JPS6217251Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は薄膜型サーマルヘツドに関するもので
ある。

感熱記録方式に用いるサーマルヘツドには、主
として抵抗体形成法の違いから厚膜型、薄膜型、
半導体型がある。これらの中で薄膜型は消費電
力、解像度等の面で最も優れていると考えられる
が、反面、量産性の面では厚膜型にやや劣ると考
えられている。

本考案はかかる薄膜型ヘツドにおける欠点を改
善し、量産性に優れたヘツド構造を提供すること
を目的としたものである。

フアツクス用サーマルヘツドとしての基本構成
は、第１に発熱抵抗体及び配線用導体と耐摩耗保
護層、第２に多層配線部領域、第３に発熱体を分
割（マトリツクス）駆動するために不可欠なダイ
オードアレイ及びそのボンデイングのための領域
の三者からなつている。

ところで、薄膜型ヘツドでは抵抗体、配線用導
体及び耐摩耗保護層は真空蒸着又はスパツタリン
グで形成されているため、１度にできる限り多く
の基板枚数を処理できることが量産性の点から要
求される。そのためには基板幅を短くすることが
望ましい。しかしながら、第１図、第２図の従来
例に示すように、従来は上述した３領域を１枚の
基板上にすべて形成しており、それぞれの領域に
必要な幅を加え合わせた長さ以下にすることがで
きないために処理枚数、即ち量産性に欠けるとい
う欠点があつた。

なお、第１図、第２図において、１は絶縁性基
板、２は発熱抵抗体列、３は耐摩耗保護層、４は
多層配線部、５はダイオードアレイ、６は共通リ
ード取出し用電極、７は外部取出し用リード、８
は配線用導体、１１は放熱板である。

基板幅を短くして量産性を高めるためには、３
領域で形成されるヘツドの一部を分割して形成し
組立時にボンデイングする方法が考えられる。こ
のような考え方から、第３図、第４図に示す構造
のヘツドも考えられている。

第３図、第４図に示すヘツドは、多層配線部領
域を別の基板上に形成し、放熱板上に両者を固定
した後に図に示すような特殊なフイルムキヤリヤ
によりダイオードのボンデイングと多層配線を同
時に行うものである。従つて、真空蒸着又はスパ
ツタリングを行う基板幅は、第１図、第２図のも
のに比べて多層配線部だけ短くでき、量産性が向
上する。この場合、基板幅はほぼ半分に縮めるこ
とができることから、量産性は約２倍向上する。
第３図、第４図で第１図、第２図と同一は同一番
号を付してある。第３図、第４図において、９は
フイルムキヤリヤ、１０は多層配線用プリント基
板である。

しかしながら、この方式では蒸着又はスパツタ
リングにおける量産性は向上するが、次のような
欠点が存在する。

第１にフイルムキヤリヤは特殊な形状であり、
又微細パターンを形成するためコスト高になるこ
と。第２に発熱体部の配線用導体と画信号リード
とをフイルムキヤリヤ９でボンデイングするため
に位置合わせが困難となること、第３にダイオー
ドアレイは分離型を用いなければならないため
に、第１、第２図に示すものの場合に比べてコス
ト的に高くなること、第４にフイルムキヤリヤは
比較的大きくなるために、それぞれ非常に近接し
てボンデイングされることになり、ボンデイング
不良又はダイオード不良をボンデイング後に発見
した時に修理が困難であることなどの欠点があ
る。

以上のように、第３図、第４図に示すものは抵
抗体等の膜生成のための量産性は向上している
が、逆にボンデイング工程の困難さ、あるいはダ
イオードアレイのコスト等からみて、コストが安
く量産性に優れたヘツドを得ることは必ずしも容
易ではない。

そこで本考案は以上の点を考慮して、抵抗体等
の膜生成工程の量産性に優れ、しかもボンデイン
グ工程も簡単な構造とすることでコストの安いヘ
ツドを提供しようとするものであり、以下本発明
の実施例について説明する。

本考案におけるヘツド構造の一実施例を第５
図、第６図に、又、他の実施例を第７図に示す。
第５図において、１２は絶縁性基板、１３は抵抗
体列、１４は耐摩耗層、１５は多層配線部、１６
はダイオードアレイ、１７は外部取出し用リー
ド、１８は放熱板、１９は共通リード用フイルム
基板、２０は共通リード用電極である。

