄ）に示すような選択エ
ピタキシー技術が確立されておらず第４図に示したよう
な半導体発光装置を容易に量産することができない問題
があった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、活性
層部分のエツチング処理を不要にして、一度で一連の結
晶成長処理によって活性層を埋込む埋込層までの形成が
可能であシ、長期に亘って高い信頼性を発揮することが
できる半導体発光装置及びその製造方法を開発したもの
である。
層部分のエツチング処理を不要にして、一度で一連の結
晶成長処理によって活性層を埋込む埋込層までの形成が
可能であシ、長期に亘って高い信頼性を発揮することが
できる半導体発光装置及びその製造方法を開発したもの
である。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、半導体基板の主面に＜１１０＞方向またはこ
れと等価な結晶軸方向に略平行に筋状に突出したメサス
トライプと、該メサストライプ上に積層された第１半導
体層からなる活性層と、前記メサストライプを除く前記
半導体基板の露出した主面上に該活性層を埋込むように
形成され、該活性層よりも屈折率が小さく、かつ、禁制
帯幅の大きい第２半導体層とを具備することを特徴とす
る半導体装置である。
れと等価な結晶軸方向に略平行に筋状に突出したメサス
トライプと、該メサストライプ上に積層された第１半導
体層からなる活性層と、前記メサストライプを除く前記
半導体基板の露出した主面上に該活性層を埋込むように
形成され、該活性層よりも屈折率が小さく、かつ、禁制
帯幅の大きい第２半導体層とを具備することを特徴とす
る半導体装置である。
また、本発明は、半導体基板の主面に＜ｔｉｏ＞方向ま
たはこれと等価な結晶軸方向に略平行に筋状に突出した
メサストライプを形成する工程と、該メサストライプ上
に第１半導体層からなる活性層を積層する工程と、前記
メサストライプを除く前記半導体基板の露出した主面上
に該活性層を埋込むようにして該活性層よシも屈折率が
小さく、かつ、禁制帯幅の大きい第２半導体層を前記第
１半導体層の結晶成長工程と一連の結４成長工慢で形成
する工程とを具備することを特徴とする半導体発光装置
の製造方法である。
たはこれと等価な結晶軸方向に略平行に筋状に突出した
メサストライプを形成する工程と、該メサストライプ上
に第１半導体層からなる活性層を積層する工程と、前記
メサストライプを除く前記半導体基板の露出した主面上
に該活性層を埋込むようにして該活性層よシも屈折率が
小さく、かつ、禁制帯幅の大きい第２半導体層を前記第
１半導体層の結晶成長工程と一連の結４成長工慢で形成
する工程とを具備することを特徴とする半導体発光装置
の製造方法である。
ここで、本発明の半導体発光装置及びその製噛方法の本
夢な構成は次の点にある。すなわち、第３図に示す４口
＜、半導体基板２０の（１１０）方向またはこれと結晶
学的に等角！ｉｌなｑ晶伯方向に筋状に突出し九メサス
トライグ２ノを形成しておくと、半導体基板２０上にＭ
Ｏ−ＣＶＤ法等にて結晶成長を施した場合、メサストラ
イｆ２１の両側の半導体基板２０の主面上には成長層２
２が形成されるが、メサストライｆ２１面上には成長層
２２を分にした形で＜ ７７７” ）面（Ｂ面）に相当
する面によって制限され丸断面が二等辺三角形状のスト
ライブ構造２３が形成される。史に、この（了ＴＴ ）
面（Ｂ面）上への結晶ｂＫ長速匣は他の面上への結晶成
長速度に比べて極めて小さいことが実験的に確認されて
いる。
夢な構成は次の点にある。すなわち、第３図に示す４口
＜、半導体基板２０の（１１０）方向またはこれと結晶
学的に等角！ｉｌなｑ晶伯方向に筋状に突出し九メサス
トライグ２ノを形成しておくと、半導体基板２０上にＭ
Ｏ−ＣＶＤ法等にて結晶成長を施した場合、メサストラ
