JPS6221261A - 駆動要素 - Google Patents
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/7302—Bipolar junction transistors structurally associated with other devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B5/022—H-Bridge head driver circuit, the "H" configuration allowing to inverse the current direction in the head
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
- H01L27/0744—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common without components of the field effect type
- H01L27/075—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. lateral bipolar transistor, and vertical bipolar transistor and resistor
- H01L27/0755—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
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-
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02P—CONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
- H02P7/00—Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors
- H02P7/03—Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors for controlling the direction of rotation of DC motors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の背景コ
この発明は特に、それぞれの保護ダイオードを有る、橋
絡接続の電力用トランジスタを含む型の、誘導負荷のた
めの駆動要素に関る、ものである。
絡接続の電力用トランジスタを含む型の、誘導負荷のた
めの駆動要素に関る、ものである。
この型の周知の素子はたとえば、第１図に示される。こ
の先行技術の素子は、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３およびＴ４で示
される４つのトランジスタと、各々がそれぞれのトラン
ジスタと並列に配置される、Ｄｌ、Ｄ２、ＤＳおよびＤ
４で示される４つのフライバックダイオードとの橋絡を
含む。詳細には、各ダイオードはそのアノードがそれぞ
れのトランジスタのエミッタに、そしてそのカソードは
トランジスタのコレクタに接続される。負荷りは橋絡の
中央の分岐に配置され、そしてその方向および値がトラ
ンジスタＴ１ないしＴ４を介して制御され得る電流によ
って飛ばされる。各トランジスタＴ１ないしＴ４のベー
スとエミッタの間には抵抗器があり、各トランジスタＴ
１ないしＴ４のコレクタとサブストレートの間にはＤＳ
で示されるサブストレートダイオードがある。
の先行技術の素子は、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３およびＴ４で示
される４つのトランジスタと、各々がそれぞれのトラン
ジスタと並列に配置される、Ｄｌ、Ｄ２、ＤＳおよびＤ
４で示される４つのフライバックダイオードとの橋絡を
含む。詳細には、各ダイオードはそのアノードがそれぞ
れのトランジスタのエミッタに、そしてそのカソードは
トランジスタのコレクタに接続される。負荷りは橋絡の
中央の分岐に配置され、そしてその方向および値がトラ
ンジスタＴ１ないしＴ４を介して制御され得る電流によ
って飛ばされる。各トランジスタＴ１ないしＴ４のベー
スとエミッタの間には抵抗器があり、各トランジスタＴ
１ないしＴ４のコレクタとサブストレートの間にはＤＳ
で示されるサブストレートダイオードがある。
示される回路はＤＣモータ、ステップモータ、ソレノイ
