JPS62200777A - 超伝導薄膜の加工方法 - Google Patents
超伝導薄膜の加工方法Info
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- JPS62200777A JPS62200777A JP61043315A JP4331586A JPS62200777A JP S62200777 A JPS62200777 A JP S62200777A JP 61043315 A JP61043315 A JP 61043315A JP 4331586 A JP4331586 A JP 4331586A JP S62200777 A JPS62200777 A JP S62200777A
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- superconducting
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Links
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Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、超伝導集積回路の作製において、超伝導ライ
ンの臨界電流値が超伝導ラインの膜厚を薄くすると極端
に低（なることを防止するため、超伝導薄膜を加工する
際に超伝導薄膜が損傷を受けないよ５ＩＣ超伝導薄膜上
に誘電体膜からなる損傷防止膜を設け、この２ちの膜を
同時に加工することにより、超伝導薄膜の臨界電流を大
きくしたものである。
ンの臨界電流値が超伝導ラインの膜厚を薄くすると極端
に低（なることを防止するため、超伝導薄膜を加工する
際に超伝導薄膜が損傷を受けないよ５ＩＣ超伝導薄膜上
に誘電体膜からなる損傷防止膜を設け、この２ちの膜を
同時に加工することにより、超伝導薄膜の臨界電流を大
きくしたものである。
本発明は超伝導集積回路特に超伝導ストリップラインに
用いられる超伝導薄膜の加工方法に関する。
用いられる超伝導薄膜の加工方法に関する。
超伝導集積回路は、多層の積層構造をもつため各層の厚
みを薄くすることが、回路の歩留りの向上につながる。
みを薄くすることが、回路の歩留りの向上につながる。
このため、超伝導ス） ＩＪツブ２インを微細かつ薄く
してもその臨界電流値が回路構成上問題のない値である
ことが必要とされる。
してもその臨界電流値が回路構成上問題のない値である
ことが必要とされる。
従来は、第２図（ａ） Ｋ示すようにシリコン基板１上
にニオブ（Ｎｂ）等の超伝導薄Ｍ２をスパッタ法により
被覆し、次いでフォトレジストパターン３を通常の露光
、現保工程を経て形成する。次いでＣＦ、と０１（５Ｌ
％）を用いたりアクティブ・イオン・エツチング方法に
より、フすトレジストパターン３をマスクとしてエツチ
ングをし、第２図（ｂ）Ｋ示すように超伝導薄膜２をバ
クーニングする。
にニオブ（Ｎｂ）等の超伝導薄Ｍ２をスパッタ法により
被覆し、次いでフォトレジストパターン３を通常の露光
、現保工程を経て形成する。次いでＣＦ、と０１（５Ｌ
％）を用いたりアクティブ・イオン・エツチング方法に
より、フすトレジストパターン３をマスクとしてエツチ
ングをし、第２図（ｂ）Ｋ示すように超伝導薄膜２をバ
クーニングする。
従来の超伝導集積回路では、超伝導ストリップラインを
直接加工していたが、この方法ではライン幅を２μｍ程
度に細＜シ、かつ２００（ｌ以下の膜厚にすると極端に
ラインの臨界電流値が低下し、回路構成に適さなかった
。そのため超伝導膜は通常４０００Ａ以下の膜厚をもつ
ものを使っ℃いた。超伝導膜は現在ではＮｂ、ＮｂＮ等
の高融点金属が一般に用いられているが、高融点金属は
スパッタ等で成膜した場合、膜の内部応力が大きく膜厚
を大きくするとその応力も大きくなり、基板からの剥離
が生じやすくなるという問題があった。
直接加工していたが、この方法ではライン幅を２μｍ程
度に細＜シ、かつ２００（ｌ以下の膜厚にすると極端に
ラインの臨界電流値が低下し、回路構成に適さなかった
。そのため超伝導膜は通常４０００Ａ以下の膜厚をもつ
ものを使っ℃いた。超伝導膜は現在ではＮｂ、ＮｂＮ等
の高融点金属が一般に用いられているが、高融点金属は
スパッタ等で成膜した場合、膜の内部応力が大きく膜厚
を大きくするとその応力も大きくなり、基板からの剥離
が生じやすくなるという問題があった。
そこで基板からの剥離がない程度の膜厚で超伝導膜を形
成すると、レジストをマスクとしてバターニングを行う
場合のりアクティブ・イオン・エツチングにおいてイオ
ンがレジストを透過して超伝導膜にダメージん与え、臨
界電流値を低下させるという問題があった。
成すると、レジストをマスクとしてバターニングを行う
場合のりアクティブ・イオン・エツチングにおいてイオ
ンがレジストを透過して超伝導膜にダメージん与え、臨
界電流値を低下させるという問題があった。
上記問題点を解決するための本発明は、基板上に超伝導
薄膜を形成した後、該超伝導薄膜上に誘電体から成る保
護膜を形成し、次いでエツチングマスク層を該保穫膜上
に選択的に形成した後、該保護膜および該超伝導薄膜を
選択的にエツチング除去することを％徴とする。
薄膜を形成した後、該超伝導薄膜上に誘電体から成る保
護膜を形成し、次いでエツチングマスク層を該保穫膜上
に選択的に形成した後、該保護膜および該超伝導薄膜を
選択的にエツチング除去することを％徴とする。
このような本発明では、保護膜によりイオンが超伝導薄
膜に達するのを防止することができ、超伝導薄膜がダメ
ージを受けないようＫすることができる。
膜に達するのを防止することができ、超伝導薄膜がダメ
ージを受けないようＫすることができる。
本発明の一倫施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための工程順断面
図である。
図である。
第１図（ａｌ Ｋ示すように１シリコン基板１上にＮｂ
からなる超伝導薄膜２をスパッタ法により２０００λ形
成し、次いでＳＩＯから成る保護膜４を５０ＯＮ形成す
る。その後、フォトレジストパターン３を形成する。こ
のフォトレジストパターン３ヲ１スクにしてＣＦ４とＯ
，（５％）を用いたりアクティブ・イオン・エツチング
によりエツチングを行ない、第１図（ｂｌ Ｋ示すよう