イｆ２１の両側の半導体基板２０の主面上には成長層２
２が形成されるが、メサストライｆ２１面上には成長層
２２を分にした形で＜ ７７７” ）面（Ｂ面）に相当
する面によって制限され丸断面が二等辺三角形状のスト
ライブ構造２３が形成される。史に、この（了ＴＴ ）
面（Ｂ面）上への結晶ｂＫ長速匣は他の面上への結晶成
長速度に比べて極めて小さいことが実験的に確認されて
いる。
かかる技術的事項に基づいて本発明は創作されたもので
ある。
ある。
［作用］
本発明に係る半導体発光装置によれば、活性層を含むメ
サストライプ構造２３の部分が一回の連続的な結晶成長
によって形成され、かつ、埋込まれているので、活性層
端部及びその近傍に結晶欠陥や不純物の蓄積が見られず
、結晶欠陥等に付随する界面準位に関与した注入キャリ
アの非発光再結合を防止して、高い発光効率を得ること
ができる。
サストライプ構造２３の部分が一回の連続的な結晶成長
によって形成され、かつ、埋込まれているので、活性層
端部及びその近傍に結晶欠陥や不純物の蓄積が見られず
、結晶欠陥等に付随する界面準位に関与した注入キャリ
アの非発光再結合を防止して、高い発光効率を得ること
ができる。
また、長期に亘って高い信頼性を発揮できるものである
。
。
また、本発明方法によれば、エツチング処理を不要にし
てメサストライプ構造２３の部分を形成することができ
る。しかも、一連の一回の結晶成長処理にてメサストラ
イプ構造２３及びその埋込層を形成することができる。
てメサストライプ構造２３の部分を形成することができ
る。しかも、一連の一回の結晶成長処理にてメサストラ
イプ構造２３及びその埋込層を形成することができる。
更にメサストライプ構造２３の形成ｔ−ＭＯ−ＣＶＤ法
等の結晶成長法にて行うことができる。このため量産性
を向上させることができる。その結果、上記半導体発光
装置を高い歩留りで容易に得ることができる。
等の結晶成長法にて行うことができる。このため量産性
を向上させることができる。その結果、上記半導体発光
装置を高い歩留りで容易に得ることができる。
［実施例］
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。なお、本発明の一実施例の半導体発光装置の構造の説
明は、本発明方法の以下に述べる工程順に従った説明を
もってその説明に代える。
。なお、本発明の一実施例の半導体発光装置の構造の説
明は、本発明方法の以下に述べる工程順に従った説明を
もってその説明に代える。
先ず、第１図（Ｎに示す如く、例えばｎ形ＧａＡｓ基板
３０の（１００）面上に、（１１０）方向と平行なスト
ライプ状の５ｔＯ２膜３１をフォトリングラフィ法にて
形成する。
３０の（１００）面上に、（１１０）方向と平行なスト
ライプ状の５ｔＯ２膜３１をフォトリングラフィ法にて
形成する。
次に、第１図の）に示す如く、５Ｉ０２膜３１をマスク
にしてＧａＡｓ基板３０に選択エツチングを施し、Ｇａ
Ａｓ基板３０の主面に筋状に突出したメサストライプ３
２を形成する。
にしてＧａＡｓ基板３０に選択エツチングを施し、Ｇａ
Ａｓ基板３０の主面に筋状に突出したメサストライプ３
２を形成する。
次に、第１図（Ｑに示す如く、ＳｔＯ□膜３１全３１し
た後、メサストライプ３２を含むＧａＡａ基板３０上に
ＭＯ−ＣＶＤ法により結晶成長処理を施す。
た後、メサストライプ３２を含むＧａＡａ基板３０上に
ＭＯ−ＣＶＤ法により結晶成長処理を施す。
この結晶成長処理によってメサストライｆｓｘ上には、
ｎ型Ｇａ０．、Ａｔｏ、μＢクラッド考３３．ノンドー
グＧａＡｓ活性増３４．ｐ型Ｇ ｌｋ ｏ 、７人Ａ。
ｎ型Ｇａ０．、Ａｔｏ、μＢクラッド考３３．ノンドー
グＧａＡｓ活性増３４．ｐ型Ｇ ｌｋ ｏ 、７人Ａ。
、３Ａｓクラツド７φ３５を順次積層してなるメサスト
ライプ構造３６が形成される。メサストライプ構造３６
