JPH0225247Y2 - - Google Patents
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- JPH0225247Y2 JPH0225247Y2 JP1983165484U JP16548483U JPH0225247Y2 JP H0225247 Y2 JPH0225247 Y2 JP H0225247Y2 JP 1983165484 U JP1983165484 U JP 1983165484U JP 16548483 U JP16548483 U JP 16548483U JP H0225247 Y2 JPH0225247 Y2 JP H0225247Y2
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- Japan
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- hybrid integrated
- integrated circuit
- substrate
- circuit device
- wiring
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は混成集積回路装置に関し、特に広い領
域にわたつて多くの回路素子が設置される回路基
板を機能的に分割し、さらにそれぞれの回路基板
に配置した接続端子間を電気的に接続する機構に
関するものである。
域にわたつて多くの回路素子が設置される回路基
板を機能的に分割し、さらにそれぞれの回路基板
に配置した接続端子間を電気的に接続する機構に
関するものである。
従来の混成集積回路装置、例えばフアクシミリ
装置の記録部に使用される感熱記録ヘツドは、高
密度に配線された発熱抵抗体を選択的にパルス通
電をして発熱させ駆動する。記録紙がA4判、B4
判等と大きな寸法に一対一に対応させるため、必
然的に大面積基板で構成され、発熱抵抗体の抵抗
値分布をはじめ、各機能素子は基板上全域にわた
り均一で、かつ無欠陥微細配線の実現が要求され
る。
装置の記録部に使用される感熱記録ヘツドは、高
密度に配線された発熱抵抗体を選択的にパルス通
電をして発熱させ駆動する。記録紙がA4判、B4
判等と大きな寸法に一対一に対応させるため、必
然的に大面積基板で構成され、発熱抵抗体の抵抗
値分布をはじめ、各機能素子は基板上全域にわた
り均一で、かつ無欠陥微細配線の実現が要求され
る。
第１図は従来の感熱記録ヘツドの一例を示す断
面概略図である。表面にガラス層２を設けたセラ
ミツク基板１上に、例えば１mm当り８本の配線密
度をもつ発熱抵抗体アレイ部３と、この発熱抵抗
体アレイ部３を動作させるための駆動回路部４と
が一体化されている。セラミツク基板１の寸法は
例えばA4判の記録を行なう場合に、幅50mm、長
さ250mm程度になる。まずセラミツク基板１上に、
発熱抵抗体アレイ部３をスパツタ蒸着等によつて
膜形成した後、フオトエツチによつてそれぞれを
分離した高密度配線を作成する。次に駆動用IC
４を固着し、その電極と高密度配線５とをリード
線６をボンデイングし基本構造を完成させる。な
お、駆動用IC４には発熱抵抗体の数と密度に対
応した電極数が存在することになり、約2000個の
素子数規模となる。したがつて駆動用IC４のチ
ツプの数は集積度によつて異なるが約50個の多く
のICが基板上に実装されることになる。このよ
うに多くの回路素子が大面積の一枚基板上に構成
されるが当然、高密度配線５相互間は、確実に分
離し、充分な絶縁性を持たせておく必要があり、
同時に断線もあつてはならない。
面概略図である。表面にガラス層２を設けたセラ
ミツク基板１上に、例えば１mm当り８本の配線密
度をもつ発熱抵抗体アレイ部３と、この発熱抵抗
体アレイ部３を動作させるための駆動回路部４と
が一体化されている。セラミツク基板１の寸法は
例えばA4判の記録を行なう場合に、幅50mm、長
さ250mm程度になる。まずセラミツク基板１上に、
発熱抵抗体アレイ部３をスパツタ蒸着等によつて
