KR101037325B1 - 엘이디 조명장치용 베이스기판 및 그 제작방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 베이스 기판으로서 알루미늄을 사용하고, 절연층으로서 알루미늄 산화막을 이용하며, 엘이디 소자를 구동하기 구동회로를 낮은 오옴, 바람직하게 다수의 0 오옴 커넥터를 이용하여 구성하며, 상기 엘이디 소자와 0 오옴 커넥터 간의 전기적 연결과, 0 오옴 커넥터들 간의 전기적 연결을 금을 이용한 와이어 본딩으로 수행하는, 엘이디 조명장치용 메탈 베이스 기판 구조 및 그 제작 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 조명장치에 사용되는 베이스기판에 관한 것으로서, 특히 제작이 간단하고 또한 발열특성이 우수한 엘이디 조명장치용 베이스기판 및 그 제작방법에 관한 것이다.
현재 전세계적으로 환경오염과 지구 온난화 현상에 의해 오염물에 관한 규제가 많이 이루어지고 있는 실정이다. 백열등의 경우에는 사용하는 전기량에 비해 밝기가 떨어져 사장되어 가고 있고, 형광등의 경우에는 효율성은 높으나 아르곤 가스와 소량의 수은가스를 사용하고 또한 형광물질을 사용하기 때문에 환경적인 측면에서는 좋지 않다.
이와 같이, 에너지 효율이 떨어지는 백열등과 환경오염을 일으킬 수 있는 형광등을 대체하기 위해 현재에는 엘이디를 이용한 조명기구가 개발되어 많이 활용되고 있다. 더구나, 차량의 전조등과 미등에 까지도 엘이디를 사용하는 추세로 변해가고 있고, 또한 미래에는 엘이디만을 사용하도록 각국에서 규제하고 있다.
이와 같은 추세에 따라, 국내에서도 주로 가정용이나 사무실용으로 엘이디를 이용한 조명장치가 기존의 백열등과 형광등을 대체하고 있는 중이다.
따라서, 엘이디를 이용하는 조명장치에는 엘이디 소자에 전원공급과 엘이디 소자의 설치를 위한 별도의 베이스기판이 필요하다.
통상적으로 사용되는 엘이디 조명등용 베이스기판은 에폭시수지를 이용하는 통상적인 PCB(FR-4)를 사용하고 있다. 그러나, 다수의 엘이디 소자들이 배열되어 설치되는 엘이디 조명장치의 경우에는 많은 열을 발산하기 때문에, 통상적인 PCB로써는 원활한 열처리가 이루어지기 어렵다. 따라서, 엘이디 소자의 성능과 수명에 큰 영향을 미치는 열이 원활히 처리되기 않기 때문에 엘이디 소자의 성능과 수명에 악영향을 미치게 된다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위해, 메탈 베이스 기판과 세라믹 기판이 엘이디 조명장치를 위한 베이스기판으로 사용되고 있다. 이들 기판 중에서 세라믹기판은 사용중 파손의 위험성이 있어서, 방열성과 강도가 뛰어난 메탈 베이스 기판이 주로 사용되고 있다.
메탈 베이스 기판의 소재로는 규소강판, 아연도강판 또는 알루미늄 강판이 주로 이용되고 있다. 이와 같은 메탈 베이스 기판의 구조를 좀 더 알아보면, 가장 아래층에 베이스 기판으로 사용되는 메탈과, 메탈 위에 설치되는 절연층과, 절연층 위에 설치되는 동박으로 이루어진다.
메탈의 두께는 통상적으로 1 내지 2mm 이고, 절연층은 85㎛이고, 동박은 35 내지 70㎛로 이루어진다. 그리고 상기 절연층은 동박을 메탈에 부착시키는 에폭시 수지이다. 이와 같이 완성된 메탈 베이스 기판의 동박을 소정의 패턴으로 에칭처리하여 엘이디 소자를 위한 회로를 구성하게 된다.
그러나, 상기와 같은 통상적인 메탈 베이스 기판에서는 동박을 메탈에 접착시키는 절연층이 열에 의해 박리되는 경우가 발생할 수 있다. 또한, 통상적인 에폭시 수지를 사용하는 PCB와 같이 회로패턴의 형성을 위해 동박을 에칭해야만 한다.
