JPS62203323A - 固体電解コンデンサの製造法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造法Info
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- JPS62203323A JPS62203323A JP4534786A JP4534786A JPS62203323A JP S62203323 A JPS62203323 A JP S62203323A JP 4534786 A JP4534786 A JP 4534786A JP 4534786 A JP4534786 A JP 4534786A JP S62203323 A JPS62203323 A JP S62203323A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
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- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、弁作用を有する金属の表面に酸化皮膜、二酸
化鉛の導電体層、カーゼンノーおよび/または金属層を
順次に設けた固体電解コンデンサであって、かつ該コン
デンサが熱処理されていることを特徴とするtanδ(
訪電正接)の改善された固体電解コンデンサに関する。
化鉛の導電体層、カーゼンノーおよび/または金属層を
順次に設けた固体電解コンデンサであって、かつ該コン
デンサが熱処理されていることを特徴とするtanδ(
訪電正接)の改善された固体電解コンデンサに関する。
従来の技術
本発明者等の一部は、先にコストが安く、熱分解反応を
利用せずに、しかもコンデンサ性能に悪影響を及ぼす触
媒、例えば銀触媒を使用せずに酸化皮膜層上に化学的析
出によって二酸化鉛の導電体層を設け、さらに二酸化鉛
の導電体層の上にカーデフ層および金属層を順次に設け
た固体電解コンデンサを提案した。
利用せずに、しかもコンデンサ性能に悪影響を及ぼす触
媒、例えば銀触媒を使用せずに酸化皮膜層上に化学的析
出によって二酸化鉛の導電体層を設け、さらに二酸化鉛
の導電体層の上にカーデフ層および金属層を順次に設け
た固体電解コンデンサを提案した。
しかしながら、上記固体電解コンデンサは、高容量の場
合、tanδが必ずしも充分満足すべきものではなかっ
た。
合、tanδが必ずしも充分満足すべきものではなかっ
た。
発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は、高容量でもtinδが小さい、弁作用
を有する金属の表面に酸化皮膜、二酸化鉛の導電体層、
カーボン層および/ま九は金属層が順次形成された固体
電解コンデンサを提供することにある。
を有する金属の表面に酸化皮膜、二酸化鉛の導電体層、
カーボン層および/ま九は金属層が順次形成された固体
電解コンデンサを提供することにある。
問題点を解決するだめの手段
本発明者等は、前記従来の固体電解コンデンサの欠点を
解決すべく鋭意研究した結果、固体′覗解コンデンサを
特定の温度で熱処理することにより、前記目的が有効に
達せられることを見出し、本発明を完成するに至った。
解決すべく鋭意研究した結果、固体′覗解コンデンサを
特定の温度で熱処理することにより、前記目的が有効に
達せられることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明に従えば、弁作用を有する金属の表面に酸
化皮膜、二酸化鉛の導電体層、カーデン層および/また
は金属層を順次に設けた固体電解コンデンサであって、
かつ該コンデンサが40℃以上300℃以下の温度で熱
処理されていることを特徴とする固体電解コンデンサが
提供される。
化皮膜、二酸化鉛の導電体層、カーデン層および/また
は金属層を順次に設けた固体電解コンデンサであって、
かつ該コンデンサが40℃以上300℃以下の温度で熱
処理されていることを特徴とする固体電解コンデンサが
提供される。
本発明において使用される弁作用を有する金属とは、タ
ンタル、ニオブ、アルミニウム等であり、箔または焼結
体として得られる。
ンタル、ニオブ、アルミニウム等であり、箔または焼結
体として得られる。
本発明において、タンタル、ニオブ、アルミニウム等の
弁作用を有する金属の表面に酸化皮膜を形成する方法は
、当業界で公知の方法を採用することができる。また、
弁作用を有する金属の表面に酸化皮膜を設けて市販され
ている高容′量化成箔、例えば高圧用エツチングアルミ
化成箔や低圧用エツチングアルミ化成箔を使用してもよ
い。
弁作用を有する金属の表面に酸化皮膜を形成する方法は
、当業界で公知の方法を採用することができる。また、
弁作用を有する金属の表面に酸化皮膜を設けて市販され
ている高容′量化成箔、例えば高圧用エツチングアルミ
化成箔や低圧用エツチングアルミ化成箔を使用してもよ
い。
酸化皮膜上に、二酸化鉛の導電体層を形成する方法とし
ては、例えば鉛イオンおよび過硫酸イオンを含む反応母
液を酸化皮膜層上で化学的酸化反応させる、いわゆる化
学的析出法が採用される。
ては、例えば鉛イオンおよび過硫酸イオンを含む反応母
液を酸化皮膜層上で化学的酸化反応させる、いわゆる化
学的析出法が採用される。
酸化皮膜層上に二酸化鉛の導電体層を化学的析出によっ
て形成させるだめの反応母液としては、鉛イオンおよび
過硫酸イオンを含んだ水溶液が使用される。
て形成させるだめの反応母液としては、鉛イオンおよび
過硫酸イオンを含んだ水溶液が使用される。
鉛イオン種および過硫酸イオン種には特に制限はなく、
鉛イオン種を与える化合物の代表例としては、例えばク
エン酸鉛、酢酸鉛、塩基性酢酸鉛、ホウフッ化鉛、酢酸
鉛水和物等があげられる。一方、過硫酸イオン種を与え
る化合物の代表例としては、例えば過硫酸アンモニウム
