JPS6221209B2 - - Google Patents
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- JPS6221209B2 JPS6221209B2 JP11961078A JP11961078A JPS6221209B2 JP S6221209 B2 JPS6221209 B2 JP S6221209B2 JP 11961078 A JP11961078 A JP 11961078A JP 11961078 A JP11961078 A JP 11961078A JP S6221209 B2 JPS6221209 B2 JP S6221209B2
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- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 claims description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 11
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QHRPVRRJYMWFKB-UHFFFAOYSA-N [Sb].[Cs] Chemical compound [Sb].[Cs] QHRPVRRJYMWFKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004297 night vision Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光電子増倍器に係わり、特に２次電
子増倍器の金属導電層を被着した一方の面上に直
接光電面を形成するようにした光電子増倍器に関
する。
子増倍器の金属導電層を被着した一方の面上に直
接光電面を形成するようにした光電子増倍器に関
する。
一般に、薄い基板の両面に導電層を被着し、こ
れらの導電層を連結するように多数の平行する貫
通孔を設け、該貫通孔の内壁を連続した２次電子
放出面として形成した２次電子増倍器は、暗視管
や撮像管に組込んで光電面より放出する２次元情
報を含む電子ビームを増倍するため、映像信号の
増幅用に用いられている。
れらの導電層を連結するように多数の平行する貫
通孔を設け、該貫通孔の内壁を連続した２次電子
放出面として形成した２次電子増倍器は、暗視管
や撮像管に組込んで光電面より放出する２次元情
報を含む電子ビームを増倍するため、映像信号の
増幅用に用いられている。
このような２次電子増倍器は、従来光電面と別
個に形成し、２次電子増倍器の導電層を被着した
一方の面に対して光電面を平行に配置して気密容
器内に組込むようにしていたが、このように２次
電子増倍器を光電面と別個に形成する場合には、
通常ガラス板または必要に応じて光の透過を妨げ
ない程度の金属を被着したガラス板上に光電面を
形成し、少なくとも50マイクロ・アンペア／ルー
メン、通常100マイクロ・アンペア／ルーメンの
光電感度が得られる。
個に形成し、２次電子増倍器の導電層を被着した
一方の面に対して光電面を平行に配置して気密容
器内に組込むようにしていたが、このように２次
電子増倍器を光電面と別個に形成する場合には、
通常ガラス板または必要に応じて光の透過を妨げ
ない程度の金属を被着したガラス板上に光電面を
形成し、少なくとも50マイクロ・アンペア／ルー
メン、通常100マイクロ・アンペア／ルーメンの
光電感度が得られる。
しかしながら、このような２次電子増倍器と光
電面とを別個に形成する装置の場合は、製造工程
が複雑となるため、２次電子増倍器の金属導電層
を被着した一方の面上に直接光電面を形成する光
電子増倍器が提案されている（特公昭43−3044
号）。
電面とを別個に形成する装置の場合は、製造工程
が複雑となるため、２次電子増倍器の金属導電層
を被着した一方の面上に直接光電面を形成する光
電子増倍器が提案されている（特公昭43−3044
号）。
ところで、２次電子増倍器の基板材質は、ほと
んどが酸化鉛含有ガラスを用い、加熱および還元
処理によつて、表面即ち基板の両面と貫通孔の内
壁に、鉛の薄膜層を析出して所望の高抵抗を付与
することにより電位勾配を形成可能にし、また析
出した鉛が酸化して酸化鉛層を形成して２次電子
放出面として機能している。
んどが酸化鉛含有ガラスを用い、加熱および還元
処理によつて、表面即ち基板の両面と貫通孔の内
壁に、鉛の薄膜層を析出して所望の高抵抗を付与
することにより電位勾配を形成可能にし、また析
出した鉛が酸化して酸化鉛層を形成して２次電子
