JPS62256930A - ルテニウムを回収する方法 - Google Patents

ルテニウムを回収する方法

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JPS62256930A
JPS62256930A JP61098636A JP9863686A JPS62256930A JP S62256930 A JPS62256930 A JP S62256930A JP 61098636 A JP61098636 A JP 61098636A JP 9863686 A JP9863686 A JP 9863686A JP S62256930 A JPS62256930 A JP S62256930A
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ruthenium
chloride
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heating
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Toru Shoji
亨 庄司
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Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明の方法は反応部分においてルテニウム又はルテニ
ウム酸化物および基体金属酸化物の塩化物化反応と基体
金属塩化物の揮発分離を行わせた後、反応部を不活性ガ
スを流しながら再度加熱することによりルテニウム塩化
物をルテニウムに解離させるとともに少量生成するルテ
ニウム酸塩化物(オキシクロライド)を分解させること
によるルテニウムの回収方法に係るものである。
(従来技術とその問題点) 近年酸化チタン、酸化コバルト、酸化銅、酸化すず、ア
ルミナ、シリカ等の金属酸化物基体上に、ルテニウム酸
化物被膜を設けた不活性金属電極や酸化触媒が、種々の
電気化学の分野、特に食塩電解工業における不溶性電極
として大量に使用されている。またチタン酸化物等にル
テニウムを被覆した電子材料が広く使用されている。
このような金属電極や触媒等は、かなりの長寿命を有す
るものであるが、使用中にルテニウム酸化物被膜が徐々
に消耗、低活性化し、一定の性能を維持できなくなった
際には、新しい電極等に取り替える必要がある。こうし
た使用済の金属電極等には、尚相当量の高価なルテニウ
ムが被膜中に残存し、これを回収し有効利用することは
工業上重要である。
従来、この種の技術に関連するものとして特開51−6
8493号には、ルテニウム又はその化合物を含む難溶
性物質の可溶化法が、特開51−68499号にはルテ
ニウム又はその化合物を含む難溶性物質を処理してルテ
ニウムを回収する方法が示されている。しかし、これら
の方法は、剥離物に対するアルカリ溶融塩処理、酸化溶
液溶解工程に複雑かつ長時間の処理を要する。また、基
体金属酸化物をも溶融するため大型の高温加熱装置が必
要となり、さらに白金族金泥と基体金属を分離する際、
基体金属酸化物が析出し、効率が悪く工業的に最適なル
テニウム等の白金族金属の回収方法とは言えない。
(発明の目的) 本発明は、叙上の事情に鑑みなされたもので、その目的
は、ルテニウム又はその酸化物と基体金属酸化物を含む
回収物から簡便かつ効率良くルテニウムを回収する方法
を提供することにある。
(発明の構成) 本発明は、ルテニウムを回収する方法において、ルテニ
ウム又はその酸化物と基体金属酸化物を含む回収物をカ
ーボン又は一酸化炭素の存在下で塩素を流しながら加熱
することにより基体金属酸化物及びルテニウム又はその
酸化物を塩化物に変え、基体金属塩化物を揮発させ分離
した後、反応部を不活性ガスの流しながら加熱すること
により反応部中に残るルテニウム塩化物を金属ルテニウ
ムに解離させるとともに少量生成するルテニウム酸塩化
物(オキシクロライド)を分離させることを特徴とする
塩化物化においては、ルテニウム又はその酸化物と基体
金属酸化物を含む回収物をカーボン又は一酸化炭素の存
在下で塩素を流しながら加熱すると、ルテニウム又はそ
の酸化物と基体金属酸化物は塩化物に変わる。
一般的に使用される基体金属の塩化物の蒸気圧はルテニ
ウム塩化物の蒸気圧に比べてかなり高いため、気体相と
して反応系外へ容易に運び出すことが出来る。
反応部分の温度は600℃以上で行うのが好ましい。
これより低い温度では長時間を要したり、塩化物化が完
全に行われないことがあると共に基体金属塩化物を気体
相として反応系外へ運び出すのが難しくなる。ここで反
応部分の温度は600℃以上が好ましいが塩化物化反応
が発熱である場合、加熱温度が600℃未満であっても
反応熱により600℃以上に保持することは可能である
しかし加熱温度が400°C未満になると塩化物化反応
が起こりにくく、それによる発熱が期待できなくなる。
又、1200℃よりも高い温度では高価な高温設備が必
要となるからである。
カーボン又は一酸化炭素の存在下で加熱する理由は、金
属酸化物の塩化物化を促進するためである。
