JP3034105B2 - 光電子増倍管の製造方法 - Google Patents
光電子増倍管の製造方法Info
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- JP3034105B2 JP3034105B2 JP3312343A JP31234391A JP3034105B2 JP 3034105 B2 JP3034105 B2 JP 3034105B2 JP 3312343 A JP3312343 A JP 3312343A JP 31234391 A JP31234391 A JP 31234391A JP 3034105 B2 JP3034105 B2 JP 3034105B2
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- Japan
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- antimony
- dynode
- manufacturing
- photomultiplier tube
- vacuum vessel
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光電子増倍管の製造方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】光電子増倍管の性能は光電面の特性に大
きく左右され、このような光電面にはアンチモンと、例
えばカリウム、セシウムなどのアルカリ金属が用いられ
ている。一方、ダイノードの内面の二次電子放出面につ
いても、上記の光電面と同様の材料が用いられている。
きく左右され、このような光電面にはアンチモンと、例
えばカリウム、セシウムなどのアルカリ金属が用いられ
ている。一方、ダイノードの内面の二次電子放出面につ
いても、上記の光電面と同様の材料が用いられている。
【０００３】このような光電子増倍管は、通常は次のよ
うに製造されている。まず、真空容器が用意され、この
内部に集束電極やダイノードがセットされる。このと
き、ダイノードにはあらかじめアンチモンが蒸着されて
いる。次に、内部が真空とされ、あらかじめ内部にセッ
トされたアンチモン蒸発源が加熱され、光電面用のアン
チモン蒸着がされる。しかる後、アルカリ金属の導入と
活性化がなされ、封じ切ることにより光電子増倍管が完
成される。
うに製造されている。まず、真空容器が用意され、この
内部に集束電極やダイノードがセットされる。このと
き、ダイノードにはあらかじめアンチモンが蒸着されて
いる。次に、内部が真空とされ、あらかじめ内部にセッ
トされたアンチモン蒸発源が加熱され、光電面用のアン
チモン蒸着がされる。しかる後、アルカリ金属の導入と
活性化がなされ、封じ切ることにより光電子増倍管が完
成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来方法
による光電子増倍管では、Ｓ／Ｎが十分に向上せず、ま
た高い増倍率も得られない欠点があった。これは、ダイ
ノードにおいてはアンチモン蒸着がされた後、空気にさ
らされるため、酸化されやすく、良好な二次電子放出面
が形成できないためである。特に、第１段目のダイノー
ドは、Ｓ／Ｎ比および増倍率を大きく左右するので、こ
の第１段ダイノードにおける二次電子放出面の改良が望
まれていた。
による光電子増倍管では、Ｓ／Ｎが十分に向上せず、ま
た高い増倍率も得られない欠点があった。これは、ダイ
ノードにおいてはアンチモン蒸着がされた後、空気にさ
らされるため、酸化されやすく、良好な二次電子放出面
が形成できないためである。特に、第１段目のダイノー
ドは、Ｓ／Ｎ比および増倍率を大きく左右するので、こ
の第１段ダイノードにおける二次電子放出面の改良が望
まれていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
課題に鑑みてなされたもので、真空容器の内部に第１段
ダイノードを配設すると共に、光電面形成領域と第１段
ダイノードの二次電子放出面形成領域との双方を臨む位
置にアンチモンの蒸発源を支持し、真空容器の内部を真
空とした後、蒸発源を加熱して光電面および二次電子放
出面の双方の形成領域にアンチモンを蒸着させる。
課題に鑑みてなされたもので、真空容器の内部に第１段
ダイノードを配設すると共に、光電面形成領域と第１段
ダイノードの二次電子放出面形成領域との双方を臨む位
置にアンチモンの蒸発源を支持し、真空容器の内部を真
空とした後、蒸発源を加熱して光電面および二次電子放
出面の双方の形成領域にアンチモンを蒸着させる。
【０００６】
