JPS62113414A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS62113414A JPS62113414A JP25269485A JP25269485A JPS62113414A JP S62113414 A JPS62113414 A JP S62113414A JP 25269485 A JP25269485 A JP 25269485A JP 25269485 A JP25269485 A JP 25269485A JP S62113414 A JPS62113414 A JP S62113414A
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- JP
- Japan
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- lead
- solid electrolytic
- electrolytic capacitor
- ions
- persulfate
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、誘電体皮膜層上に６０℃以上の温度下、化学
的析出によシ二酸化鉛層を形成させた性能の良好な固体
電解コンデンサの製造方法に関する。
的析出によシ二酸化鉛層を形成させた性能の良好な固体
電解コンデンサの製造方法に関する。
従来の技術
例えば特公昭５８−２１４１４号公報に記載されるよう
に、二酸化鉛を電導性物質として用いた固体電解コンデ
ンサは知られている。しかしながら、上記した従来の固
体電解コンデンサは、二酸化鉛を誘電体皮膜層上に形成
させる方法が鉛イオンを含んだ反応母液を２００〜３０
０℃の高温下に熱分解して形成させる方法であるため、
誘電体皮膜（酸化皮膜）が熱的に亀裂したシ、さらには
発生ガスによって化学的に損傷するという問題がある。
に、二酸化鉛を電導性物質として用いた固体電解コンデ
ンサは知られている。しかしながら、上記した従来の固
体電解コンデンサは、二酸化鉛を誘電体皮膜層上に形成
させる方法が鉛イオンを含んだ反応母液を２００〜３０
０℃の高温下に熱分解して形成させる方法であるため、
誘電体皮膜（酸化皮膜）が熱的に亀裂したシ、さらには
発生ガスによって化学的に損傷するという問題がある。
そのため、この固体電解コンデンサに電圧を印加した際
、その誘電体皮膜の欠陥部に電流が集中し、絶縁破壊を
起こす恐れがある。従って、その耐電圧の信頼性を増す
ために、化成電圧を定格電圧の３〜５倍にせねばならず
、所定の容量を得るためには、表面積の大きな大型の陽
極体を使用せざるを得ないという問題がある。
、その誘電体皮膜の欠陥部に電流が集中し、絶縁破壊を
起こす恐れがある。従って、その耐電圧の信頼性を増す
ために、化成電圧を定格電圧の３〜５倍にせねばならず
、所定の容量を得るためには、表面積の大きな大型の陽
極体を使用せざるを得ないという問題がある。
このような欠点を防止するために、例えば特開昭５４−
１２４４７号公報に記載されているように、まず、硝酸
マンガンを熱分解して酸化皮膜層上に二酸化マンガン層
を形成させた後、これを極めて低濃度の鉛イオンと過硫
酸イオンを含んだ液につけ、化学的析出によって二酸化
マンガン層の上に二酸化鉛層を設ける方法が知られてい
る。しかしながら、この方法は、二酸化マンガン層を形
成させる際に硝酸マンガンを２００〜４００℃の高温で
熱分解させるために、誘電体皮膜の熱的亀裂および発生
ガスによる化学的損傷は避は難い。
１２４４７号公報に記載されているように、まず、硝酸
マンガンを熱分解して酸化皮膜層上に二酸化マンガン層
を形成させた後、これを極めて低濃度の鉛イオンと過硫
酸イオンを含んだ液につけ、化学的析出によって二酸化
マンガン層の上に二酸化鉛層を設ける方法が知られてい
る。しかしながら、この方法は、二酸化マンガン層を形
成させる際に硝酸マンガンを２００〜４００℃の高温で
熱分解させるために、誘電体皮膜の熱的亀裂および発生