ドなどのような種々の型の誘導負荷を駆動る、のに効果
があり、特にフライバックダイオードＤｌないしＤ４は
トランジスタの第２の逆方向の破壊を避けるために再循
環の段階において必要である。
ドなどのような種々の型の誘導負荷を駆動る、のに効果
があり、特にフライバックダイオードＤｌないしＤ４は
トランジスタの第２の逆方向の破壊を避けるために再循
環の段階において必要である。
トランジスタはそれぞれのベースでそれらの駆動信号を
受取る。Ｔ１およびＴ２またはＴ３およびＴ４の同時の
スイッチングオンを除いて、トランジスタＴ１ないしＴ
４の異なるオンとオフのシーケンスを有る、ことが可能
である。典型的な動作の説明では、トランジスタの対の
Ｔ１およびＴ４がオフで、トランジスタの対のＴ２およ
びＴ３がオンであることが仮定され、そして特に、トラ
ンジスタＴ３は連続的に供給され、一方トランシタＴ２
はオンとオフに切換わることが仮定される。
受取る。Ｔ１およびＴ２またはＴ３およびＴ４の同時の
スイッチングオンを除いて、トランジスタＴ１ないしＴ
４の異なるオンとオフのシーケンスを有る、ことが可能
である。典型的な動作の説明では、トランジスタの対の
Ｔ１およびＴ４がオフで、トランジスタの対のＴ２およ
びＴ３がオンであることが仮定され、そして特に、トラ
ンジスタＴ３は連続的に供給され、一方トランシタＴ２
はオンとオフに切換わることが仮定される。
対のＴ２とＴ３をオンに切換えると、第１図の矢印の方
向に負荷を通って流れる電流ＩＬがもたらされ、それに
よってＴ３によって引出された電流は負荷を通過し、そ
れからＴ２を介して放電される。もしＴ２がオフに切換
えられると、負荷電流はもはや接地にまで流れることは
できす、強制的にダイオードＤ１を通って再循環させら
れる。その段階で、Ｄｌのアノード電圧はそれのカソー
ド電圧よりも高く、それによってトランジスタＴ１のベ
ース−エミッタ接合が逆方向にバイアスされる。もしダ
イオードＤ１にかかる電圧が０．６Ｖを越えるなら、ト
ランジスタＴ１のコレクターベース接合は順方向にバイ
アスされやすくなり、そしてトランジスタＴ１が逆作用
領域でオンに切換えられることを引き起こす。この動作
はトランジスタＴ２をオンに切換え直すと、後者は強制
的に負荷電流ＩＬとＴ１およびＤｌのスイッチングオフ
電流の両方を引出すようにされるので、不利である。そ
の状況では、動作は電流パターン対時間を示す、第２図
の曲線Ｉによって表わされるようになるであろう。
向に負荷を通って流れる電流ＩＬがもたらされ、それに
よってＴ３によって引出された電流は負荷を通過し、そ
れからＴ２を介して放電される。もしＴ２がオフに切換
えられると、負荷電流はもはや接地にまで流れることは
できす、強制的にダイオードＤ１を通って再循環させら
れる。その段階で、Ｄｌのアノード電圧はそれのカソー
ド電圧よりも高く、それによってトランジスタＴ１のベ
ース−エミッタ接合が逆方向にバイアスされる。もしダ
イオードＤ１にかかる電圧が０．６Ｖを越えるなら、ト
ランジスタＴ１のコレクターベース接合は順方向にバイ
アスされやすくなり、そしてトランジスタＴ１が逆作用
領域でオンに切換えられることを引き起こす。この動作
はトランジスタＴ２をオンに切換え直すと、後者は強制
的に負荷電流ＩＬとＴ１およびＤｌのスイッチングオフ
電流の両方を引出すようにされるので、不利である。そ
の状況では、動作は電流パターン対時間を示す、第２図
の曲線Ｉによって表わされるようになるであろう。
［発明の要約］
上の状況を考慮る、と、この発明の基礎をなす狙いは先
行技術の不利な点をなくし、特に切換えにおいてより迅
速に動作る、誘導負荷のための駆動素子を提供る、こと
である。
行技術の不利な点をなくし、特に切換えにおいてより迅
速に動作る、誘導負荷のための駆動素子を提供る、こと
である。
上の狙いの中で、この発明の特別な目的は、第２の逆方
向の破壊の危険性を減じ、素子のより信頼できる動作を
確実にる、、駆動素子を提供る、ることである。
向の破壊の危険性を減じ、素子のより信頼できる動作を
確実にる、、駆動素子を提供る、ることである。
この発明の別の目的は、そのより信頼性の高い、そして
安全な動作のおかげで、今まで必要であった外部のフィ
ルタ回路を簡易化る、駆動素子を提供る、ことである。
安全な動作のおかげで、今まで必要であった外部のフィ
ルタ回路を簡易化る、駆動素子を提供る、ことである。
この発明の少なからぬ目的は、現在の技術で、簡単な方
法で、そして先行技術の素子と匹敵できる費用で実現さ
れ得る、示された型の駆動素子を提供る、ことである。
法で、そして先行技術の素子と匹敵できる費用で実現さ