따라서, 에칭처리를 통해 회로패턴을 별도로 형성하지 않고 또한 절연층으로서의 접착제를 사용하지 않는 엘이디 조명장치용 메탈 베이스 기판 및 그 제작방법을 제공하는 것이 바람직하다 할 것이다.
따라서 본 발명의 목적은 베이스 기판으로서 알루미늄을 사용하고, 절연층으로서 알루미늄 산화막을 이용하며, 엘이디 소자를 구동하기 구동회로를 낮은 오옴, 바람직하게 다수의 0 오옴 커넥터를 이용하여 구성하며, 상기 엘이디 소자와 0 오옴 커넥터 간의 전기적 연결과, 0 오옴 커넥터들 간의 전기적 연결을 금을 이용한 와이어 본딩으로 수행하는, 엘이디 조명장치용 메탈 베이스 기판 구조 및 그 제작 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 엘이디 조명장치용 메탈 베이스 기판은 알루미늄 베이스기판과, 베이스 기판 상에 형성되는 절연층과, 상기 절연층 위에 전도성 또는 비전도성 페이스트로 일렬로 부착되는 다수의 엘이디 소자와, 상기 다수의 엘이디 소자를 따라 일렬로 설치되는 다수의 0 오옴 커넥터들로 이루어지고, 상기 0 오옴 커넥터들을 와이어 본딩을 통해 직렬로 연결되고, 상기 다수의 엘이디 소자들은 상기 와이어 본딩을 통해 상기 0 오옴 커넥터에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.
상기 절연층은 산화알루미늄 층인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 엘이디 조명장치용 메탈 베이스 기판의 제조방법은, 베이스 기판인 알루미늄 기판의 표면에 산화처리를 하여 절연층으로서의 산화알루미늄층을 형성하는 단계와, 상기 절연층 위에 전도성 또는 비전도성의 접착용 페이스트를 사용하여 다수의 엘이디 소자를 일렬로 접착 배치하는 단계와, 상기 일렬로 접착 배치된 엘이디 소자들을 따라서 다수의 0 오옴 커넥터들을 전도성 또는 비전도성의 페이스를 사용하여 절연층 위에 일렬로 접착배치하는 단계와, 와이어 본딩을 통해 상기 엘이디 소자를 커넥터에 전기적으로 연결하는 단계와, 와이어 본딩을 통해 상기 다수의 커넥터들을 직렬로 연결하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 엘이디 조명장치용 메탈 베이스 기판에서는, 통상적인 메탈 베이스 기판에서 사용하는 절연층을 에폭시 수지로 사용하지 않기 때문에 메탈 베이스 기판의 사용 도중에 엘이디 소자 또는 커넥터가 베이스 기판으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있게 된다.
또한, 통상적인 메탈 베이스 기판의 동판을 사용하지 않기 때문에, 회로패턴의 형성을 위한 에칭 공정이 사라져, 제작이 단순해져 제작비용이 절감되는 한편, 에칭 공정에 필요한 화학물질을 사용하지 않기 때문에 친환경적이라 할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 엘이디 조명장치용 메탈 베이스 기판의 사시도.
도 2는 도 1의 선 A-A'를 따라 취한 단면도.
도 2는 도 1의 선 A-A'를 따라 취한 단면도.
이 첨부도면을 참조하여 본 발명을 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 엘이디 조명장치용 메탈 베이스 기판의 사시도이고, 도 2는 도 1의 선 A-A'을 따라 취한 단면도이다.