膜形成した後、フオトエツチによつてそれぞれを
分離した高密度配線を作成する。次に駆動用IC
４を固着し、その電極と高密度配線５とをリード
線６をボンデイングし基本構造を完成させる。な
お、駆動用IC４には発熱抵抗体の数と密度に対
応した電極数が存在することになり、約2000個の
素子数規模となる。したがつて駆動用IC４のチ
ツプの数は集積度によつて異なるが約50個の多く
のICが基板上に実装されることになる。このよ
うに多くの回路素子が大面積の一枚基板上に構成
されるが当然、高密度配線５相互間は、確実に分
離し、充分な絶縁性を持たせておく必要があり、
同時に断線もあつてはならない。
ところが、セラミツク基板１上には、駆動回路
部、発熱抵抗体アレイ部３それぞれが全域にわた
つて高密度に配線されているため、とかく断線や
短絡の欠陥部分が発生し易く、これによつて記録
抜けが出たり、分解能を劣化させる問題があつ
た。また、このような欠陥を無くすために厳密な
検査を長時間繰り返し、無欠陥であることの確認
を必要とし、基板１上の唯一ケ所に欠陥があつて
も実用できないので経済性に問題があつた。
部、発熱抵抗体アレイ部３それぞれが全域にわた
つて高密度に配線されているため、とかく断線や
短絡の欠陥部分が発生し易く、これによつて記録
抜けが出たり、分解能を劣化させる問題があつ
た。また、このような欠陥を無くすために厳密な
検査を長時間繰り返し、無欠陥であることの確認
を必要とし、基板１上の唯一ケ所に欠陥があつて
も実用できないので経済性に問題があつた。
この他、駆動用IC４を実装する場合、ダイボ
ンド、ワイヤボンドを行なうが、この時の基板温
度が数100℃以上にもなり、この工程の前に形成
しておく発熱抵抗体部に新たな欠陥を発生させる
要因にもなつていた。
ンド、ワイヤボンドを行なうが、この時の基板温
度が数100℃以上にもなり、この工程の前に形成
しておく発熱抵抗体部に新たな欠陥を発生させる
要因にもなつていた。
本考案の目的は、上記欠点を除去し、経済性、
信頼性に優れ、感熱記録ヘツドに限らず実用に供
し得るようにした混成集積回路装置を提供するこ
とにある。
信頼性に優れ、感熱記録ヘツドに限らず実用に供
し得るようにした混成集積回路装置を提供するこ
とにある。
本考案によれば、主平面上に回路素子群が形成
された複数の回路基板から構成される混成集積回
路装置において、少なくとも２個の前記回路基板
の前記回路素子群の接続端子部に、金属あるいは
絶縁体材からなる棒状支持体に、それぞれ分離絶
縁された複数個の膜導体が形成されたシート状フ
レキシブルプリント回路基板を巻きつけ、接着剤
で固定した接続具が１個以上圧接して設置され、
前記接続端子相互間を接続する複数個の前記膜導
体配線間距離（Np）と前記接続端子配線間距離
（Ｎ）との関係が、Ｎ＝Np／2n（ｎ＝１以上の実
数）にしたことを特徴とする混成集積回路装置が
得られる。
された複数の回路基板から構成される混成集積回
路装置において、少なくとも２個の前記回路基板
の前記回路素子群の接続端子部に、金属あるいは
絶縁体材からなる棒状支持体に、それぞれ分離絶
縁された複数個の膜導体が形成されたシート状フ
レキシブルプリント回路基板を巻きつけ、接着剤
で固定した接続具が１個以上圧接して設置され、
前記接続端子相互間を接続する複数個の前記膜導
体配線間距離（Np）と前記接続端子配線間距離
（Ｎ）との関係が、Ｎ＝Np／2n（ｎ＝１以上の実
数）にしたことを特徴とする混成集積回路装置が
得られる。
本考案により、前記のように構成される混成集
積回路装置は、回路基板を各機能素子群毎に分割
している。したがつて、各回路基板毎に独自に最
適な条件で製作できるためそれぞれが高性能で高
信頼の混成集積回路装置を実現することができ
る。また微細配線パターンを検査する場合でも小
さく分割されているために面積的に有利となり容
易に良否の判定ができるようになる。この結果、
完全に無欠陥の機能素子群を容易に製作でき、そ
れぞれを接続だけでよく、容易にシステ化混成集
積回路装置が得られる。とくにフアクシミリ装置
