JPH04303535A - 光電変換管 - Google Patents
光電変換管Info
- Publication number
- JPH04303535A JPH04303535A JP3089284A JP8928491A JPH04303535A JP H04303535 A JPH04303535 A JP H04303535A JP 3089284 A JP3089284 A JP 3089284A JP 8928491 A JP8928491 A JP 8928491A JP H04303535 A JPH04303535 A JP H04303535A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photocathode
- glass substrate
- silicon layer
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 24
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は像増強管，光電子増倍管
，イメージ管など光電子放出面を有する電子管（以下，
光電変換管）に関するものであり，特に，光電面の基板
であって光電面の周辺の部分に入射した光が基板あるい
は光電面の電極で反射して所望の光電面に入射し，光電
子放出することを防止する光電変換管に関する。
，イメージ管など光電子放出面を有する電子管（以下，
光電変換管）に関するものであり，特に，光電面の基板
であって光電面の周辺の部分に入射した光が基板あるい
は光電面の電極で反射して所望の光電面に入射し，光電
子放出することを防止する光電変換管に関する。
【０００２】
【従来の技術】イメージ管などの光電変換管には入射す
る光に感応して光電子を放出させる光電子放出面（以下
，光電面）が設けられている。透過形光電面においては
，光電面の基板として光学ガラスなどが用いられている
。光電面の電極は真空蒸着法などにより，光学ガラスの
部分も含めて光電面の周辺，外周に沿って形成される。 この電極材料としては，通常，アルミニウム，クロム，
白金などが用いられている。
る光に感応して光電子を放出させる光電子放出面（以下
，光電面）が設けられている。透過形光電面においては
，光電面の基板として光学ガラスなどが用いられている
。光電面の電極は真空蒸着法などにより，光学ガラスの
部分も含めて光電面の周辺，外周に沿って形成される。 この電極材料としては，通常，アルミニウム，クロム，
白金などが用いられている。
【０００３】イメージ管などにおいては，光電面周辺に
入射する光によって発生する光電子の発生を防止するこ
とが要望されている。かかる要望に対して，極力，光電
面周辺からの反射光を低減するために，面板断面の形状
をＴ字形にする試みが種々提案されている。
入射する光によって発生する光電子の発生を防止するこ
とが要望されている。かかる要望に対して，極力，光電
面周辺からの反射光を低減するために，面板断面の形状
をＴ字形にする試みが種々提案されている。
【０００４】そのような従来例を図２に示す。一般に，
イメージ管の光電面は，面板断面をＴ字形に形成し，そ
の前面２２ａ（凸部平坦面）に光電面２２を被着させて
いる。ガラス基板２１の傾斜部２４に沿って，反射性を
有し光電面電位供給電極材料，通常は金属材料で形成さ
れた光電面の電極２３が形成されている。しかしながら
，この基板においては，傾斜部２４の上に反射性を有す
る光電面電位供給電極２３が形成されているから，方向
Ａから入射した光が電極２３で反射され，光電面２２の
中央部の方向Ａ’に進み，光電面２２から望ましくない
光電子を発生させる。その結果，イメージ管においては
，フレア特性を低下させるといった問題に遭遇している
。
イメージ管の光電面は，面板断面をＴ字形に形成し，そ
の前面２２ａ（凸部平坦面）に光電面２２を被着させて
いる。ガラス基板２１の傾斜部２４に沿って，反射性を
有し光電面電位供給電極材料，通常は金属材料で形成さ
れた光電面の電極２３が形成されている。しかしながら
，この基板においては，傾斜部２４の上に反射性を有す
る光電面電位供給電極２３が形成されているから，方向
Ａから入射した光が電極２３で反射され，光電面２２の
中央部の方向Ａ’に進み，光電面２２から望ましくない
光電子を発生させる。その結果，イメージ管においては