は、Ｍ晶成＆カ（ＴＴＴ） ｍ （Ｒ面） Ｋ １ っ
テ制限され極めて遅い結晶成長となるため、断面が二等
辺三角形状のものとなる。また、メサストライプ構造３
６の形成と同時にメサストライｆ３２を挟むＧａＡｓ
＆板３０の主面（（１００） ｒｆｌＴ ）上にｒよ、
ｎ ＠ Ｇａｏ、７Ａｔ１．、Ａｓ 層ｓｓ’ 、ノン
ドーグＧａＡａ１４ｄ３４’ 、 Ｐ 型Ｇａ。、、Ａ
ｔ、、、Ａｓ ｉｔｉ ３５’が順次積層される。ここ
で、ｐ型Ｇａｏ、、Ａｔｏ、３Ａｓ層３５′がメサスト
ライｆｓｘ上のｐ型Ｇａｏ、、ＡＬｏ、３Ａｓクラッド
層Ｊ５ＶＣ接触しないようＫ、予めメサストライプ３２
の高さくｔｌ）及びｎ ４ Ｇ ＆ ｏ、７ Ａｔ（３
、ｓ Ａ Ｉｌｌクラッド層３３等の厚さを所定のもの
に設定しておく。このような各ｊｄ３３・・・３５．３
３’・・・３５′の厚さ制陣は、ＭＯ−ＣＶＤ法によれ
ば極めて容易にできるものである。
ライプ構造３６が形成される。メサストライプ構造３６
は、Ｍ晶成＆カ（ＴＴＴ） ｍ （Ｒ面） Ｋ １ っ
テ制限され極めて遅い結晶成長となるため、断面が二等
辺三角形状のものとなる。また、メサストライプ構造３
６の形成と同時にメサストライｆ３２を挟むＧａＡｓ
＆板３０の主面（（１００） ｒｆｌＴ ）上にｒよ、
ｎ ＠ Ｇａｏ、７Ａｔ１．、Ａｓ 層ｓｓ’ 、ノン
ドーグＧａＡａ１４ｄ３４’ 、 Ｐ 型Ｇａ。、、Ａ
ｔ、、、Ａｓ ｉｔｉ ３５’が順次積層される。ここ
で、ｐ型Ｇａｏ、、Ａｔｏ、３Ａｓ層３５′がメサスト
ライｆｓｘ上のｐ型Ｇａｏ、、ＡＬｏ、３Ａｓクラッド
層Ｊ５ＶＣ接触しないようＫ、予めメサストライプ３２
の高さくｔｌ）及びｎ ４ Ｇ ＆ ｏ、７ Ａｔ（３
、ｓ Ａ Ｉｌｌクラッド層３３等の厚さを所定のもの
に設定しておく。このような各ｊｄ３３・・・３５．３
３’・・・３５′の厚さ制陣は、ＭＯ−ＣＶＤ法によれ
ば極めて容易にできるものである。
次に、第１図の）に示す如く、上述のＭＯ−ＣＶＤ法に
よる結晶成長処理を所定の反応ガスを用いて上述のもの
と連続して行い、メサストライプ構造３６のノンドープ
ＧａＡｓ活性層３４を完全に埋込むノンドープＧａｏ、
、Ａｔ。、３Ａｓ埋込層３７をｐ型Ｇａ００７ＡｔＯ９
３Ａ８クラッド層３５上に積層する。
よる結晶成長処理を所定の反応ガスを用いて上述のもの
と連続して行い、メサストライプ構造３６のノンドープ
ＧａＡｓ活性層３４を完全に埋込むノンドープＧａｏ、
、Ａｔ。、３Ａｓ埋込層３７をｐ型Ｇａ００７ＡｔＯ９
３Ａ８クラッド層３５上に積層する。
次いで、ノンドーグＧ＆ａ、７Ａｔ（１，３ＡＩＩ埋込
層３７上にｐ型キャップ層３８を形成する。
層３７上にｐ型キャップ層３８を形成する。
然る後、第１図（６）に示す如く、ｐ型キャップ層３８
上にｐ型電極３９を蒸着形成すると共に、ＧａＡｓ基板
３０の裏面側にｎ型電極４０を形成して半導体発光装置
４５を得る。
上にｐ型電極３９を蒸着形成すると共に、ＧａＡｓ基板
３０の裏面側にｎ型電極４０を形成して半導体発光装置
４５を得る。
このように構成された半導体発光装置４５によれば、ス
トライプ構造３６が一回の連続的な結晶成長処理によっ
て形成されているので、ノンドープ活性１偵３４の端部
及びその近傍に結晶欠陥や不純物の蓄積がなく、長時間
に亘って優れた素子特性を発揮することができる。
トライプ構造３６が一回の連続的な結晶成長処理によっ
て形成されているので、ノンドープ活性１偵３４の端部
及びその近傍に結晶欠陥や不純物の蓄積がなく、長時間
に亘って優れた素子特性を発揮することができる。
また、上述の半導体発光装置の製造方法によれば、スト
ライプ構造３６の形成に際してエツチング処理が不要で
、しかも、一連の一回の結晶成長処理によってストライ
プ構造３６の形成及びその埋込層３７．キヤツプ層３８
を形成できると共に、ＭＯ−ＣＶＤ法による結晶成長処
理を採用できるので、優れた素子特性を長時間に亘って
