JPS62223020A - ニオブとタンタルの分離方法 - Google Patents
ニオブとタンタルの分離方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はNbとTaの分離法に関するものである。
NbとTaは、近年電子材料用としてより高純度品の出
現が要望されている。特に超LSIの電極、配線材とし
て検討されている分野ではその薄膜特性の観点から超高
純度のNb、Taが要望されている他、高周波加速器に
使用される場合も超高純度のWb、 Taの出願が強(
要望されている。
現が要望されている。特に超LSIの電極、配線材とし
て検討されている分野ではその薄膜特性の観点から超高
純度のNb、Taが要望されている他、高周波加速器に
使用される場合も超高純度のWb、 Taの出願が強(
要望されている。
ところが、 NbとT&とはその物理的・化学的性質が
極めて類似しているため、その分離は非常に難かしく、
分離1時に他からの汚染を受けることなく、高分離率、
高収率で分離する方法が要望されている。
極めて類似しているため、その分離は非常に難かしく、
分離1時に他からの汚染を受けることなく、高分離率、
高収率で分離する方法が要望されている。
HbとT&の分離法としては、これらを塩素化し、塩化
物の形として蒸溜する方法やこれらの金属混合物を弗酸
に溶解してMよりKで抽出分離する方法などが知られて
いるが、後者の方が一般的である。これらの方法には以
下の様な問題点がある。
物の形として蒸溜する方法やこれらの金属混合物を弗酸
に溶解してMよりKで抽出分離する方法などが知られて
いるが、後者の方が一般的である。これらの方法には以
下の様な問題点がある。
MよりEによる抽出法
1) 強酸を使用しなければならない。
2) 排液処理が必要である。
3) 分離率が悪い。
4)設備に多大な費用を要する。
5)還元しにくい酸化物としてしか得られない。
塩化物の蒸溜
この方法は、Nb塩化物と’ra塩化物との混合物を水
素で還元し、塩化ニオブ(Nb04)のみを低級化(た
とえばNzo4) L、Nb504と塩化タンタル(T
a04)の蒸気圧差を利用し、分離精製することもでき
るが、反応温度が500℃以上とい5高温が必要である
うえ、収率が60〜70%程度であり実用的でない。
素で還元し、塩化ニオブ(Nb04)のみを低級化(た
とえばNzo4) L、Nb504と塩化タンタル(T
a04)の蒸気圧差を利用し、分離精製することもでき
るが、反応温度が500℃以上とい5高温が必要である
うえ、収率が60〜70%程度であり実用的でない。
本発明者らは、以上述べた従来法の問題点を解決する分
離法としてNb とTaを沃化物としてNbとT&とを
分離する方法に関し、先に特許出願(特願昭59−27
4334号)したが、この方法では分離効率および収率
が改良されたものの連続操作ができず、能率的でなく、
また熱処理に長時間を要するという欠点を有していた。
離法としてNb とTaを沃化物としてNbとT&とを
分離する方法に関し、先に特許出願(特願昭59−27
4334号)したが、この方法では分離効率および収率
が改良されたものの連続操作ができず、能率的でなく、
また熱処理に長時間を要するという欠点を有していた。
〔発明が解決しよ5とする問題点〕
本発明の目的は以上述べた様な従来法の問題点を−単に
解決する分離法を提供することにある。
解決する分離法を提供することにある。
すなわち、本発明はNb沃化物およびTa沃化物との混
合粉末をこれらに不活性なガスもしくは水素含有ガス中
で流動および/又は通過させながら熱処理することで連
続的にかつ短時間でNbとTaを高分離率で、かつ高収
率で分離することのできるNbとT&の分離方法を提供
するものである。
合粉末をこれらに不活性なガスもしくは水素含有ガス中
で流動および/又は通過させながら熱処理することで連
続的にかつ短時間でNbとTaを高分離率で、かつ高収
率で分離することのできるNbとT&の分離方法を提供
するものである。
本発明の要旨は、It沃化物とTa沃化物との混合粉末
をこれらに対し不活性なガスまたは水素含有ガス中、3
00〜700℃の温度範囲内で流動および/又は通過さ
せ、低級沃化ニオブ及び高級沃化タンタルとして分離す
ることを特徴とするNbとT&との分離方法にある。
をこれらに対し不活性なガスまたは水素含有ガス中、3
00〜700℃の温度範囲内で流動および/又は通過さ
せ、低級沃化ニオブ及び高級沃化タンタルとして分離す
ることを特徴とするNbとT&との分離方法にある。
本発明によれば、300〜700℃の温度範囲内で熱処
