JPS62219801A - 超高周波回路装置 - Google Patents
超高周波回路装置Info
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- JPS62219801A JPS62219801A JP61062239A JP6223986A JPS62219801A JP S62219801 A JPS62219801 A JP S62219801A JP 61062239 A JP61062239 A JP 61062239A JP 6223986 A JP6223986 A JP 6223986A JP S62219801 A JPS62219801 A JP S62219801A
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- mic
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Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 18
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
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- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロ波帯などの超高周波の通信機器等に
用いることのできる超高周波回路装置に関するものであ
る。
用いることのできる超高周波回路装置に関するものであ
る。
従来の技術
従来、この種の超高周波回路装置は、一般的にマイクロ
波集積回路基板(以下MIG基板)を用いるが、異なっ
た機能の回路を構成するに当っては、各回路毎の電気特
性チェックを容易にするため、独立したMIC基板を用
いることによって、各MIC基板毎に電気特性の測定、
評価を行なった後5組立が行なわれている。
波集積回路基板(以下MIG基板)を用いるが、異なっ
た機能の回路を構成するに当っては、各回路毎の電気特
性チェックを容易にするため、独立したMIC基板を用
いることによって、各MIC基板毎に電気特性の測定、
評価を行なった後5組立が行なわれている。
上記構成の従来例を第4図a、bの斜視図、そのムーム
′断面図に示す。
′断面図に示す。
第4図aにおいて、21と22は、パターン26と、部
品24により、別々の機能を有するMIC基板で、取付
金具と固定ネジ26によって高周波的な接地と機械的な
接続がなされている。
品24により、別々の機能を有するMIC基板で、取付
金具と固定ネジ26によって高周波的な接地と機械的な
接続がなされている。
さらに、MIC基板21.22の回路パターン26を接
続する接続板23により、回路が接続されて機能をはだ
す。
続する接続板23により、回路が接続されて機能をはだ
す。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このような従来の超高周波回路装置では
、異なった機能の回路を有したMIC基板間の接続であ
るため、基板間において、超高周波の干渉がおこり、各
MIC基板の所望する電気性能が得られず、超高周波回
路装置としての総合特性に低下をきたす問題があった。
、異なった機能の回路を有したMIC基板間の接続であ
るため、基板間において、超高周波の干渉がおこり、各
MIC基板の所望する電気性能が得られず、超高周波回
路装置としての総合特性に低下をきたす問題があった。
本発明は、このような上記問題点を解決するもので、接
地板に装着されたMIC基板の両端面間に空間を設け、
空間内に接地板からシールド壁を形成することによって
、MIC基板間の超高周波シールド効果を得るようにし
た超高周波回路装置を提供するものである。
地板に装着されたMIC基板の両端面間に空間を設け、
空間内に接地板からシールド壁を形成することによって
、MIC基板間の超高周波シールド効果を得るようにし
た超高周波回路装置を提供するものである。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決する為に、本発明は、一方の面にパタ
ーン回路を、他方の面に高周波接地電位パターン回路が
形成された第1.第2の両面回路基板を、接地板に装着
し、上記第1.第2の両面回路基板に隣接する端面間に
、上記第1.第2の両面回路基板の材厚と同寸、もしく
は同寸以上の高さを有した棒状の接地端を形成したもの
である。
ーン回路を、他方の面に高周波接地電位パターン回路が
形成された第1.第2の両面回路基板を、接地板に装着
し、上記第1.第2の両面回路基板に隣接する端面間に
、上記第1.第2の両面回路基板の材厚と同寸、もしく
は同寸以上の高さを有した棒状の接地端を形成したもの
である。
作用
この構成により、第1.第2の両面回路基板間を、必要
とする部分のみを接続して、その他を超高周波的に分離
され、接続端面での超高周波接地が確実に行なわれて、
基板間の超高周波シールドが得られ、異った機能の回路
を有した基板間における、超高周波の干渉を低減するこ
とができる。
とする部分のみを接続して、その他を超高周波的に分離
され、接続端面での超高周波接地が確実に行なわれて、
基板間の超高周波シールドが得られ、異った機能の回路
を有した基板間における、超高周波の干渉を低減するこ
とができる。
実施例
以下、本発明の第1の実施例を添付図面に基づいて説明
する。
する。
第1図は本発明の一実施例による超高周波回路装置を示
し、同図&は全体構成図で、同図すはそのムーA′断面
図である。
し、同図&は全体構成図で、同図すはそのムーA′断面
図である。
第°1図において、1は取付金具、2と3はそれぞれの
機能を持つMIC基板であり、4はMIC基板間を接続
する金具、6はその回路部品、6はMIC基板の取付ネ
ジ、7はMIC基板を構成するパターンである。