ガスによる化学的損傷は避は難い。
また、特公昭４９−２９３７４号公報に記載されている
ように、誘電体皮膜層上に二酸化鉛層を化学的析出によ
って形成させる方法が知られている。しかしながら、こ
の方法は、二酸化鉛を化学的に析出させるに際して、触
媒として銀イオンを必要とするため、銀または銀の化合
物が誘電体皮膜表面に付着した形となり、絶縁抵抗が低
下するという問題がある。
ように、誘電体皮膜層上に二酸化鉛層を化学的析出によ
って形成させる方法が知られている。しかしながら、こ
の方法は、二酸化鉛を化学的に析出させるに際して、触
媒として銀イオンを必要とするため、銀または銀の化合
物が誘電体皮膜表面に付着した形となり、絶縁抵抗が低
下するという問題がある。
このような欠点を解決する方法として、有機半導体であ
るテトラシアノキノジメタン塩を電導性物質として使用
する方法（特開昭５７−１７３９２８号公報等）が知ら
れているが、いかんせんテトラシアノキノジメタン塩の
コストが極めて高く、かつ塩であるため湿気に対して不
安定であるという欠点がある。
るテトラシアノキノジメタン塩を電導性物質として使用
する方法（特開昭５７−１７３９２８号公報等）が知ら
れているが、いかんせんテトラシアノキノジメタン塩の
コストが極めて高く、かつ塩であるため湿気に対して不
安定であるという欠点がある。
かかる観点から、本発明者等は、高温下での熱分解反応
を利用せず、しかもコンデンサ特性に悪影響を及ばず銀
イオンのような触媒も使用せずに、誘電体皮膜上に二酸
化鉛の電導性物質を化学的析出法によって形成させた固
体電解コンデンサの製造方法を提案した（特願昭６０−
１９３１８５号）。
を利用せず、しかもコンデンサ特性に悪影響を及ばず銀
イオンのような触媒も使用せずに、誘電体皮膜上に二酸
化鉛の電導性物質を化学的析出法によって形成させた固
体電解コンデンサの製造方法を提案した（特願昭６０−
１９３１８５号）。
しかしながら、この方法で得られる固体電解コンデンサ
は、コンデンサの漏れ電流値が必ずしも十分満足すべき
ものではなかった。
は、コンデンサの漏れ電流値が必ずしも十分満足すべき
ものではなかった。
発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は、コストが安く、高温での熱分解反応を
利用せずに、さらにコンデンサ性能に悪影響を及ばず触
媒、例えば銀触媒を使用せずに誘電体皮膜層上に二酸化
鉛を化学的析出によりて形成させ、しかも漏れ電流値の
改善された固体電解コンデンサの製造方法を提供するこ
とにある。
利用せずに、さらにコンデンサ性能に悪影響を及ばず触
媒、例えば銀触媒を使用せずに誘電体皮膜層上に二酸化
鉛を化学的析出によりて形成させ、しかも漏れ電流値の
改善された固体電解コンデンサの製造方法を提供するこ
とにある。
問題点を解決するための手段
本発明に従えば、二酸化鉛を電導性物質とする固体電解
コンデンサを製造するにあたり、該二酸化鉛を誘電体皮
膜層上に６０℃以上の温度下、化学的析出によシ形成さ
せることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法が
提供される。
コンデンサを製造するにあたり、該二酸化鉛を誘電体皮
膜層上に６０℃以上の温度下、化学的析出によシ形成さ
せることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法が
提供される。
本発明における誘電体皮膜とは、当業界で周知であるア
ルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁金属の箔または焼
結体の酸化皮膜を意味し、公知の方法で得ることができ
る。
ルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁金属の箔または焼
結体の酸化皮膜を意味し、公知の方法で得ることができ
る。
誘電体皮膜層上に二酸化鉛を化学的析出によって形成さ
せるための反応母液としては、鉛イオンおよび過硫酸イ
オンを含んだ水溶液が使用される。
