JPS62219230A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS62219230A JPS62219230A JP5943286A JP5943286A JPS62219230A JP S62219230 A JPS62219230 A JP S62219230A JP 5943286 A JP5943286 A JP 5943286A JP 5943286 A JP5943286 A JP 5943286A JP S62219230 A JPS62219230 A JP S62219230A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野および発明の目的〕本発明は磁気記
録媒体に係り、その目的とするところは、耐食性に優れ
た前記磁気記録媒体を提供することにある。
録媒体に係り、その目的とするところは、耐食性に優れ
た前記磁気記録媒体を提供することにある。
強磁性金属層を磁気記録層とする磁気記録媒体は、通常
金属もしくはこれらの合金を真空蒸着法等によって基体
フィルム上に被着してつくられる。
金属もしくはこれらの合金を真空蒸着法等によって基体
フィルム上に被着してつくられる。
この磁気記録媒体は高密度記録に適した特性を有する反
面、大気中で徐々に酸化を受けて最大磁束密度などの磁
気特性が劣化するなどの難点がある。
面、大気中で徐々に酸化を受けて最大磁束密度などの磁
気特性が劣化するなどの難点がある。
このため従来より１強磁性金属層上に種々のプラズマ重
合保護層を設ける検討が行われているが。
合保護層を設ける検討が行われているが。
前記プラズマ重合保護層を強磁性金属層上に形成した場
合、高温多湿、あるいは腐食性ガス雰囲気の条件下に放
置すると比較的短時間で腐蝕する場合があり、未だ耐食
性に関して充分ではない。
合、高温多湿、あるいは腐食性ガス雰囲気の条件下に放
置すると比較的短時間で腐蝕する場合があり、未だ耐食
性に関して充分ではない。
この発明は、上記強磁性金属層の腐食という欠点を解決
し、もって耐候性に優れた磁気記録媒体を提供するにあ
る。
し、もって耐候性に優れた磁気記録媒体を提供するにあ
る。
本発明は１強磁性金属層上に少なくともチタン（Ｔｔ）
ならびに酸素（０）を含み、その原子数比がＴｉに対し
て１．０倍以上のＱを有する炭素原子と水素原子を含む
化合物被膜を形成したことを特徴とするものである。
ならびに酸素（０）を含み、その原子数比がＴｉに対し
て１．０倍以上のＱを有する炭素原子と水素原子を含む
化合物被膜を形成したことを特徴とするものである。
このような構成をとることにより、前記化合物被膜内に
２価、３価、４価の酸化チタンの構造を含む保護膜が得
られるため、耐食性ガス、あるいは高温多湿の条件下に
対する耐候性が改善される。
２価、３価、４価の酸化チタンの構造を含む保護膜が得
られるため、耐食性ガス、あるいは高温多湿の条件下に
対する耐候性が改善される。
重合時のモノマーガスとしては、ビス（シクロペンタジ
ェニル）チタニウムや、チタニウムテトラエトキシド、
チタニウムテトライソプロポキシド等のチタン酸エステ
ルが好適である。これら少なくとも１種以上と０２ガス
の混合ガスで重合させるのが好ましい。
ェニル）チタニウムや、チタニウムテトラエトキシド、
チタニウムテトライソプロポキシド等のチタン酸エステ
ルが好適である。これら少なくとも１種以上と０２ガス
の混合ガスで重合させるのが好ましい。
ＴｉとＯの原子数比は、Ｔ ｉに対して１．０〜３．０
倍のＯを含む場合に良好であり、Ｏが１．０倍未満では
被膜内に酸化チタンの構造が得られないため、上記の効
果が充揮されない。また３、０倍を超えると被膜が脆く
なったり、成膜時に粉末化する場合があるため好しくな
い。
倍のＯを含む場合に良好であり、Ｏが１．０倍未満では
被膜内に酸化チタンの構造が得られないため、上記の効
果が充揮されない。また３、０倍を超えると被膜が脆く
なったり、成膜時に粉末化する場合があるため好しくな
い。
プラズマ重合を行なう場合のガス圧および高周波電力は
、ガス圧が高くなるほど析出速度が速くなる反面、モノ
マーガスが比較的低分子量で重合さＪｒて硬い被膜が得
られない。また、ガス圧を低くシ、て高周波電力を亮く
すると析出速度が遅くなる反面、架橋密度が高くて比較
的硬い被膜が得られるが、ガス圧を低くしすぎたり高周
波電力を高くしすぎると、モノマーガスが粉末化してし
まいプラズマ重合被膜が形成されない。このため成膜条
件としては、ガス圧を０．００３〜３トールの範囲内と
し、高周波電力を０．０３〜５ Ｗ／ｃＪの範囲内とす
るのが好ましく、ガス圧を０．００５〜ｌトールとし、
高周波電力を０．０５〜３Ｗ／ｄの範囲内とするのがよ
り好ましい。
、ガス圧が高くなるほど析出速度が速くなる反面、モノ
マーガスが比較的低分子量で重合さＪｒて硬い被膜が得