放出面として機能している。
このように基板表面には析出した鉛が比較的高
濃度に含まれるため、２次電子増倍器の金属導電
層を被着した一方の面上に直接光電面を形成する
と、表面拡散のため、金属導電層の表面にも実際
には数％の鉛が含まれ、これが酸化して酸化鉛を
成し、例えばアンチモンセシウム光電面を用いた
場合、セシウムと金属導電層表面の酸化鉛とが反
応して、 Pbo＋2Cs→Pb＋Cs2O なる化学変化を生じ、その結果光電感度を低下さ
せてしまい、光電感度はたかだか10マイクロ・ア
ンペア／ルーメン程度しか得られないのが実情で
ある。
濃度に含まれるため、２次電子増倍器の金属導電
層を被着した一方の面上に直接光電面を形成する
と、表面拡散のため、金属導電層の表面にも実際
には数％の鉛が含まれ、これが酸化して酸化鉛を
成し、例えばアンチモンセシウム光電面を用いた
場合、セシウムと金属導電層表面の酸化鉛とが反
応して、 Pbo＋2Cs→Pb＋Cs2O なる化学変化を生じ、その結果光電感度を低下さ
せてしまい、光電感度はたかだか10マイクロ・ア
ンペア／ルーメン程度しか得られないのが実情で
ある。
本発明は上記問題点を解決するためのもので、
２次電子増倍器の導電層を被着した一方の面上に
直接光電面を形成し、しかも光電感度を改善する
ことの可能な光電子増倍器を提供することを目的
とする。
２次電子増倍器の導電層を被着した一方の面上に
直接光電面を形成し、しかも光電感度を改善する
ことの可能な光電子増倍器を提供することを目的
とする。
そのために本発明の光電子増倍器は、両面に導
電層が被着されると共に、表面に鉛が析出されて
２次電子放出面を形成する該導電層間に並列して
設けられた多数の細い貫通孔を有する鉛ガラスか
らなる基板と、該基板の一方の面における導電層
の上に臭化カリウムの薄膜層を介在させて形成さ
れたアンチモンアルカリ光電面とを有することを
特徴とする。
電層が被着されると共に、表面に鉛が析出されて
２次電子放出面を形成する該導電層間に並列して
設けられた多数の細い貫通孔を有する鉛ガラスか
らなる基板と、該基板の一方の面における導電層
の上に臭化カリウムの薄膜層を介在させて形成さ
れたアンチモンアルカリ光電面とを有することを
特徴とする。
本発明の光電子増倍器は、両面に導電層が被着
されると共に、表面に鉛が析出されて２次電子放
出面を形成する該導電層間に並列して設けられた
多数の細い貫通孔を有する鉛ガラスからなる基板
の一方の面における導電層の上に臭化カリウムの
薄膜層を介在させてアンチモンアルカリ光電面が
形成されているので、表面拡散のために導電層表
面に含まれる鉛が酸化して形成される酸化鉛と光
電面のアルカリ金属成分が反応するのが防止さ
れ、光電感度を改善することが可能となる。
されると共に、表面に鉛が析出されて２次電子放
出面を形成する該導電層間に並列して設けられた
多数の細い貫通孔を有する鉛ガラスからなる基板
の一方の面における導電層の上に臭化カリウムの
薄膜層を介在させてアンチモンアルカリ光電面が
形成されているので、表面拡散のために導電層表
面に含まれる鉛が酸化して形成される酸化鉛と光
電面のアルカリ金属成分が反応するのが防止さ
れ、光電感度を改善することが可能となる。
以下、実施例を図面に基づき説明する。
次に、本発明の光電子増倍器の実施例をその製
造方法と共に説明する。
造方法と共に説明する。
第１図は本発明の光電子増倍器の断面図、第２
図は第１図に示した光電子増倍器のＡ−Ｂ部分の
拡大図である。図中、１は鉛ガラスからなる基
板、２は貫通孔、３，４は基板の両面、５は貫通
孔表面、６，７は金属導電層、８は臭化カリウム
薄膜層、９は光電面である。
図は第１図に示した光電子増倍器のＡ−Ｂ部分の
拡大図である。図中、１は鉛ガラスからなる基
板、２は貫通孔、３，４は基板の両面、５は貫通
孔表面、６，７は金属導電層、８は臭化カリウム
薄膜層、９は光電面である。
図において、薄い板状の基体部材である基板１
には、面３，４と垂直な方向に対してわずかに傾
斜した断面ほぼ円形の貫通孔２が平行に多数設け
られている。また面３，４に、貫通孔２の両端を
除いて一様にニツケル・クロム合金のような金属
導電層６，７が被着してある。貫通孔２の表面５
は、基板１が酸化鉛を含有しているので、加熱お
よび還元処理によつて析出された鉛が比較的高濃
度に含まれ、該鉛の一部が酸化されているから適
当な電気抵抗と、２次電子放出比を有する。面
３，４の表面には、前述のようにニツケル・クロ
ム合金を被着した金属導電層６，７が切断される
ことなく形成されていて、２次電子増倍器として
動作するときに必要な電圧を加えるための電極と