せるための反応母液としては、鉛イオンおよび過硫酸イ
オンを含んだ水溶液が使用される。
鉛イオン種および過硫酸イオン種には特に制限はなく、
鉛イオン種を与える化合物の代表例としては、例えばク
エン酸鉛、酢酸鉛、塩基性酢酸鉛、ホウフッ化鉛、酢酸
鉛水利物等があげられる。一方、過硫酸イオン種を与え
る化合物の代表例とし。
鉛イオン種を与える化合物の代表例としては、例えばク
エン酸鉛、酢酸鉛、塩基性酢酸鉛、ホウフッ化鉛、酢酸
鉛水利物等があげられる。一方、過硫酸イオン種を与え
る化合物の代表例とし。
では、例えば過硫酸アンモニウム、過硫酸カリ、過硫酸
ナトリウム等があげられる。これらの鉛イオン種および
過硫酸イオン種を与える化合物は、それぞれを二種以上
混合して使用してもよい。
ナトリウム等があげられる。これらの鉛イオン種および
過硫酸イオン種を与える化合物は、それぞれを二種以上
混合して使用してもよい。
母液中の鉛イオン濃度は、７モル／ｌから０，１モル／
ｌ、好ましくは５モル／ｌから１．３モル／ｌの範囲内
である。鉛イオンの濃度が７モル／ｌより高い場合には
、母液の粘度が高くなりすぎて使用困難となり、また、
鉛イオンの濃度が０．１モル／ｌより低い場合には、母
液中の鉛イオン濃度が薄すぎるため塗布回数を多くしな
ければならないという難点がある。一方、母液中の過硫
酸イオン濃度は、鉛イオンに対してモル比で３から０．
５の範囲内である。過硫酸イオンの濃度が鉛イオンに対
してモル比で３より多いと、未反応の過硫酸イオンが残
るためコスト高となシ、また過硫酸イオンの濃度が鉛イ
オンに対してモル比で０．５よシ少ないと、未反応の鉛
イオンが残り電導性が悪くなるので好ましくなめ。
ｌ、好ましくは５モル／ｌから１．３モル／ｌの範囲内
である。鉛イオンの濃度が７モル／ｌより高い場合には
、母液の粘度が高くなりすぎて使用困難となり、また、
鉛イオンの濃度が０．１モル／ｌより低い場合には、母
液中の鉛イオン濃度が薄すぎるため塗布回数を多くしな
ければならないという難点がある。一方、母液中の過硫
酸イオン濃度は、鉛イオンに対してモル比で３から０．
５の範囲内である。過硫酸イオンの濃度が鉛イオンに対
してモル比で３より多いと、未反応の過硫酸イオンが残
るためコスト高となシ、また過硫酸イオンの濃度が鉛イ
オンに対してモル比で０．５よシ少ないと、未反応の鉛
イオンが残り電導性が悪くなるので好ましくなめ。
反応母液は、鉛イオン種を与える化合物と過硫酸イオン
種を与える化合物を同時に水に溶解させて使用してもよ
く、または予め鉛イオン種を与える化合物と過硫酸イオ
ン種を与える化合物の水溶液をそれぞれ別個に調製して
おいて使用直前に混合して使用してもよい。
種を与える化合物を同時に水に溶解させて使用してもよ
く、または予め鉛イオン種を与える化合物と過硫酸イオ
ン種を与える化合物の水溶液をそれぞれ別個に調製して
おいて使用直前に混合して使用してもよい。
誘電体皮膜層上に、二酸化鉛の電導性物質を化学的に析
出、形成させる方法としては、誘電体皮膜を有するアル
ミニウム、メンタル、ニオブ等の弁作用金属に反応母液
（鉛イオンおよび過硫酸イオンを含んだ水溶液）を塗布
し、６０℃以上の温度、好ましくは６０〜１００℃の温
度、さらに好ましくは７５〜９５℃の温度で放置した後
、水洗、乾燥する方法、または誘電体皮膜を有する弁作
用金属を反応母液に浸漬して、反応母液を誘電体皮膜て
進入させ、６０℃以上の温度、好ましくは６０〜１００
℃の温度、さらに好ましくは７５〜９５℃との温度で放
置した後、水洗い乾燥する方法があげられる。
出、形成させる方法としては、誘電体皮膜を有するアル
ミニウム、メンタル、ニオブ等の弁作用金属に反応母液
（鉛イオンおよび過硫酸イオンを含んだ水溶液）を塗布
し、６０℃以上の温度、好ましくは６０〜１００℃の温
度、さらに好ましくは７５〜９５℃の温度で放置した後
、水洗、乾燥する方法、または誘電体皮膜を有する弁作
用金属を反応母液に浸漬して、反応母液を誘電体皮膜て
進入させ、６０℃以上の温度、好ましくは６０〜１００
℃の温度、さらに好ましくは７５〜９５℃との温度で放