，フレア特性を低下させるといった問題に遭遇している
。
【０００５】光電面周辺部での反射光による望ましくな
い光電子の発生を防止するため，図３に示すものが提案
されている。図３のガラス基板は，その前面２２ａに光
電面２２が被着された円板状のガラス基板２１の周囲に
光の吸収を目的としたガラスを黒色化したものか黒色の
光吸収リング２７を設けている。光電面電位供給電極２
３は図２と同様に傾斜部２４の上に形成されている。
い光電子の発生を防止するため，図３に示すものが提案
されている。図３のガラス基板は，その前面２２ａに光
電面２２が被着された円板状のガラス基板２１の周囲に
光の吸収を目的としたガラスを黒色化したものか黒色の
光吸収リング２７を設けている。光電面電位供給電極２
３は図２と同様に傾斜部２４の上に形成されている。
【０００６】また，図４に示すように，ガラス基板２１
の外面は水素ガス還元雰囲気でＰｂＯを還元してＰｂを
形成して光吸収層２５を形成させたガラス面板が提案さ
れている（たとえば，英国特許出願第２１６５６９１Ａ
号公報）。
の外面は水素ガス還元雰囲気でＰｂＯを還元してＰｂを
形成して光吸収層２５を形成させたガラス面板が提案さ
れている（たとえば，英国特許出願第２１６５６９１Ａ
号公報）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，図３お
よび図４に示した例においては，製造工程が複雑で，価
格が上昇するという問題がある。
よび図４に示した例においては，製造工程が複雑で，価
格が上昇するという問題がある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
，本発明は，透明な基板と，この透明基板の上に形成し
た光電面と，上記基板上であって上記光電面と接触し，
その周囲を限定するように形成した導電性シリコン層と
を有する光電変換管を提供する。好適には，上記光電面
が，３−５族化合物半導体と，その表面を覆うアルカリ
金属および酸化アルカリ金属層からなる。また好適には
，上記光電面がアンチモンとアルカリ金属からなる。
，本発明は，透明な基板と，この透明基板の上に形成し
た光電面と，上記基板上であって上記光電面と接触し，
その周囲を限定するように形成した導電性シリコン層と
を有する光電変換管を提供する。好適には，上記光電面
が，３−５族化合物半導体と，その表面を覆うアルカリ
金属および酸化アルカリ金属層からなる。また好適には
，上記光電面がアンチモンとアルカリ金属からなる。
【００１０】
【作用】光電面の電極となる導電性シリコン層は光電面
活性物質であるアルカリ金属の吸着に対して充分低い熱
電子放出特性を有しており，暗電流特性に優れる。また
，通常使用される波長の範囲における導電性シリコンと
して好適なアモルファス・シリコンの吸収係数は１０５
（ｃｍ−１）以上であり，アモルファス・シリコン層
に入射した光は殆ど吸収され，反射しない。したがって
，光電面の周囲をアモルファス・シリコン層で包囲する
ことにより，従来技術において遭遇した望ましくない光
電子の発生は殆ど生じない。また，導電性シリコンをガ
ラス基板に被着させる製造工程は，半導体製造において
一般に用いられるＣＶＤプロセスなどのプロセスにより
実現できるので，簡単な工程である。さらに，シリコン
層は光電面やガラス基板と密着性が良好であり，温度変
化および振動に対してもガラス基板からの剥離などが生
ぜず，長期間安定に動作する。
活性物質であるアルカリ金属の吸着に対して充分低い熱
電子放出特性を有しており，暗電流特性に優れる。また
，通常使用される波長の範囲における導電性シリコンと
して好適なアモルファス・シリコンの吸収係数は１０５
（ｃｍ−１）以上であり，アモルファス・シリコン層
に入射した光は殆ど吸収され，反射しない。したがって
，光電面の周囲をアモルファス・シリコン層で包囲する
ことにより，従来技術において遭遇した望ましくない光
電子の発生は殆ど生じない。また，導電性シリコンをガ
ラス基板に被着させる製造工程は，半導体製造において
一般に用いられるＣＶＤプロセスなどのプロセスにより
実現できるので，簡単な工程である。さらに，シリコン
層は光電面やガラス基板と密着性が良好であり，温度変
化および振動に対してもガラス基板からの剥離などが生
ぜず，長期間安定に動作する。
【００１１】
