JPS62190856A - 半導体パツケ−ジ - Google Patents

半導体パツケ−ジ

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JPS62190856A
JPS62190856A JP61034685A JP3468586A JPS62190856A JP S62190856 A JPS62190856 A JP S62190856A JP 61034685 A JP61034685 A JP 61034685A JP 3468586 A JP3468586 A JP 3468586A JP S62190856 A JPS62190856 A JP S62190856A
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JP
Japan
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semiconductor chip
resin
die pad
stress
leads
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JP61034685A
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English (en)
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Koji Nose
幸之 野世
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体パッケージ特に樹脂封止型高信頼性半導
体パッケージの構造に関する。
従来の技術 多機能を一つの半導体チップに取り入れるために、パタ
ーンの微細化と並行して半導体チップが大面積化してき
ている。
現在、このような大面積半導体チップを樹脂封止型パッ
ケージに搭載する場合、Ｆｅ−Ｎｉ（４２ｗｔ％）やＣ
ｕ系合金から成るリードフレームのダイパッドにＡｕ−
３ｉ共晶や、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂中にＡ
ｑ粉末を混合したペーストで大面積半導体チップを固着
する。。
そして、半導体チップ表面に設けられた八２やＡｌ１−
３Ｌ合金等で構成された端子と、リードフレームのイン
ナーリード部をＡｕ　、　Ａｇ　、　Ｃｕ　、　Ａｊ！
　系の細線で接続する。この時、インナーリードの先端
はＡｑやＡｕ等の薄いメッキ層が施されており、この部
分と半導体チップ表面の端子の間を、超音波振動法や熱
圧着法により前記金属細線を用いて接続する。つぎに、
金属細線で半導体チップと接続されたリードフレームを
、樹脂型パッケージ成形用の金型に装着する。金型表面
温度は１６０〜１９０℃に維持されている。この金型の
キャビティー内に溶融状のノボラック系エポキシ樹脂を
注入して、半導体チップと金属細線とリードフレームの
一部を樹脂中に封じ込め、パッケージ形状に成形する。
そして、樹脂の外部のリードフレームに表面処理を行い
、さらに不要部の切断２曲げ等の加工を施し、樹脂表面
のマーキングを経て、樹脂封止型パッケージが完成する
。
発明が解決しようとする問題点 従来の樹脂封止型パッケージは、高温金型中に溶融樹脂
を注入して成形する際に、樹脂の硬化収縮と室温に戻る
時の熱収縮が生じる。そのために樹脂内部のＳｔから成
る半導体チップに圧縮、剪断等の応力を与えて、その結
果、Ｓ１単結晶にピエゾ効果が作用する。そして半導体
チップの表面に作製された各素子の特性に変動を生じさ
せる。
この変動量は、半導体チップの大きさや位置。
パッケージング用樹脂の種類、パッケージの形状、等で
異なるために、これらの要因を正確に把握して、樹脂封
止型パッケージを設計することは不可能である。
さらに、半導体チップ表面と樹脂との界面で生じる剪断
応力は、半導体チップ表面上の金属配線微細パターンに
移動を生じさせ、同時に表面保護膜も破壊する。
これは、パターンくずれや、耐湿性の劣化等の問題につ
ながる。
問題点を解決するだめの手段 前記問題点を解決するため本発明は、半導体チップとダ
イパッドとダイパッド受皿とよりなり、前記半導体チッ
プが前記ダイパッド上にダイスボンドされ、前記ダイパ
ッドが前記グイパッド受け皿に嵌合され、前記グイパッ
ド受け皿の周囲に前記ダイパッドの半導体チップ固着面
より高い仕切シ壁を有し、前記仕切り壁と前記半導体チ
ップ側面間に充填された弾性材料を有する事を特徴とす
る樹脂封止型半導体パッケージを提供する。
作　　用 本発明は、半導体チップの表面や側面をシリコーン樹脂
のような弾性材料で覆うことで、半導体チップの各部で
の集中応力を避けることができ、その結果、応力分散が
図れる。さらに、半導体チップ表面の剪断応力を著しく
低減できる等の作用を生ずる。
実施例 以下に本発明の実施例として樹脂封止型デュアルインラ
インパッケージの構造を用いて、第１図と第２図を参照
しながら説明していく。
第１図は、本発明を達成するだめの工程断面図を示す。
先ず、第１図Ａに示すようにＦ＠−Ｎｉ　（４２ｗｔ％
）合金からなるリードフレーム１のダイパッド２と、そ
の周辺にリードの先端が位置するインナーリード３とが
存在する。ダイパッド２と半導体チップダイスボッ１４
フフ面４とインナーリード３の先端上面には、１〜３μ
ｍのＡｑやＡｕ　のメッキ層６が設けられている。
次に、第１図Ｂに示すように８１やその他の化合物から
なる半導体チップ６を、Ａｕ−９ｉ共晶法やＡｑペース
トで半導体チップダイスボンディング面４に固着する。