置した後、水洗い乾燥する方法があげられる。
反応母液から二酸化鉛を化学的析出によって形成させる
際の放置温度が６０℃未満では、漏れ電流値の十分満足
すべき固体電解コンデンサが得られない。放置時間は、
二酸化鉛の生成程度を観察判断することによって適宜選
択される。
際の放置温度が６０℃未満では、漏れ電流値の十分満足
すべき固体電解コンデンサが得られない。放置時間は、
二酸化鉛の生成程度を観察判断することによって適宜選
択される。
発明の効果
本発明の方法によって製造される固体電解コンデンサは
、従来公知の固体電解コンデンサに比較して以下のよう
な利点を有している。
、従来公知の固体電解コンデンサに比較して以下のよう
な利点を有している。
■ 高温に加熱することなく誘電体皮膜層上に二酸化鉛
層を形成できるので、陽極の誘電体皮膜を損傷する恐れ
がなく、補修のための陽極酸化（再化成）を行なう必要
もない。そのため、定格電圧を従来の数倍にあげること
ができ、同容量、同定格電圧のコンデンサを得るのＫ、
従来のものに比較して形状を小型化できる。
層を形成できるので、陽極の誘電体皮膜を損傷する恐れ
がなく、補修のための陽極酸化（再化成）を行なう必要
もない。そのため、定格電圧を従来の数倍にあげること
ができ、同容量、同定格電圧のコンデンサを得るのＫ、
従来のものに比較して形状を小型化できる。
■ 漏れ電流が小さい。
■ 高耐圧のコンデンサを作製することができＺ・■
二酸化鉛の電導度が１０〜１０ ” ５−ｃｍ−１と十
づｊ）に高いためインピーダンスが低い。
二酸化鉛の電導度が１０〜１０ ” ５−ｃｍ−１と十
づｊ）に高いためインピーダンスが低い。
■ 高周波数特性が良い。
実施例
以下、実施例および比較例をあげて本発明をさらに詳細
に説明する。なお、各側の固体電解コンデンサの特注値
を第１表に示しだ。
に説明する。なお、各側の固体電解コンデンサの特注値
を第１表に示しだ。
実施例１
厚さ１００μｍのアルミニウム箔（純度９９．９９％）
を陽極とし、直流および交流の交互使用により、箔の表
面を電気化学的にエツチングして平均細孔径２μｍで、
比表面積を１２ ｍ ／９とした。次いで、このエツチ
ング処理したアルミニウム箔をホウ酸アンモニウムの液
中で電気化学的に処理してアルミニウム箔上に誘電体の
薄層（アルミナ）を形成した。
を陽極とし、直流および交流の交互使用により、箔の表
面を電気化学的にエツチングして平均細孔径２μｍで、
比表面積を１２ ｍ ／９とした。次いで、このエツチ
ング処理したアルミニウム箔をホウ酸アンモニウムの液
中で電気化学的に処理してアルミニウム箔上に誘電体の
薄層（アルミナ）を形成した。
酢酸鉛の濃度が２．０モル／ｌの水溶液と過硫酸カリの
濃度が２．５モル／ｌの水溶液を混合して反応母液を得
た。この反応母液を直ちに上記した誘電体薄層に塗布し
、９０℃で３０分間放置したところ、誘電体薄層上に二
酸化鉛層が形成された。
濃度が２．５モル／ｌの水溶液を混合して反応母液を得
た。この反応母液を直ちに上記した誘電体薄層に塗布し
、９０℃で３０分間放置したところ、誘電体薄層上に二
酸化鉛層が形成された。
次いで、二酸化鉛層を水で充分洗浄した後、１２０℃で
３時間減圧乾燥した。二酸化鉛層の上にカーボン被−ス
トを塗布して乾燥した後、さらにその上に銀波−ストを
塗布して乾燥した。陰極にアルミニウム箔を使用し樹脂
封口して固体電解コンデンサを作製した。
３時間減圧乾燥した。二酸化鉛層の上にカーボン被−ス
トを塗布して乾燥した後、さらにその上に銀波−ストを
塗布して乾燥した。陰極にアルミニウム箔を使用し樹脂
封口して固体電解コンデンサを作製した。
実施例２
実施例１において、反応母液として酢酸鉛の水溶液と過
硫酸カリの水溶液の代りに酢酸鉛三水和物の濃度が３５
モル／ｌの水溶液と過硫酸アンモニウムの濃度が４．２
モル／ｌの水溶液を使用した以外は、実施例１と同様に
して誘電体薄層上に二酸化鉛層を形成した。洗浄、乾燥
後、二酸化鉛層の上にカーボン綬−ストを塗布して乾燥
した後、さらにその上に銀ペーストを塗布して乾燥した
。
