JPS6358945A

JPS6358945A - はんだバンプの形成方法

Info

Publication number: JPS6358945A
Application number: JP20331386A
Authority: JP
Inventors: Michio Sato; 道雄佐藤; Michihiko Inaba; 道彦稲葉; Kazuyoshi Saito; 和敬斎藤; Seiichi Hirata; 誠一平田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1986-08-29
Filing date: 1986-08-29
Publication date: 1988-03-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明ははんだバンプの形成方法に関し、特に半導体工
業で使用されるものである。

（従来の技術）半導体装置のボンディング技術はワイヤボンディング技
術と、ワイヤレスボンディング技術との２つに大別され
る。

前者はワイヤで半導体チップの電極とリードフレームの
リード端子とを接続するものである。この技術は、接続
数が少ない場合には十分対応できるが、素子の高集積化
に伴い、電極の寸法が１００ｐ１０以下となり、かつ高
密度となるにつれ、特に信頼性の点で問題が多くなる。

これに対して、後者の方法は半導体チップの電極と、リ
ードフレームのリード端子又はガラス、セラミックス基
板上の電極とを一括してボンディングするものであり、
素子の高集積化に対応して信頼性を確保するために実用
化がなされている。

このワイヤレスボンディング技術としては、例えばチー
ブオートメ−ティラドボンディング方式（ＴＡＢ方式）
、フリップチップ方式あるいはＣＣＢ方式等が知られて
おり、これらの方式では通常半導体チップの電極（バッ
ド）上にバンプを形成する。このバンプとしては、従来
から安価なＰｂ−８ｎはんだが検討されている。

従来、半導体チップの電極上に形成されるｐｂ−３ｎは
んだからなるバンプは、第７図に示すようなものである
。第７図において、シリコン基板１上には酸化シリコン
膜等の絶縁１１２を介してＡ２又はＡ２合金等からなる
電極３がパターニングされて形成され、全面に窒化シリ
コン膜等のパッシベーション膜４を被覆した後、電極３
上のパッシベーション膜４を選択的にエツチングして電
極３を露出させている。露出した電極３上にはＯｒ、Ｎ
　ｉ　、ＭＯ，ｃｕ、Ａｕ、ＡＱ等からなる下地金属５
が形成されている。更に、下地金属５上にははんだバン
プ６が形成されている。

前記下地金属５ははんだとの接合性を改善するために設
けられるものである。この目的のために下地金属５とし
ては１層〜３層の金属層が設けられ、種々の組合わせが
検討されている。

ところで、はんだバンプ６は通常めっき又は蒸着により
形成され、種々の方法が提案されているが、これらの方
法は以下に述べるようにいずれも欠点がある。

めっきによる方法では、例えば電極孔あけ工程が終了し
た後、電極上の自然酸化膜をイオンエツチングにより除
去し、全面に１〜３層の下地金属を蒸着し、電橋部が開
孔しためつきレジストを被覆し、電極上の下地金属上に
のみはんだめっきを行ない、めっきレジスト及び下地金
属の不要部分をエツチングするという工程がとられる。

ところが、このような方法は金バンプの形成の場合には
問題がないが、はんだバンプの形成に適用しようとする
と、はんだの耐薬品性がよくないため下地金属をエツチ
ングする際、はんだもエツチング液に侵されるという欠
点がある。したがって、３ｎ。

Ｐｂを順次めっきし、下地金属のエツチング後に加熱し
て合金化するという方法がとられる。

また、蒸着による方法では、例えば電極孔あけ工程が終
了した後、電極上の自然酸化膜をイオンエツチングによ
り除去し、全面に１〜３層の下地金属を蒸着し、パター
ニングし、更に電極上の下地金属上のみが開孔したレジ
ストを被覆した後、はんだを蒸着し、レジスト除去とと
もに不要部分のはんだを除去するという工程がとられる
。しかし、蒸着法を用いる場合、はんだ中のｐｂとＳｎ
との蒸気圧が異なるため、共晶組成をもつはんだバンプ
を形成することが困難であるという欠点がある。

いずれにしても従来の方法は、下地金属を用い、しかも
雪掻部以外の部分にはんだがめつきあるいは蒸着されな
いようにマスクを形成しなければならない等、工程の煩
雑化につながる基本的な問題点がある。