れ得る、示された型の駆動素子を提供る、ことである。
示された狙い、略述された目的、およびこれより先によ
り明らかとなるものは、各々がエミッタ、ベースおよび
コレクタ領域を有る、電力用トランジスタと、前記トラ
ンジスタに並列に接続され、それぞれアノードとカソー
ド領域が前記トランジスタのエミッタとコレクタ領域に
接続される保護ダイオードとを含む、誘導負荷の駆動素
子によって達成され、そこでは改良に従えば、前記ダイ
オードは前記トランジスタとともに集積されたショット
キーダイオードである。
り明らかとなるものは、各々がエミッタ、ベースおよび
コレクタ領域を有る、電力用トランジスタと、前記トラ
ンジスタに並列に接続され、それぞれアノードとカソー
ド領域が前記トランジスタのエミッタとコレクタ領域に
接続される保護ダイオードとを含む、誘導負荷の駆動素
子によって達成され、そこでは改良に従えば、前記ダイ
オードは前記トランジスタとともに集積されたショット
キーダイオードである。
さらに別の特徴および利点は、添付の図面に例示であっ
て制限とはならないように示される、好ましくはあるが
余すところないわけではない実施例の説明からより明ら
かとなろう。
て制限とはならないように示される、好ましくはあるが
余すところないわけではない実施例の説明からより明ら
かとなろう。
［好ましい実施例の説明］
この発明に従った素子は、ダイオードＤＩないしＤ４が
この発明に従えばショットキーダイオードであることを
除けば、第１図に関して示され、そして説明されたもの
と類似した等化回路によって表わされてもよい。当業者
が認めるであろうように、ショットキーダイオードは他
のダイオードの型よりもそこにかかる順方向の電圧が低
く、そして速度が速い。ダイオードＤｌないしＤ４をシ
ョットキーダイオードでの実現る、ことはそれゆえ、た
とえばＴ１のトランジスタのエミッタとコレクタの間で
電圧を０６４Ｖを越えないで保持る、ことを可能にし、
こうしてトランジスタのスイッチングオンおよび逆作用
領域での動作を防ぐ。
この発明に従えばショットキーダイオードであることを
除けば、第１図に関して示され、そして説明されたもの
と類似した等化回路によって表わされてもよい。当業者
が認めるであろうように、ショットキーダイオードは他
のダイオードの型よりもそこにかかる順方向の電圧が低
く、そして速度が速い。ダイオードＤｌないしＤ４をシ
ョットキーダイオードでの実現る、ことはそれゆえ、た
とえばＴ１のトランジスタのエミッタとコレクタの間で
電圧を０６４Ｖを越えないで保持る、ことを可能にし、
こうしてトランジスタのスイッチングオンおよび逆作用
領域での動作を防ぐ。
こうして、この発明に従った素子の動作は先行技術に従
ったものと類似しているが、たとえば、対のＴ２および
Ｔ３の動作の間、Ｔ２をオフに切換えても、負荷を通過
しそしてＤｌを通って再循環る、電流がＴ１のスイッチ
ングオンを引き起こさず、Ｔ２をオンに切換えると、後
者はＴ１のスイッチングオフ電流を引出すように強制さ
れないという重要な事実が異なる。この事実は、ショッ
トキーダイオードのより高いスイッチング速度と組合わ
されて、スイッチングオンに引き続いてＴ２によって引
出される電流が曲線Ｉの代わりに曲線Ｈによって表わさ
れることを引き起こす。これは実際に素子内の損失を減
少し、内部または外部のフィルタ回路の簡潔化を可能に
る、。
ったものと類似しているが、たとえば、対のＴ２および
Ｔ３の動作の間、Ｔ２をオフに切換えても、負荷を通過
しそしてＤｌを通って再循環る、電流がＴ１のスイッチ
ングオンを引き起こさず、Ｔ２をオンに切換えると、後
者はＴ１のスイッチングオフ電流を引出すように強制さ
れないという重要な事実が異なる。この事実は、ショッ
トキーダイオードのより高いスイッチング速度と組合わ
されて、スイッチングオンに引き続いてＴ２によって引
出される電流が曲線Ｉの代わりに曲線Ｈによって表わさ
れることを引き起こす。これは実際に素子内の損失を減
少し、内部または外部のフィルタ回路の簡潔化を可能に
る、。
この発明に従った素子の物理的な実現の例は第３図ない
し第５図に示され、それらはそれぞれ平面図およびシリ
コンチップを通った２つの断面図を示し、そこでは第１
図の図面のトランジスタの１つとショットキーダイオー
ドのそれぞれが形成される。
し第５図に示され、それらはそれぞれ平面図およびシリ
コンチップを通った２つの断面図を示し、そこでは第１
図の図面のトランジスタの１つとショットキーダイオー
ドのそれぞれが形成される。
第３図ないし第５図を参照る、と、素子はＮ型極性のエ
ピタキシャル層１０を含み、その層はトランジスタのコ
レクタを形成し、素子を収容る、全体の区域上を前に延