硫酸カリの水溶液の代りに酢酸鉛三水和物の濃度が３５
モル／ｌの水溶液と過硫酸アンモニウムの濃度が４．２
モル／ｌの水溶液を使用した以外は、実施例１と同様に
して誘電体薄層上に二酸化鉛層を形成した。洗浄、乾燥
後、二酸化鉛層の上にカーボン綬−ストを塗布して乾燥
した後、さらにその上に銀ペーストを塗布して乾燥した
。
次いで、リード線を半田付けした後、モールド外装して
固体電解コンデンサを作製した。
固体電解コンデンサを作製した。
比較例１
実施例１と同じ誘電体層をもったアルミニウム箔に、従
来公知の硝酸鉛を２５０℃で加熱分解して二酸化鉛を形
成させて固体電解コンデンサを作製した。
来公知の硝酸鉛を２５０℃で加熱分解して二酸化鉛を形
成させて固体電解コンデンサを作製した。
比較例２
実施例１で反応母液を誘電体皮膜に塗布し、室温で３時
間放置した以外は、実施例１と同様にして固体電解コン
デンサを作製した。
間放置した以外は、実施例１と同様にして固体電解コン
デンサを作製した。
表１
＊１２０Ｈｚでの値
＊＊５０Ｖでの値
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、二酸化鉛を電導性物質とする固体電解コンデンサを
製造するにあたり、該二酸化鉛を誘電体皮膜層上に６０
℃以上の温度下、化学的析出により形成させることを特
徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 ２、二酸化鉛を化学的に析出させる反応母液が鉛イオン
および過硫酸イオンを含んだ水溶液である特許請求の範
囲第１項記載の固体電解コンデンサの製造方法。 ３、水溶液中の鉛イオン濃度が７モル／ｌから０．１モ
ル／ｌの範囲であり、かつ鉛イオンに対する過硫酸イオ
ンのモル比が３から０．５の範囲である特許請求の範囲
第２項記載の固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60252694A JPH0719725B2 (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60252694A JPH0719725B2 (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62113414A true JPS62113414A (ja) | 1987-05-25 |
| JPH0719725B2 JPH0719725B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=17240946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60252694A Expired - Lifetime JPH0719725B2 (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719725B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5412447A (en) * | 1977-06-30 | 1979-01-30 | Hitachi Condenser | Solid electrolytic capacitor |
-
1985
- 1985-11-13 JP JP60252694A patent/JPH0719725B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5412447A (en) * | 1977-06-30 | 1979-01-30 | Hitachi Condenser | Solid electrolytic capacitor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0719725B2 (ja) | 1995-03-06 |
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