JPS62200776A - 発光ダイオ−ドアレ−基板 - Google Patents

発光ダイオ−ドアレ−基板

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Publication number
JPS62200776A
JPS62200776A JP61043352A JP4335286A JPS62200776A JP S62200776 A JPS62200776 A JP S62200776A JP 61043352 A JP61043352 A JP 61043352A JP 4335286 A JP4335286 A JP 4335286A JP S62200776 A JPS62200776 A JP S62200776A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
emitting diode
diode array
substrate
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61043352A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsuneo Shirato
白土 統雄
Masashi Fuse
布施 雅志
Kazu Tomoyose
友寄 壱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Alps Electric Co Ltd filed Critical Alps Electric Co Ltd
Priority to JP61043352A priority Critical patent/JPS62200776A/ja
Publication of JPS62200776A publication Critical patent/JPS62200776A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
  • Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は電子写真プリンター用ヘッドに好適な発光ダイ
オードアレー基板に関する。
[従来の技術] 従来多数の発光ダイオードアレーを基板に載置する場合
、第2図に示すようにアルミニウム基板(51)上にL
ED載置パターンを描写した、長尺のセラミック基板(
52)を乗せ、その上に発光ダイオードアレー(53)
を載置していた。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、セラミック基板(52)は素材そのもの
が従来より高価であり、かつ、発光ダイオードアレー基
板として利用する場合はセラミック基板は長尺になるた
め、そり等が発生しやすく歩留等も含めて非常に高価な
ものとなるという問題点があった。
また、発光ダイオードアレー(53)は発売時発熱を伴
なうため、その放熱性が問題になっていた。
本発明の目的は、上記問題点を解決し安価で、かつ、放
熱特性に優れた発光ダイオードアレー基板を提供するこ
とにある。
[問題点を解決するための手段1 本発明は、アルミニウム基板がアルミニウム表面をアル
マイト処理加工されて成ることを特徴とする。
[作用] アルマイ1〜処理を行なったアルミニウム基板は、セラ
ミック基板と同様電気絶縁性を持つもので、LED戎置
平置駆動パターンルミニウム単板上に直接描写し、セラ
ミック基板を廃止できるものである。
[実施例1 第1図は、本発明の一実施例の発光ダイオードアレー基
板の断面図である。
(1)はアルミニウム基板で、(2)は陽極酸化によっ
て得られたアルマイト層である。(3)、(6)はスパ
ッタリング、または蒸着等薄膜技術によって形成された
導体層であり、(4)は抵抗層である。(5)はポリイ
ミド等の感光性樹脂をスクリーン印刷、またはスピナー
等によって形成された導体層(3)、(6)間の絶縁層
であり、(7〉は導体層を保護する保護層である。(8
)はワイヤーボンディング用のパッド、及び外部取出し
端子となる金メッキ層であり、(9)は金メッキ層(8
)上にダイボンディングまたは導電性接着剤等で載置固
定され配線が施されたQa ASP等の発光ダイオード
アレーである。
尚、この基板は発光ダイオードアレーに替えて類似チッ
プ形状である光受光素子アレーを載置し、イメージセン
サ−とすることも容易である。
[発明の効果1 以上の如く本発明においては、アルミニウム表面をアル
マイ1〜加工しアルミニウム基板上へ直接配線パターン
を形成し、その上に発光ダイオードアレーを載置したた
め、高価なセラミック基板を使用することなく、かつ、
大判の基板への一括のフォト工程が利用可能となり多数
個取りが可能となったので、大幅なコストダウンができ
るという効果を奏する。
また、アルミニウム基板上に直接発光ダイオードアレー
を載置したため、放熱性が良くなるという効果を奏する
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例の発光ダイオードアレー基
板の断面図、第2図は、従来の発光ダイオードアレー基
板の斜視図である。 1・・・アルミニウム基板 2・・・アルマイト層 4・・・抵抗層 3.6・・・導体層 5・・・絶縁層 7・・・保護層 8・・・金メッキ層 9・・・発光ダイオードアレー 算 1 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)発光ダイオードアレーが載置されると共に、該発光
    ダイオードアレーを発光駆動させるための回路パターン
    が描写されたアルミニウム基板を具備する発光ダイオー
    ドアレー基板において、該アルミニウム基板はアルミニ
    ウム表面をアルマイト処理加工されて成ることを特徴と
    する発光ダイオードアレー基板。 2)前記回路パターンは導体層及び抵抗層を有し、該導
    体層及び抵抗層は薄膜を連続成膜されて成り、導体層間
    は感光性ポリイミド等の絶縁性を有する有機被膜を形成
    されて成ることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項
    記載の発光ダイオードアレー基板。
JP61043352A 1986-02-28 1986-02-28 発光ダイオ−ドアレ−基板 Pending JPS62200776A (ja)

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JP61043352A JPS62200776A (ja) 1986-02-28 1986-02-28 発光ダイオ−ドアレ−基板

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JP61043352A JPS62200776A (ja) 1986-02-28 1986-02-28 発光ダイオ−ドアレ−基板

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JP61043352A Pending JPS62200776A (ja) 1986-02-28 1986-02-28 発光ダイオ−ドアレ−基板

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JP2013082099A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Dainippon Printing Co Ltd 積層体およびそれを用いた素子

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