びている。エピタキシャル層１０はトランジスタとショ
ットキーダイオードを構成る、さらに別の領域を収容る
、。特に、素子はトランジスタのベース領域を形成る、
Ｐ型の極性の領域１２を含み、その内部ではＮ＋型の極
性の層１４が形成され、トランジスタのエミッタを規定
る、。理解されるように、Ｉ？１Ｍ１２および１４はエ
ピタキシャル層１０が素子の表面に達る、領域１６で中
断される。実際では（第３図を参照されたい）層１２お
よび１４の拡散で、拡散されない領域または穴１６がエ
ピタキシャル層１０の材料から形成される。それらの穴
または部分は金属層１８を介して金属化され、エミッタ
の金属化もまた形成る、。この狙いのために、領域１６
の横にある、層１２および１４が形成される領域のチッ
プ表面の上に、絶縁酸化物の層１５が配置されており、
一方エミッタコンタクト２１は第３図に示されるように
、部分１６に実質的に整列して形成される（部分１６を
形成る、穴の前後両方に形成されるので、それらは第４
図では見えない）。
ピタキシャル層１０を含み、その層はトランジスタのコ
レクタを形成し、素子を収容る、全体の区域上を前に延
びている。エピタキシャル層１０はトランジスタとショ
ットキーダイオードを構成る、さらに別の領域を収容る
、。特に、素子はトランジスタのベース領域を形成る、
Ｐ型の極性の領域１２を含み、その内部ではＮ＋型の極
性の層１４が形成され、トランジスタのエミッタを規定
る、。理解されるように、Ｉ？１Ｍ１２および１４はエ
ピタキシャル層１０が素子の表面に達る、領域１６で中
断される。実際では（第３図を参照されたい）層１２お
よび１４の拡散で、拡散されない領域または穴１６がエ
ピタキシャル層１０の材料から形成される。それらの穴
または部分は金属層１８を介して金属化され、エミッタ
の金属化もまた形成る、。この狙いのために、領域１６
の横にある、層１２および１４が形成される領域のチッ
プ表面の上に、絶縁酸化物の層１５が配置されており、
一方エミッタコンタクト２１は第３図に示されるように
、部分１６に実質的に整列して形成される（部分１６を
形成る、穴の前後両方に形成されるので、それらは第４
図では見えない）。
素子の物理的な構造は第３図から明らかであり、そこで
はベース層の境界線がより太いラインで示され、参照番
号３０が与えられ（最も外部の境界線には３０ａそして
最も内部の境界線には３０ｂ）一方、エミッタの境界線
は点線で示され、参照番号３１が与えられている（外部
の境界線には３１ａそして内部の境界線には３１ｂ）。
はベース層の境界線がより太いラインで示され、参照番
号３０が与えられ（最も外部の境界線には３０ａそして
最も内部の境界線には３０ｂ）一方、エミッタの境界線
は点線で示され、参照番号３１が与えられている（外部
の境界線には３１ａそして内部の境界線には３１ｂ）。
この図はエミッタコンタクト２１に加えて、それぞれの
金属化同様、ベースコンタクト２２およびコレクタコン
タクト２０もまたさらに示す。当業者が認めるように、
ショットキーダイオードは少なくドープされたエピタキ
シャル層部分１６と説明された態様で形成される金属１
８の接合によって形成される。その結果、特に簡単な方
法で、ショットキーダイオードはこの発明の素子を作る
トランジスタ構造内に集積される。
金属化同様、ベースコンタクト２２およびコレクタコン
タクト２０もまたさらに示す。当業者が認めるように、
ショットキーダイオードは少なくドープされたエピタキ
シャル層部分１６と説明された態様で形成される金属１
８の接合によって形成される。その結果、特に簡単な方
法で、ショットキーダイオードはこの発明の素子を作る
トランジスタ構造内に集積される。
集積されたショットキーダイオードを得るために提示さ
れた実施例はいくつかの理由で特に有利である。まず第
１に部分１６のまわりのＰ型極性のリングの存在が（ベ
ース１２の拡散の一部によって形成される）ダイオード
の空乏領域の修正を可能にし、ゆえに破壊に先立つより
高い電圧を保持る、。さらに、ショットキーダイオード
を構成る、金属としてエミッタ金属化層を使用る、こと
はこれが界プレートとして利用されることを可能にし、
そしてまたより高い電圧を保持る、ことも確実にる、。
れた実施例はいくつかの理由で特に有利である。まず第
１に部分１６のまわりのＰ型極性のリングの存在が（ベ
ース１２の拡散の一部によって形成される）ダイオード
の空乏領域の修正を可能にし、ゆえに破壊に先立つより
高い電圧を保持る、。さらに、ショットキーダイオード
を構成る、金属としてエミッタ金属化層を使用る、こと
はこれが界プレートとして利用されることを可能にし、
そしてまたより高い電圧を保持る、ことも確実にる、。
