JPH0680839B2 - 発光ダイオ−ド配列体 - Google Patents

発光ダイオ−ド配列体

Info

Publication number
JPH0680839B2
JPH0680839B2 JP12106084A JP12106084A JPH0680839B2 JP H0680839 B2 JPH0680839 B2 JP H0680839B2 JP 12106084 A JP12106084 A JP 12106084A JP 12106084 A JP12106084 A JP 12106084A JP H0680839 B2 JPH0680839 B2 JP H0680839B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
wiring
substrate
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP12106084A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60263483A (ja
Inventor
茂 坂口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
Original Assignee
Tottori Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tottori Sanyo Electric Co Ltd, Sanyo Denki Co Ltd filed Critical Tottori Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP12106084A priority Critical patent/JPH0680839B2/ja
Priority to US06/742,584 priority patent/US4733127A/en
Publication of JPS60263483A publication Critical patent/JPS60263483A/ja
Publication of JPH0680839B2 publication Critical patent/JPH0680839B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
    • B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
    • B41J2/45—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 イ）産業上の利用分野 本発明は、特に高密度モノリシック発光ダイオードの載
置に好適な発光ダイオード配列体に関する。
ロ）従来技術 従来例えば日経エレクトロニクス誌1984年４月９日号92
頁に記載されている如く、発光ダイオードプリンタ用ヘ
ッドとして長尺の発光ダイオード配列体がある。このよ
うな発光ダイオード配列体は、第２図に示すようにセラ
ミック等の基板（11）にモノリシック型の発光ダイオー
ド（14）（14）…と駆動素子（16）（16）…を多数配列
載置してある。このような場合、第３図に示すように基
板（21）には一層の配線（23）（23）…しか設けていな
い。発光表示器用のセラミック基板としては例えば特公
昭57-48869号公報の如く印刷により多層配線をする事が
示されているけれど、このような配線が許されるのはこ
の公報の如くハイブリット型の発光ダイオードが点在し
ている場合に限られていた。これはモノリシック型の発
光ダイオードでは従来大型（又は長尺）の表示器が考え
られなかった事もあるが、多層配線では放熱性が悪くま
た微細パターンが得られない事も理由にあげられてい
た。しかし多層配線を用いると特に共通配線や端子導出
において配線自由度が高くなる等の有利な点があるの
で、これを生かしたいと考え本願に至った。
ハ）考案の目的 本発明は上記の点を考慮してなされたもので、モノリシ
ック型の発光ダイオードを用い放熱性がよく、共通配線
や端子導出の行ないやすい発光ダイオード配列体を提供
するものである。
ニ）考案の構成 本発明はモノリシック型の発光ダイオードの載置部から
離隔した同一基板面上に多層配線部を設けるものであ
り、以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
ホ）実施例 第１図は本発明実施例の発光ダイオード配列体の断面図
で発光ダイオードプリンタ用ヘッドを例にとっている。
図において（１）はセラミック等の基板で、（２）
（３）（３）…は基板上に設けられた単層配線である。
（４）は単層配線（２）の上に載置固着され、金属細線
（５）（５）で単層配線（３）（３）に配線が施こされ
たモノリシック型の発光ダイオードである。（６）
（６）は発光ダイオード（４）の両側に配置された駆動
素子で、発光ダイオード（４）を点灯制御するものであ
る。尚発光ダイオード（４）等については後に詳述する
が、複数の発光ダイオード（４）と駆動素子（６）
（６）との平面的な位置関係は一般的な発光ダイオード
プリンタ用ヘッドの場合（第２図参照）と同じである。
（７）（７）は基板の周縁部のみに設けられた多層配線
部である。
上述の構造についてより詳細に説明する。まず基板
（１）は厚さ1mm程度のもので、A4版プリンタの場合、
巾35mm長さ230mmである。発光ダイオード（４）を載置
する単層配線（２）は10〜20μの厚みで長さ215mmであ
るが、配線を行なう単層配線（３）（３）…は発光点の
密度に応じて８〜12本/mmの通常ファインパターンと呼
ばれる高精細密度配線であり、例えば厚み３μｍのエッ
チド印刷パターンでなっている。この単層配線（３）
（３）…は少なくとも発光ダイオード（４）の近傍から
駆動素子（６）（６）…の近傍まではファインパターン
であり、このファインパターン上には絶縁層などを積層
焼成してはならない。これは上層を設ける事によって放
熱特性が損なわれ、かつ焼成によってファインパターン
がひび割れや断線が生じやすいからである。従って表面
保護を行なうのであれば硬化後に軟性のあるシリコン樹
脂等の10μｍ程度の被覆を設けるにとどめるべきであ
る。
次に発光ダイオード（４）は巾1mm長さ8mmのGaAsPから
なる素子に選択拡散によって64乃至128個の整列した発
光点を形成してモノリシック型とする。これを例えば32
個一列に整列させて基板（１）の中央に配置する。
最後に多層配線部（７）（７）について説明する。図の
例において、単層配線（３）（３）…の所望のものを巾
広にパターニングして下層配線とし、その上に透孔を有
する絶縁層（71）（71）を形成する。絶縁層（71）（7
1）は例えば結晶化がガラス印刷体からなる10〜35μｍ
厚の層である。その上に導電層（72）（72）…を形成す
るが絶縁層（71）の透孔部においてはスルーホールとし
ての導通部（73）が形成される。導電層（72）（72）…
は例えば５〜10μｍ厚の金ペースト印刷体によって得ら
れ、共通配線（コモンライン）や端子部が形成される。
そして端子部においては、さらにその導電層（72）上に
銀パラジウムペースト印刷体等からなる端子導体（74）
を設ける。このような多層配線は焼成工程が伴うが、発
光ダイオード（４）から充分離隔する事で積層される配
線を充分強度のある大きさとできるので、断線等は生じ
ない。そして放熱特性を損なわずまた配線を損傷しない
ためには、発光ダイオード（４）の巾の４倍以上発光ダ
イオード（４）から離隔して多層配線部（７）（７）を
設ければよく、かつファインパターン上に設けないよう
にすればよい。発光ダイオード（４）の周囲に駆動素子
（６）（６）が配置してあれば、発光ダイオード（４）
自身の発熱より駆動素子（６）（６）の発熱が大きく、
この影響によって発光特性が影響されないように工夫さ
れているので、駆動素子（６）（６）の載置位置を目安
にそれより外側（発光ダイオードのある反対側）に多層
配線部を設ければよい。
ヘ）発明の効果 上述の様に本発明では、発光ダイオードと駆動素子の周
辺に多層配線部を設けずに直接に基板上に載置するの
で、発光ダイオードから基板を通る放熱量は大きく、発
光特性は損なわれない。そして発光ダイオードと駆動素
子の間に設けられた高密度配線部上に多層配線部を設け
ないので、高密度配線部は多層形成するための焼成によ
る断線がない。更に、多層配線部は共通配線や端子とし
て利用出来るので、配線の自由度が高い。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明実施例の発光ダイオード配列体の断面
図、第２図は発光ダイオード配列体の要部平面図、第３
図は従来の発光ダイオード配列体の断面図である。 （１）…基板、（２）（３）（３）…単層配線、（４）
…発光ダイオード、（５）（５）…金属細線、（６）
（６）…駆動素子、（７）（７）…多層配線部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板と、その基板の一部に整列して載置固
    着された複数のモノリシック型の発光ダイオードと、そ
    の発光ダイオードの周囲に配置された駆動素子と、その
    駆動素子と前記発光ダイオードとの間に設けられた高密
    度配線部と、その高密度配線部の周辺を除き前記駆動素
    子載置部の外側に位置する様に、前記基板上に設けられ
    た多層配線部とを具備した事を特徴とする発光ダイオー
    ド配列体。
JP12106084A 1984-06-12 1984-06-12 発光ダイオ−ド配列体 Expired - Lifetime JPH0680839B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12106084A JPH0680839B2 (ja) 1984-06-12 1984-06-12 発光ダイオ−ド配列体
US06/742,584 US4733127A (en) 1984-06-12 1985-06-07 Unit of arrayed light emitting diodes