도 1과 도 2에 도시되어 있듯이, 본 발명에 따른 엘이디 조명장치용 메탈 베이스 기판(100)은 방열성이 우수하고 강도가 뛰어난 알루미늄 베이스 기판(10)과, 알루미늄 베이스 기판 위에 형성되는 절연층(20)과, 상기 절연층 위에 전도성 또는 비전도성 접착 페이스(30)와 접착수단을 통해 절연층 위에 일렬로 접착 배치되는 다수의 엘이디 소자(40)와, 상기 일렬로 접착 배치된 다수의 엘이디 소자를 따라 상기 전도성 또는 비전도성의 접착 페이스와 같은 접착수단을 통해 상기 절연층 위에 직렬로 접착 배치되는 다수의 0 오옴 커넥터(50)와, 상기 엘이디 소자를 상기 커넥터에 전기적으로 연결하고 또한 상기 커넥터들을 전기적으로 직렬로 연결하는 전기적 접속수단으로서의 본딩 와이어(60)로 이루어진다.
상기 절연층은 알루미늄 베이스 기판(10)을 산화처리함으로써 알루미늄 기판 표면에 형성된 산화알루미늄(Al2O3)이다. 상기 절연층의 두께는 수십 마이크로미터이지만 필요에 따라 더 두껍게 또는 더 얇게 형성할 수 있다.
상기 접착수단으로서의 전도성 또는 비전도성의 접착 페이스트는 통상적으로 사용하는 에폭시수지보다 열에 안정적이어서, 본 발명에 따른 엘이디 조명장치용 메탈 베이스 기판을 사용하는 도중에 발생하는 열에 의해 엘이디 소자나 커넥터가 알루미늄 베이스 기판으로부터 박리되는 일이 거의 없게 된다.
상기 0 오옴 커넥터(50)는 일반 시중에서 구입할 수 있거나 또는 제작할 수 있는 공지의 커넥터로서, 통상적으로 6.5mm 길이 정도로 제작하는 것이 보편적이고 또한 제작한계이다. 따라서, 본원 발명에서는 다수의 커넥터들을 일렬로 배치된 엘이디 소자를 따라 배열한 다음에 와이어 본딩(60)을 통해 전기적으로 직렬로 연결되게 된다. 이와 같이 전기적으로 연결된 다수의 커넥터들은 엘이디 소자(40)의 구동에 필요한 전원을 공급하는 역할을 하게 된다.
상기 전기적 접속수단으로서의 본딩 와이어(60)는 반도체 제조공정에서 통상적으로 사용하는 와이어 본딩장치를 이용하여 이루어지는 것으로서, 저항을 최소화하기 위하여 금을 이용하여 제작된다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 엘이디 조명장치용 메탈 베이스 기판을 제작방법을 다시 한번 살펴보면 다음과 같다.
먼저 베이스 기판인 알루미늄 기판의 표면에 산화처리를 하여 절연층으로서의 산화알루미늄층을 형성하게 된다.
그런 다음, 상기 절연층 위에 전도성 또는 비전도성의 접착용 페이스트를 사용하여 다수의 엘이디 소자를 일렬로 접착 배치하게 된다.
그런 다음, 상기 일렬로 접착 배치된 엘이디 소자들을 따라서 다수의 0 오옴 커넥터들을 전도성 또는 비전도성의 페이스를 사용하여 절연층 위에 일렬로 접착배치하게 된다.
그런 다음, 와이어 본딩을 통해 상기 엘이디 소자를 커넥터에 전기적으로 연결한다.
마지막으로, 와이어 본딩을 통해 상기 다수의 커넥터들을 직렬로 연결하게 된다.
상기 단계에 부가적으로, 상기 엘이디 소자와, 커넥터와, 본딩 와이어를 보호하기 위해 에폭시와 같은 투명재료로 상기 엘이디 소자와, 커넥터와, 본딩 와이어를 밀봉처리할 수 있다.
이상에서 설명한 것과 같이, 본 발명에 따른 엘이디 조명장치용 메탈 베이스 기판에서는, 통상적인 메탈 베이스 기판에서 사용하는 절연층을 에폭시 수지로 사용하지 않기 때문에 메탈 베이스 기판의 사용 도중에 엘이디 소자 또는 커넥터가 베이스 기판으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있게 된다.
또한, 통상적인 메탈 베이스 기판의 동판을 사용하지 않기 때문에, 회로패턴의 형성을 위한 에칭 공정이 사라져, 제작이 단순해져 제작비용이 절감되는 한편, 에칭 공정에 필요한 화학물질을 사용하지 않기 때문에 친환경적이라 할 수 있다.
