JPS62208528A - マグネトロン用電源装置 - Google Patents

マグネトロン用電源装置

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JPS62208528A
JPS62208528A JP4965886A JP4965886A JPS62208528A JP S62208528 A JPS62208528 A JP S62208528A JP 4965886 A JP4965886 A JP 4965886A JP 4965886 A JP4965886 A JP 4965886A JP S62208528 A JPS62208528 A JP S62208528A
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明彦 岩田
Kenji Yoshizawa
憲治 吉沢
Masakazu Taki
正和 滝
Isao Shoda
勲 正田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分骨〕 この発明はマグネトロンを駆動するだめの電源装置に関
するものである。
〔従来の技術〕
第3図は特公昭60−189889号公報に示された従
来のマグネトロン用電源装置を示し、1は−qグネトロ
ン、2はマグネトロン1に[を圧を印加するための昇圧
トランス、3は昇圧トランス2の2次側に接続したダイ
オードで、ダイオード3は高圧コンデンサ4と共に倍電
圧整流回路を構成し、マグネトロン1に昇圧トランス2
の高圧電力を単一方向化して供給している。5は商用電
源ライン間に設けられた整流器で、コンデンサ6゜7と
共に単一方向電源を構成している。コンデンサ6.7は
整流器5の出力側に直列に接続され、夫々の両端で単一
方向電源を形成している。8゜9は制御素子としてのパ
ワートランジスタで、夫々コンデンサ6.7の両端に形
成されている単一方向電源に、昇圧トランス2の1次側
の負荷回路と直列に接続される。10.11はパワート
ランジスタ8,90制御用トランジスタである。パワー
トランジスタ8.9は交互に動作する○又、12はパワ
ートランジスタ8,9を交互に動作させるための制御回
路、13は商用周波数より高い周波数の矩形波を発振す
る矩形波発振回路である。
次に、動作について説明する。矩形波発振回路13は回
路内の抵抗RとコンデンサCにより定められた周波数の
矩形波を発振し、この矩形波信号は制御回路12に与え
られ、制御回路12はパワートランジスタ8,9に交互
に制御電流を流し、パワートランジスタ8,9は交互に
開閉を繰り返し、負荷に対し矩形波交流電圧を印加する
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のマグネトロン用電源装置は上記のようであり、マ
グネトロン負荷が非線形であることから電源電圧変動時
に出力電力、出力電流、インバータ電流などが不安定で
あり、またその結果として過大電流が流れてパワートラ
ンジスタ8 、97Th、!’を破壊に至らすなどの問
題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するために戊され
たものであり、電源電圧変動時に出力電力、出力電流、
インバータ電流などを安定にできるとともに出力電力を
制御可能なマグネトロン用ff1i装置を得ることを目
的とする。
〔問題点を解決するだめの手段〕
この発明に係るマグネトロン用′PJL源装置は、昇圧
トランスに直列にリアクトルを設け、インバータから出
力される矩形波電圧のパルス幅を制御できるようにした
ものである。
〔作 用〕
この発明においては、昇圧トランスに直列に接続された
リアクトルにより、昇圧トランスに流す電流がパルス幅
にほぼ比例するようになり、その結果パルス幅によって
出力電流や出力電力が制御可能となる。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を図面とともに説明すれる電流
を抑制するリアクトルで、昇圧トランス2の1次側に直
列に接続されている。16a〜16dはインバータを構
成するMOSFET群、17a 〜17dは回生用ダイ
オード群、18はAC電源、19はPWM制御回路、2
0は昇圧トランス2の2次電流を検出する電流検出器、
21.22は整流器5の出力である直流平滑電圧&を検
出する分圧抵抗である。
又、第2図はPWM制御回路19の詳細を示し、23は
PWM目標値の設定電圧VRを設定する可変抵抗器、3
0は検出された昇圧トランス2の2次電流に対応した電
圧V、を整流する整流回路、29は平滑フィルタ、24
は電圧V、を整流平滑した電圧vf′とVRとの差V、
を検出する誤差検出器、25はv、を増幅する増幅器A
131は直流平滑電圧島をフィードフォワードした信号
vioを増幅する増幅器B126はV、の増幅値v 、
/から増幅器Bの出力VBを引く引算器、27は引算器
26の出力糠を入力されるPWM変調器、28はPWM
変調器27の出力vu、を入力されるドライバである。
なお、v1はインバータの出力電圧、nは昇圧比、i、
はインバータ電流、v2はマグネトロン電圧、iMgハ
マグネトロン電流である。
次に、動作について説明する。第4図はこの実施例にお
ける定常動作時の各部の波形を示す。
PWM制御回路19から与えられる信号を受けてMOS
FET 16 a 〜16 dから成るインバータは第