られない。また、ガス圧を低くシ、て高周波電力を亮く
すると析出速度が遅くなる反面、架橋密度が高くて比較
的硬い被膜が得られるが、ガス圧を低くしすぎたり高周
波電力を高くしすぎると、モノマーガスが粉末化してし
まいプラズマ重合被膜が形成されない。このため成膜条
件としては、ガス圧を０．００３〜３トールの範囲内と
し、高周波電力を０．０３〜５ Ｗ／ｃＪの範囲内とす
るのが好ましく、ガス圧を０．００５〜ｌトールとし、
高周波電力を０．０５〜３Ｗ／ｄの範囲内とするのがよ
り好ましい。
このようにしてプラズマ重合によって被着形成さハる被
膜はち密であり被膜内に酸化チタンの構造を含んでおり
、従ってこの化合物被膜が形成されろと耐候性が一段と
向上する。このような化合物被膜ｌグは１０〜５００オ
ングストロームの範囲内であることが好ましく、膜厚が
薄すすぎると耐候性の効果が得られず、また厚すぎると
スペーシングロスの問題が起こるため好ましくない。
膜はち密であり被膜内に酸化チタンの構造を含んでおり
、従ってこの化合物被膜が形成されろと耐候性が一段と
向上する。このような化合物被膜ｌグは１０〜５００オ
ングストロームの範囲内であることが好ましく、膜厚が
薄すすぎると耐候性の効果が得られず、また厚すぎると
スペーシングロスの問題が起こるため好ましくない。
次に本発明の実施例について説明する。
実施例１
厚さＩ Ｑ Ｉｔ ｍのポリエステルフィルムを真空蒸
着装置に装填し、］Ｘ１０−’ トールの真空下でコ
バル１−を加熱発生させて前記ポリエステルフィルム上
に０．１μｍのコバルトからなる強磁性金属層Ａ層を形
成した。
着装置に装填し、］Ｘ１０−’ トールの真空下でコ
バル１−を加熱発生させて前記ポリエステルフィルム上
に０．１μｍのコバルトからなる強磁性金属層Ａ層を形
成した。
次いで第２図に示すプラズマ処理装置を使用し。
眞述の強磁性金層Ｍを形成したポリエステルフィルム１
を処Ｆｐ槽２内の原反ロール３からキャンロール４にそ
って送り、巻き取りロール５に巻き取るようにセラ１−
シた、 ついで、処理槽２内に取り付けたガス導入管６からビス
（シクロペンタジェニル）チタニウム１０１００５ｅ、
酸素ガス２０ｓｅｃｍの混合ガスを導入し、ガス圧０．
０２ トールとした。そして高周波印加ｆｆ１ｔ！７
にｌ：１．５６ＭＨｚ、２５０Ｗを印加してプラズマを
重合し、２００オングストロームの炭素原子ならびに水
素原子を含む化合物被膜を形成した。なお図中８は高周
波ｆｆｉ源、９は排気系である。
を処Ｆｐ槽２内の原反ロール３からキャンロール４にそ
って送り、巻き取りロール５に巻き取るようにセラ１−
シた、 ついで、処理槽２内に取り付けたガス導入管６からビス
（シクロペンタジェニル）チタニウム１０１００５ｅ、
酸素ガス２０ｓｅｃｍの混合ガスを導入し、ガス圧０．
０２ トールとした。そして高周波印加ｆｆ１ｔ！７
にｌ：１．５６ＭＨｚ、２５０Ｗを印加してプラズマを
重合し、２００オングストロームの炭素原子ならびに水
素原子を含む化合物被膜を形成した。なお図中８は高周
波ｆｆｉ源、９は排気系である。
第１図は本発明の実施例に係る磁気記録媒体で。
図中の１０は強磁性金属層、１１は化合物被膜である。
実施例２
実施例１の化合物被膜の形成において、ビス（シクロペ
ンタジニル）チタニウムと酸素ガスの混合ガスに代えて
チタニウムテトラエトキシドのモノマーガスを１５０ｓ
ｅｃｍの流量で導入した以外は実施例１と同様にして磁
気記ｔｇ！媒体を製造した。
ンタジニル）チタニウムと酸素ガスの混合ガスに代えて
チタニウムテトラエトキシドのモノマーガスを１５０ｓ
ｅｃｍの流量で導入した以外は実施例１と同様にして磁
気記ｔｇ！媒体を製造した。
比較例１
実施例１の化合物被膜の形成において、Ｗ！１索ガスの
導入を省いた以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体
を製造した。
導入を省いた以外は実施例１と同様にして磁気記録媒体
を製造した。
比較例２
実施例２の化合物被膜の形成において、酸素ガス２０ｓ
ｅｃｍを混合し、て導入した以外は実施例２と同様にし
、て磁気記録媒体を製造した。
ｅｃｍを混合し、て導入した以外は実施例２と同様にし
、て磁気記録媒体を製造した。
比較例３
実施例２の化合物被膜の形成において、チタニウムテト
ラエトキシドのモノマーガスに代えて、エチレンのモノ
マーガスを１７０ｓｅｃｍの流量で導入した以外は実施
例２と同様にして磁気記録媒体を製造した。
ラエトキシドのモノマーガスに代えて、エチレンのモノ
マーガスを１７０ｓｅｃｍの流量で導入した以外は実施
例２と同様にして磁気記録媒体を製造した。
比較例４
実施例１において、化合物被膜の形成を省いた以外は実
施例１と同様にして磁気記録媒体を製造した。
施例１と同様にして磁気記録媒体を製造した。
各実施例および比較例で得た磁気テープを所定の面積と
なるように裁断し、これらを６０℃。