発揮することができる半導体発光表示装置４５を高い歩
留りで容易に得ることができる。
ライプ構造３６の形成に際してエツチング処理が不要で
、しかも、一連の一回の結晶成長処理によってストライ
プ構造３６の形成及びその埋込層３７．キヤツプ層３８
を形成できると共に、ＭＯ−ＣＶＤ法による結晶成長処
理を採用できるので、優れた素子特性を長時間に亘って
発揮することができる半導体発光表示装置４５を高い歩
留りで容易に得ることができる。
第２図は、ノンドープＧａｏ、、Ａｔ。、５Ａｓ埋込層
３７をｐ型Ｇａｏ、７Ａｔｏ、３Ａｓ埋込層４６にｎ型
Ｇａｏ、、Ａｔｏ、３Ａｓ埋込層４７を積層して二重構
造にした他の実施例を示すものである。ここで、ｐｍ
Ｇ５１０．７ Ａｔｏ 、３Ａ １１層３５′とｐ型Ｇ
ａ ｏ 、７ ｋｌｏ 、３ Ａ ｓ埋込層４６は、
必ずしも同一組成、同一キャリア濃度である必要はない
。また、埋込層４６．４７以外の部分は、上記実施例の
ものと同様の構造を有している。
３７をｐ型Ｇａｏ、７Ａｔｏ、３Ａｓ埋込層４６にｎ型
Ｇａｏ、、Ａｔｏ、３Ａｓ埋込層４７を積層して二重構
造にした他の実施例を示すものである。ここで、ｐｍ
Ｇ５１０．７ Ａｔｏ 、３Ａ １１層３５′とｐ型Ｇ
ａ ｏ 、７ ｋｌｏ 、３ Ａ ｓ埋込層４６は、
必ずしも同一組成、同一キャリア濃度である必要はない
。また、埋込層４６．４７以外の部分は、上記実施例の
ものと同様の構造を有している。
なお、実施例ではｎ ｉｇｌ ＧｍＡｇ基板３０を採用
したものについて説明したが、ｐ型の基板を採用しても
良いことは勿論である。
したものについて説明したが、ｐ型の基板を採用しても
良いことは勿論である。
また、活性層３４もノンドー７’ ＧａＡｓ層の他にｐ
型ＧａＡｓ、ｎ型ＧａＡｓ層で形成しても良いことは勿
論である。更に、活性層を量子井戸構造としても良い。
型ＧａＡｓ、ｎ型ＧａＡｓ層で形成しても良いことは勿
論である。更に、活性層を量子井戸構造としても良い。
また、結晶成長処理は、ＭＯ−ＣＶＤ法の他にもＶＰＥ
（Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ ）法や
ＭＢＥ（Ｍｏ１ｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘ
ｙ ）法を採用しても良い。
（Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ ）法や
ＭＢＥ（Ｍｏ１ｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘ
ｙ ）法を採用しても良い。
また、実施例ではＧａＡｓ ／ ＧａＡｔＡｓ系の半導
体発光装置について説明したがＩｎＰ ／ ＩｎＧａＡ
ｓＰ系の半導体発光装置にも適用できることは勿論であ
る。
体発光装置について説明したがＩｎＰ ／ ＩｎＧａＡ
ｓＰ系の半導体発光装置にも適用できることは勿論であ
る。
［発明の効果］
以上説明した如く、本発明に係る半導体発光装置及びそ
の製造方法によれば、活性層部分のエツチング処理を不
要にして、一度で一連の結晶成長処理によって活性層を
埋込む埋込層までの形成が可能であり、長期に亘って高
い信頼性を発揮する半導体発光装置を容易に得ることが
できる。更に本発明方法によれば、ＭＯ−ＣＶＤ法等の
結晶成長処理を採用できるので、上述の半導体発光装置
を高い歩留りで量産することができるものである。
の製造方法によれば、活性層部分のエツチング処理を不
要にして、一度で一連の結晶成長処理によって活性層を
埋込む埋込層までの形成が可能であり、長期に亘って高
い信頼性を発揮する半導体発光装置を容易に得ることが
できる。更に本発明方法によれば、ＭＯ−ＣＶＤ法等の
結晶成長処理を採用できるので、上述の半導体発光装置
を高い歩留りで量産することができるものである。