次に、反応部を不活性ガスを流しながら加熱してルテニ
ウム塩化物を金属ルテニウムに解離させるとともに少量
生成するルテニウム酸塩化物(オキシクロライド)を分
解させる。
この理由は回収物として金属ルテニウムが得られるとい
うことの他に、ルテニウム塩化物とルテニウム酸塩化物
の性質が異なるため後の操作が複雑になるのを防ぎ回収
率を向上させることにある。
特に乾式法によって得られたルテニウム塩化物は水に不
溶であるが、ルテニウム酸塩化物は、空気中で吸湿し、
水に溶解するという大きな違いがあるためである。
この時の加熱温度は400℃以上が好ましい。これより
低い温度では、ルテニウム酸塩化物の分解反応ならびに
ルテニウム塩化物の解離反応が起こりにくいためである
なお、ルテニウム及び基体金属の代表的な塩化物の諸性
質は以下の通りである。
RuC1,蒸気圧 0.059mmHg/ 586℃”
                〃        
0.777璽sHg/  727 ℃〃   解離塩素
圧 24 mHg/ 450℃〃          
    〃          389m鳳11g/ 
 740℃AlCl1.  昇華点  182.7℃’
l’icj!4沸点 136.4℃ ZrCl4  〃   331℃ TaC1,//    242℃ SiC1g   ”    57.57℃5nC1a 
  〃    114.1℃以下図面にもとすいて実施
例と従来例について説明する。
(実施例1) 二酸化チタン3.5kg、二酸化ルテニウム200g、
カーボン粉末、1 、05 kgを混合し図に示す如く
この混合物1を底部にガラス繊維3を装着した塩化物化
容器4中に入れ、電気炉2により塩化物比容2″&4を
500℃に加熱し、塩素ガスを塩素ガス導入管5から3
j!/min流すことにより基体金属酸化物を塩化物に
して蒸発させ、それを冷却管6を通して液化し、基体金
属塩化物捕集タンク7に移した。
これを9時間続けた後、塩素ガス導入管5から窒素ガス
を51/min流しながら、電気炉2により1000℃
で1時間加熱した後、残材料を取り出し比重分離により
カーボン粉末、未反応材料を分離して金属ルテニウムを
回収したところ金属ルテニウムの純度は99%以上で回
収率も99%以上であった。
(従来例) 二酸化チタン36.7kg、二酸化ルテニウム4 、 
Okgを混合したものをKOH+KNO,を用1.’1
800’Cで融解したところK OH58,4kg5K
 N Os  6.1kgを要し、ルテニウムの回収率
は90%であった。
上記実施例及び従来例で明らかなように本発明は回収効
率が99%以上であるのに対し、従来例は90%と低い
ことがわかる。また、従来例では溶融塩処理工程、酸性
溶液溶解工程等の複雑かつ、長時間の処理を必要として
いた。
尚、上記実施例ではカーボン粉末と塩素ガスを用いたが
、塩素ガスと一酸化炭素の混合ガスを用いてもよいもの
である。
(発明の効果) 以上詳述したように、本発明によれば従来例に比し、効
率良くルテニウムを金属基体酸化物から分離、回収する
ことができしかも従来のように多段の湿式処理工程を必
要としないため、経済的にしかも短時間で回収すること
ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
図は本発明のルテニウム回収方法に用いる回収装置の概
略図である。 1・・・5昆e′帝 2・・・電気火r 3・・・1゛ラズ兼八゛按t

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ルテニウム又はその酸化物と基体金属酸化物を含
    む回収物をカーボン又は一酸化炭素の存在下で加熱しな
    がら塩素ガスを流すことにより、ルテニウム又はその酸
    化物ならびに基体金属酸化物を塩化物にして、それぞれ
    の蒸気圧差を利用して分離した後、反応部を不活性ガス
    を流しながら加熱し、ルテニウム塩化物を金属ルテニウ
    ムに解離させるとともに少量生成するルテニウム酸塩化
    物を分離させることを特徴とするルテニウムを回収する
    方法。
  2. (2)反応時の加熱温度が基体金属塩化物の沸点以上の
    温度であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の方法。
  3. (3)反応時の加熱温度が400℃〜1200℃である
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項又は2項記載の
    方法。
  4. (4)不活性ガスを流しながら加熱する温度がルテニウ
    ム塩化物およびルテニウム酸塩化物の解離又は分解温度
    以上であることを特徴とする特許請求の範囲第1項又は
    第2項又は第3項記載の方法。
  5. (5)不活性ガスを流しながら加熱する温度が400℃
    以上であることを特徴とする特許請求の範囲第1項又は
    第2項又は第3項又は第4項記載の方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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