機能を持つMIC基板であり、4はMIC基板間を接続
する金具、6はその回路部品、6はMIC基板の取付ネ
ジ、7はMIC基板を構成するパターンである。
次に、以上のように構成された超高周波回路装置の動作
を説明する。
を説明する。
例として、MIC基板2には増幅器を構成し、MIC基
板3にフィルターを構成して、互いに接続する。
板3にフィルターを構成して、互いに接続する。
ここで、接続金具4にて信号を接続するパターン以外の
部分を、取付金具1より一体にMICj基板の表面に同
一の高さとした凸状接地部分のある構造として、それを
MIC基板2,3ではさんで接続することにより、接続
面付近の基板端面での高周波接地効果が良くなり、さら
に基板間での高周波による、シールド効果が与えられる
ことになる0 これは基板接続端面での高周波の輻射を、取付金具の接
地電位面が基板の端面をすべて覆う形となる為である。
部分を、取付金具1より一体にMICj基板の表面に同
一の高さとした凸状接地部分のある構造として、それを
MIC基板2,3ではさんで接続することにより、接続
面付近の基板端面での高周波接地効果が良くなり、さら
に基板間での高周波による、シールド効果が与えられる
ことになる0 これは基板接続端面での高周波の輻射を、取付金具の接
地電位面が基板の端面をすべて覆う形となる為である。
以上のことより、MIC基板での接続で、高周波的に安
定で、且つ、機械的に強いという効果が得られる。
定で、且つ、機械的に強いという効果が得られる。
次いで、本発明の第2の実施例について第2図と共に説
明する。
明する。
上記第1の実施例との違いは、MIC基板上の部品を2
枚のMIC基板の間に実装し、且つ、本発明となる。基
板取付金具のMIC基板の表面に同一の高さとした凸状
の接地部分へ、電気的接地をとっていることである。
枚のMIC基板の間に実装し、且つ、本発明となる。基
板取付金具のMIC基板の表面に同一の高さとした凸状
の接地部分へ、電気的接地をとっていることである。
第2図において、同図aは全体構成図、同図すは、その
人−人′断面図である。
人−人′断面図である。
このように構成された超高周波回路装置の作用は、第1
図と同様であるが、マイクロ波用トランジスタ等の回路
部品5を実装するにあたっては、特に高周波接地やシー
ルド効果が得られて最適である。
図と同様であるが、マイクロ波用トランジスタ等の回路
部品5を実装するにあたっては、特に高周波接地やシー
ルド効果が得られて最適である。
すなわち、第2図の例では、本発明になる取付金具8の
MIC基板の表面と同一の高さとした凸状接地部分に対
し、接地の必要な回路部品6(この例ではマイクロ波用
トランジスタ)の接地電極を接続し、その入力側と出方
側を各々のMXG基板2.3に対して接続することにょ
シ、良好な高周波接地効果が得られ、更に、マイクロ波
トランジスタの場合は、入力側と出力側の高周波での分
離が必要であるが、この方法であると、接地面の取付金
具8によって、入出力が分離されている為、大きな高周
波分離効果が得られるという特長を持つものである0 次いで、本発明の第3の実施例について、第3図と共に
説明する。
MIC基板の表面と同一の高さとした凸状接地部分に対
し、接地の必要な回路部品6(この例ではマイクロ波用
トランジスタ)の接地電極を接続し、その入力側と出方
側を各々のMXG基板2.3に対して接続することにょ
シ、良好な高周波接地効果が得られ、更に、マイクロ波
トランジスタの場合は、入力側と出力側の高周波での分
離が必要であるが、この方法であると、接地面の取付金
具8によって、入出力が分離されている為、大きな高周
波分離効果が得られるという特長を持つものである0 次いで、本発明の第3の実施例について、第3図と共に
説明する。
上記、第2の実施例との違いは、凸状の接地部分へ、モ
ノリシック、又は、ノ・イブリッド集積回路9の接地電
極を接続し、入力側と出力側をそれぞれのMIC基板2
,3へ接続したことである。
ノリシック、又は、ノ・イブリッド集積回路9の接地電
極を接続し、入力側と出力側をそれぞれのMIC基板2
,3へ接続したことである。
第3図において、同図&は全体構成図、同図すは、その
人−ム′断面図で、9は回路部品(マイクロ波トランジ
スタ)に相当するモノリシック、又は、ハイブリッド集
積回路である。
人−ム′断面図で、9は回路部品(マイクロ波トランジ
スタ)に相当するモノリシック、又は、ハイブリッド集
積回路である。
このように構成された、超高周波回路装置の作用は、第
2図と同様であるが、モノリシック、又は、ハイブリッ
ド集積回路で構成される高周波増幅器などは、発振防止
や高周波安定性確保のため、入力側と出力側の高周波的
な分離が必要で、且つ、十分な接地を行なう必要がある
。
2図と同様であるが、モノリシック、又は、ハイブリッ
ド集積回路で構成される高周波増幅器などは、発振防止
や高周波安定性確保のため、入力側と出力側の高周波的
な分離が必要で、且つ、十分な接地を行なう必要がある
。
このような構成においては、第3図の例では、本発明に
なる取付金具8の凸状の接地部分に対し、集積回路9の
接地部分を接続し、その入出力間を分離するという構造
を持つので、大きな、高周波分離効果と接地効果が得ら
れるという特長を持つものである。
なる取付金具8の凸状の接地部分に対し、集積回路9の
接地部分を接続し、その入出力間を分離するという構造
を持つので、大きな、高周波分離効果と接地効果が得ら
れるという特長を持つものである。
以上の実施例ではMXC基板を同一材料としたが、接続
するMIC基板の材質をそれぞれ異るものにしても接続
に対し、何の問題なく上記した効果が得られる。
するMIC基板の材質をそれぞれ異るものにしても接続
に対し、何の問題なく上記した効果が得られる。
更に、MIC基板の材厚をそれぞれ異るものとしても、
前記接地板なる取付金具の基板取付面の高さを変えるこ
とにより、容易に上記した効果が得られる。