第１図は、本発明の実施例の半導体発光装置をその工程
順に示す説明図、第２図は、本発明に係る半導体発光装
置の他の実施例の概略構成を示す説明図、第３図は、本
発明の重要な構成を示す説明図、第４図は、従来の半導
体発光装置の概略構成を示す説明図、８ｇ５図は、同従
来の半導体発光装置の製造方法を工程ｒｖに示す説明図
である。 ２０・・・半導体基板、２１・・・メサストライプ、２
２・・・成長層、２３・・・メサストライプ構造、３゜
・・・ＧａＡｓ 基板、３１・・・ＳＩＯ□膜、３２・
・・メサストライプ、３３．３３’−ｎ型Ｇａ ｏ 、
ｙ ＡＺｏ、μＳＳクララ層、３４・・・ノンドープＧ
ａＡｓ活性層１．１５．、”１５’・・・ｐ型Ｇａｏ、
７Ａｔｏ、３Ａ８クラッド層、３６ ・・・メサストラ
イプ構造、３７ ・・・ノンドーグＧ＆ｏ、７Ａｔｏ、
３ＡＩＩ埋込ノー、３８・・・キャラｆ層、３９・・・
ｐ型電極、４０・・・ｎ型電極、４５・・・半導体発光
装置、４６・・・Ｐ型Ｇａ ｏ 、７ ＡＺｏ 、ｓ
Ａ ｓ埋込層、４７−ｎ型ＧＡｏ、、Ａｔｏ、３Ａｓ埋
込層。 ４υ 第１図 第２図 第３図 第５図
順に示す説明図、第２図は、本発明に係る半導体発光装
置の他の実施例の概略構成を示す説明図、第３図は、本
発明の重要な構成を示す説明図、第４図は、従来の半導
体発光装置の概略構成を示す説明図、８ｇ５図は、同従
来の半導体発光装置の製造方法を工程ｒｖに示す説明図
である。 ２０・・・半導体基板、２１・・・メサストライプ、２
２・・・成長層、２３・・・メサストライプ構造、３゜
・・・ＧａＡｓ 基板、３１・・・ＳＩＯ□膜、３２・
・・メサストライプ、３３．３３’−ｎ型Ｇａ ｏ 、
ｙ ＡＺｏ、μＳＳクララ層、３４・・・ノンドープＧ
ａＡｓ活性層１．１５．、”１５’・・・ｐ型Ｇａｏ、
７Ａｔｏ、３Ａ８クラッド層、３６ ・・・メサストラ
イプ構造、３７ ・・・ノンドーグＧ＆ｏ、７Ａｔｏ、
３ＡＩＩ埋込ノー、３８・・・キャラｆ層、３９・・・
ｐ型電極、４０・・・ｎ型電極、４５・・・半導体発光
装置、４６・・・Ｐ型Ｇａ ｏ 、７ ＡＺｏ 、ｓ
Ａ ｓ埋込層、４７−ｎ型ＧＡｏ、、Ａｔｏ、３Ａｓ埋
込層。 ４υ 第１図 第２図 第３図 第５図
Claims (3)
- （１）半導体基板の主面に＜１１０＞方向またはこれと
等価な結晶軸方向に略平行に筋状に突出したメサストラ
イプと、該メサストライプ上に積層された第１半導体層
からなる活性層と、前記メサストライプを除く前記半導
体基板の露出した主面上に該活性層を埋込むように形成
され、該活性層よりも屈折率が小さく、かつ、禁制帯幅
の大きい第２半導体層とを具備することを特徴とする半
導体発光装置。 - （２）半導体基板の主面に＜１１０＞方向またはこれと
等価な結晶軸方向に略平行に筋状に突出したメサストラ
イプを形成する工程と、該メサストライプ上に第１半導
体層からなる活性層を積層する工程と、前記メサストラ
イプを除く前記半導体基板の露出した主面上に該活性層
を埋込むようにして該活性層よりも屈折率が小さく、か
つ、禁制帯幅の大きい第２半導体層を前記第１半導体層
の結晶成長工程と一連の結晶成長工程で形成する工程と
を具備することを特徴とする半導体発光装置の製造方法
。 - （３）第１半導体層及び第２半導体層の結晶成長法がＭ
Ｏ−ＣＶＤ法である特許請求の範囲第２項記載の半導体
発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6872286A JPH0773132B2 (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6872286A JPH0773132B2 (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62226673A true JPS62226673A (ja) | 1987-10-05 |
| JPH0773132B2 JPH0773132B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=13381970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6872286A Expired - Fee Related JPH0773132B2 (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0773132B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63302587A (ja) * | 1987-06-03 | 1988-12-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH0265288A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Sony Corp | 半導体レーザ |
| JPH02174287A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-05 | Sony Corp | 半導体レーザー |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5329687A (en) * | 1976-08-31 | 1978-03-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor light emitting device and its production |
| JPS5649587A (en) * | 1979-09-28 | 1981-05-06 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP6872286A patent/JPH0773132B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5329687A (en) * | 1976-08-31 | 1978-03-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor light emitting device and its production |
| JPS5649587A (en) * | 1979-09-28 | 1981-05-06 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63302587A (ja) * | 1987-06-03 | 1988-12-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH0265288A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Sony Corp | 半導体レーザ |
| JPH02174287A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-05 | Sony Corp | 半導体レーザー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0773132B2 (ja) | 1995-08-02 |
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|---|---|---|---|
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