10:알루미늄 베이스 20:기판 절연층
30:접착 페이스 40:엘이디 소자
50:0 오옴 커넥터 60:본딩 와이어
30:접착 페이스 40:엘이디 소자
50:0 오옴 커넥터 60:본딩 와이어
Claims (6)
- 알루미늄으로 구성되는 베이스 기판(10)과,
상기 알루미늄 기판 표면의 산화처리를 통해 상기 알루미늄 베이스 기판 위에 형성되는 절연층(20)과,
상기 절연층 위에 전도성 또는 비전도성의 접착수단(30)을 통해 절연층 위에 일렬로 접착 배치되는 다수의 엘이디 소자(40)와,
상기 일렬로 접착 배치된 다수의 엘이디 소자를 따라 상기 접착수단을 통해 상기 절연층 위에 직렬로 접착 배치되는 다수의 커넥터(50)와,
상기 엘이디 소자를 상기 커넥터에 전기적으로 연결하고 또한 상기 커넥터들을 전기적으로 직렬로 연결하는 본딩 와이어와 같은 전기적 접속수단(60)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 엘이디 조명장치용 베이스기판. - 삭제
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- 베이스 기판인 알루미늄 기판의 표면에 산화처리를 하여 절연층으로서의 산화알루미늄층을 형성하는 단계와,
상기 절연층 위에 전도성 또는 비전도성 접착수단을 사용하여 다수의 엘이디 소자를 일렬로 접착 배치하는 단계와,
상기 일렬로 접착 배치된 엘이디 소자들을 따라서 다수의 커넥터들을 상기 전도성 또는 비전도성의 접착수단을 사용하여 절연층 위에 일렬로 접착 배치하는 단계와,
와이어 본딩을 통해 상기 엘이디 소자를 상기 커넥터에 전기적으로 연결하는 단계와,
와이어 본딩을 통해 상기 다수의 커넥터들을 직렬로 연결하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 엘이디 조명장치용 베이스 기판의 제조방법. - 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100105227A KR101037325B1 (ko) | 2010-10-27 | 2010-10-27 | 엘이디 조명장치용 베이스기판 및 그 제작방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020100105227A KR101037325B1 (ko) | 2010-10-27 | 2010-10-27 | 엘이디 조명장치용 베이스기판 및 그 제작방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101037325B1 true KR101037325B1 (ko) | 2011-05-26 |
Family
ID=44366664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020100105227A KR101037325B1 (ko) | 2010-10-27 | 2010-10-27 | 엘이디 조명장치용 베이스기판 및 그 제작방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101037325B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021066475A1 (ko) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자용 기판 및 이를 이용한 반도체 발광소자 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62200776A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-04 | Alps Electric Co Ltd | 発光ダイオ−ドアレ−基板 |
| KR20090062422A (ko) * | 2007-12-13 | 2009-06-17 | 유트로닉스주식회사 | 알루미늄 금속 기판을 이용한 ｌｅｄ 어레이 모듈 |
| KR20100096817A (ko) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | 카이네틱스 주식회사 | Led 방열용 회로 기판 및 그 제조 방법 |
-
2010
- 2010-10-27 KR KR1020100105227A patent/KR101037325B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62200776A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-04 | Alps Electric Co Ltd | 発光ダイオ−ドアレ−基板 |
| KR20090062422A (ko) * | 2007-12-13 | 2009-06-17 | 유트로닉스주식회사 | 알루미늄 금속 기판을 이용한 ｌｅｄ 어레이 모듈 |
| KR20100096817A (ko) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | 카이네틱스 주식회사 | Led 방열용 회로 기판 및 그 제조 방법 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021066475A1 (ko) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자용 기판 및 이를 이용한 반도체 발광소자 |
| KR20210039514A (ko) * | 2019-10-01 | 2021-04-12 | 주식회사 세미콘라이트 | 기판 및 이를 이용한 반도체 발광소자 |
| KR102252598B1 (ko) | 2019-10-01 | 2021-05-18 | 주식회사 에스엘바이오닉스 | 기판 및 이를 이용한 반도체 발광소자 |
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