【作用】本発明においては、第１段ダイノードへのアン
チモン蒸着は、光電面と同時に真空中でなされ、しか
も、その後に空気に哂されることはない。
チモン蒸着は、光電面と同時に真空中でなされ、しか
も、その後に空気に哂されることはない。
【０００７】
【実施例】以下、添付図面により本発明の実施例を説明
する。なお、同一の要素には同一の符号を付し、重複す
る説明を省略する。
する。なお、同一の要素には同一の符号を付し、重複す
る説明を省略する。
【０００８】図１は第１実施例に係る光電子増倍管の断
面図、図２はこれに用いられるボックスアンドグリッド
型の第１段ダイノードの斜視図である。図１のように、
真空容器１１を構成する受光面板１２の内面は、アンチ
モンとアルカリ金属から構成される光電面１３の形成領
域となっており、これに対向して、真空容器１１の内部
には集束電極１４が設けられている。なお、真空容器１
１の内側面にはアルミニウムなどが堆積されている。
面図、図２はこれに用いられるボックスアンドグリッド
型の第１段ダイノードの斜視図である。図１のように、
真空容器１１を構成する受光面板１２の内面は、アンチ
モンとアルカリ金属から構成される光電面１３の形成領
域となっており、これに対向して、真空容器１１の内部
には集束電極１４が設けられている。なお、真空容器１
１の内側面にはアルミニウムなどが堆積されている。
【０００９】集束電極１４の中央部には開口が形成さ
れ、ここにメッシュ電極１５が設けられる。そして、そ
の下方には、第１段から第ｎ段（図ではｎ＝５まで）の
ダイノード１６1 〜１６5 が設けられる。なお、真空容
器１１の下方に突出する端子１７は、電圧供給あるいは
信号出力用に用いられる。
れ、ここにメッシュ電極１５が設けられる。そして、そ
の下方には、第１段から第ｎ段（図ではｎ＝５まで）の
ダイノード１６1 〜１６5 が設けられる。なお、真空容
器１１の下方に突出する端子１７は、電圧供給あるいは
信号出力用に用いられる。
【００１０】上記の光電子増倍管の製造方法において、
従来の製造方法では、ダイノード１６1 〜１６n にはア
ンチモン蒸着があらかじめなされ、空気中で真空容器１
１内にセットされる。そして、真空引きの後、光電面へ
のアンチモン蒸着がされる。このとき、アンチモン蒸発
源としてのアンチモンビーズは、図１の記号Ａの位置に
セットされている。
従来の製造方法では、ダイノード１６1 〜１６n にはア
ンチモン蒸着があらかじめなされ、空気中で真空容器１
１内にセットされる。そして、真空引きの後、光電面へ
のアンチモン蒸着がされる。このとき、アンチモン蒸発
源としてのアンチモンビーズは、図１の記号Ａの位置に
セットされている。
【００１１】本発明においては、第１段のダイノード１
６1 については、アンチモン蒸着をすることなく真空容
器１１にセットし、第２段目以降のダイノード１６2 〜
１６n はアンチモン蒸着の後に真空容器１１にセットす
る。そして、アンチモン蒸発源は図１の記号Ｂの位置、
すなわち光電面形成領域と第１段ダイノード１６1 の内
面の双方を臨む位置にセットしておく。そして、真空容
器１１の内部を真空とし、アンチモン蒸発源を加熱す
る。これにより、空気にさらすことなく光電面と第１段
ダイノード１６1 の二次電子放出面が形成できる。な
お、この後には、従来例と同様にアルカリ金属の導入お
よび活性化と、真空容器１１の封じ切りがされる。
６1 については、アンチモン蒸着をすることなく真空容
器１１にセットし、第２段目以降のダイノード１６2 〜
１６n はアンチモン蒸着の後に真空容器１１にセットす
る。そして、アンチモン蒸発源は図１の記号Ｂの位置、
すなわち光電面形成領域と第１段ダイノード１６1 の内
面の双方を臨む位置にセットしておく。そして、真空容
器１１の内部を真空とし、アンチモン蒸発源を加熱す
る。これにより、空気にさらすことなく光電面と第１段
ダイノード１６1 の二次電子放出面が形成できる。な
お、この後には、従来例と同様にアルカリ金属の導入お
よび活性化と、真空容器１１の封じ切りがされる。
【００１２】図２はアンチモン蒸発源の支持方法を詳細
に示している。ダイノード１６1 の側面には開口２０が
設けられ、ここに線材２１が挿通されている。そして、
線材２１の中央部にはアンチモンビーズ２２が固定され
ている。この線材２１に通電すると、アンチモンビーズ
２２からアンチモンが蒸発される。なお、線材２１は、
１６1 の内部が白金被覆モリブデン線で形成され、外側
部分がニッケル線で形成されている。
に示している。ダイノード１６1 の側面には開口２０が
設けられ、ここに線材２１が挿通されている。そして、
線材２１の中央部にはアンチモンビーズ２２が固定され