絶縁性基板１２上に多数の発熱抵抗体が一列に
配列されて抵抗体列が形成されている。この発熱
抵抗体の各々の一端は多層配線部１５に接続され
ている。多層配線部では各ライン１５ａ，１５
ｂ，１５ｃ，１５ｄ，１５ｅ，１５ｆに対し、発
熱抵抗体１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３
ｅ，１３ｆが一対になつて接続されている。抵抗
体１３ａ〜１３ｆの他端はダイオードアレイの各
ダイオードの一端に接続されている。上記の基板
１２は放熱板１８上に取付けられている。放熱板
１８の一端はＬ字状に形成され、上記基板１２の
上面とほぼ面一な水平面１８ａを持つている。そ
して、この水平面１８ａから垂直面１８ｂにかけ
て、別の絶縁板である共通フイルム１９が取付け
られ、その上に共通リード用電極２０が設けられ
て、ダイオードアレイの共通端子と接続されてい
る。

このように、本考案では共通リード用電極２０
をフイルム基板１９上に形成し、放熱板１８の上
面から端面に折曲げて接着し、しかる後にダイオ
ードアレイ１６によるボンデイングで抵抗体列１
３側の配線用導体と共通リード用電極２０とを電
気的に接続するものである。本実施例においては
外部取出しリード１７は発熱抵抗体が形成された
面とは別の面上で半田付け等で接続されることか
ら、発熱抵抗体の位置は従来のサーマルヘツドに
比べて端部に近くなり記録時に直ちに印字状況が
目視でき共に記録紙の無駄な使用がなくなる等の
特徴も有する。なお、共通リード用のフイルム基
板１９は折曲げずに水平面１８ａのみに接着して
行うことも可能である。

この場合、抵抗体列１３側の配線用導体部は微
細パターンであるが、共通リード用電極２０側の
接続は１本でよく、ピツチも大きいことからボン
デイングのための位置合わせは簡単であるし、従
つて、フイルムリードの接着も正確な位置合わせ
は不要であり、ボンデイング工程は非常に簡単で
ある。しかも、基板幅は共通リード部分及びダイ
オード部分だけ短くでき、生膜工程での量産性が
向上する。

第７図に示すものは共通リード取出し用フイル
ムリード２１の他端にコネクター２２を直接取付
けられるようにしたものである。

本考案においては次のごとき効果を有する。第
１に基板幅を短くすることにより生膜工程での量
産性が向上する。第２にボンデイング工程も容易
であり、又特殊なフイルムキヤリヤを用いること
がないためコスト的にも安くなる。第３にダイオ
ードアレイも分離型を用いる必要がないからコス
ト的に安くなる。第４に外部取出し用リードは端
面で半田付けあるいは直接コネクタ接続する構造
とすることができるため、第１図に示すように外
部取出しリードの半田が邪魔になることがないの
で感熱紙を接触させる時に障害とならない。

以上のように本考案によればサーマルヘツドと
しての量産性が大きく向上するとともにコスト的
にも効果が大きいものである。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は従来の薄膜型サーマルヘツド
の斜視図および断側面図、第３図、第４図は他の
従来の薄膜型サーマルヘツドの斜視図および側面
図、第５図、第６図は本考案の一実施例における
薄膜型サーマルヘツドの斜視図および側面図、第
７図は同他の実施例の薄膜型サーマルヘツドの斜
視図である。 １２……絶縁性基板、１３……抵抗体列、１４
……耐摩耗層、１５……多層配線部、１６……ダ
イオードアレイ、１８……放熱板、１９……フイ
ルム基板、２０……電極。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 絶縁性基板上に列状に形成した発熱抵抗体と
   該発熱抵抗体に通電するための個別導体と感熱
   紙との摩耗を防止するための耐摩耗層と前記個
   別導体の一端を前記絶縁性基板上に設けられた
   多層配線部に接続してなる前記絶縁性基板を放
   熱板に取付け、この放熱板にダイオードアレイ
   に対応した共通電極部を有する別の絶縁板を設
   け、前記個別導体の他端と該共通電極とをダイ
   オードアレイに接続してなる薄膜型サーマルヘ
   ツド。 (2) 別の絶縁板を放熱板の水平面から垂直面にか
   けて形成し、電極を上記絶縁板上に水平面から
   垂直面にかけて形成した実用新案登録請求の範
   囲第１項記載の薄膜型サーマルヘツド。 (3) 電極を可撓性フイルム基板で構成した実用新
   案登録請求の範囲第１項記載の薄膜型サーマル
   ヘツド。