4図(a)に示すような矩形波電圧V、を出力する。
このとき、昇圧トランス2の1次側に流れる電流11は
リアクトル150作用により第4図(b)に示すように
遅れ気味になる。又、第2図に示すPWM制御回路にお
いて、昇圧トランス2の2次電流を検出した信号vfは
整流器30と平滑フィルタ29により整流平均化される
。その電圧Vl/とVRとの誤差V、は増幅器A25で
増幅され、増幅値v 、/からv、nの増幅値VBを差
し引いた後、PWM変調器27に入力される。このため
、VRとvf′との誤差V。
が大きければ矩形波電圧V、のパルス幅は広くなり、誤
差V、が小さければパルス幅は狭くなる。一般に、マグ
ネトロン1の電気特性は第9図で表わされ、横軸はマグ
ネトロン電流i  縦軸はマグネトロMg ・ ン電圧V、を示す。電流が流れ始めるときの電圧(以下
刃ットオフ電圧と呼ぶ。)をv2とし、マグネトロン1
の等価直列抵抗AVz7 、RをrMgと仮定する。通
常、マグネトロン1を定格内で動作させるとき、第9図
中の電圧の上昇分ΔV2はv2に対して十分率さいから
、電源が定常動作をしているときの出力電力P。UTは
第4図(d)のマグネトロン電流IMgの平均値とマグ
ネトロン電圧v2との積で与えられる。
は電源内部抵抗、nは昇圧比、Lは抑制リアクトル15
のインダクタンス値、Cは高圧コンデンサ4の容世値を
一次側に換算したものである。又、TONはMOS F
ET 16 a 〜16 dのON時間で第4図中に示
してあり、 一αTONI B、=ε   ・−(−α龜ωTON −QIQE (
cl ’roN)ωO で与えられる4、このと角、−−−−−−・(1+B)
をYと−AB 置き、TONとの特性を示せば第5図のようになり、T
ONが大きくなるとYが大きくなり、結局出力電力PO
UTも犬きくなる。即ち、第2図に示すように、昇圧ト
ランス2の2次電流を検出した信号vfを整流して平均
化した信号v 、/は出力電力P。)t7Tに比例する
から、PoVrが小さくなるとvf′が小さくなり、そ
の結果V、が大きくなってパルス幅T。が広がり、Yが
大きくなってPゆが犬きくなるように働く。
逆に、Pゆが大きくなればv 、/ が犬きく々す、そ
の結果V、が小さくなってパルス幅T。が小さくなり、
Pゆも小さくなる。上記のように、出方電力Pゆが一定
に制御され、かつ可変抵抗器23を変えることにより出
力電力を所望の(+αに制御することができる。
又、マグネトロン1に流れるピーク電流は、電源の定常
動作時において、 ωTON>zのとき、 ωTON≦2のとき、 (Z = bm−’ −) としてXとT。Nとの関係を示せば第6図のようになる
。即ち、第6図において、TONとXは抑制リアクトル
15のインダクタンス値りが大きくなれば比例する関係
にあり、よって工Mgmax もLが犬きくなればT。
Nに比例するようになる。例えば、パルス幅の制限を4
〜5μ冠程度にする(周波r<1o。
KHz前後で動作させる)とき、Lの値を比較的XとI
。Nが比例する8μH程度に選べば、マグネトロン1の
最大電流IMg m&Xは IMg max ” K(2EO−”z/n>    
(11(Kは第6図中のXとT。との比例定数)で表わ
せる。直流平滑電圧E。はAC電源18の変動により変
動を生じ、Eoを純直流分EDCと変動分ΔE、で表わ
せば EO=EDo+ΔEo            (21
となる。(1)式において、IMgmaXが直流平滑電
圧Eoの変動の影響を受けないようにするには、TON
 = Ko    v         (312に0
−Z//n を満足する必要がある。(2)式を(3)式に代入し、
テーラ−展開して2次以上の微小環を無視すれば、TO
N = Kt  Ks Eo         (4)
(Kt 、KsはEDC、VZ 、Kによって決まる定
数)とな9、TONが(4)式を満足すれば工Mgma
xは電源電圧の影響を受けなくなる。第2図において、
パルス幅T。Nに比例する電圧Vpは Vp ==: v6’ −vIn B となり、定常状態ではv 、/は一定でVi□はE。に
比例するから、 TON = K4− KtIEO(51(K4はv 、
/により決まる定数、K5はvinとBにより決まる定
数) となり、K4.に、を(4)式のに、、に、に一致させ
ることで、マグネトロン1の最大電流工   は直流子
g maz 滑電圧もの変動の影響を受けなくなる。このようにすれ
ば、電源電圧が変動してもマグネトロン1の最大電流を
ほぼ一定にでき、言い換えればインバータ電流が安定と
なるから、インバータを構成するMOS FET 16
 a 〜16 dの破壊の恐れがなくなる。
第7図および第8図は夫々この発明の第2および第3の
実施例を示し、昇圧トランス2の一次側を中間タップ形
としたものである。このような中間タップ形の場合には
、リアクトル15を昇圧トランス2の1次側に挿入する
と回路の平衡をとり難いので、第7図に示すように2次
側に挿入し、また第8図の場合にはリアクトル15を結
合形にして1次側に挿入しており、MOS FET 1
6 a 。
16bの一方をオフにした場合に昇圧トランス2のエネ
ルギーを電源に還元し、MOS FIT 16 a 。
16bの保護を行っている。全体的な作用、効果は第1
の実施例と同様である。
尚、上記各実施例ではインバータをMO8FET16a
〜16dで構成したが、パワートランジスタ、SIT%
GTO1SIサイリスタ、磁気増幅器などで構成しても