ている。この線材２１に通電すると、アンチモンビーズ
２２からアンチモンが蒸発される。なお、線材２１は、
１６1 の内部が白金被覆モリブデン線で形成され、外側
部分がニッケル線で形成されている。
【００１３】本発明の製造方法は、ボックス アンド グ
リッド型のものに限らず、ライン型あるいはサーキュラ
ー型の光電子増倍管にも適用される。図３はその断面構
造を示している。アンチモンビーズ２２は集束電極１４
の上方の位置Ｃに配置されるが、この位置Ｃからは光電
面と二次電子放出面の双方の形成領域を臨み得るので、
アンチモン蒸着膜の同時形成が可能である。また、本発
明の製造方法は、反射型光電面を有する光電子増倍管に
も適用できる。
リッド型のものに限らず、ライン型あるいはサーキュラ
ー型の光電子増倍管にも適用される。図３はその断面構
造を示している。アンチモンビーズ２２は集束電極１４
の上方の位置Ｃに配置されるが、この位置Ｃからは光電
面と二次電子放出面の双方の形成領域を臨み得るので、
アンチモン蒸着膜の同時形成が可能である。また、本発
明の製造方法は、反射型光電面を有する光電子増倍管に
も適用できる。
【００１４】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、第１段ダイ
ノードへのアンチモン蒸着は、光電面と同時に真空中で
なされ、しかも、その後に空気に哂されることはない。
このため、第１段ダイノードの二次電子放出比が大幅に
向上できるので、シングルホトンカウンティングなどが
より容易となる。
ノードへのアンチモン蒸着は、光電面と同時に真空中で
なされ、しかも、その後に空気に哂されることはない。
このため、第１段ダイノードの二次電子放出比が大幅に
向上できるので、シングルホトンカウンティングなどが
より容易となる。
【図１】第１実施例の方法が適用される光電子増倍管の
断面図である。
断面図である。
【図２】アンチモンビーズ２２の配置を詳細に示す図で
ある。
ある。
【図３】第２実施例の方法が適用される光電子増倍管の
断面図である。
断面図である。
１１…真空容器、１２…受光面板、１３…光電面、１４
…集束電極、１５…メッシュ電極、１６1 〜１６5 …ダ
イノード、２１…線材、２２…アンチモンビーズ。
…集束電極、１５…メッシュ電極、１６1 〜１６5 …ダ
イノード、２１…線材、２２…アンチモンビーズ。
Claims (1)
- 【請求項１】 真空容器の内部に第１段ダイノードを配
設すると共に、光電面形成領域と前記第１段ダイノード
の二次電子放出面形成領域との双方を臨む位置にアンチ
モンの蒸発源を支持し、前記真空容器の内部を真空とし
た後、前記蒸発源を加熱して前記光電面および二次電子
放出面の双方の形成領域にアンチモンを蒸着させること
を特徴とする光電子増倍管の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3312343A JP3034105B2 (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 光電子増倍管の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3312343A JP3034105B2 (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 光電子増倍管の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05151889A JPH05151889A (ja) | 1993-06-18 |
| JP3034105B2 true JP3034105B2 (ja) | 2000-04-17 |
Family
ID=18028103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3312343A Expired - Lifetime JP3034105B2 (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 光電子増倍管の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3034105B2 (ja) |
-
1991
- 1991-11-27 JP JP3312343A patent/JP3034105B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05151889A (ja) | 1993-06-18 |
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