【実施例】以下，本発明の光電変換管の第１実施例とし
て，イメージ管に適用されるアルカリア・アンチモン系
光電面について述べる。この実施例は，図示するまでも
なく，従来の金属の真空蒸着法による形成方法をＣＶＤ
法により，アモルファス・シリコン層を形成する。その
際，光電面形成部分は金属板などのマスクを設けて形成
を防止する。それを真空中に導入して，アルカリおよび
アンチモンにより光電面を形成する。
て，イメージ管に適用されるアルカリア・アンチモン系
光電面について述べる。この実施例は，図示するまでも
なく，従来の金属の真空蒸着法による形成方法をＣＶＤ
法により，アモルファス・シリコン層を形成する。その
際，光電面形成部分は金属板などのマスクを設けて形成
を防止する。それを真空中に導入して，アルカリおよび
アンチモンにより光電面を形成する。
【００１２】次いで，本発明の第２実施例を図１を参照
して述べる。図１（ａ）〜（ｈ）は本発明の光電変換管
に適用される第２実施例の透過型３−５族化合物光電面
の製造プロセスを示す図である。
して述べる。図１（ａ）〜（ｈ）は本発明の光電変換管
に適用される第２実施例の透過型３−５族化合物光電面
の製造プロセスを示す図である。
【００１３】まず図１（ａ）に示す結晶積層構造が形成
される。この結晶構造は，光電面となるものであり，３
族と５族との化合物半導体であるＧａＡｓからなるＧａ
Ａｓ基板１，エッチングストップ層として機能するＧａ
ＡｌＡｓ層２，ＧａＡｓ層３，および，ＧａＡｌＡｓバ
ッファ層４からなる。この結晶積層構造は，半導体結晶
形成方法の種々の方法，たとえば，結晶成長法を適用し
て形成することができる。この結晶成長方法については
，たとえば，特公昭５６−２２１０４号公報に記載され
ている。本実施例において，上記結晶積層構造の各層の
厚さは，ＧａＡｓ基板１が４００μｍ，ＧａＡｌＡｓ層
２が２０００Å，ＧａＡｓ層３が２μｍ，ＧａＡｌＡｓ
バッファ層４が２０００〜４０００Åである。
される。この結晶構造は，光電面となるものであり，３
族と５族との化合物半導体であるＧａＡｓからなるＧａ
Ａｓ基板１，エッチングストップ層として機能するＧａ
ＡｌＡｓ層２，ＧａＡｓ層３，および，ＧａＡｌＡｓバ
ッファ層４からなる。この結晶積層構造は，半導体結晶
形成方法の種々の方法，たとえば，結晶成長法を適用し
て形成することができる。この結晶成長方法については
，たとえば，特公昭５６−２２１０４号公報に記載され
ている。本実施例において，上記結晶積層構造の各層の
厚さは，ＧａＡｓ基板１が４００μｍ，ＧａＡｌＡｓ層
２が２０００Å，ＧａＡｓ層３が２μｍ，ＧａＡｌＡｓ
バッファ層４が２０００〜４０００Åである。
【００１４】次いで，図１（ｂ）に示すように，図１（
ａ）に図示の結晶積層構造のＧａＡｌＡｓバッファ層４
の面に，シラン（ＳｉＨ４ ）を熱ＣＶＤでコートして
酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）層５を形成させる。このＳ
ｉＯ２ 層５の厚さは２０００Åである。熱ＣＶＤに代
えてスパッタリングなどの形成方法によって，ＳｉＯ２
層５を形成してもよい。
ａ）に図示の結晶積層構造のＧａＡｌＡｓバッファ層４
の面に，シラン（ＳｉＨ４ ）を熱ＣＶＤでコートして
酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）層５を形成させる。このＳ
ｉＯ２ 層５の厚さは２０００Åである。熱ＣＶＤに代
えてスパッタリングなどの形成方法によって，ＳｉＯ２
層５を形成してもよい。
【００１５】さらに，図１（ｃ）に示すように，ＳｉＯ
２ 層５の面に厚さ５．６ｍｍのコーニング社製７０５
６ガラス層６を熱接着させる。このガラスは，稀土類金
属の含有量が少なく，通常，酸化形態の他の金属の含有
量が極めて少ないガラスである。上記ＳｉＯ２ 層５は
，ガラス基板６を熱接着させるとき図１（ｂ）に示した
結晶積層構造に不純物が侵入することを防止する保護機
能を果たすとともに，ガラス層６との密着力が良好なの
で，ガラス基板６を強固に接着させる機能をも果たす。
２ 層５の面に厚さ５．６ｍｍのコーニング社製７０５
６ガラス層６を熱接着させる。このガラスは，稀土類金
属の含有量が少なく，通常，酸化形態の他の金属の含有
量が極めて少ないガラスである。上記ＳｉＯ２ 層５は
，ガラス基板６を熱接着させるとき図１（ｂ）に示した