の感熱記録ヘツド、密着形読取デバイス等のよう
に大判化された基板を用いる場合には、各機能素
子毎に分割し、できるだけ基板寸法を小さくした
方が各種膜形成装置への収容枚数が増加し、量産
性に適するようにもなる。
積回路装置は、回路基板を各機能素子群毎に分割
している。したがつて、各回路基板毎に独自に最
適な条件で製作できるためそれぞれが高性能で高
信頼の混成集積回路装置を実現することができ
る。また微細配線パターンを検査する場合でも小
さく分割されているために面積的に有利となり容
易に良否の判定ができるようになる。この結果、
完全に無欠陥の機能素子群を容易に製作でき、そ
れぞれを接続だけでよく、容易にシステ化混成集
積回路装置が得られる。とくにフアクシミリ装置
の感熱記録ヘツド、密着形読取デバイス等のよう
に大判化された基板を用いる場合には、各機能素
子毎に分割し、できるだけ基板寸法を小さくした
方が各種膜形成装置への収容枚数が増加し、量産
性に適するようにもなる。
本考案の実施例について図面を用いて説明す
る。第２図は本考案の一実施例を示す感熱記録ヘ
ツドの断面概略図である。長さ250mm程のアルミ
ナセラミツク基板２１の上にガラスよりなる蓄熱
層２２Taを主成分とする薄膜抵抗体２３，Ａ
よりなる共通電極25，１mm当り８本で前記薄膜抵
抗体２３と同一の配線密度をもつ約２，000個の
分離された個別電極２６，感熱紙の摺動による摩
耗から前記発熱体２３を保護する耐摩耗層２７，
の基本構成からなる発熱抵抗体部と、他のセラミ
ツク基板３１の上に、前記個別電極２６と同一配
線密度と配線数で直線的に配列された接続端子３
６と、外部接続端子３７とを形成し、さらに駆動
用IC２４を実装し、そのICの端子からボンデイ
ング線２８によつて基板上配線電極と接続してい
る駆動回路部との２つの機能部分に基板は分割さ
れている。そして前記アルミナセラミツク基板２
１上の個別電極２６と前記他のセラミツク基板３
１の接続端子３６は互いに相対して配置され、円
筒状金属棒３２の円周面上に接着されたフレキシ
ブルプリント回路基板３３よりなる接続具を介在
させ、これにそれぞれを圧接し接続している。第
３図には本実施例に用いた接続具を具体的に示し
ている。長さ250mm程の円筒状金属棒３２の全円
周面に、ポリイミド絶縁体としたシート状フレキ
シブルプリント回路基板３３を巻きつけ、接着剤
４５によつてそれぞれを固着している。フレキシ
ブルプリント回路基板３３上の導体４４は前記個
別電極２６，接続端子３６に対し、２倍以上の配
線密度に分離され電気的に絶縁されている。導体
膜４４はAu，Cu等通常電極材料として使用され
ているものであり、35μの均一な膜厚に形成され
てあり、また接着剤４５はシート状のものを使用
し、前記分離された導体膜ができるだけ同一高さ
になるように配置されている。
る。第２図は本考案の一実施例を示す感熱記録ヘ
ツドの断面概略図である。長さ250mm程のアルミ
ナセラミツク基板２１の上にガラスよりなる蓄熱
層２２Taを主成分とする薄膜抵抗体２３，Ａ
よりなる共通電極25，１mm当り８本で前記薄膜抵
抗体２３と同一の配線密度をもつ約２，000個の
分離された個別電極２６，感熱紙の摺動による摩
耗から前記発熱体２３を保護する耐摩耗層２７，
の基本構成からなる発熱抵抗体部と、他のセラミ
ツク基板３１の上に、前記個別電極２６と同一配
線密度と配線数で直線的に配列された接続端子３
６と、外部接続端子３７とを形成し、さらに駆動
用IC２４を実装し、そのICの端子からボンデイ
ング線２８によつて基板上配線電極と接続してい
る駆動回路部との２つの機能部分に基板は分割さ
れている。そして前記アルミナセラミツク基板２
１上の個別電極２６と前記他のセラミツク基板３
１の接続端子３６は互いに相対して配置され、円
筒状金属棒３２の円周面上に接着されたフレキシ
ブルプリント回路基板３３よりなる接続具を介在
させ、これにそれぞれを圧接し接続している。第
３図には本実施例に用いた接続具を具体的に示し
ている。長さ250mm程の円筒状金属棒３２の全円
周面に、ポリイミド絶縁体としたシート状フレキ