前記接地板なる取付金具の基板取付面の高さを変えるこ
とにより、容易に上記した効果が得られる。
尚、本発明の実施例では、MIC基板の接続を1箇所と
して、前記基板を2枚としているが、更に多くのMIC
基板や接続面があっても、同様な構造とすれば、上記し
た効果が得られることは、言うまでもない。
して、前記基板を2枚としているが、更に多くのMIC
基板や接続面があっても、同様な構造とすれば、上記し
た効果が得られることは、言うまでもない。
発明の効果
以上のように本発明によれば、両面回路基板の一方の基
板面を高周波接地電位面とし、前記基板と同様の構造を
持つ両面回路基板との間に、前記基板の回路実装面と同
一の高さを持つ接地電極なる突起を持った接地板にて、
前記基板の高周波接地電位面をつなぎ、機能的及び、電
気的に接続された構造を持つことにより、回路基板間で
の高周波分離効果と、基板接続面での高周波接地効果が
得られる。
板面を高周波接地電位面とし、前記基板と同様の構造を
持つ両面回路基板との間に、前記基板の回路実装面と同
一の高さを持つ接地電極なる突起を持った接地板にて、
前記基板の高周波接地電位面をつなぎ、機能的及び、電
気的に接続された構造を持つことにより、回路基板間で
の高周波分離効果と、基板接続面での高周波接地効果が
得られる。
第1図〜第3図は本発明の実施例による超高周波回路装
置の構成図、第4図は従来の超高周波回路装置を示す構
成図である。 1.8・・・・・・取付金具、2,3・・・・・・MI
OIC基板・・・・・・接続金具、6・・・・・・回路
部品、7−・・・・・回路パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名7−
回路パグーン Cb) 第2図 (ユン (b) 、5 第3図 (乙し) (b)
置の構成図、第4図は従来の超高周波回路装置を示す構
成図である。 1.8・・・・・・取付金具、2,3・・・・・・MI
OIC基板・・・・・・接続金具、6・・・・・・回路
部品、7−・・・・・回路パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名7−
回路パグーン Cb) 第2図 (ユン (b) 、5 第3図 (乙し) (b)
Claims (2)
- (1)誘電体基板の一方の面に高周波回路パターンを、
他方の面に高周波接地電位パターンが形成された第1、
第2の超高周波回路基板を有し、超高周波回路基板装着
用金属接地板に上記第1、第2の超高周波回路基板の板
厚と同寸以上の高さを有した棒状の突起を有し、この突
起を中心に両側に上記第1、第2の超高周波回路基板を
装着したことを特徴とする超高周波回路装置。 - (2)棒状の突起をまたぐ接続リードにより第1、第2
の超高周波回路基板が接続されたことを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の超高周波回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61062239A JPS62219801A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 超高周波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61062239A JPS62219801A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 超高周波回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62219801A true JPS62219801A (ja) | 1987-09-28 |
Family
ID=13194397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61062239A Pending JPS62219801A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 超高周波回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62219801A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02177608A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-10 | Nec Corp | 電力増幅器 |
JP2006165114A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Nec Corp | 半導体素子の実装方法及び実装構造、装置 |
CN109547895A (zh) * | 2018-11-20 | 2019-03-29 | 新视家科技(北京)有限公司 | 一种麦克风和k歌方法 |
-
1986
- 1986-03-20 JP JP61062239A patent/JPS62219801A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02177608A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-10 | Nec Corp | 電力増幅器 |
JP2006165114A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Nec Corp | 半導体素子の実装方法及び実装構造、装置 |
CN109547895A (zh) * | 2018-11-20 | 2019-03-29 | 新视家科技(北京)有限公司 | 一种麦克风和k歌方法 |
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