良い。又、リアクトル15は昇圧トランス2の漏れイン
ダクタンスにより形成しても良い。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、昇圧トランスに直列に
リアクトルを接続し、インバータをPWM動作させるこ
とにより、出力電力を制御できるとともに、電源電圧変
動時に出力電力、出力電流およびインバータを安定にで
き、信頼性が高く、高精度のものが得られる効果がある
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係るマグネトロン用電源装置の回路
図、第2図はこの発明に係るPWM制御回路の構成図、
s3図は従来のマグネトロン用電源装置の回路図、第4
図はこの発明に係る装置の動作波形図、第5図はこの発
明に係るインバータパルス幅と出力電力との関係図、第
6図はこの発明に係るインバータパルス幅とマグネトロ
ン最大電流との関係図、第7図および948図は夫々こ
の発明の第2および第3の実施例に係るマグネトロン用
電源装置の回路図、第9図はマグネトロンの電気特性図
である。 1・・・マグネトロン、2・・・昇圧トランス、3・・
・ダイオード、4.6・・・コンデンサ、5・・・整流
器、15・・・リアクトル、16 a〜16 d ・=
MO8FET、 1g・・−AC電源、19・・・PW
M制御回芹、20・・・電流検出器、21.22・・・
抵抗、23・・・可変抵抗器、24・・・誤差検出器、
27・・・PWM変調器、29・・・平滑フィルタ、3
0・・・整流回路。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人   大  岩  増  雄 ユ5茎 ラ 3く TON(JJSIIIC) ToN(psec) 昭和  年  月  日 持許庁長宮殿 1、事件の表示   特願昭61−49658号2、発
明の名称 マグネト胃ン用電源装置 3、補正をする者 代表者志岐守哉 4、代理人 5、補正の対象 6、補正の内容 (1)第4頁第9行の「抵抗RとコンデンサC」′f:
「抵抗とコンデンサ」と補正する。 (2)第9頁第1行の「示してあり、」の後に「また」
を加入する。 (3)  第9頁第3行の「−」を「上」と補正する。 ω0      ω (6)第10頁第7行ノ「z=tlI11−1丁」ヲ[
z=tsi−”  Jと補正する。 α (7)  第10頁第8行の (8)第11頁第1行の「工)」をr TON Jと補
正する。 (9)第11頁第3行の「キK (2Eo −Vz/n
 ) Jを「キK (2Eo −Vz/n ) T o
N J と補正する。 QQ  第11頁第11行の(3)式の後に「(KOは
比例定数)」を加入する。 αυ 第13頁第3行の「昇圧トランス2」を「リアク
トル15」と補正する。 (2)第13頁第4行の「還元し、」を「還元できるよ
うにして」と補正する。 以  上

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)交流から直流に変換された直流電源と、スイッチ
    ング素子群からなり、前記直流を高周波交流に変換する
    インバータと、この高周波交流を昇圧する昇圧トランス
    と、昇圧トランスの出力を整流してマグネトロンに印加
    する整流回路と、昇圧トランスと直列に接続されたリア
    クトルと、インバータをPWM制御するPWM制御回路
    を備えたことを特徴とするマグネトロン用電源装置。
  2. (2)インバータがフルブリッジタイプであることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載のマグネトロン用電
    源装置。
  3. (3)PWM制御回路は、昇圧トランスの2次電流を整
    流平滑した値とPWM目標値との誤差を検出し、この誤
    差に応じてPWM変調を行うことを特徴とする特許請求
    の範囲第1項または第2項記載のマグネトロン用電源装
    置。
  4. (4)PWM制御回路は、前記直流に応じてインバータ
    出力のパルス幅を制御することを特徴とする特許請求の
    範囲第1項〜第3項のいずれかに記載のマグネトロン用
    電源装置。
  5. (5)PWM目標値を可変としたことを特徴とする特許
    請求の範囲第3項記載のマグネトロン用電源装置。
  6. (6)前記リアクトルを昇圧トランスの1次側に設けた
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項〜第5項のいず
    れかに記載のマグネトロン用電源装置。
  7. (7)前記リアクトルを昇圧トランスの2次側に設けた
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項〜第5項のいず
    れかに記載のマグネトロン用電源装置。
  8. (8)前記リアクトルを昇圧トランスの漏れインダクタ
    ンスにより形成したことを特徴とする特許請求の範囲第
    1項〜第7項のいずれかに記載のマグネトロン用電源装
    置。
  9. (9)前記電源を交流から直流に変換する手段は、整流
    器とコンデンサにより構成したことを特徴とする特許請
    求の範囲第1項〜第8項のいずれかに記載のマグネトロ
    ン用電源装置。
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