シブルプリント回路基板３３を巻きつけ、接着剤
４５によつてそれぞれを固着している。フレキシ
ブルプリント回路基板３３上の導体４４は前記個
別電極２６，接続端子３６に対し、２倍以上の配
線密度に分離され電気的に絶縁されている。導体
膜４４はAu，Cu等通常電極材料として使用され
ているものであり、35μの均一な膜厚に形成され
てあり、また接着剤４５はシート状のものを使用
し、前記分離された導体膜ができるだけ同一高さ
になるように配置されている。
このような構造の感熱記録ヘツドは、発熱抵抗
体部の基板は、熱レスポンス向上のため熱伝導の
良いアルミナセラミツク基板であることが望まし
いが、駆動回路部の基板は熱伝導性である必要は
なく、またガラス薄膜による蓄熱層は不要で、安
価で絶縁性が良く、駆動用ICをダイボンドして
リード線をボンデイングするため熱的に安定な基
板材料を使うことができる。従来のように一枚基
板上に全素子を形成する場合には駆動用ICの実
装時の高温環境下に於ける発熱抵抗体の劣化、耐
摩耗層へのクラツク等の発生が皆無となる。また
駆動回路部基板に多層配線が必要な場合でも例え
ば厚膜配線技術を用い安価にしかも安定に製作で
きるようになる。一方発熱抵抗体部基板は、一体
化した従来基板の1/2〜1/3程の大きさとなり膜形
成時に製造装置への同時収容数の増加、欠陥素子
および配線不良の検査工数の減少によつて量産性
に適した構造にできる。
体部の基板は、熱レスポンス向上のため熱伝導の
良いアルミナセラミツク基板であることが望まし
いが、駆動回路部の基板は熱伝導性である必要は
なく、またガラス薄膜による蓄熱層は不要で、安
価で絶縁性が良く、駆動用ICをダイボンドして
リード線をボンデイングするため熱的に安定な基
板材料を使うことができる。従来のように一枚基
板上に全素子を形成する場合には駆動用ICの実
装時の高温環境下に於ける発熱抵抗体の劣化、耐
摩耗層へのクラツク等の発生が皆無となる。また
駆動回路部基板に多層配線が必要な場合でも例え
ば厚膜配線技術を用い安価にしかも安定に製作で
きるようになる。一方発熱抵抗体部基板は、一体
化した従来基板の1/2〜1/3程の大きさとなり膜形
成時に製造装置への同時収容数の増加、欠陥素子
および配線不良の検査工数の減少によつて量産性
に適した構造にできる。
なお、上記した実施例においては感熱記録ヘツ
ドに限定したために使用した基板材料をアルミナ
セラミツクとしたが、これはあくまで本考案の要
旨を説明するための構成にすぎず、実際の使用に
際してはそれぞれの使用目的に合致した絶縁材で
良く、また接続具に用いた円筒状金属棒はガラス
棒あるいは高分子樹脂からなるものでも良い。こ
の断面形状も円形でなく多角形にすれば作業性は
さらに向上する。接続具の導体配線密度は基板上
の接続端子配線密度の２倍以上に形成されている
ために、とくに各基板と圧接する際に位置合せを
必要とせず任意の位置に配置しても電気的接続が
可能となる有利さも発生する。また、前記接続具
導体上には半田のような低融点金属膜を被着せし
め、加熱することによつてより強固な接続を実現
することができる。
ドに限定したために使用した基板材料をアルミナ
セラミツクとしたが、これはあくまで本考案の要
旨を説明するための構成にすぎず、実際の使用に
際してはそれぞれの使用目的に合致した絶縁材で
良く、また接続具に用いた円筒状金属棒はガラス
棒あるいは高分子樹脂からなるものでも良い。こ
の断面形状も円形でなく多角形にすれば作業性は
さらに向上する。接続具の導体配線密度は基板上
の接続端子配線密度の２倍以上に形成されている
ために、とくに各基板と圧接する際に位置合せを
必要とせず任意の位置に配置しても電気的接続が
可能となる有利さも発生する。また、前記接続具
導体上には半田のような低融点金属膜を被着せし
め、加熱することによつてより強固な接続を実現
することができる。
以上詳述したように、本考案によれば棒状接続
具の使用によつて回路基板間の接続が容易となり
したがつて個々の機能回路素子群を最適条件下で
製作できるようになるため総合的に製作が容易で