、過硫酸カリ、過硫酸ナトリウム等があげられる。これ
らの鉛イオン種および過硫酸イオン種を与える化合物は
、それぞれを二種以上混合して使用してもよい。
鉛イオン種を与える化合物の代表例としては、例えばク
エン酸鉛、酢酸鉛、塩基性酢酸鉛、ホウフッ化鉛、酢酸
鉛水和物等があげられる。一方、過硫酸イオン種を与え
る化合物の代表例としては、例えば過硫酸アンモニウム
、過硫酸カリ、過硫酸ナトリウム等があげられる。これ
らの鉛イオン種および過硫酸イオン種を与える化合物は
、それぞれを二種以上混合して使用してもよい。
反応母液中の鉛イオン濃度は、7モル/lから0.1モ
ル/l、 好ましくは5モル/lから1.3モル/lの
範囲内であることが望ましい。鉛イオンの濃度が7モル
/lより高い場合には、反応母液の粘度が高くなりすぎ
て使用困難となり、また、鉛イオンの濃度が0.1モル
/lより低い場合には、反応母液中の鉛イオン濃度が薄
すぎるため塗布回数を多くしなければならないという難
点がある。一方、反応母液中の過硫酸イオン濃度は、鉛
イオンに対してモル比で5から0.5の範囲内であるこ
とが好ましい。過硫酸イオンの濃度が鉛イオンに対して
モル比で5より多いと、未反応の過硫酸イオンが残るた
めコスト高となり、また過硫酸イオンの濃度が鉛イオン
に対してモル比で0.5より少ないと、未反応の鉛イオ
ンが残り電導性が悪くなるので好ましくない。
ル/l、 好ましくは5モル/lから1.3モル/lの
範囲内であることが望ましい。鉛イオンの濃度が7モル
/lより高い場合には、反応母液の粘度が高くなりすぎ
て使用困難となり、また、鉛イオンの濃度が0.1モル
/lより低い場合には、反応母液中の鉛イオン濃度が薄
すぎるため塗布回数を多くしなければならないという難
点がある。一方、反応母液中の過硫酸イオン濃度は、鉛
イオンに対してモル比で5から0.5の範囲内であるこ
とが好ましい。過硫酸イオンの濃度が鉛イオンに対して
モル比で5より多いと、未反応の過硫酸イオンが残るた
めコスト高となり、また過硫酸イオンの濃度が鉛イオン
に対してモル比で0.5より少ないと、未反応の鉛イオ
ンが残り電導性が悪くなるので好ましくない。
反応母液は、鉛イオン種を与える化合物と過硫酸イオン
種を与える化合物を同時に水に溶解させて使用してもよ
く、または予め鉛イオン種を与える化合物と過硫酸イオ
ン種を与える化合物の水溶液をそれぞれ別個に調製して
おいて使用直前に混合して使用してもよい。
種を与える化合物を同時に水に溶解させて使用してもよ
く、または予め鉛イオン種を与える化合物と過硫酸イオ
ン種を与える化合物の水溶液をそれぞれ別個に調製して
おいて使用直前に混合して使用してもよい。
酸化皮膜層の上に二酸化鉛の導電体層を設ける漬するか
、または酸化皮膜を有する弁作用金属に反応母液を塗布
して反応母液を酸化皮膜に進入させ、放置した後、水洗
い乾燥する方法が採用される。
、または酸化皮膜を有する弁作用金属に反応母液を塗布
して反応母液を酸化皮膜に進入させ、放置した後、水洗
い乾燥する方法が採用される。
本発明においては、二酸化鉛の導電体層の一部は、弁金
属の箔または焼結体の酸化皮膜の細孔に進入している。
属の箔または焼結体の酸化皮膜の細孔に進入している。
次に、二酸化鉛の導電体層の上にカーがン層および/ま
たは金属層を設ける。二酸化鉛の導電体層の上にカー2
7層を設ける方法は、従来公知の方法が採用される。ま
た、カーデン層の上に金属層を設ける方法としては、例
えば銀、アルミニウム、銅等を含んだイーストを塗布す
るか、または銀、アルミニウム、銅等を蒸着する方法が
あげられる。
たは金属層を設ける。二酸化鉛の導電体層の上にカー2
7層を設ける方法は、従来公知の方法が採用される。ま
た、カーデン層の上に金属層を設ける方法としては、例
えば銀、アルミニウム、銅等を含んだイーストを塗布す
るか、または銀、アルミニウム、銅等を蒸着する方法が
あげられる。
かくして得られる固体電解コンデンサは、次に熱処理さ
れる。熱処理温度は、40℃以上300℃以下、好まし
くは70℃以上300℃以下である。熱処理温度が40
℃未満であると、処理時間が極めて長くかかって実用的
ではなく、また熱処理温度が300℃より高い場合は、
二酸化鉛の導気体層が分解を引きおこすので好ましくな
い。
れる。熱処理温度は、40℃以上300℃以下、好まし
くは70℃以上300℃以下である。熱処理温度が40
℃未満であると、処理時間が極めて長くかかって実用的
ではなく、また熱処理温度が300℃より高い場合は、
二酸化鉛の導気体層が分解を引きおこすので好ましくな
い。
熱処理時間は、熱処理温度によって異なるので一概には
決められないが、通常は数時間、好ましくは1〜5時間
の範囲内である。
決められないが、通常は数時間、好ましくは1〜5時間
の範囲内である。
本発明における熱処理は、高容量化成箔(例えば低圧用
エツチングアルミ化成箔等)を使用し、との化成箔に二
酸化鉛の導電体層、力−ゼン層および/または金属層を
頭次設けた固体′1解コンデニ・′すに特に効果的であ
る。
エツチングアルミ化成箔等)を使用し、との化成箔に二
酸化鉛の導電体層、力−ゼン層および/または金属層を
頭次設けた固体′1解コンデニ・′すに特に効果的であ
る。
発明の効果
本発明の固体電解コンデンサは、従来公知の固体電解コ
ンデンサに比較して以下のような利点を有している。
ンデンサに比較して以下のような利点を有している。
■ 漏れ電流が小さい。
■ 高容量でもtanδが小さい。
実施例
以下、実施例および比較例をあげて本発明をさらに詳細
に説明する。なお、各列の固体電解コンデンサの特性値
を表に示した。
に説明する。なお、各列の固体電解コンデンサの特性値
を表に示した。
実施例1
りの濃度が2.5モル/lの水溶液を混合して反応母液
を得た。この反応母液を直ちに長さ4副、巾0.3αの
低圧用エツチングアルミ化成箔(エチレングリコールと
アジピン酸アンモニウムの電解液を使用した場合の容量