結晶積層構造に不純物が侵入することを防止する保護機
能を果たすとともに，ガラス層６との密着力が良好なの
で，ガラス基板６を強固に接着させる機能をも果たす。
【００１６】次に，図１（ｄ）に示すように，ＧａＡｓ
基板１をエッチングで除去する。さらに，図１（ｅ）に
示すように，エッチングによって露出されたＧａＡｌＡ
ｓ層２の面を中央が隠れるように，換言すれば，ＧａＡ
ｌＡｓ層２の周辺２ａ，２ｂが露出するようにレジスト
を被着し，再びエッチングを行い，図１（ｄ）に示した
工程おいて露出されたＧａＡｌＡｓ層２の周辺２ａ，２
ｂを除去する。
基板１をエッチングで除去する。さらに，図１（ｅ）に
示すように，エッチングによって露出されたＧａＡｌＡ
ｓ層２の面を中央が隠れるように，換言すれば，ＧａＡ
ｌＡｓ層２の周辺２ａ，２ｂが露出するようにレジスト
を被着し，再びエッチングを行い，図１（ｄ）に示した
工程おいて露出されたＧａＡｌＡｓ層２の周辺２ａ，２
ｂを除去する。
【００１７】図１（ｆ）に示すように，図１（ｅ）に示
したエッチングされた結晶積層構造の外周辺に，Ｐ＋＋
型のアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）層７を形成す
る。このａ−Ｓｉ層７の形成方法としては，たとえば，
ＳｉＨ４ を原料にＢ２ Ｈ６ をドーパント用材料と
して用い熱ＣＶＤ薄膜形成法により形成する。形成され
たａ−Ｓｉ層７の厚さはほぼ２０００Åである。これに
より，ａ−Ｓｉ層７は，ＧａＡｓ層３の面において，Ｇ
ａＡｌＡｓ層２とほぼ等しい高さでＧａＡｌＡｓ層２の
周囲を包囲し，ＧａＡｓ層３，ＧａＡｌＡｓバッファ層
４，ＳｉＯ２ 層５およびガラス基板６を包囲する。す
なわち，ＧａＡｌＡｓ層２の上面，ガラス基板６の下面
を除いて，電極となる結晶積層構造はａ−Ｓｉ層７によ
って完全に密閉されたことになる。さらに，好適にはガ
ラス基板６の側壁もａ−Ｓｉ層７で覆うこともできる。
したエッチングされた結晶積層構造の外周辺に，Ｐ＋＋
型のアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）層７を形成す
る。このａ−Ｓｉ層７の形成方法としては，たとえば，
ＳｉＨ４ を原料にＢ２ Ｈ６ をドーパント用材料と
して用い熱ＣＶＤ薄膜形成法により形成する。形成され
たａ−Ｓｉ層７の厚さはほぼ２０００Åである。これに
より，ａ−Ｓｉ層７は，ＧａＡｓ層３の面において，Ｇ
ａＡｌＡｓ層２とほぼ等しい高さでＧａＡｌＡｓ層２の
周囲を包囲し，ＧａＡｓ層３，ＧａＡｌＡｓバッファ層
４，ＳｉＯ２ 層５およびガラス基板６を包囲する。す
なわち，ＧａＡｌＡｓ層２の上面，ガラス基板６の下面
を除いて，電極となる結晶積層構造はａ−Ｓｉ層７によ
って完全に密閉されたことになる。さらに，好適にはガ
ラス基板６の側壁もａ−Ｓｉ層７で覆うこともできる。
【００１８】図１（ｇ）に示すように，図１（ｆ）に図
示のＧａＡｌＡｓ層２をエッチングしてＧａＡｓ層３を
露出させる。さらに，図１（ｈ）に示すように，ＧａＡ
ｌＡｓ層２をエッチングして空いた領域に，真空中でヒ
ートクリーニングした後，Ｃｓを被着させ酸化してＣｓ
２ Ｏ層８を露出されたＧａＡｓ層３の面に形成させる
。
示のＧａＡｌＡｓ層２をエッチングしてＧａＡｓ層３を
露出させる。さらに，図１（ｈ）に示すように，ＧａＡ
ｌＡｓ層２をエッチングして空いた領域に，真空中でヒ
ートクリーニングした後，Ｃｓを被着させ酸化してＣｓ
２ Ｏ層８を露出されたＧａＡｓ層３の面に形成させる
。
【００１９】上述の如く形成された光電面は，ａ−Ｓｉ
層７によって，ＧａＡｓ層３を除いて遮蔽されている。 ａ−Ｓｉ層７は上述したように吸収係数が非常に大きい
，したがって，ａ−Ｓｉ層７に入射した光はそこで吸収
され，ＧａＡｓ層３へ反射されることはない。その結果
，望ましくない光電子は発生しない。
層７によって，ＧａＡｓ層３を除いて遮蔽されている。 ａ−Ｓｉ層７は上述したように吸収係数が非常に大きい
，したがって，ａ−Ｓｉ層７に入射した光はそこで吸収
され，ＧａＡｓ層３へ反射されることはない。その結果
，望ましくない光電子は発生しない。
【００２０】ａ−Ｓｉ層７は，一般的な半導体製造工程
により製造できるから光電面の製造時間が短く，製造工
程が簡単であり，製造価格も安価になる。また，ａ−Ｓ
ｉ層７は緻密な構造をしており，半導体電極およびガラ