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12106084A JPH0680839B2 (ja) 1984-06-12 1984-06-12 発光ダイオ−ド配列体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60263483A JPS60263483A (ja) 1985-12-26
JPH0680839B2 true JPH0680839B2 (ja) 1994-10-12

Family

ID=14801844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12106084A Expired - Lifetime JPH0680839B2 (ja) 1984-06-12 1984-06-12 発光ダイオ−ド配列体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0680839B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012111247A1 (de) * 2012-11-21 2014-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5748869B2 (ja) * 1972-02-23 1982-10-19
JPS5774166A (en) * 1980-10-29 1982-05-10 Oki Electric Ind Co Ltd Array head of light emitting diode

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60263483A (ja) 1985-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4936808A (en) Method of making an LED array head
JP2004207444A5 (ja)
JP2717903B2 (ja) 発光基板
JPH0680839B2 (ja) 発光ダイオ−ド配列体
JPS62261465A (ja) 光プリンタヘツド
US20030071267A1 (en) Light-emitting thyristor matrix array
JPS6225067A (ja) サ−マルヘツドの電極形成方法
JP2000286291A (ja) 半導体素子の実装構造体
JP3405724B2 (ja) サーマルヘッド
JPS62200776A (ja) 発光ダイオ−ドアレ−基板
JPH0694216B2 (ja) 光プリントヘツド
JPS61199683A (ja) 光プリンタヘツド
JPH0517895Y2 (ja)
JPS6062168A (ja) 固体発光表示装置
JP3362234B2 (ja) 電子部品およびその製造方法
JP2006334790A (ja) サーマルプリントヘッド
JPH0536289Y2 (ja)
JPH0632932B2 (ja) サーマルヘッドの製造方法
JPH0680840B2 (ja) 光プリンタヘツド
JPH0328528Y2 (ja)
JPS63263776A (ja) 発光ダイオ−ドアレイヘツド
JP2579367B2 (ja) 厚膜型サーマルヘッド及びその製造方法
JPS5934510B2 (ja) サ−マルヘツド
JPS62142665A (ja) 光プリンタヘツド
JP2000349343A (ja) 発光素子アレイ装置

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term