Ａｕ−８ｔ共晶法は、３８０〜５６０’Ｃの低酸素濃度
雰囲気で半導体チップ６を半導体チップダイスボンディ
ング面４に固着する。
次に第１図Ｃに示すように半導体チップ６の表面の端子
７とインナ−リード３先端部のメッキ層６の間を、Ａｕ
やＡｑやＣｕやＡ２系の合金からなる金属細線８で接続
する。接続は室温から４６０℃の間の温度範囲で、超音
波振動法や熱圧着法により行う。
次に第１図りに示すように金属や樹脂、セラミック等で
成形された、グイパッド受け皿９をダイパッド２とイン
ナーリード３の先端との間に、はめ込む。グイパッド受
け皿９は底面を支持台１０で支持しておく。グイパッド
受け皿９の周囲は０．４〜０．７ｍ＋の高さの仕切シ壁
１１が設けである。
第１図Ｅに示すようにダイパッド２にはめ込まれた、グ
イパッド受け皿９の内側にシリコーン樹脂等のような硬
化後に弾性を有する液状の弾性材料１２を滴下し、硬化
させる。滴下量は仕切り壁１１を越えず、しかも半導体
装置６全体が埋没する程度にする。そして弾性材料１２
を１５０〜２００℃の温度と空気中で硬化する。その後
に支持台１ｏを取シ除く。硬化後の弾性材料１２はゼリ
ー状である。
次に第１図Ｆに示すようにこのような半導体チップ６と
インナーリード３、そして金属細線８をノボラック系の
エポキシ等のような封止樹脂１３でパッケージ１４の形
状に成形する。
以上の工程を適用することで本発明が達成できる。
第２図は、本発明で得られる樹脂封止型デュアルインラ
インパッケージ１４の内部構造を表わした上方斜視図で
ある。
発明の効果 本発明は、半導体チップの表面と側面とを弾性樹脂等の
ような材料で覆うことで、 （１）封止樹脂から生じる硬化、熱収縮による半導体チ
ップの局部集中応力の発生が防止出来、応力分散が図れ
るために、半導体チップ表面の特性変動の分布が防げる
。
（２）半導体チップ表面と封止樹脂の接触面が生じない
ために剪断応力による半導体チップ表面での金属配線パ
ターンの移動と、それに伴う表面保護膜の破壊が防止で
き、更に特性変動も同時に防止できる。
（３）半導体チップのコーナーやエッヂが露出しないた
めに、熱サイクル等による封止樹脂のマイクロクラック
が軽減出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による樹脂封止型半導体パッケージの製
造工程断面図、第２図はその上方斜視図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・タイバ
ット、３・・・・・・インナーリード、４・・・・・・
半導体チップダイスポンディング面、５・・・・・・メ
ッキ層、６・・・・・・半導体チップ、７・・・・・・
端子、８・・・・・・金属細線、９・・・・・・ダイパ
ッド受け皿、１０・・・・・・支持台、１１・・・・・
・仕切り壁、１２・・・・・・弾性材料、１３・・・・
・・封止樹脂、１４・・・・・・パッケージ。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名Ｉ−
リーＶフＬ−４ ２−・−ダ′づＩｉ”ｙＰ Ｊ−−−ｙ−７〒４ １−手４俸九７゜ 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップとダイパッドとダイパッド受け皿とよりな
    り、前記半導体チップが前記ダイパッド上にダイスボン
    ドされ、前記ダイパッドが前記ダイパッド受け皿に嵌合
    され、前記ダイパッド受け皿の周囲に前記ダイパッドの
    半導体チップ固着面より高い仕切り壁を有し、前記仕切
    り壁と前記半導体チップ側面間に充填された弾性材料を
    有する事を特徴とする半導体パッケージ。
JP61034685A 1986-02-18 1986-02-18 半導体パツケ−ジ Pending JPS62190856A (ja)

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JP61034685A JPS62190856A (ja) 1986-02-18 1986-02-18 半導体パツケ−ジ

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JP61034685A JPS62190856A (ja) 1986-02-18 1986-02-18 半導体パツケ−ジ

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JPS62190856A true JPS62190856A (ja) 1987-08-21

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JP61034685A Pending JPS62190856A (ja) 1986-02-18 1986-02-18 半導体パツケ−ジ

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2692719A1 (fr) * 1992-06-19 1993-12-24 Thomson Composants Militaires Senseur pyroélectrique et procédé de fabrication.

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62117369U (ja) * 1986-01-18 1987-07-25

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