して用いられる。この場合、前述したように貫通
孔２の表面５は適当な電気抵抗を有しているの
で、電位勾配が形成される。さらに例えば一方の
面３に臭化カリウム薄膜層８を少なくとも金属導
電層６を完全に被覆するように、望ましくは表面
３より適当な距離の範囲にわたつて貫通孔２の側
壁の部分に被覆する。これは蒸着処理の間、臭化
カリウムの蒸着源に対して、光電子増倍器の面３
の方向を連続的に繰返し変化することができる保
持器で光電子増倍器１を保持して蒸着することに
よつて形成可能である。
には、面３，４と垂直な方向に対してわずかに傾
斜した断面ほぼ円形の貫通孔２が平行に多数設け
られている。また面３，４に、貫通孔２の両端を
除いて一様にニツケル・クロム合金のような金属
導電層６，７が被着してある。貫通孔２の表面５
は、基板１が酸化鉛を含有しているので、加熱お
よび還元処理によつて析出された鉛が比較的高濃
度に含まれ、該鉛の一部が酸化されているから適
当な電気抵抗と、２次電子放出比を有する。面
３，４の表面には、前述のようにニツケル・クロ
ム合金を被着した金属導電層６，７が切断される
ことなく形成されていて、２次電子増倍器として
動作するときに必要な電圧を加えるための電極と
して用いられる。この場合、前述したように貫通
孔２の表面５は適当な電気抵抗を有しているの
で、電位勾配が形成される。さらに例えば一方の
面３に臭化カリウム薄膜層８を少なくとも金属導
電層６を完全に被覆するように、望ましくは表面
３より適当な距離の範囲にわたつて貫通孔２の側
壁の部分に被覆する。これは蒸着処理の間、臭化
カリウムの蒸着源に対して、光電子増倍器の面３
の方向を連続的に繰返し変化することができる保
持器で光電子増倍器１を保持して蒸着することに
よつて形成可能である。
次に、臭化カリウムの薄膜層８上の一部、特に
金属導電層６の部分、または表面３に相当する部
分にアンチモン薄膜を蒸着のような方法によつて
形成しセシウムを導入して、アンチモンセシウム
光電面を形成する。このようにして光電子増倍器
は完成するが、この後、図示しないが、公知の手
段によつて、光透過窓および信号電極および電圧
印加のための電極リードを設け、また目的に応じ
その他の電極が組込まれた気密容器に組込む。
金属導電層６の部分、または表面３に相当する部
分にアンチモン薄膜を蒸着のような方法によつて
形成しセシウムを導入して、アンチモンセシウム
光電面を形成する。このようにして光電子増倍器
は完成するが、この後、図示しないが、公知の手
段によつて、光透過窓および信号電極および電圧
印加のための電極リードを設け、また目的に応じ
その他の電極が組込まれた気密容器に組込む。
かかる構造の光電子増倍器においては、従来基
板の表面に高濃度に存在し、表面拡散によつて金
属導電層にも含まれる酸化鉛によつて Pbo＋2Cs→Pb＋Cs2O なる化学変化を生ずることによつて光電感度を低
下していたものが、該表面と光電面の間に臭化カ
リウム層を形成することにより、上記の化学変化
の発生を防ぐことが可能となり、光電感度の低下
を防止することが可能となる。また、光電子増倍
器に全く同様の反応を示すアンチモンとナトリウ
ム、カリウムまたは、それらとセシウムとの複合
体からなる光電面を形成するときにも、光電面の
アルカリ金属成分と酸化鉛との化学反応を防止す
ることにより同様に光電感度の低下を防止するこ
とが可能となる。
板の表面に高濃度に存在し、表面拡散によつて金
属導電層にも含まれる酸化鉛によつて Pbo＋2Cs→Pb＋Cs2O なる化学変化を生ずることによつて光電感度を低
下していたものが、該表面と光電面の間に臭化カ
リウム層を形成することにより、上記の化学変化
の発生を防ぐことが可能となり、光電感度の低下
を防止することが可能となる。また、光電子増倍
器に全く同様の反応を示すアンチモンとナトリウ
ム、カリウムまたは、それらとセシウムとの複合
体からなる光電面を形成するときにも、光電面の
アルカリ金属成分と酸化鉛との化学反応を防止す
ることにより同様に光電感度の低下を防止するこ
とが可能となる。
そして、かかる構造の光電子増倍器の光電面
は、臭化カリウム薄膜層の厚さが５ミリミクロン
〜20ミリミクロンの範囲の場合、25〜30マイク
ロ・アンペア／ルーメンの感度が得られる。一
方、臭化カリウムの薄膜層のない同様の構造の光
電子増倍器では、約10マイクロ・アンペア／ルー
メン以下の光電感度しか得られないから、２倍以
上に感度が改良され、上記光電子増倍器の貫通孔
の断面の面積の和に対する面３の面積の比率、す
なわち開孔率は60％であることを考慮すれば理想
的な光電面の感度に近いものである。
は、臭化カリウム薄膜層の厚さが５ミリミクロン