が約8μF/cm2)層に塗布し、減圧下で3時間放置
したところ、化成箔上に二酸化鉛層が形成した。次いで
、二酸化鉛層を水で充分洗浄した後、110℃で3時間
減圧乾燥した。
を得た。この反応母液を直ちに長さ4副、巾0.3αの
低圧用エツチングアルミ化成箔(エチレングリコールと
アジピン酸アンモニウムの電解液を使用した場合の容量
が約8μF/cm2)層に塗布し、減圧下で3時間放置
したところ、化成箔上に二酸化鉛層が形成した。次いで
、二酸化鉛層を水で充分洗浄した後、110℃で3時間
減圧乾燥した。
二酸化鉛層の上にカーボンペーストを塗布して乾燥した
後、さらにその上に銀ペーストを塗布して乾燥した。陰
極にアルミニウム箔を使用し、樹脂封口して固体電解コ
ンデンサを作製した。
後、さらにその上に銀ペーストを塗布して乾燥した。陰
極にアルミニウム箔を使用し、樹脂封口して固体電解コ
ンデンサを作製した。
次いで、この固体電解コンデンサを110℃の恒温室で
4時間放置した。
4時間放置した。
比較例1
実施例1で110℃で熱処理をしなかった以外は、実施
例1と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
例1と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
実施列2
実施例1で二酸化鉛層の上にカーデン層を設けなかった
以外は、実施例1と同様にして固体電解コンデンサを作
製した。
以外は、実施例1と同様にして固体電解コンデンサを作
製した。
表
* 120Hzでの値
**漏れ電流、35vでの値
Claims (1)
- 弁作用を有する金属の表面に酸化皮膜、二酸化鉛の導
電体層、カーボン層および/または金属層を順次に設け
た固体電解コンデンサであって、かつ該コンデンサが4
0℃以上300℃以下の温度で熱処理されていることを
特徴とする固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61045347A JPH0727849B2 (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 固体電解コンデンサの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61045347A JPH0727849B2 (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 固体電解コンデンサの製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62203323A true JPS62203323A (ja) | 1987-09-08 |
JPH0727849B2 JPH0727849B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=12716746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61045347A Expired - Lifetime JPH0727849B2 (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 固体電解コンデンサの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0727849B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS512960A (ja) * | 1974-06-28 | 1976-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
JPS52133561A (en) * | 1976-05-04 | 1977-11-09 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of manufacturing solid state electrolytic capacitor |
JPS52137662A (en) * | 1976-05-14 | 1977-11-17 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of manufacturing solid state electrolytic capacitor |
-
1986
- 1986-03-04 JP JP61045347A patent/JPH0727849B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS512960A (ja) * | 1974-06-28 | 1976-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
JPS52133561A (en) * | 1976-05-04 | 1977-11-09 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of manufacturing solid state electrolytic capacitor |
JPS52137662A (en) * | 1976-05-14 | 1977-11-17 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of manufacturing solid state electrolytic capacitor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0727849B2 (ja) | 1995-03-29 |
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