穴または領域１６は必要に応じて最も適切な形態を有る
、ことが注目されるはずである。
、ことが注目されるはずである。
提示された実施例は周知の回路に存在る、サブストレー
トダイオードＤＳの活性化が避けられることを可能にし
、制御回路の適切な動作を確実にる、。
トダイオードＤＳの活性化が避けられることを可能にし
、制御回路の適切な動作を確実にる、。
前の説明かられかるように、この発明は以前に述べられ
た目的を十分に達成る、。実際、ダイオードＤ工ないし
Ｄ４をショットキーダイオードと置き換えることは、ト
ランジスタにかかる電圧が０．６ないし０．７Ｖよりも
低くなることを引き起こし、こうしてトランジスタの逆
作用領域の動作を防ぎ、素子のより速い応答速度および
より低い消散を確実にし、ゆえにそれの改良された信頼
性も確実にる、。
た目的を十分に達成る、。実際、ダイオードＤ工ないし
Ｄ４をショットキーダイオードと置き換えることは、ト
ランジスタにかかる電圧が０．６ないし０．７Ｖよりも
低くなることを引き起こし、こうしてトランジスタの逆
作用領域の動作を防ぎ、素子のより速い応答速度および
より低い消散を確実にし、ゆえにそれの改良された信頼
性も確実にる、。
この発明はこの発明の概念の範囲内で多くの修正および
変化が可能である。特に、ショットキーダイオードをエ
ミッタ金属化とともに構成る、エピタキシャル層１６の
形がどれでもよいという事実が強調される。さらに、す
べての詳細はそれの技術的な同等物に置き換えられても
よい。
変化が可能である。特に、ショットキーダイオードをエ
ミッタ金属化とともに構成る、エピタキシャル層１６の
形がどれでもよいという事実が強調される。さらに、す
べての詳細はそれの技術的な同等物に置き換えられても
よい。
第１図はこの発明にも有効な周知の応用の一般的な回路
図である。 第２図は周知の素子およびこの発明の素子の電流対時間
のパターンを示す。 第３図はこの発明に従った素子のレイアウトを示す平面
図である。 第４図は同じ縮尺ではないが、第３図の線ＩＶ−ＩＶに
沿った断面図を示す。 第゛５図は第３図の線ｖ−■に沿った断面図を示す。 図において、ＴｌないしＴ４は電力用トランジスタ、Ｄ
工ないしＤ４はフライバックショットキーダイオード、
ＤＳはサブストレートダイオード、１０はエビタキャル
層、１２はベース層、１４はコレクタ層、１６は穴また
は領域、１８は金属化層、２０はコレクタコンタクト、
２１はエミッタコンタクト、２２はベースコンタクト、
１５は絶縁酸化物層である。
図である。 第２図は周知の素子およびこの発明の素子の電流対時間
のパターンを示す。 第３図はこの発明に従った素子のレイアウトを示す平面
図である。 第４図は同じ縮尺ではないが、第３図の線ＩＶ−ＩＶに
沿った断面図を示す。 第゛５図は第３図の線ｖ−■に沿った断面図を示す。 図において、ＴｌないしＴ４は電力用トランジスタ、Ｄ
工ないしＤ４はフライバックショットキーダイオード、
ＤＳはサブストレートダイオード、１０はエビタキャル
層、１２はベース層、１４はコレクタ層、１６は穴また
は領域、１８は金属化層、２０はコレクタコンタクト、
２１はエミッタコンタクト、２２はベースコンタクト、
１５は絶縁酸化物層である。
Claims (5)
- （１）各々がエミッタ、ベースおよびコレクタ領域１４
、１２および１０を有する電力用トランジスタＴ１ない
しＴ４と、前記トラジスタに並列に接続され、それぞれ
前記トランジスタのエミッタおよびコレクタ領域に接続
されるアノードおよびカソード領域を有する保護ダイオ
ードＤ１ないしＤ４とを含み、前記ダイオードが前記ト
ランジスタとともに集積されるショットキーダイオード
であることを特徴とする、誘導負荷のための駆動要素。 - （２）前記ショットキーダイオードＤ１ないしＤ４が前
記電力用トランジスタＴ１ないしＴ４の少なくドープさ
れたエピタキシャル層１０の表面部分１６と前記表面部
分に接して上に延在する金属層１８とによって規定され
る接合によって形成されることを特徴とする、特許請求
の範囲第１項に記載の要素。 - （３）前記エピタキシャル層１０の前記表面部分１６が
前記電力用トランジスタＴ１ないしＴ４のベースおよび
エミッタ層１２および１４を通って延在し、そして前記
金属化層がエミッタの金属化を形成する、特許請求の範
囲第２項に記載の要素。 - （４）各トランジスタＴ１ないしＴ４が少なくとも１つ
の主表面を有する半導体本体を含み、前記半導体本体は
前記コレクタ領域を規定する少なくドープされた第１の
導電性型のエピタキシャル層１０と、前記第１の導電性
型と実質的に反対で前記ベース領域を規定する第２の導