このため、超音波を利用したはんだづけによりＡ２電極
上にバンプを形成する方法が提案されている（特開昭５
３−８９３６８＞。しかし、この方法で用いられている
はんだはＳｎ、Ｚｎ、Ｍｏ、１３ｉ、３ｂを基準成分と
するため、ＡＪ２電極以外の部分にも付着してしまうし
、バンプの高さも低いという問題がある。また、実装後
の動作時において、シリコンチップとリードッフレーム
との間に熱膨張差があるため、チップの発熱や環境温度
変化により、両者の接続部であるバンプにせん断応力が
一時に又は繰返して加わり、最終的にはクリープ破壊又
は疲労破壊に至る。こうした問題は素子の高集積化に伴
いますます顕著となるため、はんだバンプのクリープ寿
命及び疲労寿命の向上が要望されている。

（発明が解決しようとする問題点）本発明は上記問題点を解消するためになされたものであ
り、電極上に下地金属を設けることなく選択的に直接は
んだバンプを形成することができ工程を簡略化できると
ともに、はんだバンプのクリープ寿命及び破壊寿命を向
上できる方法を提供することを目的とするものである。

［発明の構成］（問題点を解決するための手段と作用）本発明のはんだ
バンプの形成方法は、基板を被覆する絶縁膜から電極を
露出させ、少なくとも電極部に固体粒子が分散した溶融
はんだを接触させて該溶融はんだに超音波を印加し、電
極表面の自然酸化膜を破壊するとともに電極との合金化
により選択的に固体粒子が分散したはんだを付着させる
ことを特徴とするものである。

本発明の作用を原理的に説明すると以下のようになる。

すなわち、電極部に固体粒子が分散した溶融はんだを接
触させて超音波を印加すると、固体粒子の繰返し衝撃エ
ネルギーと、超音波により溶融はんだ中に形成されたキ
ャビティーの破壊エネルギーとで、電極表面の自然酸化
膜が破壊されるとともに、露出した電極の新生面に選択
的にはんだづけが行なわれる。このようにして電極上に
直接接合して固体粒子が分散したはんだバンプが形成さ
れる。そして、はんだバンプのマトリックス中に分散し
た固体粒子は、マトリックス金属原子間の転位運動を抑
制して原子間のすべり防止に必要な力を増大させるため
、はんだバンプのせん断強さが増大し、この結果はんだ
バンプのクリープ寿命及び疲労寿命が向上する。

本発明において、はんだバンプのクリープ寿命及び疲労
寿命を向上させるためには、固体粒子の熱膨張係数がは
んだよりも小さいことが望ましい。

こうした固体粒子の材質としてはセラミック粒子又は金
属粒子を挙げることができる。このうちセラミック粒子
としては、例えば　ＳａＣ。

Ｏｒ　３　Ｃ２、Ｔ　ｉ　Ｃ１Ｗ　Ｃ、Ｚ　ｒ　Ｃ１Ｖ
　Ｃ１ＮｂＣ等の炭化物、Ａｆｆ２０３　、Ｃｒ２０３
、ＺｒＯ２等の酸化物、ＢＮ、ＡｎＮ、ＳＩ３Ｎ４等の
窒化物、Ｔｉ８２、Ｚｒ８２　、ＮｂＢｚ、ＴａＢ２、
Ｗ２　Ｂ２等のホウ化物等を挙げることができる。これ
らセラミック粒子は単独で用いてもよいし、２！１以上
を混合して用いてもよい。また、金属粒子としては、周
期表第４族Ａ１第５族Ａ１第６族Ａに属するものが挙げ
られる。これら金属粒子も単独で用いてもよいし、２種
以上を混合して用いてもよい。更に、セラミック粒子と
金属粒子とを混合して用いてもよい。

はんだバンプのマトリックス中に含有される固体粒子の
苗は、０．２〜５．Ｏｖｏ１％であることが望ましい。

これは、含有量が０，２ｖｏ１％未満では高温でのせん
断強さが得られないため耐クリープ性及び耐疲労性が低
下し、一方５，０ｖｏ１％を超えるとボンディング時の
圧接力の増大によりチップに損傷を招きやすくなるとと
もに電気抵抗が増大するためである。

前述したようにはんだバンプのせん断応力を増強させる
ためには、固体粒子がはんだバンプのマトリックス中で
均一に分散した状態であることが望ましい。こうした均
一な分散状態を得るためには、固体粒子の粒径は１譚以
下であることが望ましく、更に好ましい範囲は０．１〜
０，０５ＩＪ！！ｔである。