理することにより、高級沃化ニオブ(NbT4〜。)の
みを優先的に熱分解及び/又は水素還元し、低級化(た
とえばNb工、、Nb5Ia)させ、低級沃化ニオブと
高級沃化タンタル(Tax4−6)の大きな蒸気圧差を
利用し、比較的低温で極めて高収率。
理することにより、高級沃化ニオブ(NbT4〜。)の
みを優先的に熱分解及び/又は水素還元し、低級化(た
とえばNb工、、Nb5Ia)させ、低級沃化ニオブと
高級沃化タンタル(Tax4−6)の大きな蒸気圧差を
利用し、比較的低温で極めて高収率。
高分離率でかつ短時間でNbとTaを分離することがで
きる。
きる。
本発明において使用するMl)とTaとの混合沃化物粉
末の製造法は特に限定されるものではない。
末の製造法は特に限定されるものではない。
また、その粒度も限定されるものではなく、ガス流量と
の兼ね合いを考慮して適宜決定されるが、通常、直径Q
、5.以下の粉末として用いることが好ましい。
の兼ね合いを考慮して適宜決定されるが、通常、直径Q
、5.以下の粉末として用いることが好ましい。
本発明の方法における加熱温度は300〜700℃の温
度範囲で行われるが、収率9分解率を考慮すると400
〜600℃の温度範囲が好ましい。ガス流量に関しては
、混合粉末の粒度により適当に選定される。
度範囲で行われるが、収率9分解率を考慮すると400
〜600℃の温度範囲が好ましい。ガス流量に関しては
、混合粉末の粒度により適当に選定される。
NbとT&との分離機構は、所定の熱処理温度で沃化ニ
オブ(NbIws)は蒸気圧の低い低級沃化物(NbL
、orゆ山)に低級化するが、蒸気圧の高い沃化タンタ
ル(TaI4v@)は低級化しないため、その大きな蒸
気圧差により低級沃化ニオブと沃化タンタルとが分離さ
れる。この時、沃化ニオブ(Nt¥、)を急速に所定温
度まで加熱しないと低級化しない5ちに蒸発し、系外へ
排出されるため、収率低下の原因となる。したがって、
混合沃化物を微粉末にしキャリアーガスに対し逆向きに
供給し通過させることは非常に有効な手段の1つであり
、この方法により短時間化で、しかも高収率化でNbと
Taとが分離される。この時、流動層を形成することに
より精製効果は飛躍的に向上する。
オブ(NbIws)は蒸気圧の低い低級沃化物(NbL
、orゆ山)に低級化するが、蒸気圧の高い沃化タンタ
ル(TaI4v@)は低級化しないため、その大きな蒸
気圧差により低級沃化ニオブと沃化タンタルとが分離さ
れる。この時、沃化ニオブ(Nt¥、)を急速に所定温
度まで加熱しないと低級化しない5ちに蒸発し、系外へ
排出されるため、収率低下の原因となる。したがって、
混合沃化物を微粉末にしキャリアーガスに対し逆向きに
供給し通過させることは非常に有効な手段の1つであり
、この方法により短時間化で、しかも高収率化でNbと
Taとが分離される。この時、流動層を形成することに
より精製効果は飛躍的に向上する。
次にこの発明で使用する装置の一例を第1図に示す概略
図により説明する。
図により説明する。
混合沃化物粉末用ポット■にN&とTaとの沃化物を入
れ、定量フィーダー■により反応管■内に供給する。ガ
ス導入口■より不活性ガスもしくは水素含有ガスを供給
する。充分精製するためには流動層を形成させる。低級
化した低級沃化ニオブはそのまま低級沃化ニオブ用ポ、
ト■内に落ち、遊離した沃素ガスおよびガス体となった
沃化タンタルは沃化タンタル沃素分離塔■に供給され、
沃化タンタルのみ沃化タンタル用ボット■内に粉末とし
て落下する。
れ、定量フィーダー■により反応管■内に供給する。ガ
ス導入口■より不活性ガスもしくは水素含有ガスを供給
する。充分精製するためには流動層を形成させる。低級
化した低級沃化ニオブはそのまま低級沃化ニオブ用ポ、
ト■内に落ち、遊離した沃素ガスおよびガス体となった
沃化タンタルは沃化タンタル沃素分離塔■に供給され、
沃化タンタルのみ沃化タンタル用ボット■内に粉末とし
て落下する。
さらに、沃素ガスは水冷されているパックフィルター塔
■で急速凝縮し、粉末となり沃素用ボット■内に落下す
る。そしてキャリアーガスは排ガスラインOより排気さ
れる。この反応を連続的に行う場合は、混合沃化物用ボ
ット■、低級沃化ニオブ用ボ、ト■、沃化タンタル用ボ
、ト■、沃素用ボット■を所定の時間経過後他のボット
に交換すれば良い。
■で急速凝縮し、粉末となり沃素用ボット■内に落下す
る。そしてキャリアーガスは排ガスラインOより排気さ
れる。この反応を連続的に行う場合は、混合沃化物用ボ
ット■、低級沃化ニオブ用ボ、ト■、沃化タンタル用ボ
、ト■、沃素用ボット■を所定の時間経過後他のボット
に交換すれば良い。