ス基板６と良好に密着し，耐振動性も良好である。また
，緻密な構造をしたａ−Ｓｉ層７は微小な物質の半導体
電極への侵入を防止する機能を果たすから，光活性層を
有する半導体電極の安定性が向上する。ａ−Ｓｉ層７は
半導体電極とほぼ同じ膨張係数を有しており，温度上昇
にともなう問題も少ない。さらにａ−Ｓｉ層７は耐薬品
性に優れている。
により製造できるから光電面の製造時間が短く，製造工
程が簡単であり，製造価格も安価になる。また，ａ−Ｓ
ｉ層７は緻密な構造をしており，半導体電極およびガラ
ス基板６と良好に密着し，耐振動性も良好である。また
，緻密な構造をしたａ−Ｓｉ層７は微小な物質の半導体
電極への侵入を防止する機能を果たすから，光活性層を
有する半導体電極の安定性が向上する。ａ−Ｓｉ層７は
半導体電極とほぼ同じ膨張係数を有しており，温度上昇
にともなう問題も少ない。さらにａ−Ｓｉ層７は耐薬品
性に優れている。
【００２１】
【発明の効果】以上に述べたように，導電性シリコンを
電圧印加用部材の材料として用い，光電面の周囲をその
導電性シリコンで包囲した本発明の光電面は，導電性シ
リコンが半導体電極と種々の面で整合しており，光電面
の周辺からの反射光などの悪影響を防止できる。また，
本発明の光電面は既存の製造工程を用いて高い製造効率
で製造できる。さらに本発明の光電面は，耐温度性，耐
振動性に優れている。
電圧印加用部材の材料として用い，光電面の周囲をその
導電性シリコンで包囲した本発明の光電面は，導電性シ
リコンが半導体電極と種々の面で整合しており，光電面
の周辺からの反射光などの悪影響を防止できる。また，
本発明の光電面は既存の製造工程を用いて高い製造効率
で製造できる。さらに本発明の光電面は，耐温度性，耐
振動性に優れている。
【図１】本発明の実施例の光電面を製造するプロセス図
である。
である。
【図２】従来の光電面の断面図である。
【図３】従来の他の光電面の断面図である。
【図４】従来のさらに他の光電面の断面図である。
１・・ＧａＡｓ基板，
２・・ＧａＡｌＡｓ層，
３・・ＧａＡｓ層，
４・・ＧａＡｌＡｓバッファ層，
５・・ＳｉＯ２ 層，
６・・ガラス基板，
７・・アモルファス・シリコン層，
８・・Ｃｓ２ Ｏ光電層。
Claims (3)
- 【請求項１】 透明な基板と，この透明基板の上に形
成した光電面と，上記基板上であって上記光電面と接触
し，その周囲を限定するように形成した導電性シリコン
層とを有する光電変換管。 - 【請求項２】 前記光電面が，３−５族化合物半導体
と，その表面を覆うアルカリ金属および酸化アルカリ金
属層からなる請求項１記載の光電変換管。 - 【請求項３】 前記光電面がアンチモンとアルカリ金
属からなる請求項１または２記載の光電変換管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8928491A JPH0736316B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 光電変換管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8928491A JPH0736316B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 光電変換管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04303535A true JPH04303535A (ja) | 1992-10-27 |
| JPH0736316B2 JPH0736316B2 (ja) | 1995-04-19 |
Family
ID=13966409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8928491A Expired - Fee Related JPH0736316B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 光電変換管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0736316B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001319565A (ja) * | 2000-05-11 | 