電性型の第１の領域１２とを含み、前記第１のベース領
域は前記エピタキシャル層１０によって部分的に囲まれ
、かつ前記主表面でベース自由面を有し、前記エミッタ
領域を規定する実質的に前記第１の導電性型の第２の領
域を含み、前記第２のエミッタ領域１４は前記第１のベ
ース領域１２によって囲まれ、そして前記ベース自由面
に隣接した前記主表面でエミッタ自由面を有し、前記エ
ピタキシャル層１０は前記第１の領域１２と隣接して延
在するコレクタの突出している部分を規定し、そして前
記ベース自由面に隣接した前記主表面でコレクタ自由表
面を有し、前記エミッタ自由面およびコレクタ自由面で
前記主表面上に少なくとも一部が延在し、それと接触す
るエミッタ金属層１８を含み、それによって前記コレク
タ自由面との接合で前記ショットキーダイオードＤ１な
いしＤ４を規定する、特許請求の範囲第１項に記載の要
素。 - （５）前記トランジスタＴ１ないしＴ４および前記並列
に接続されたダイオードＤ１ないしＤ４は橋絡接続され
、誘導負荷（Ｌ）を含む中央の分岐を有する橋絡を形成
する、特許請求の範囲第１項に記載の要素。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT21578/85A IT1185258B (it) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | Elemento di pilotaggio per carichi induttivi |
| IT21578A/85 | 1985-07-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6221261A true JPS6221261A (ja) | 1987-01-29 |
Family
ID=11183865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61165456A Pending JPS6221261A (ja) | 1985-07-16 | 1986-07-14 | 駆動要素 |
Country Status (7)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPS6221261A (ja) |
| DE (1) | DE3622141C2 (ja) |
| FR (1) | FR2585202B1 (ja) |
| GB (1) | GB2177848B (ja) |
| IT (1) | IT1185258B (ja) |
| NL (1) | NL193040C (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| DE3331631A1 (de) * | 1982-09-01 | 1984-03-01 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Halbleiter-bauelement |
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1985
- 1985-07-16 IT IT21578/85A patent/IT1185258B/it active
-
1986
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- 1986-07-10 GB GB8616870A patent/GB2177848B/en not_active Expired
- 1986-07-14 JP JP61165456A patent/JPS6221261A/ja active Pending
- 1986-07-14 US US06/885,503 patent/US4783693A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-14 NL NL8601833A patent/NL193040C/nl not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56142664A (en) * | 1980-04-09 | 1981-11-07 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US4783693A (en) | 1988-11-08 |
| NL193040C (nl) | 1998-08-04 |
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