JPS62203323A - 固体電解コンデンサの製造法 - Google Patents

固体電解コンデンサの製造法

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JPS62203323A
JPS62203323A JP4534786A JP4534786A JPS62203323A JP S62203323 A JPS62203323 A JP S62203323A JP 4534786 A JP4534786 A JP 4534786A JP 4534786 A JP4534786 A JP 4534786A JP S62203323 A JPS62203323 A JP S62203323A
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JP
Japan
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solid electrolytic
lead
electrolytic capacitor
oxide film
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JP4534786A
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一美 内藤
隆 池崎
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Showa Denko KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、弁作用を有する金属の表面に酸化皮膜、二酸
化鉛の導電体層、カーゼンノーおよび/または金属層を
順次に設けた固体電解コンデンサであって、かつ該コン
デンサが熱処理されていることを特徴とするtanδ(
訪電正接)の改善された固体電解コンデンサに関する。
従来の技術 本発明者等の一部は、先にコストが安く、熱分解反応を
利用せずに、しかもコンデンサ性能に悪影響を及ぼす触
媒、例えば銀触媒を使用せずに酸化皮膜層上に化学的析
出によって二酸化鉛の導電体層を設け、さらに二酸化鉛
の導電体層の上にカーデフ層および金属層を順次に設け
た固体電解コンデンサを提案した。
しかしながら、上記固体電解コンデンサは、高容量の場
合、tanδが必ずしも充分満足すべきものではなかっ
た。
発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、高容量でもtinδが小さい、弁作用
を有する金属の表面に酸化皮膜、二酸化鉛の導電体層、
カーボン層および/ま九は金属層が順次形成された固体
電解コンデンサを提供することにある。
問題点を解決するだめの手段 本発明者等は、前記従来の固体電解コンデンサの欠点を
解決すべく鋭意研究した結果、固体′覗解コンデンサを
特定の温度で熱処理することにより、前記目的が有効に
達せられることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明に従えば、弁作用を有する金属の表面に酸
化皮膜、二酸化鉛の導電体層、カーデン層および/また
は金属層を順次に設けた固体電解コンデンサであって、
かつ該コンデンサが40℃以上300℃以下の温度で熱
処理されていることを特徴とする固体電解コンデンサが
提供される。
本発明において使用される弁作用を有する金属とは、タ
ンタル、ニオブ、アルミニウム等であり、箔または焼結
体として得られる。
本発明において、タンタル、ニオブ、アルミニウム等の
弁作用を有する金属の表面に酸化皮膜を形成する方法は
、当業界で公知の方法を採用することができる。また、
弁作用を有する金属の表面に酸化皮膜を設けて市販され
ている高容′量化成箔、例えば高圧用エツチングアルミ
化成箔や低圧用エツチングアルミ化成箔を使用してもよ
い。
酸化皮膜上に、二酸化鉛の導電体層を形成する方法とし
ては、例えば鉛イオンおよび過硫酸イオンを含む反応母
液を酸化皮膜層上で化学的酸化反応させる、いわゆる化
学的析出法が採用される。
酸化皮膜層上に二酸化鉛の導電体層を化学的析出によっ
て形成させるだめの反応母液としては、鉛イオンおよび
過硫酸イオンを含んだ水溶液が使用される。
鉛イオン種および過硫酸イオン種には特に制限はなく、
鉛イオン種を与える化合物の代表例としては、例えばク
エン酸鉛、酢酸鉛、塩基性酢酸鉛、ホウフッ化鉛、酢酸
鉛水和物等があげられる。一方、過硫酸イオン種を与え
る化合物の代表例としては、例えば過硫酸アンモニウム
、過硫酸カリ、過硫酸ナトリウム等があげられる。これ
らの鉛イオン種および過硫酸イオン種を与える化合物は
、それぞれを二種以上混合して使用してもよい。
反応母液中の鉛イオン濃度は、7モル/lから0.1モ
ル/l、 好ましくは5モル/lから1.3モル/lの
範囲内であることが望ましい。鉛イオンの濃度が7モル
/lより高い場合には、反応母液の粘度が高くなりすぎ
て使用困難となり、また、鉛イオンの濃度が0.1モル
/lより低い場合には、反応母液中の鉛イオン濃度が薄
すぎるため塗布回数を多くしなければならないという難
点がある。一方、反応母液中の過硫酸イオン濃度は、鉛
イオンに対してモル比で5から0.5の範囲内であるこ
とが好ましい。過硫酸イオンの濃度が鉛イオンに対して
モル比で5より多いと、未反応の過硫酸イオンが残るた
めコスト高となり、また過硫酸イオンの濃度が鉛イオン
に対してモル比で0.5より少ないと、未反応の鉛イオ
ンが残り電導性が悪くなるので好ましくない。
反応母液は、鉛イオン種を与える化合物と過硫酸イオン
種を与える化合物を同時に水に溶解させて使用してもよ
く、または予め鉛イオン種を与える化合物と過硫酸イオ
ン種を与える化合物の水溶液をそれぞれ別個に調製して
おいて使用直前に混合して使用してもよい。
酸化皮膜層の上に二酸化鉛の導電体層を設ける漬するか
、または酸化皮膜を有する弁作用金属に反応母液を塗布
して反応母液を酸化皮膜に進入させ、放置した後、水洗
い乾燥する方法が採用される。
本発明においては、二酸化鉛の導電体層の一部は、弁金
属の箔または焼結体の酸化皮膜の細孔に進入している。
次に、二酸化鉛の導電体層の上にカーがン層および/ま
たは金属層を設ける。二酸化鉛の導電体層の上にカー2
7層を設ける方法は、従来公知の方法が採用される。ま
た、カーデン層の上に金属層を設ける方法としては、例
えば銀、アルミニウム、銅等を含んだイーストを塗布す
るか、または銀、アルミニウム、銅等を蒸着する方法が
あげられる。
かくして得られる固体電解コンデンサは、次に熱処理さ
れる。熱処理温度は、40℃以上300℃以下、好まし
くは70℃以上300℃以下である。熱処理温度が40
℃未満であると、処理時間が極めて長くかかって実用的
ではなく、また熱処理温度が300℃より高い場合は、
二酸化鉛の導気体層が分解を引きおこすので好ましくな
い。
熱処理時間は、熱処理温度によって異なるので一概には
決められないが、通常は数時間、好ましくは1〜5時間
の範囲内である。
本発明における熱処理は、高容量化成箔(例えば低圧用
エツチングアルミ化成箔等)を使用し、との化成箔に二
酸化鉛の導電体層、力−ゼン層および/または金属層を
頭次設けた固体′1解コンデニ・′すに特に効果的であ
る。
発明の効果 本発明の固体電解コンデンサは、従来公知の固体電解コ
ンデンサに比較して以下のような利点を有している。
■ 漏れ電流が小さい。
■ 高容量でもtanδが小さい。
実施例 以下、実施例および比較例をあげて本発明をさらに詳細
に説明する。なお、各列の固体電解コンデンサの特性値
を表に示した。
実施例1 りの濃度が2.5モル/lの水溶液を混合して反応母液
を得た。この反応母液を直ちに長さ4副、巾0.3αの
低圧用エツチングアルミ化成箔(エチレングリコールと
アジピン酸アンモニウムの電解液を使用した場合の容量
が約8μF/cm2)層に塗布し、減圧下で3時間放置
したところ、化成箔上に二酸化鉛層が形成した。次いで
、二酸化鉛層を水で充分洗浄した後、110℃で3時間
減圧乾燥した。
二酸化鉛層の上にカーボンペーストを塗布して乾燥した
後、さらにその上に銀ペーストを塗布して乾燥した。陰
極にアルミニウム箔を使用し、樹脂封口して固体電解コ
ンデンサを作製した。
次いで、この固体電解コンデンサを110℃の恒温室で
4時間放置した。
比較例1 実施例1で110℃で熱処理をしなかった以外は、実施
例1と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
実施列2 実施例1で二酸化鉛層の上にカーデン層を設けなかった
以外は、実施例1と同様にして固体電解コンデンサを作
製した。
表 *  120Hzでの値 **漏れ電流、35vでの値