なるように裁断し、これらを６０℃。
９０％ＲＨの素性下に静置し、１遍間経過後の最大磁束
密度を静置前の最大磁束密度と比較して劣化率を調べた
。また各試料をＳＯｚを０．Ｏｌｐｐｍ、Ｎｏ：を０．
０１ ＰＰｍならびにＨ２Ｓを０．０１ ｐｐｍ含
有した腐食性ガスの雰囲気下で静置し、１００時間静置
後の表面状態を目視評価した。これらの結果を次の表に
示す。なお１表中のＴ ｉ 、 Ｏの原子数比はＸ Ｐ
Ｓ分析結果より算出した値である。
密度を静置前の最大磁束密度と比較して劣化率を調べた
。また各試料をＳＯｚを０．Ｏｌｐｐｍ、Ｎｏ：を０．
０１ ＰＰｍならびにＨ２Ｓを０．０１ ｐｐｍ含
有した腐食性ガスの雰囲気下で静置し、１００時間静置
後の表面状態を目視評価した。これらの結果を次の表に
示す。なお１表中のＴ ｉ 、 Ｏの原子数比はＸ Ｐ
Ｓ分析結果より算出した値である。
表
０；不変、はぼ不変、Δ：腐食部分あり、×：全面に腐
食 上表から明らかなように、この発明で得られた磁気テー
プ（実施例１〜２）はいずれも比較例１〜４で得られた
磁気テープに比べ、最大磁束密度の劣化率が低く、さら
に腐食性ガスの環境試験においても明らかに腐食が防止
され、このことから本発明によって得られろ磁気記録媒
体は、耐候性に優れていることがわかる。
食 上表から明らかなように、この発明で得られた磁気テー
プ（実施例１〜２）はいずれも比較例１〜４で得られた
磁気テープに比べ、最大磁束密度の劣化率が低く、さら
に腐食性ガスの環境試験においても明らかに腐食が防止
され、このことから本発明によって得られろ磁気記録媒
体は、耐候性に優れていることがわかる。
なお、前記実施例では強磁性金属からなる磁性層を蒸着
によって形成したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、スパッタリングや塗布法によって磁性層を形成
してもよい。
によって形成したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、スパッタリングや塗布法によって磁性層を形成
してもよい。
第１図は本発明の実施例に係る磁気記録媒体の拡大断面
図、第２図はその磁気記録媒体を製造するためのプラズ
マ処理装置の概略構成図である。 １・・・・・・ポリエステルフィルム、】０・・・・・
・強磁性金属層、１１・・・・・・化合物被膜。 第２図
図、第２図はその磁気記録媒体を製造するためのプラズ
マ処理装置の概略構成図である。 １・・・・・・ポリエステルフィルム、】０・・・・・
・強磁性金属層、１１・・・・・・化合物被膜。 第２図
Claims (2)
- （１）基体上に金属もしくはそれらの合金からなる強磁
性金属層を形成し、強磁性金属層の上に少なくともチタ
ンならびに酸素を含み、その原子数比がチタンに対して
１．０倍以上の酸素を有する炭素原子と水素原子を含む
化合物被膜を形成したことを特徴とする磁気記録媒体。 - （２）特許請求の範囲第（１）項記載において、前記チ
タンと酸素の原子比がチタンに対して１．０〜３．０倍
の範囲に規制されていることを特徴とする磁気記録媒体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5943286A JPS62219230A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5943286A JPS62219230A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62219230A true JPS62219230A (ja) | 1987-09-26 |
Family
ID=13113104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5943286A Pending JPS62219230A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62219230A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100407314C (zh) * | 2002-10-16 | 2008-07-30 | 松下电器产业株式会社 | 信息记录介质及其制造方法和光学信息记录再现装置 |
-
1986
- 1986-03-19 JP JP5943286A patent/JPS62219230A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100407314C (zh) * | 2002-10-16 | 2008-07-30 | 松下电器产业株式会社 | 信息记录介质及其制造方法和光学信息记录再现装置 |
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