かつ経済的となり、信頼性の高い動作を確保でき
る混成集積回路装置を提供できる。
具の使用によつて回路基板間の接続が容易となり
したがつて個々の機能回路素子群を最適条件下で
製作できるようになるため総合的に製作が容易で
かつ経済的となり、信頼性の高い動作を確保でき
る混成集積回路装置を提供できる。
第１図は従来の混成集積回路装置の一例を示す
感熱記録ヘツドの断面概略図、第２図は本考案の
一実施例を示す断面概略図、第３図は前記本考案
実施例の部分詳細図である。 図において、１，２１……アルミナセラミツク
基板、２，２２……グレイズ層、３……発熱抵抗
体部、４，２４……駆動用IC、５，２６……個
別電極、６，２８……ボンデイング線、２３……
発熱抵抗体、２５……共通電極、２７……耐摩耗
層、３１……セラミツク基板、３２……金属丸
棒、３３……フレキシブルプリント回路基板、３
６……接続端子、３７……外部接続端子、４４…
…フレキシブルプリント回路導体、４５……シー
ト状接着剤である。
感熱記録ヘツドの断面概略図、第２図は本考案の
一実施例を示す断面概略図、第３図は前記本考案
実施例の部分詳細図である。 図において、１，２１……アルミナセラミツク
基板、２，２２……グレイズ層、３……発熱抵抗
体部、４，２４……駆動用IC、５，２６……個
別電極、６，２８……ボンデイング線、２３……
発熱抵抗体、２５……共通電極、２７……耐摩耗
層、３１……セラミツク基板、３２……金属丸
棒、３３……フレキシブルプリント回路基板、３
６……接続端子、３７……外部接続端子、４４…
…フレキシブルプリント回路導体、４５……シー
ト状接着剤である。
Claims (1)
- 主平面上に回路素子群が形成された複数の回路
基板から構成される混成集積回路装置において、
少なくとも２個の前記回路基板の前記回路素子群
の接続端子部に、金属あるいは絶縁体材からなる
棒状支持体に、それぞれ分離絶縁された複数個の
膜導体が形成されたシート状フレキシブルプリン
ト回路基板を巻きつけ、接着して固定した接続具
が１個以上設置され、前記接続端子相互間を接続
する複数個の前記膜導体配線間隔（Np）と前記
接続端子配線間距離（Ｎ）との関係が、Ｎ＝
Np／2n（ｎ＝１以上の実数）にあることを特徴と
する混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16548483U JPS6073280U (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16548483U JPS6073280U (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 混成集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6073280U JPS6073280U (ja) | 1985-05-23 |
| JPH0225247Y2 true JPH0225247Y2 (ja) | 1990-07-11 |
Family
ID=30362534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16548483U Granted JPS6073280U (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6073280U (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54163764U (ja) * | 1978-05-10 | 1979-11-16 |
-
1983
- 1983-10-26 JP JP16548483U patent/JPS6073280U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6073280U (ja) | 1985-05-23 |
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