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  弁作用を有する金属の表面に酸化皮膜、二酸化鉛の導
    電体層、カーボン層および/または金属層を順次に設け
    た固体電解コンデンサであって、かつ該コンデンサが4
    0℃以上300℃以下の温度で熱処理されていることを
    特徴とする固体電解コンデンサ。
JP61045347A 1986-03-04 1986-03-04 固体電解コンデンサの製造法 Expired - Lifetime JPH0727849B2 (ja)

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JP61045347A JPH0727849B2 (ja) 1986-03-04 1986-03-04 固体電解コンデンサの製造法

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JP61045347A JPH0727849B2 (ja) 1986-03-04 1986-03-04 固体電解コンデンサの製造法

Publications (2)

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JPS62203323A true JPS62203323A (ja) 1987-09-08
JPH0727849B2 JPH0727849B2 (ja) 1995-03-29

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS512960A (ja) * 1974-06-28 1976-01-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd
JPS52133561A (en) * 1976-05-04 1977-11-09 Tokyo Shibaura Electric Co Method of manufacturing solid state electrolytic capacitor
JPS52137662A (en) * 1976-05-14 1977-11-17 Tokyo Shibaura Electric Co Method of manufacturing solid state electrolytic capacitor

Patent Citations (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS512960A (ja) * 1974-06-28 1976-01-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd
JPS52133561A (en) * 1976-05-04 1977-11-09 Tokyo Shibaura Electric Co Method of manufacturing solid state electrolytic capacitor
JPS52137662A (en) * 1976-05-14 1977-11-17 Tokyo Shibaura Electric Co Method of manufacturing solid state electrolytic capacitor

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JPH0727849B2 (ja) 1995-03-29

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