2001-11-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電陰極 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999067802A1 (fr) * | 1998-06-25 | 1999-12-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photocathode |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP8928491A patent/JPH0736316B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001319565A (ja) * | 2000-05-11 | 2001-11-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電陰極 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0736316B2 (ja) | 1995-04-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4644221A (en) | Variable sensitivity transmission mode negative electron affinity photocathode | |
| KR930013772A (ko) | 야간 투시 장치 의 투과 모드 인듐 갈륨 비소(InGaAs)광전음극 | |
| US3769536A (en) | Iii-v photocathode bonded to a foreign transparent substrate | |
| JP3973687B2 (ja) | 集積フォトカソード | |
| JPS59143362A (ja) | パツシベ−シヨン膜 | |
| US4286373A (en) | Method of making negative electron affinity photocathode | |
| US4507519A (en) | Photoelectronic conversion device | |
| JPH04303535A (ja) | 光電変換管 | |
| US4139444A (en) | Method of reticulating a pyroelectric vidicon target | |
| KR100423849B1 (ko) | 매우 얇은 보호막을 갖는 광음극 | |
| JP4772414B2 (ja) | 透過型光電面及び光検出器 | |
| JP2796046B2 (ja) | 光電変換管 | |
| JP3596171B2 (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 | |
| JPH02177480A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPS58194231A (ja) | 撮像管 | |
| JPH0512989A (ja) | 半導体光電面およびその製造方法 | |
| JP3023729B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH05218483A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH0715144Y2 (ja) | コプラナ−型光センサ− | |
| JPS61116886A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2000021295A (ja) | 半導体光電陰極 | |
| JPS6221209B2 (ja) | ||
| JPH0226084A (ja) | アモルファスシリコンフォトダイオード | |
| JPS58125870A (ja) | 半導体素子 | |
| JPS613476A (ja) | 非晶質シリコン光センサ− |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |