JPS62203353A - はんだバンプの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明ははんだバンプの形成方法に関し、特に半導体工
業で使用されるものである。

（従来の技術） 半導体装置のボンディング技術はワイヤボンディング技
術と、ワイヤレスボンディング技１ｔｊとの２つに大別
される。

前者はワイヤで半導体チップの電極とリードフレームの
リード端子とを接続するものである。この技術は、接続
数が少ない場合には十分対応できるが、素子の高集積化
に伴い、電ｆ〜の寸法が１０１００ｌ口以下となり、か
つ高密度となるにつれ、特に信頼性の点で問題が多くな
る。

これに対して、後者の方法は半導体チップの電極と、リ
ードフレームのリード端子又はガラス、セラミックス基
板上の電極とを一括してボンディングするものであり、
素子の高集積化に対応して信頼性を確保するために実用
化がなされている。

このワイヤレスボンディング技（釘としては、例えばチ
ーブオートメ−ティラドボンディング方式（ＴＡＢ方式
）、フリップチップ方式あるいはＣＣＢ方式等が知られ
てｄ３す、これらの方式では通常半導体チップの電極（
パッド）上にバンプを形成する。このバンプとしては、
従来から安価なＰ　ｂ　−Ｓ　ｎはんだが検討されてい
る。

従来、半導体チップの電極上に形成されるＰｂ−３ｎは
んだからなるバンプは、第９図に示すようなものである
。第９図において、シリコン基板１上には酸化シリコン
膜等の絶１１膜２を介してＡ２又はへ２合金等からなる
電極３がパターニングされて形成され、全面に窒１ヒシ
リコン膜等のパッシベーション膜４を被覆した後、Ｔ１
極３上のパッシベーション膜４を選択的にエツチングし
て電極３を露出させている。露出した電極３上にはＣｒ
　、　ｘ　＋　、Ｍ　ｏ、Ｃｕ、△ｕ、ＡＱ等からなる
下地金属５が形成されている。更に、下地金属５上には
はんだハンプ６が形成されている。

前記下地金属５ははんだとの接合性を改善するために設
けられるものである。この目的のために下地金属５とし
ては１層〜３層の金属内が設けられ、種々の組合わせが
検討されている。

ところで、はんだバンプ６は通常めっぎ又は蒸着により
形成され、種々の方法が提案されているが、これらの方
法は以下に述べるようにいずれも欠点がある。

めっきによる方法では、例えば電（〜孔あけ工程が終了
した後、電極上の自然酸化膜を反応性イオンエツチング
により除去し、ｉｔ＞部が開孔しためっきレジストを被
覆し、電極上の下地金属上にのみはんだめっきを行ない
、めっきレジスト及び下地金属の不要部分をエツチング
するという工程がとられる。ところが、このような方法
は金ハンプの形成の場合には問題がないが、はんだバン
プの形成に適用しようとすると、はんだの耐薬品性がよ
くないため下地金属をエツチングする際、はんだもエツ
チング液に浸されるという欠点がある。

したがって、Ｓｎ、Ｐｂを順次めっきし、下地金属のエ
ツチング液に加熱して合金化するという方法がとられる
。

また、蒸着による方法では、例えば電極孔あけ工程が終
了した俊、電極上の自然酸化膜を反応性イオンエツチン
グにより除去し、全面に１〜３層の下地金属を蒸着し、
パターニングし、更に霜囲上の下地金属上のみが開孔し
たレジストを？Ｐｉｉした後、はんだを蒸着し、レジス
ト除去とともに不要部分のはんだを除去するという工程
がとられる。

しかし、蒸着法を用いる場合、はんだ中のｐｂと３ｎと
の蒸気圧が異なるため、共晶組成をもつはんだバンプを
形成することが困難であるという欠点がある。

いずれにしても従来の方法は、下地金風を用い、しかも
雪掻部以外の部分にはんだがめつきあるいは蒸着されな
いようにマスクを形成しなければならない等、工程の煩
雑化につながる基本的な問題点がある。

このため、超音波を利用したはんだづけによりＡ２電極
上にバンプを形成する方法が提案されている（特開昭５
３−８９３６８）。しかし、この方法で用いられている
はんだは５ｎＳｚｎ、ＭＯｌＢｉ、Ｓｂを！！準酸成分
するため、へ２１！極以外の部分にも付着してしまうし
、バンプの高さも低いという問題がある。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明は上記問題点を解消するためになされたものであ
り、電極上に下地金属を設けることなく、直接バンプ高
さの高いはんだバンプを形成することができ、工程を簡
略化できる方法を提供することを目的とするものである
。

［発明の構成コ （問題点を解決するための手段と作用）本発明のはんだ
バンプの形成方法は、基板を被覆する絶縁膜から電極を
露出させ、少なくとも電橋部に溶融はんだを接触させて
該溶融はんだに超音波を印加し、電極表面の自然酸化膜
を破壊するとともに１臘との合金化により選択的にはん
だ層を付着させた後、該はんだよりも融点の低い少なく
と６１種の溶融金属と接触させて前記はんだ層上に少な
くとも１居の金属層を形成することを特徴とするもので
ある。

第１層のはんだ層を形成する際の作用を原理的に説明す
ると以下のようになる。まず、電極部に接触した溶融は
んだに超音波を印加すると、超音波エネルギーにより溶
融はんだ中に金属蒸気の気泡が発生する。この気泡は瞬
時に成長・消滅し、局部的に高温・高圧となる。この高
圧の気泡が破壊する時、電極表面に強い′＃Ｊ撃を与え
、これにより電極表面の自然酸化膜が破壊されるととも
に、露出した電極の新生面に選択的にはんだづけが行な
われる。このようにして電極上に直接接合しては／υだ
層が形成される。

この後、電極に直接接合しているはんだよりも融点の低
い溶融金属（はんだ又は低融点金属）と接触させること
により、はんだ層上に２謂目の金属層を形成する。場合
によつτは更に融点の低い溶融金属と順次）妄触させ、
複数層の金属層を形成する。このようにしてバンプ高さ
の高いはんだバンプを形成する。第２層目以降の金属１
＠を形成する際に超音波を印加すると第１層目のはんだ
層が溶融するので、第２層目以降の金属層は超音波を印
加せずに溶融金属を接触させることにより付着させて形
成する。また、第２層目以降の金属層の形成は第１層の
はんだ層を形成する場合よりも低い温度で行なう。

前記第１層のはんだ層としては、半導体素子の電極材料
として通常用いられているＡ２又は八２を主成分として
３ｉやＣｕを添加したものに対応して高温はんだが用い
られる。この高温はんだとしてはＰｂ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚ
ｎ、ＡＱ等の金ｆｉヲ２種以上組合わせたものが挙げら
れ、例えば下記表に示すような組成を有するものが適当
である。

また、Ｚｎを主成分とする一般のへλ接合用はんだを用
いても融点が２６０℃以上であるので効果的であり、そ
のｆｌ！！Ｐｂの含有伍が多い（６０％以上）Ｓｎはん
だを用いてもよい。なお、ウェハが古くなり、Ａｆｆｉ
ｆｆ上に厚い酸化膜が形成されていたり、汚染物の付着
が多い場合には、Ａｑや７口を含むはんだが効果的であ
る。

また、第２層の金属層は第１層のはんだ岡よりも低融点
のものである。この金属層としては、例えばＰｂ−Ｉ　
ｎ系、Ａｇ−１ｎ系、共晶はんＩご【ご近い組成を有す
るＰｂ−８ｎ系等のはんだが用いられる。ｐｂと３ｎを
主成分とするはんだの場合には、３ｎ含ｆＴＱｌの多い
ものが望ましい。また、第２層の金属層ははんだに限ら
ずｉｎのような単一の金３でもよい。

更に、バンプ高ざを高くするためには、第２層の金属層
よりも融点の低い第３居の金属層、第３層の金属層より
も融点の低い第４層の金属層というように多重の金ｆｆ
１ｌｌを形成していく。

第１層のはんだ層を形成するための具体的方法としては
、基板をは／νだ槽内の溶融はんだ中に浸漬し、超音波
振動子を挿入して溶融はんだに超音波を印加するか、又
は溶融はんだ槽自体を超音波振動させて溶融はんだに超
音波を印加してもよいし、超音波振動できるはんだごて
を用い、電極に溶融はんだを接触させると同時に溶融は
んだに超音波を印加してもよい。なお、古くなった富山
では、その表面が汚染物で覆われていることがあり、こ
の場合には前処理としてオゾンをふきかけてもよい。

また、第２層目以降の金属層を付着させるためには、溶
融金ヱ中に浸漬してもよいし、は／Ｖだこてのようなも
のを用いてもよい。

本発明方法は、基板が半導体基板であってもガラスある
いはセラミックス等の絶縁基板であっても同様に適用で
きる。これらの基板を上記のように溶融はんだに浸漬す
る場合、基板全体を浸漬してもよいし、部分的にｌｉｄ
してもよい。また、電極以外のパッシベーション膜等の
絶縁膜にははんだが付着しないので、ポリイミド等で口
う必要はないが、電極以外の金属が露出している場合に
は保護する必要がある。なお、半導体ウェハを溶融はん
だ中に浸漬する場合、ブレードダイシングを行なった後
であると、ダイシングラインに沿って割れて半導体チッ
プが分離することがあるので、これを防止するために、
ウェハの裏面に高１門川の粘着テープを貼付け、更に金
属やガラス等に接着したり、ウェハの裏面を真空チャッ
ク等で吸着しておくことが望ましい。また、はんだバン
プを形成した後、ブレードダイシングを（テなってもよ
い。

また、本発明方法の処理、特に第１合のはんだ層を形成
する処理は、不活性ガスを流して非酸化性雰囲気中で行
なうことか望ましい。これは雰囲気ガスが５％以上の醇
粱を含む場合、電極の構成元素であるＡ／！、が酸化を
起してはんだとのぬれが悪くなり、最悪の場合にはバン
プ同士が接続する不良が発生するためである。

本発明方法において第１居のはんだ層を形成する際、溶
融はんだに印加する超音波の周波数は１０〜６０ｋＨｚ
程度でよく、好ましくは１５・−４０ｋＨｚである。こ
れは、周波数が低すぎると、上記のような作用が起りに
くく、逆に高すぎると電極等の剥離を起すおそれがある
ためである。また、超音波の出力は２〜５００Ｗ程度で
よいが、好ましくは１０〜３００　Ｗである。一方、溶
融はんだの温度は２３０〜３５０℃程度、処理時間は０
．１〜１０秒程度である。これは温度が高く処理時間が
長いと電極の構成元素であるＡ２の溶解が起り、逆に温
度が低く処理時間が短いと△ρとはんだとの合金化が行
なわれなくなるためである。

好ましくは、溶融はんだ温度２４０〜３２０°Ｃ１呈度
、処理時間０．５〜５秒程度がよい。なお、カラス又は
セラミックス基板はシリコン又は化合物半導体基板と比
較して削れにくいため、超音波の周波数、出力、溶融は
んだの温度等を高くすることができる。また、はんだ成
分によって液体となる温度が異なるため、はんだ成分に
合わせた温度を選ぶことがよい。第２府目以降の金属層
を形成する際には、上述したように超音波を印加せず第
１層のはんだ層を形成する場合よりも低い１度で処理が
行なわれる。第２否目以降の金属層が上述したようなも
のである場合、１００〜２２０℃程度の温度が適当であ
る。

以上のようにしてはんだバンプが形成された基板はワイ
ヤレスボンディング技術で実装される。

例えば、ＴＡＢ方式では、はんだバンプが形成された半
導体基板とリードフレーム（テープ）とを位置合わせし
て熱圧４する。この場合、リードフレームを構成する導
体金属はＣＬＪ、Ｆｅ！、Ａλ、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ａ　
ｕ、ＡＣ＋、ＳｎＷが用いられる。これらの金属をめっ
きしたものでもよい。ただし、リードフレーム側がＦｅ
−Ｎｉ合金の場合にはフラックスを使用し、八２の場合
にははんだを同様な方法で付着させておくことが望まし
い。

また、フリップチップ方式やＣＣＢ方式でははｌυだバ
ンプが形成された半導体チップとは／υだバンプが形成
されたガラス又はセラミックス基板のバンプ同士を熱融
前する。

以上のように本発明によれば、下地金属を使用すること
なく、電極上に直接はんだバンプを形成し、更に第２層
目以降の金烏層を付着させてバンプ高ざを高くすること
ができるので、工程を簡略化して大幅な時間短縮を達成
できる。また、後のワイヤレスボンディング工程も容易
に行なうことができる。

（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。

実施例１ まず、通常のウェハプロヒスにより配線・ｍ汚の形成を
行なった後、全面にパッシベーション、摸を堆積し、更
にコンタク１〜パツド用の開孔部を形成したシリコンウ
ェハ１１を用意した。前記配１１電極はスパッタリング
装ａにより形成された膜厚的ｉ　ｐｍのＡ２−２％５１
−２％Ｃｕからなり、またパッシベーション喚としては
窒化シリコン膜が用いられている。そして、このシリコ
ンウェハ１１に形成された各チップには８０ｐｍ口の電
極（コンタクト・パッド）がそれぞれ６４辺形成されて
いる。なお、このシリコンウェハ１１についてはブレー
ドダイシングを行なっていない。

次に、第１図に示すような超音波はんだづけ装置を用い
、このシリコンウェハ１１の電極上にはんだバンプを形
成した。第１図において、はんだ漕２１内にははんだの
還流路２２が形成され、溶融はんだ２３が収容されてい
る。この溶融はんだ２３は図示しないモータにより回転
される撹拌棒２４により還流路２２内を通って液面より
上に噴出して還流する。前記シリコンウェハ１１は裏面
に高温用の両面接着テープを貼付し、更に図示しないガ
ラス板に接着した状態で縦にして、噴出している溶融は
んだ２３に浸漬される。そして、シリコンウェハ１１近
傍の溶融はんだ２３中に超音波振動子２５を挿入して溶
融はんだ２３に超音波を印加する。

なお、はんだとしては９５Ｐｂ−８ｎのｇＡはんだを使
用し、はんだ槽温度を３２０℃に維持した。また、超音
波振動子２５により溶融はんだ２３に周波数２０　ｋ　
Ｈｚ　、出力８０Ｗの超音波を印加し、シリコンウェハ
１１の浸漬時間は１秒間とした。このはんだづけ操作中
、周囲に窒素ガスを１０２／分の流酷で流し、電極の構
成元素であるアルミニウム及びはんだ中のスズの酸化企
防止した。

この操作により第６図に示すように、第１層のはんだ層
が形成さ机た。すなわち、浸漬前にはシリコン基板３１
上には酸化ｎＴ；）３２を介して電極３３が形成され、
全面を被１するパッシベーション膜３４から電極３３が
露出しているが、浸油後にこの電極３３上に第１層のは
んだ＠３５が直接接合して山型に形成された。このはん
だ層３５の高さは２５βｍであった。なお、電極３３と
はんだ層３５との接合面にはＡＮと３ｎとの合金層が薄
く生成していた。

つづいて、１９０℃に保持された５０　Ｉ　ｎ−３ｎは
んだ浴に、第６図図示のシリコンウェハ１１のは／υだ
層３５が形成されている面を下にして超音波を印加せず
に１秒間浸漬した。この結果、第７図に示すように第１
留のはんだ層３５上に第２暦のはんだ層３６が形成され
、両者の高さを合計したは／νだバンプの高さは５０ｐ
ｎとなった。

次いで、シリコンウェハ１１をブレードダイシングして
個々のチップに９国した。これと別に銅リードフレーム
が形成され、その表面に金めつきが施されたＴＡＢ方式
のテープを用意した。そして、チップのバンプとテープ
のり−ド端子とを位置合わせして１９０’Ｃで両者を熱
融着した。このインナーリードボンディング工程でも全
く問題は生じなかった。

実施例２ まず、実施例１と同様なシリコンウェハ１１を用意した
。この場合、配線・電極としてはＡ２−１％Ｓ１が用い
られ、シリコンウェハ１１に形成された各チップには６
０上ｍ口の電極（コンタクトパッド）がそれぞれ１２８
個形成されている。

なお、このシリコンウェハ１１は素子形成後、かなりの
期間を経ており、電（型表面が固い酸化膜で覆われてい
ることが予想されたので、オゾン洗浄を行なった。また
、一部に電橋以外の金属か露出しているので、ポリイミ
ドで７Ｒ極以外の金属をマスクした。

このシリコンウェハ１１の電極上に、第２図に示すよう
な超音波はんだづけ装置を用いてはんだバンプを形成し
た。第２図において、はんだ（口４１内にははんだの還
流路４２が形成され、溶融はんだ４３が収容されている
。この溶融はんだ４３は図示しないモータにより回転さ
れる撹拌棒４４により還流路４２内を通ってはんだ槽４
１中央部で液面より上に噴出して還流する。前記シリコ
ンウェハ１１は裏面をバキュームチャックにより吸着さ
れた状態で、電極が形成されている表面の全面が噴出し
た？８融はんだ４３の液面に浸漬される。そして、はん
だ＃ｅ４１の底面から超音波振動子４５を挿入し、シリ
コンウェハ１１近傍の溶融はんだ４３に超音波を印加す
る。

なお、はんだとしては八〇を２％含む９０Ｐｂ−３ｎの
高温はんだを使用し、はんだ槽温度を３００℃に維持し
た。また、超音波撮動子４５により溶融は／νだ４３に
周波数３０ｋＨｚ、出力５０Ｗの超音波を印加し、シリ
コンウェハ１１の浸漬時間は３秒間とした。このはんた
゛づけ操作中、周囲にＡｒガスを２０！２７′分の流出
で流した。

この操作により第６図に示すように第１層のはんだ層３
５が形成された。このはんだ層３５の高さは１５譚であ
った。更に、第１層のはんだ層３５が形成されたシリコ
ンウェハ１１をＰｂ−８ｎ共晶はんだ浴に実施１りｌ　
１と同様に超音波を印加せずに２秒ｌｉ！！浸漬した。

この結果、第７図に示すようｔこ第１層のはんだ層３５
上に第２＠のはんだ層３６が形成され、両者の高さを合
計したはんだバンプ高さは２５瀾となった。

次いで、シリコンウェハ１１をブレードダイシングして
個々のチップに分離した後、ＴＡＢ方式のテープとの間
で実施例１と同様にインナーリードボンディングを行な
ったが、全く問題は生じなかった。

実施例３ まず、実施例１と同様なシリコンウェハ１１を用意した
。この場合、配礫・電極としてはＡａ−１％Ｓｉが用い
られ、シリコンウェハ１１に形成された各チップには５
００−口の電極（コンタク１−パッド）がそれぞれ２個
形成されている。

次に、第３図に示すような超音波を印加することができ
るはんだごて５１を用い、シリコンウニ、左７ 層１１上に溶融はんだ５２を゛飛下するとともに、超音
波を印加した。

なお、はんだとしては９５Ｓｎ−Ａｇのはんだを使用し
、はんだ温度を２４０℃に維持した。また、溶融はんだ
５２には周波数４０ｋＨｚ、出力３０　Ｗの超音波を印
加し、はんだづけ時間；よ５■少間とした。また、この
場合はんだづけ面積が大きいため、周囲に不活性ガスを
流す必要がなかった。

この操作により第６図に示すように第１層のはんだ１！
１３５が形成された。このはんだ習３５の高さは１００
ｇｎであった。

つづいて、はんだごて５１の超音波を止めて、第１＠の
はんだ層３５上にＰｂ−８ｎ共晶はんだを滴下した。こ
の際、１ｄ融はんだ温度は２００℃であった。また、は
んだが何者しにくい箇所にはロジン系の７ラツクスを用
いた。この操作により第７図に示すように第１層のはん
だ層３５上に第２層のはんだ層３６が形成され、両者の
合計の高さは１５０譚となった。

この素子の場合、実装する相手方のテープにバンプを形
成していないため、素子側のバンプには２００−の高さ
が要求される。そこで、第２層のはんだ層３６上に８０
１　ｎ−Ａａはんだを滴下した。この際、溶融はんだ温
度は１６８℃であった。

この操作により第８図に示すように第１層のはんだ層３
５上に第２響のはんだ層３６及び第３居のはんだ苦３７
が形成され、合計の高さは２００遮となった。

次いで、シリコンウェハ１１をブレードダイシングして
個々のチップに分離した後、ＴＡＢ方式のテープどの間
で実施例１と同様にインナーリードボンディングを行な
ったが、全く問題は生じなかった。

なお、本発明において用いられる超音波はんだづけ装置
は、上記実施例１〜３で用いたものに限らず、例えば第
４図に示すようなものでもよい。

第４図図示の超音波はんだづけ装置は、はんだ横６１自
体が超音波振動し、溶融はんだ６２に超音波を印加する
ものである。

また、上記実茄例１〜３では、本発明をＴＡＢ方式のワ
イヤレスボンディングに適用した場合について説明した
が、これに限らす本発明はフリップチップ方式あるいは
ＣＣＢ方式等他のワイヤレスボンディングにも同様に適
用できる。この場合、まず第５図（ａ）に示すようにシ
リコン基板７１上に絶縁膜を介して電極７２を形成し、
全面をバンシベーション膜７３で被覆した後、電隆７２
上に開孔部を設けたものと、第５図（ｂ）に示すような
ガラスあるいはセラミックス基板８′１上に電極８２を
形成し、全面を絶縁膜８３で？！２覆した後、ｆｆ１ｌ
ｔ８２上に開孔部を設けたもののそれぞれについて、実
施例１〜３で説明したような方法で電極７２．８２上に
複数層からなるはんだバンプ７４．８４を形成する。次
に、第６図（Ｃ）に示すように、両者のはんだバンプ７
４．８４同士を熱融着することにより接合部９０を形成
する。

更に、上記実施例１〜３では、本発明をＡＩ２を主成分
として３ｉ、Ｃｕ等の添加物を含む電穫上でのはんだバ
ンプ形成について説明したが、本発明は’Ｗｆｆｉがタ
ングステン、モリブデン等の金属又はこれらの金沢のシ
リサイドであっても同様に適用できる。

［発明の効果］ 以上詳ｊ／ＩＳシた如く本発明のはんだバンプの形成方
法によれば、極めて簡便な工程でｆｆ１Ｊ上にバンプ高
さの高いはんだバンプを直接形成することができ、ワイ
ヤレスボンディング技術の導入を容易にし、素子の微細
化に対応してボンディングの信頼性の高い半導体装置を
製造できる等産業上（〜めて顕著な効果を奏するもので
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例１におけるはんだバンプの形成
方法を示ず説明図、第２図は本発明の実施例２にお（プ
るはんだバンプの形成方法を示す説明図、第３図は本発
明の実施例３におけるはんだバンプの形成方法を示す説
明図、第４図は本発明の他の実施例におけるはんだバン
プの形成方法を示す説明図、第５図（ａ）〜（Ｃ）は本
発明の他の実施例におけるワイヤレスボンディングの工
程を示す断面図、第６図〜第８図はそれぞれ本発明方法
によりはんだバンプが形成されたシリコンウェハの断面
図、第９図は従来のはんだバンプが形成されたシリコン
ウェハの断面図である。 １１・・・シリコンウェハ、２１・・・はんだ槽、２２
・・・還流路、２３・・・溶融はんだ、２４・・・撹拌
棒、２５・・・超音波振動子、３１・・・シリコンウェ
ハ、３２・・・絶縁膜、３３・・・電極、３４・・・パ
ッシベーション膜、３５・・・はんだバンプ、４１・・
・はんだ槽、４２・・・還流路、４４・・・撹拌棒、４
５・・・超音波振動子、５１・・・はんだごて、５２・
・・溶融はんだ、６１・・・はんだ槽、６２・・・溶融
はんだ、７１・・・シリコン基板、７２・・・電極、７
３・・・パッシベーション膜、８１・・・ガラス又はセ
ラミックス基板、８２・・・電極、８３・・・絶縁膜、
９０・・・接合部。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第１図 第２図 第　３　図゛ 第４図 （ａ）　　　　　　　　　　　　　（ｂ）第５図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板を被覆する絶縁膜から電極を露出させ、少な
   くとも電極部に溶融はんだを接触させて該溶融はんだに
   超音波を印加し、電極表面の自然酸化膜を破壊するとと
   もに電極との合金化により選択的にはんだ層を付着させ
   た後、該はんだよりも融点の低い少なくとも１種の溶融
   金属と接触させて前記はんだ層上に少なくとも１層の金
   属層を形成することを特徴とするはんだバンプの形成方
   法。
2. （２）基板を溶融はんだ槽に浸漬することを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載のはんだバンプの形成方法。
3. （３）基板が半導体基板又はガラスもしくはセラミック
   ス基板であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載のはんだバンプの形成方法。
4. （４）電極がアルミニウムを主成分とすることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載のはんだバンプの形成方
   法。
5. （５）非酸化性雰囲気中で処理することを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載のはんだバンプの形成方法。