固体粒子の粒径が大きすぎると、マトリックス金属と固
体粒子との境界における界面強度の低下に伴い、はんだ
バンプのせん断応力が低下する。−方、粒径が小さすぎ
ると、はんだ付は工程中に固体粒子の凝集が起り、均一
な分散状態が得られなくなるため、やはりはんだバンプ
のせん断応力が低下する。

本発明方法を実施するための具体的な手段としては、基
板をはんだ槽内の固体粒子が分散した溶融はんだ中に浸
漬し超音波振動子を挿入して溶融はんだに超音波を印加
するか、又は溶融はんだ槽目体を超音波振動させて溶融
はんだに超音波を印加してもよいし、超音波振動できる
はんだごてを用い、電極に固体粒子が分散した溶融はん
だを接触させると同時に溶融はんだに超音波を印加して
もよい。また、はんだバンプ形成後、バンプ高さが足り
ない場合には更に超音波を印加しない通常のはんだ槽中
で基板を固体粒子が分数した溶融はんだに浸漬してバン
プ高さを高くしてもよい。

本発明方法は、基板が半導体基板であってもガラスある
いはセラミックス等の絶縁基板であっても同様に適用で
きる。これらの基板を上記のように固体粒子が分散した
溶融はんだに浸漬する場合、基板全体を浸漬してもよい
し、部分的にＷ！潰してもよい。また、電極以外のパッ
シベーション膜等の絶縁膜にははんだが付着しないので
、ポリイミド等で覆う必要はないが、電極以外の金属が
露出している場合には保護する必要がある。なお、半導
体ウェハを固体粒子が分散した溶融はんだ中に浸漬する
場合、ブレードダイシングを行なった後であると、ダイ
シングラインに沿って割れて半導体チップが分離するこ
とがあるので、これを防止するために、ウェハの裏面に
高温用の粘着テープを貼付け、更に金属やガラス等に接
着したり、ウェハの裏面を真空チャック等で吸着してお
くことが望ましい。また、はんだバンプを形成した後、
ブレードダイシングを行なってもよい。

また、半導体素子では通常電極として八２又はＡ２を主
成分としてＳｉやＣｕを添加したものが用いられること
が多い。これらの材質からなる電極に対応して用いられ
るはんだはＳｎを含んでいればどのようなものでもよい
が、通常はｐｂ−８ｎのはんだあるいは銀入りのはんだ
を利用する。

また、古くなった電極でははんだが付着しにくいことも
あるため、ｚｎを添加したはんだを用いてもよい。上記
のような電極及びはんだの組合わせでは、電極とはんだ
バンプとの間にＡ２とＳｎとの合金層が形成される。な
お、古くなった電極では、その表面が固い酸化膜で覆わ
れていることがあり、この場合には前処理としてオゾン
をふきかけてもよい。

また、本発明方法の処理は、不活性ガスを流して非酸化
性雰囲気中で行なうことが望ましい。これは雰囲気ガス
が５％以上の酸素を含む場合、電極の構成元素である八
２が酸化を起してはんだとのぬれが悪くなり、最悪の場
合にはバンプ同士が接続する不良が発生するためである
。

本発明方法において、固体粒子が分散した溶融はんだに
印加する超音波の周波数は１０〜６０ｋＨ２程度でよく
、好ましくは１５〜４０ｋＨ２である。これは、周波数
が低すぎると超音波の撮動作用が起りにクク、逆に高す
ぎると電極等の剥離を起こすおそれがあるためである。

また、超音波の出力は２〜５００Ｗ程度でよいが、好ま
しくは１０〜３００Ｗである。一方、溶融はんだの温度
は２３０〜３５０℃程度、処理時間は０．１〜１０秒程
度である。これは温度が轟く処理時間が長いと電極の構
成元素であるＡｆｆｉの溶解が起り、逆に温度が低く処
理時間が短いとＡ２とはんだとの合金化が行なわれなく
なるためである。好ましくは、溶融はんだ温度２４０〜
３２０℃程度、処理時間０．５〜５秒程度がよい。なお
、ガラス又はセラミックス基板はシリコン又は化合物半
導体基板と比較して割れにくいため、超音波の周波数、
出力、溶融はんだの温度等を高くすることができる。ま
た、はんだ成分によって液体となる温度が異なるため、
はんだ成分に合わせた温度を選ぶことがよい。

以上のようにしてはんだバンプが形成された基板はワイ
ヤレスボンディング技術で実装される。

例えば、ＴＡＢ方式では、はんだバンプが形成された半
導体基板とリードフレーム（テープ）とを位置合わせし
て熱圧着する。この場合、リードフレームを構成する導
体金属はＱｕ、Ｆｅ５Ａｆｌ、Ｆｅ−Ｎｉ合金、ＡＵ、
ＡＱ、Ｓｎ等が用いられる。これらの金属をめっきした
ものでもよい。ただし、リードフレーム側がＦｅ−Ｎｉ
合金の場合にはフラックスを使用し、八２の場合にはは
んだを同様な方法で付着させておくことが望ましい。

また、フリップチップ方式やＣＣＢ方式でははんだバン
プが形成された半導体チップとはんだバンプが形成され
たガラス又はセラミックス基板のバンプ同士を熱融着す
る。

以上のように本発明によれば、下地全屈を使用すること
なく電極上に選択的に直接はんだバンプを形成すること
ができ、工程を簡略化して大幅な時間短縮を達成できる
。また、はんだバンプ中に固体粒子が分散しているので
、耐クリープ性及び耐疲労性を向上することができる。

また、後のワイヤレスボンディング工程も容易に行なう
ことができる。

（実施例）以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。

実施例１まず、通常のウェハプロセスにより配線・電極の形成を
行なった後、全面にパッシベーション膜を堆積し、更に
コンタクトパッド用の開孔部を形成したシリコンウェハ
１１を用意した。前記配線・電極はスパッタリング装置
により形成された膜厚的１　ｔｍ　（７）　Ａ　（１−
２％５１−２％Ｑｕがらなり、またパッシベーション膜
としては窒化シリコン膜が用いられている。そして、こ
のシリコンウェハ１１に形成された各チップには８０虜
口の電極（コンタクトパッド）がそれぞれ６４個形成さ
れている。なお、このシリコンウェハ１１についてはブ
レードダイシングを行なっていない。

次に、第１図に示すような超音波はんだづけ装置を用い
、このシリコンウェハ１１の電橋上に固体粒子が分散し
たはんだバンプを形成した。第１図において、はんだ槽
２１内にはほんだの還流路２２が形成され、固体粒子が
分散した溶融はんだ２３が収容されている。この溶融は
んだ２３は図示しないモータにより回転される撹拌棒２
４により３！流路２２内を通って液面より上に噴出して
還流する。前記シリコンウェハ１１は裏面に高温用の両
面接着テープを貼付し、更に図示しないガラス板に接着
した状態で縦にして、噴出している溶融はんだ２３に浸
漬される。そして、シリコンウェハ１１近傍の溶融はん
だ２３中に超音波撮動子２５を挿入して溶融はんだ２３
に超音波を印加する。

なお、はんだとしては下記表に示す固体粒子を分散させ
たＰｂ−８ｎの共晶はんだ（ただし試料ＮＱ１５は固体
粒子を分散させていない）を使用し、はんだ槽温度を２
８０℃に維持した。また、超音波振動子２５により溶融
はんだ２３に周波数２０ｋＨ２，出力８０Ｗの超音波を
印加し、シリコンウェハ１１の浸漬時間は１秒間とした
。このはんだづけ操作中、周囲に窒素ガスを１０２／分
の流量で流し、電極の構成元素であるアルミニウム及び
はんだ中のスズの酸化を防止した。

この操作により第２図に示すように、はんだバンプが形
成された。すなわち、操作前にはシリコン基板３１上に
は絶縁［１３２を介して電極３３が形成され、全面を被
覆するパッシベーション膜３４から電極３３が露出して
いるが、操作後にこの電極３３上にはんだバンプ３５が
直接接合して山型に形成された。このはんだバンプ３５
の高さは２５−であった。なお、電極３３と固体粒子が
分散したはんだバンプ３５との接合面には八２と３ｎと
の合金層が薄く生成していた。

次いで、シリコンウェハ１１をブレードダイシングして
個々のチップに分離した。これと別に銅リードフレーム
が形成され、その表面に金めつきが施されたＴＡＢ方式
のテープを用意した、そして、チップのバンプとテープ
のリード端子とを位置合わせして２７０℃で両者を熱融
着した。このインナーリードボンディング工程でも全く
問題は生じなかった。

得られた半導体装置について、１５０℃で１００時間の
高温放置試験を行ない、走査型電子顕微鏡ではんだバン
プ部を観察し、クリープ破断によるクラックの有無を調
べた。また、−６５℃×３０分、２５℃×５分、１５０
℃×３０分の温度サイクルを１サイクルとして５００サ
イクルまでの温度サイクル試験を行ない、走査型電子顕
微鏡ではんだバンプ部を観察し、疲労破断によるクラッ
クの有無を調べた。これらの結果を下記表に併記する。

表から明らかなように、固体粒子が分散していないはん
だバンプ（試料１１１Ｑ１５ンでは、クリープ破断及び
疲労破断によるクラックが発生した。これに対して、各
種固体粒子が分散したはんだバンプ（試料ＮＧ１〜１４
）では、いずれもクリープ破断及び疲労破断によるクラ
ックは認められなかった。

実施例２まず、実施例１と同様なシリコンウェハ１１を用意した
。この場合、配線・電極としてはＡｌ２−１％Ｓｉが用
いられ、シリコンウェハ１１に形成された各チップには
６０譚口の電極（コンタクトパッド）がそれぞれ１２８
個形成されている。

なお、このシリコンウェハ１１は素子形成後、かなりの
期間を経ており、電極表面が固い酸化膜で覆われている
ことが予想されたので、オゾン洗浄を行なった。また、
一部に電極以外の金属が露出しているので、ポリイミド
で電極以外の金属をマスクした。

このシリコンウェハ１１の電極上に、第３図に示すよう
な超音波はんだづけ装置を用いて固体粒子が分散したは
んだバンプを形成した。第３図において、はんだ槽４１
内にははんだの還流路４２が形成され、固体粒子が分散
した溶融はんだ４３が収容されている。この溶融はんだ
４３は図示しないモータにより回転される撹拌棒４４に
より還流路４２内を通ってはんだ槽４１中央部で液面よ
り上に噴出して還流する。前記シリコンウェハ１１は裏
面をバキュームチャックにより吸着された状態で、電極
が形成されている表面の全面が噴出した溶融はんだ４３
の液面に浸漬される。そして、はんだ槽４１の底面から
超音波摂動子４５を挿入し、シリコンウェハ１１近傍の
溶融はんだ４３に超音波を印加する。

なお、はんだとしては下記表に示す固体粒子を分散させ
たＡ（７を２％含むＰｂ−°Ｓｎの共晶はんだ（ただし
試料ＮＱ１５は固体粒子を分散させていない）を使用し
、はんだ槽温度を２６０℃に維持した。また、超音波振
動子４５により溶融はんだ４３に周波数３０ｋＨｚ、出
力５０Ｗの超音波を印加し、シリコンウェハ１１の浸漬
時間は３秒間とした。このはんだづけ操作中、周囲にＡ
ｒガスを２０２／分の流量で流した。

この操作により第２図に示すようなバンプ高さ１５譚の
はんだバンプ３５が形成された。更に、超音波を印加し
ない一般のはんだ槽内に２秒間浸漬してバンプ高さを２
５譚とした。

次いで、シリコンウェハ１１をブレードダイシングして
個々のチップに分離した後、ＴＡＢ方式のテープとの間
で実施例１と同様にインナーリードボンディングを行な
ったが、全く問題は生じなかった。

得られた半導体装置について、実施例１と同様な方法で
高温放置試験と温度サイクル試験を行なったところ、実
施例１の場合とほぼ同様な結果が得られた。

実施例３まず、実施例１と同様なシリコンウェハ１１を用意した
。この場合、配線・電極としてはＡβ−１％Ｓ１が用い
られ、シリコンウェハ１１に形成された各チップには５
００Ｊ＃ｌ！口の電極（コンタクトパッド）がそれぞれ
２個形成されている。

次に、第４図に示すような超音波を印加することができ
るはんだごて５１を用い、シリコンウェハ１１上に固体
粒子が分散した溶融はんだ５２を滴下するとともに、超
音波を印加した。

なお、はんだとしては下記表に示す固体粒子を分散させ
たＰｂ−８ｎの共昌はんだ（ただし試料ＮＱ１５は固体
粒子を分散させていない）を使用し、はんだ温度を２４
０℃に維持した。また、溶融はんだ５２には周波数４０
ｋＨｚ、出力３０Ｗの超音波を印加し、はんだづけ時間
は５秒間とした。

また、この場合はんだづけ面積が大きいため、周囲に不
活性ガスを流す必要がなかった。

この操作により第２図に示すようなバンプ高さ１００ｐ
のはんだバンプ３５が形成された。

なお、本発明において用いられる超音波はんだづけ装置
は、上記実施例１〜３で用いたものに限らず、例えば第
５図に示すようなものでもよい。

第５図図示の超音波はんだづけ装置は、はんだ槽６１自
体が超音波振動し、固体粒子が分散した溶融はんだ６２
に超音波を印加するものである。

また、上記実施例１〜３では、本発明をＴＡＢ方式のワ
イヤレスボンディングに適用した場合について説明した
が、これに限らず本発明はフリップチップ方式あるいは
ＣＣＢ方式等他のワイヤレスボンディングにも同様に適
用できる。この場合、まず第６図（ａ）に示すようにシ
リコン基板７１上に絶縁膜を介して電極７２を形成し、
全面をパッシベーションｌ！７３で被覆した後、電１ｉ
７２上に開孔部を設けたものと、第６図（１））に示す
ようなガラス又はセラミック基板８１上に電極８２を形
成し、全面を絶縁１Ｉ８３で被覆した後、電極８２上に
開孔部を設けたもののそれぞれについて、実施例１〜３
で説明したような方法で電極７２．８２上に固体粒子が
分散したはんだバンプ７４．８４を形成する。次に、第
６図（Ｃ）に示すように、両者のはんだバンプ７４．８
４同士を熱融着することにより接合部９０を形成する。

更に、上記実施例１〜３では、本発明をＡｆｆｉを主成
分として３ｉ、Ｑｕ等の添加物を含む電極上でのはんだ
バンプ形成について説明したが、本発明は電極がタング
ステン、モリブデン等の金属又はこれらの金属のシリサ
イドであっても同様に適用できる。

［発明の効果］以上詳述した如く本発明のはんだバンプの形成方法によ
れば、極めて簡便な工程で電極上に選択的にはんだバン
プを直接形成することができワイヤレスボンディング技
術の導入を容易にし、しかもはんだバンプの耐クリープ
性及び耐疲労性を向上することができるので、素子の微
細化に対応してボンディングの信頼性の古い半導体装置
を製造できる等産業上極めて顕著な効果を奏するもので
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例１におけるはんだバンプの形成
方法を示す説明図、第２図は本発明方法によりはんだバ
ンプが形成されたシリコンウェハの電極部の断面図、第
３図は本発明の実施例２におけるはんだバンプの形成方
法を示す説明図、第４図は本発明の実施例３におけるは
んだバンプの形成方法を示す説明図、第５図は本発明の
他の実施例におけるはんだバンプの形成方法を示す説明
図、第６図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の他の実施例におけ
るワイヤレスボンディングの工程を示す断面図、第７図
は従来のはんだバンプが形成されたシリコンウェハの電
極部の断面図である。１１・・・シリコンウェハ、２１・・・はんだ槽、２２
・・・還流路、２３・・・溶融はんだ、２４・・・撹拌
棒、２５・・・超音波振動子、３１・・・シリコン基板
、３２・・・絶縁膜、３３・・・電極、３４・・・パッ
シベーション膜、３５・・・はんだバンプ、４１・・・
はんだ槽、４２・・・還流路、４４・・・撹拌棒、４５
・・・超音波振動子、５１・・・はんだごて、５２・・
・溶融はんだ、６１・・・はんだ槽、６２・・・溶融は
んだ、７１・・・シリコン基板、７２・・・電極、７３
・・・パッシベーション膜、７４・・・はんだバンプ、
８１・・・ガラス又はセラミック基板、８２・・・電極
、８３・・・絶縁膜、８４・・・はんだバンプ、９０・
・・接合部。出願人代理人　弁理士　鈴江武彦第１図第２図第５図（ａ）　　　　　　　　　　　　（ｂ）＜ｃ＞第６図第７図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板を被覆する絶縁膜から電極を露出させ、少な
くとも電極部に固体粒子が分散した溶融はんだを接触さ
せて該溶融はんだに超音波を印加し、電極表面の自然酸
化膜を破壊するとともに電極との合金化により選択的に
固体粒子が分散したはんだを付着させることを特徴とす
るはんだバンプの形成方法。
（２）基板を固体粒子が分散した溶融はんだ槽に浸漬す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１１記載のはんだ
バンプの形成方法。
（３）基板が半導体基板又はガラスもしくはセラミック
ス基板であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のはんだバンプの形成方法。
（４）電極がアルミニウムを主成分とすることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のはんだバンプの形成方
法。
（５）非酸化性雰囲気中で処理することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のはんだバンプの形成方法。