以上の様に高級沃化ニオブと高級沃化タンタルの熱的性
質および水素還元的性質の相違を利用し、守然卸し 加熱処理することにより1回の操作を行5だけで90%
以上の収率で、かつ高分離率で短時間内にNbとTaが
分離される。
質および水素還元的性質の相違を利用し、守然卸し 加熱処理することにより1回の操作を行5だけで90%
以上の収率で、かつ高分離率で短時間内にNbとTaが
分離される。
以上の説明から明らかな様に、本発明によれば沃化ニオ
ブと沃化タンタルとの混合粉末をこれに対し不活性なガ
スもしくは水素含有ガスの流れに対して逆方向から供給
し加熱処理することで、連続的に低温熱処理(300〜
700℃)で高収率(90%以上)、高分離率で分離で
き、短時間の処理により熱分解及び/又は水素還元の容
易な沃化物として回収することができる。
ブと沃化タンタルとの混合粉末をこれに対し不活性なガ
スもしくは水素含有ガスの流れに対して逆方向から供給
し加熱処理することで、連続的に低温熱処理(300〜
700℃)で高収率(90%以上)、高分離率で分離で
き、短時間の処理により熱分解及び/又は水素還元の容
易な沃化物として回収することができる。
次に実施例により、さらに本発明の詳細な説明するが、
本発明はこれらに限定されるものではないO 実施例1 反応管径10φを有する第1図に示す装置を用い次の反
応を行った。
本発明はこれらに限定されるものではないO 実施例1 反応管径10φを有する第1図に示す装置を用い次の反
応を行った。
原料沃化物の組成はα12wt%沃化タンタル(Tag
)(Ml)ベースで2000 ppm−含有Ta )を
含有する沃化ニオブ(Nbr、)を5009用い、供給
速度50Q9/HRでキャリアーガスとして、Arを2
t/win(線速約14m/5ea)流し、流動層を形
成させ、各熱処理温度で沃化ニオブと沃化タンタルを分
離した。各熱処理温度で精製された低級沃化ニオブ(N
bちor Nb、4 )中のNb fに対するそれに含
有する高級沃化タンタル中のTa1(金ml町レースの
金fiT・量)を算出して表−1に示す。
)(Ml)ベースで2000 ppm−含有Ta )を
含有する沃化ニオブ(Nbr、)を5009用い、供給
速度50Q9/HRでキャリアーガスとして、Arを2
t/win(線速約14m/5ea)流し、流動層を形
成させ、各熱処理温度で沃化ニオブと沃化タンタルを分
離した。各熱処理温度で精製された低級沃化ニオブ(N
bちor Nb、4 )中のNb fに対するそれに含
有する高級沃化タンタル中のTa1(金ml町レースの
金fiT・量)を算出して表−1に示す。
すなわち、T&値は精製された低級沃化ニオブの沃素を
除いた時に得られる金属Nl)中に含有する金f4 T
aの含有量である。
除いた時に得られる金属Nl)中に含有する金f4 T
aの含有量である。
また、同条件でAr流量を20077 manとし流動
層を形成させずに通過熱処理のみを実施した時のTa含
有量も表1の()内に示した。
層を形成させずに通過熱処理のみを実施した時のTa含
有量も表1の()内に示した。
なお、沃化物粉末の粒径は約α5■φのものを使用した
。
。
表1
この様にArをキャリアーガスとし、連続的に反応管を
通過されるだけの場合、Nb収率は極めて良好にTaを
除去することができる。また、流動1台を形成すること
により若干N′b収率は低下するが、T&含有量は数p
pmまで低下させることができる。
通過されるだけの場合、Nb収率は極めて良好にTaを
除去することができる。また、流動1台を形成すること
により若干N′b収率は低下するが、T&含有量は数p
pmまで低下させることができる。
実施例2
実施例1と同じ原料沃化物を5009使用し、反応管径
5φの装置を用いて反応を行った。原料供給速度を20
097HRとしキャリアーガスとして水素を4 L /
win (線速約五4 m / B@、3 )流し、
流動層を形成させ、加熱処理を行った。各熱処理温度に
おける沃化ニオブ中に含有するTa (Nbベース)量
とN′b収率を表2に示した。
5φの装置を用いて反応を行った。原料供給速度を20
097HRとしキャリアーガスとして水素を4 L /
win (線速約五4 m / B@、3 )流し、
流動層を形成させ、加熱処理を行った。各熱処理温度に
おける沃化ニオブ中に含有するTa (Nbベース)量
とN′b収率を表2に示した。
表2
第1図は本発明で使用されるNb−Taの連続分離装置
の概略図である。 ■・・・混合沃化物粉末用ポット ■・・・定量フィーダー ■・・・反応管 ■・・・ガス導入口 ■・・・低級沃化ニオブ用ポ、ト ■・・・沃化タンタル、沃素分離塔 ■・・・沃化タンタル用ポット ■・・・バックフィルター塔 ■・・・沃素用ポット [相]・・・排ガスライン 特許出願人 東洋曹達工業株式会社 第1図
の概略図である。 ■・・・混合沃化物粉末用ポット ■・・・定量フィーダー ■・・・反応管 ■・・・ガス導入口 ■・・・低級沃化ニオブ用ポ、ト ■・・・沃化タンタル、沃素分離塔 ■・・・沃化タンタル用ポット ■・・・バックフィルター塔 ■・・・沃素用ポット [相]・・・排ガスライン 特許出願人 東洋曹達工業株式会社 第1図
Claims (1)
- ニオブ(Nb)沃化物とタンタル(Ta)沃化物との混
合粉末を、これらに対して不活性なガス中又は水素含有
ガス中、300〜700℃の温度範囲内で流動および/
又は通過させ、低級沃化ニオブ及び高級沃化タンタルと
して分離することを特徴とするニオブ(Nb)とタンタ
ル(Ta)との分離方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6479086A JPS62223020A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | ニオブとタンタルの分離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6479086A JPS62223020A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | ニオブとタンタルの分離方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62223020A true JPS62223020A (ja) | 1987-10-01 |
Family
ID=13268378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6479086A Pending JPS62223020A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | ニオブとタンタルの分離方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62223020A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0328334A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-06 | Tosoh Corp | タンタルスクラップから高純度タンタル及びその誘導体の回収法 |
JPH0328333A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-06 | Tosoh Corp | ニオブ・チタン合金スクラップまたはフェロニオブから高純度ニオブ及びその誘導体の回収法 |
JP2008231509A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Toho Titanium Co Ltd | 高純度金属およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-03-25 JP JP6479086A patent/JPS62223020A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0328334A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-06 | Tosoh Corp | タンタルスクラップから高純度タンタル及びその誘導体の回収法 |
JPH0328333A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-06 | Tosoh Corp | ニオブ・チタン合金スクラップまたはフェロニオブから高純度ニオブ及びその誘導体の回収法 |
JP2894725B2 (ja) * | 1989-06-27 | 1999-05-24 | 東ソー株式会社 | タンタルスクラップから高純度タンタル及びその誘導体の回収法 |
JP2008231509A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Toho Titanium Co Ltd | 高純度金属およびその製造方法 |
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