〜20ミリミクロンの範囲の場合、25〜30マイク
ロ・アンペア／ルーメンの感度が得られる。一
方、臭化カリウムの薄膜層のない同様の構造の光
電子増倍器では、約10マイクロ・アンペア／ルー
メン以下の光電感度しか得られないから、２倍以
上に感度が改良され、上記光電子増倍器の貫通孔
の断面の面積の和に対する面３の面積の比率、す
なわち開孔率は60％であることを考慮すれば理想
的な光電面の感度に近いものである。
以上のように本発明によれば、両面に導電層が
被着されると共に、表面に鉛が析出されて２次電
子放出面を形成する該導電層間に並列して設けら
れた多数の細い貫通孔を有する鉛ガラスからなる
基板と、該基板の一方の面における導電層の上に
臭化カリウムの薄膜層を介在させて形成されたア
ンチモンアルカリ光電面とを有する構造とするこ
とによつて、従来より２倍以上の光電感度を有す
る光電子増倍器を得ることが可能となる。
被着されると共に、表面に鉛が析出されて２次電
子放出面を形成する該導電層間に並列して設けら
れた多数の細い貫通孔を有する鉛ガラスからなる
基板と、該基板の一方の面における導電層の上に
臭化カリウムの薄膜層を介在させて形成されたア
ンチモンアルカリ光電面とを有する構造とするこ
とによつて、従来より２倍以上の光電感度を有す
る光電子増倍器を得ることが可能となる。
第１図は本発明の光電子増倍器の断面図、第２
図は第１図の光電子増倍器の断面図の一部拡大図
である。 １……基板、２……貫通孔、３，４……基板の
両面、５……貫通孔表面、６，７……金属導電
層、８……臭化カリウム薄膜層、９……光電面。
図は第１図の光電子増倍器の断面図の一部拡大図
である。 １……基板、２……貫通孔、３，４……基板の
両面、５……貫通孔表面、６，７……金属導電
層、８……臭化カリウム薄膜層、９……光電面。
Claims (1)
- １ 両面に導電層が被着されると共に、表面に鉛
が析出されて２次電子放出面を形成する該導電層
間に並列して設けられた多数の細い貫通孔を有す
る鉛ガラスからなる基板と、該基板の一方の面に
おける導電層の上に臭化カリウムの薄膜層を介在
させて形成されたアンチモンアルカリ光電面とを
有する光電子増倍器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11961078A JPS5546270A (en) | 1978-09-27 | 1978-09-27 | Photomultiplier tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11961078A JPS5546270A (en) | 1978-09-27 | 1978-09-27 | Photomultiplier tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5546270A JPS5546270A (en) | 1980-03-31 |
| JPS6221209B2 true JPS6221209B2 (ja) | 1987-05-12 |
Family
ID=14765665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11961078A Granted JPS5546270A (en) | 1978-09-27 | 1978-09-27 | Photomultiplier tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5546270A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0740482B2 (ja) * | 1985-09-06 | 1995-05-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍素子 |
| JPS63108658A (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-13 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電変換管 |
-
1978
- 1978-09-27 JP JP11961078A patent/JPS5546270A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5546270A (en) | 1980-03-31 |
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