に保論［４と超伝導薄膜２をパターニングする。この際
イオンは保護膜４で阻止されて、超伝導薄膜２にダメー
ジを与えない。
からなる超伝導薄膜２をスパッタ法により２０００λ形
成し、次いでＳＩＯから成る保護膜４を５０ＯＮ形成す
る。その後、フォトレジストパターン３を形成する。こ
のフォトレジストパターン３ヲ１スクにしてＣＦ４とＯ
，（５％）を用いたりアクティブ・イオン・エツチング
によりエツチングを行ない、第１図（ｂｌ Ｋ示すよう
に保論［４と超伝導薄膜２をパターニングする。この際
イオンは保護膜４で阻止されて、超伝導薄膜２にダメー
ジを与えない。
尚、保ｖＩｋ膜としてＳｔＯなどの誘電体膜を用いるこ
とにより、敢て除去せずに超伝導薄膜上にそのまま残し
てもデバイスの動作には支障をもたらすことはない。
とにより、敢て除去せずに超伝導薄膜上にそのまま残し
てもデバイスの動作には支障をもたらすことはない。
このようにして形成した２、５μｍ＃の超伝導ラインの
臨界電流を測定したところ、４．３ ｍ Ａであり、保
護膜を用（・ない場合の数μＮよりはるかに大きな臨界
電流値を実状することができた。
臨界電流を測定したところ、４．３ ｍ Ａであり、保
護膜を用（・ない場合の数μＮよりはるかに大きな臨界
電流値を実状することができた。
本発明により、膜厚が薄く、幅の細い、一般に臨界電流
値が低（・と考えられるストリップラインの臨界電流値
を大幅に改善できた。
値が低（・と考えられるストリップラインの臨界電流値
を大幅に改善できた。
第１図は、本発明の一実施例を説明するための図、
第２図は、従来例を説明するための図である。
図において、１はシリコン基板、２は超伝導薄膜、４は
保設膜である。 不可（８月の一爽）社イ？Ｔｌ乞示１目り疋末枦１１爪
１爛 寥２ 目
保設膜である。 不可（８月の一爽）社イ？Ｔｌ乞示１目り疋末枦１１爪
１爛 寥２ 目
Claims (1)
- 基板上に超伝導薄膜を形成した後、該超伝導薄膜上に誘
電体から成る保護膜を形成し、次いでエッチングマスク
層を該保護上に選択的に形成した後、該保護膜および該
超伝導薄膜を選択的にエッチング除去することを特徴と
する超伝導薄膜の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61043315A JPS62200777A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 超伝導薄膜の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61043315A JPS62200777A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 超伝導薄膜の加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62200777A true JPS62200777A (ja) | 1987-09-04 |
Family
ID=12660371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61043315A Pending JPS62200777A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 超伝導薄膜の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62200777A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01274481A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-02 | Dowa Mining Co Ltd | 超伝導薄膜の回路パターン形成方法 |
| JP2017529695A (ja) * | 2014-08-13 | 2017-10-05 | ディー−ウェイブ システムズ，インコーポレイテッド | 低磁気雑音の超伝導配線層を形成する方法 |
| US11856871B2 (en) | 2018-11-13 | 2023-12-26 | D-Wave Systems Inc. | Quantum processors |
| US11930721B2 (en) | 2012-03-08 | 2024-03-12 | 1372934 B.C. Ltd. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| US11957065B2 (en) | 2017-02-01 | 2024-04-09 | 1372934 B.C. Ltd. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP61043315A patent/JPS62200777A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01274481A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-02 | Dowa Mining Co Ltd | 超伝導薄膜の回路パターン形成方法 |
| US11930721B2 (en) | 2012-03-08 | 2024-03-12 | 1372934 B.C. Ltd. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| JP2017529695A (ja) * | 2014-08-13 | 2017-10-05 | ディー−ウェイブ システムズ，インコーポレイテッド | 低磁気雑音の超伝導配線層を形成する方法 |
| US11957065B2 (en) | 2017-02-01 | 2024-04-09 | 1372934 B.C. Ltd. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| US11856871B2 (en) | 2018-11-13 | 2023-12-26 | D-Wave Systems Inc. | Quantum processors |
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